JPS6122348A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を包含する）の様な電磁波に感受
性のある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザ
ー光などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に
関する。

〔従来の技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎｅレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開昭５６−
８３７４６号公報に開示されているシリコン原子を含む
非晶質材料（以後ｒＡ−３ｉＪと略記する）から成る光
受容部材が注目されている。

面乍ら、光受容層を単層構成のＡ−３ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０　Ωｃｍ以Ｈの暗抵抗を確保するには、水素原子や
ハロゲン原子或いはこれ等に加えてポロン原子とを特定
の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる必
要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行う必
要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可成り
の制限がある。

この設計ヒの許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されている様に、光受容層を伝導特
性の異なる層を積層した二層以−ヒの層構成として、光
受容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−
５２１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５
８１５９号、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報
に記載されている様に、光受容層を、支持体と感光層の
間又は／及び感光層の上部表面に障壁層を設けた多層構
造としたりして、見掛け−Ｌの暗抵抗を高めた光受容部
材が提案されている。

この様な提案によって、Ａ−３ｉ系先光受容材はその商
品化設計−ヒの許容度に於いて、或いは製造−ヒの管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードが急速化している。

この様に光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚にむらがあり、また、
レーザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層の
レーザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層の
界面及び支持体と光受容層との層界面（以後、この自由
表面及び層界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）
より反射して来る反射光の夫々が干渉を起す可能性があ
る。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ感光層に於ける該レーザー光の吸収が減少
してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光Ｉｏと、Ｌ部界面１０２で反射した反射光Ｒ１
、下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入として、 均一であると、反射光Ｒ１，Ｒ２が２ｎｄ＝ｍλ（ｍは
整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ−の条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変
化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±１００ＯＯＡの凹凸
を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８−
１６２９７５号公報）、アルミニウム支持体表面を黒色
アルマイト処理したり、或いは樹脂中にカーボン、着色
顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方法（例
えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミニウム
支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サンドブ
ラストにより、砂目状の微細凹凸を設けたりして、支持
体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特開昭
５７−１６５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では、画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防１１二にはなっているが、光散乱と
しては依然として正反射光成分が現存している為に、該
正反射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支
持体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが
生じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はＡ−３ｔ感光層を
形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される
光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がＡ−
３ｔ系感光層形成の際のプラズマによってダメージを受
けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状＃１
の悪化によるその後のＡ−３ｉ系感光層の形成に悪影響
を与えること等の不都合がある。

支持体表面を不規則に荒す第３の方法は、第３図に示す
様に、例えば入射光重。は、光受容層３０２の表面でそ
の一部が反射されて反射光Ｒ０となり、残りは、光受容
層３０２の内部に進入して透過光■１となる。透過光重
、は、支持体３０２の表面に於いて、その一部は、光散
乱されて拡散光に、、に２　、に３・・ＩＩＬｌとなり
、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部が出
射光Ｒ３となって外部に出て行く。従って、反射光Ｒ１
と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依然と
して干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防１１−シて光受容層内部での多重反射を防
止する為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると
、光受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解
像度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則的に荒しても、第１
層４０２での反射光Ｒ２、第２層での反射光Ｒ２、支持
体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、光受容
部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。従って
、多層構成の光受容部材においては、支持体４０１表面
を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防１１−する
ことは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一・ロフトに於いても粗面度に不均一
があって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的
大きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる
大きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因と
なっていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように通常、支持体５０１表面の凹凸形状に沿
って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１の
凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平行
になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ、＝ｍ入また
は２ｎｄｌ−（ｍ十展）入が成立ち、夫々明部または暗
部となる。又、光受容層全体では光受容層の層厚ｃｌ＋
　　、ｄ２　、ｄ３．ｄｑの夫々の差の中の最大がよ以
１−である様な層厚の不拘ｎ ・性があるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体ヒに多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、　一層構成の光受容部
材の干渉縞模様発現度合より−・層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の他の目的は、Ｌ記の様な優れた特性のほか、更
に耐久性、連続繰返し特性、電気耐圧性、使用環境特性
、機械的耐久性及び光受容特性に優れた光受容部材を提
供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、ショートレンジ内に、層厚方向
と垂直な面内の少なくとも一方向に多数配列し且つ配列
方向に於いて各々なめらかに連結している１対以−１−
の非平行な界面を有する、少なくとも１つの感光層と；
シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる表
面層と；を有する多層構成の光受容層を支持体−にに有
する光受容部材であって、前記光受容層は酸素原子、炭
素原子、窒素原子の中から選択される原子の少なくとも
一種を含有することを特徴としている。

以下１本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明において装置の要求解像力よりも微小でなめらか
なな凹凸形状を有する支持体（下図示）］−に、その凹
凸の傾斜面に沿って、１つ以りの感光層を有する多層構
成の光受容層が、第６図（Ａ）に拡大して例示されてい
る。第６図に示される様に、第２層６０２の層厚がｄｓ
からｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界
面６０４とは互いに傾向きを有している。従って、この
微小部分（ショートレンジ）見に入射した可干渉性光は
、該微小部分立に於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を
生ずる。

又、第７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光量。にする反
射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る為
、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　（
Ｂ）　Ｊ　）に較べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（Ｂ）よりも非平行な場合（Ａ）は干
渉しても干渉縞模様の明暗の差が無視し得る程度に小さ
くなる。その結果、微小部分の入射光量は平均化される
。

このことは、第６図に示す様に、第２層６０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ｃＬｚ洪ｄｏ）でも同様に伝える
為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６図のｒ
　（Ｄ）Ｊ参照） また、光受容層が多層構成である場合に於て照射側から
第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明の
効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光Ｉ０に対し
て、反射光Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３，Ｒ４、Ｒ５が存在する。

その為各々の層で第７図を以って前記に説明したことが
生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現れることはない。又、仮に画像
に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的に
は同等支障を生じない。

本発明に於て、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実に
揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ文（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、見≦Ｌであ
る。

この様に設計することにより、回折効果を積極的に利幼
することができ、干渉縞の発現をより一層抑制すること
ができる。

又、本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部
分立に於ける層厚の差（ｄｓ　　ｄ６）は、照射光の波
長を入とすると、 λ の屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部公文の層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於る層厚の差が、 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する感光層、電荷注入防止層、電気絶縁
性材料からなる障壁層等の各層の形成には本発明の目的
をより効果的■、つ容易に達成する為に、層厚を光学的
レベルで正確に制御できることからブリズマ気相法（Ｐ
ＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用される。

支持体表面に設けられるなめらかな凹凸は、円弧状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望のなめらかな凹凸形状、
ピッチ、深さで形成される。この様な切削加工法によっ
て形成される凹凸が作りだす正弦関数形線状突起部は、
円筒状支持体の中心軸を中心にした螺旋構造を有する。

正弦関数形線状突起部の螺旋構造は、二重、三重の多重
螺旋構造、又は交叉螺旋構造とされても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明においては、管理された状態で支持体表面に設け
られるなめらかな凹凸の各ディメンジョンは、以下の点
を考慮した上で、本発明の目的を結果的に達成出来る様
に設定する。

即ち、第１は感光層を例えばＡ−５ｔ層で構成する場合
には、Ａ−Ｓｉ層は、層形成される表面の状態に構造敏
感であって、表面状態に応じて層品質は大きく変化する
。

従って、Ａ−５ｉ感光層の層品質の低下を招来しない様
に支持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定
する必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、ブレードのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積−にの問題点、電子写真法のプロセスＬ
の問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果
、支持体表面の四部のピッチは、好ましくは５００　Ｉ
Ｌｍ”０　、３　＃Ｌｍ、より好ましくは２００ｐｍ−
ＩＪＬｍ、最適には５０　ｇ　ｍ　〜５　ｐ。

ｍであるのが望ましい。

又凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｋｍ〜５＃Ｌ
ｍ、より好ましくは０　、３ｇｍ　〜３　＃１．ｍ、最
適には０．６ＪＬｍ〜２ｐＬｍとごれるのが望ましい。

支持体表面の四部のピッチと最大深さが上記の範囲にあ
る場合、隣接する四部と凸部の各々の極小値点と極大値
点とを結ぶ傾斜面の傾きは、好ましくは１度〜２０度、
より好ましくは３度〜１５度、最適には４度〜ｌＯ度と
されるのが望ましい。

又、この様な支持体−ヒに堆積される各層の層厚の不均
一に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１ｐｍ〜２μｍ、より好ましくは０　、１　ｐｍ　〜
１　、５１１．ｍ、最適には０．２１Ｌｍ〜ｌ１１．ｍ
とされるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
含有される。光受容層中に含有されるこの様な原子（Ｏ
ＣＮ）は、光受容層の全層領域に刃側なく含有されても
良いし、或いは、光受容層の一部の層領域のみに含有さ
せることで偏在させても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が、
光受容層の層厚方向及び支持体の表面と平行な面内に於
いて均一であることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。　
前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量が、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は１層領域（Ｏ
ＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。又、前記層領域
（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が設けられる場合
には、該他の層領域の特性や、該他の層領域との接触界
面に於ける特性との関係も考慮されて、原子（ＯＣＮ）
の含有量が適宜選択される。層領域（ＯＣＮ）中に含有
される原子（ＯＣＮ）の量は、形成される光受容部材の
要求される特性に応じて所望に従って適宜法められるが
、好ましくは０、ＯＯ１〜５０　　ａｔｏｍｉｃ　　％
、より好ましくは、０．００２−４０　　ａｔｏｍｉｃ
　　％、最適には０．００３〜３０　　ａｔｏｍｉｃ　
　％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣＮ）の層圧Ｔ０の光受容層の層圧Ｔに占める
割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有され
る原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充分
小なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔが光受容
層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以−Ｅとなる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏｍｉｃ
％以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｉｃｉ％以下、よ
り好ましくは２０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％以下、最適にはｌ
　Ｏａ　ｔ　ｍ　ｉ　ｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の電荷注入防止層及び
衝撃層には、少なくとも含有される。詰り、光受容層の
支持体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有させること
で、支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ること
がＩ■来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、ホウ素原子との共
存下に於いて、暗抵抗の向上と高光光感度の確保が出来
るので、感光層に所望量含有されることが望ましい 又、これ等の原子（ＯＣＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い。即ち、例えば、電荷注入防止層中には
、酸素原子を含有させ、感光層中には、窒素原子を含有
させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸素原子と窒
素原子とを共存させる形で含有させてもよい。

本発明において、Ａ−３ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される感光
層を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリング
法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利用
する真空堆積法によって成される。例えば、グロー放電
法によって、ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される感光層を
形成するには、基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供
給し得るＳｔ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原
子（Ｈ）導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
所望のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電
を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持
体表面上にａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれ
ば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲットを使
用して、必要に応じてＨｅ　、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈
された水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所望
のガスのプラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットを
スパッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンを、夫々蒸発源として蒸着ポー
トに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレク
トロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発Ｓせ、飛
翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以
外は、スパッタリング法の場合と同様にする事で行うこ
とが出来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスと成す
ラる物質としては、５ｉ）（４，Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ
８，５ｉｎＨ＋ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素
化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げ
られ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｔ供給効率
の良さ等の点でＳ　Ｉ　Ｈ４、５１２Ｈ６＋が好ましい
ものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化物が挙げられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン化合物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化ケイ素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ、　　ＣｌＦ３　、ＢｒＦ５　
、ＢｒＦ３　、ＩＦ３．ＩＦ７　、ＩＣＭ、ＩＢｒ等の
ハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含むホウ素化合物、所謂、ハロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
Ｓ　ｉ　Ｆ４　、　Ｓ　ｉ２　Ｆ６　、　Ｓ　ｉ　Ｃ１
４，５ｆＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとし
て挙げることが出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｓｔを供給し得る原料ガスとしての水素化
ホウ素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハロゲ
ン原子を含むａ　−５ｉから成る感光層を形成する事が
出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む感光層を作
成する場合、基本的には、例えばＳｆ供給用の原料ガス
となるハロゲン化硅素とＡｒ。

Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる
様にして感光層を形成する堆積室に導入し、グロー放電
を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上に感光層を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる
様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子
を含むケイ素化合物のガスも所望量混合して層形成して
も良い。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含むケ
イ素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。又、水素原
子を導入する場合は、水素原子導入用の原料ガス、例え
ば、Ｈ２，或いは前記したシラン類のガス類をスパッタ
リング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲
気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素化
合物が有効なものとして使用されるものであるが、その
他に、ＨＦ　、　）（ＣＪＩ　、ＨＢｒ、ＨＩ等（７）
　ハロゲン化水素、Ｓ　ｓ　Ｈ２Ｆ　２　１ＳｉＨ２Ｉ
２　　、ＳｉＨ２Ｃ文、、５ｉＨＣ文、。

５ｉＨ２Ｂｒ２　．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ３等の
ハロゲン置換水素化ケイ素等のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な感光層形成用の出発物質として挙げ
る事が出来る。これ等の物質の中、水素原子を含むハロ
ゲン化物は、感光層形成の際に層中にハロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子を導入されるので、本発明においては好適な
ハロゲン導入用の原料として使用される。

光受容層を構成する電荷注入防１ト層又は感光層中に、
伝導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或
いは第Ｖ族原子を構造的に導入するには、各層の形成の
際に、第■族原子導入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導
入用の出発物質をガス状態で堆積室中に光受容層を形成
する為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。この
様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものとして
は、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。

その様な第■族原子導入の出発物質として具体的には硼
素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，Ｂ４ＨＩＯ・Ｂ５Ｈ
９，Ｂ５Ｈ，、・Ｂ２Ｓ３ ＨＩＯ＋Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ
３．ＢＣｆＬ３．ＢＢｒ３等（７）ハロゲン化ホウ素等
が挙げられる。この他、ＡＩＣＭ３　、ＧａｃＪ１３　
、Ｇａ　（ＣＨ３）３　、Ｉｎ０文３　、ＴＩＣＭ　３
等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４Ｉ　、ＰＦ、、ＰＦ５　
、ＰＣ見、、ＰＣｌ５．ＰＢｒ３　、ＰＢｒ３．ＰＩ３
等のハロゲン化燐が挙げられる。この他ＡｓＨ３、Ａｓ
Ｆ３　、ＡｓＣＣ文３　、ＡｓＢｒ３　　、ＡｓＦ５　
、ＳｂＨ３、ＳｂＦ３　、ＳｂＦ５．ＳｂＣ見、、Ｓｂ
０文５　、ＢｉＨ３、ＢｉＣｌ３　、Ｂ１Ｂｒ３等も第
Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げるこ
とが出来る。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（ＯＣＮ）を形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から
所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質が加えられる。その様な原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（ＯＣＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され得る。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）、−
酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎ。

２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０
３　）　　、四二酸化窒素（Ｎ２０４）、三二酸化窒素
（Ｎ２０Ｓ）、三酸化窒素（ＮＯ３）シリコン原子（Ｓ
ｔ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子と
する、例えば、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ３ｉＨ３）、
トリシロキサン（Ｂ３　Ｓ　ｉＯ３ｉＨ２０Ｓ　ｉＨ３
）等の低級シロキサン、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ
２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）＋　ｎ−ブタン（ｎ−
Ｃ４Ｈ１ｏ）、ペンタン（ＣｓＨ＋λ）等の炭素数１〜
５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン
（ＣａＨ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）　　、ブテン−
２（Ｃ４Ｈｅ）、インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン
（ＣｓＨ＋Ｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素
、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）。

メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等
の炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素。

窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｂ
２　Ｎ　Ｎ　Ｂ２　）　、アジ化水素（ＨＮ３Ｎ）３、
アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ）、三弗化窒素（Ｈ３Ｎ
）、四弗化窒素（Ｈ４Ｎ２　）等々を挙げることが出来
る。スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入
用の出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前
記のガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質とし
て、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４．カーボンブラック等を挙げ
ることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共に
スパッタリング用のターゲットとしての形で使用される
。

次に、本発明に係る多層構成の光受容部材の具体例を示
す。

第９図に示される光受容部材９００は、本発明の目的を
達成する様に表面切削加工された支持体９０１上に、光
受容層９０２を有し、該光受容層９０２は支持体９０１
側より電荷注入防止層９０３、感光層９０４９表面層９
０５で構成されている。

支持体９０１としては、導電性でも電気絶縁性であって
もよい。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ス
テア　１／ス、ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属又は
これ等の合金があげられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表而を導電処理され、該導電処理された表面側の他の
層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであればその表面にＮｆＣｒ。

ＡＩ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ　、Ｉｎ２０２．５ｎ０２　
　。

ＩＴＯ（Ｉ　ｎ２０３　＋５ｎ０２　）等から成る薄膜
を設けることによって導電性が付与され、或いはポリエ
ステルフィルム等の合成’ｆＭ　脂フィルムであればＮ
ｉＣｒ、ＡＩ　、Ａｇ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｎｉ　。

Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は、前記金属でその表面
をラミネート処理して、その表面に導電性がｌ４される
。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状として得、所望によってその形状は決定される
が、例えば、第９図の光受容部材９００を電子写真用像
形成部材として使用するのであれば連続複写の場合には
、無端ベルト状又は円筒状とするのがψましい。支持体
の厚さは、所望通りの光受容部材が形成される様に適宜
決定されるが、光受容部材として可撓性が要求される場
合には、支持体としての機能が十分発揮される範囲内で
あれば可能な限り薄くされる。

しかしながら、この様な場合、支持体の製造上及び取扱
い−Ｌ、機械的強度等の点から、好ましくは１０．以上
とされる。

電荷注入防止層９０３は、感光層９０４への支持体９０
１側からの電荷の注入を防いで見掛上の高抵抗化を計る
目的で設けられる。

電荷注入防１に１層９０３は、水素原子又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有するＡ−３ｉ（以後ｒＡ−３ｉ　
　（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　と記す）で構成されると共に伝導性
を支配する物質（Ｃ）が含有される。

電荷注入防止層９０３に含有される伝導性を支配する物
質（Ｃ）としては、いわゆる半導体分野で言われる不純
物を挙げることができ、本発明に於ては、Ｓｉに対して
、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ型伝導性を与
えるｎ型不純物を挙げることができる。具体的には、ｐ
型不純物としては周期律表第■族に属する原子（第■族
原子）例えばＢ（硼素）、ＡＩ（アルミニウム）　、Ｇ
ａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）　　、ＴＩ　　（
タリウム）等があり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ、
Ｇａである。

ｎ型不純物としては周期律表第Ｖ族に属する原子（第Ｖ
族原子）、例えばＰ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アン
チモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に好適に用い
られるのは、Ｐ、Ａｓ。

である。

本発明に於て、電荷注入防止層９０３に含有される伝導
性を支配する物質（Ｃ）の含有量：は、要求される電荷
注入防止層性、或いは該電荷注入防止層９０３が支持体
９０１−ヒに直に接触して設けられる場合には、該支持
体９０１との接触界面に於ける特性との関係等、有機的
関連性に於て、適宜選択することが出来る。又、前記電
荷注入防止層に直に接触して設けられる他に層領域の特
性や、故地の層領域との接触界面に於ける特性との関係
も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有事が適宜
選択される。

本発明に於て、電荷注入防止層中に含有される伝導性を
支配する物質の含有量としては、好適には、０．００１
〜５ＸｌＯ’ａｔｏｍｆｃ　　ｐｐｍ、より好適には０
．５−ＩＸＩＯ’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、最適には１〜
５×１０３１０３ａｔＯｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入時１１一層９０３に於ける物質
（Ｃ）の含有量は、好ましくは、３０ａｔ　。

ｍｉｃｐｐｍ以上、より好適には５０ａｔ　ｏｍｉｃ　
　ｐｐｍ以−１−２最適にはｌｏｏａｔｏｍｉｃＰＰｍ
以上とすることによって、以下に述べる効果をより顕著
に得ることができる。例えば含有させる物質（Ｃ）が前
記のｎ型不純物の場合には光受容層の自由表面がΦ極性
に帯電処理を受けた際に支持体側から感光層中へ注入さ
れる電子の移動を、より効果的に阻１にすることが出来
、又、前記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の
場合には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受
けた際に支持体側から感光層中へ注入される正孔の移動
を、より効果的に阻止することが出来る。電荷注入防止
層９０３の層厚は好ましくは３最適には５０Ａ〜５ｇｍ
とされるのが望ましい。

感光層９０４は、Ａ−９ｉ　（Ｈ、Ｘ）　テ構成され、
レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する電
荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両機能
を有する。

感光層９０４は層厚としては、好ましくは、１〜１００
　ｐ−ｍ　、より好ましくは１〜８０　ｐ−ｍ　、最適
には２〜５０＃Ｌｍとされるのが望ましい。

感光層９０４には、電荷注入防止層層９０３に含有され
る伝導特性を支配する物質（Ｃ）の極性とは別の極性の
伝導特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは
、同極性の伝導特性を支配する物質を、電荷注入防止層
９０３に含有される実際の量よりも一段と少ない量とし
て含有させても良い。　この様な場合、前記感光層９０
４中に含有される前記伝導特性を支配する物質の含有量
としては、電荷注入時１に１層９０３に含有される前記
物質の極性や含有量に応じて所望に従って適宜決定され
るものであるが、好ましくは０．００１〜１００１００
０ａｔｏ　　ｐｐｍ、より好適には０．０５〜５００ａ
ｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ、最適には０．１〜２００ａｔｏ
ｍｉｃ　　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於て、電荷注入防止層一層９０３及び感光層９
０４に同種の伝導性を支配する物質を含有Ｓせる場合に
は、感光層９０４に於ける含有量としては、好ましくは
３０　　ａｔｏｍｉｃ　　ｐｐｍ以下とするのが望まし
い。

本発明に於て、電荷注入防止層９０３及び感光層９０４
中に含有される水素原子（Ｉ（）の量又はハロゲン原子
（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋
Ｘ）は好ましくは１〜４０　　ａｔｏｍｉｃ　　％、よ
り好適には５〜３０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望
ましい。

ハロゲン原子（Ｘ）としては、Ｆ、ＣＩ、Ｂｒ。

■が挙げられ、これ等の中でＦ、ＣＩが好ましいものと
して挙げられる。

第９図に示す光受容部材に於ては、電荷注入防止層９０
３の代りに電気絶縁性材料から成る、いわゆる障壁層を
設けても良い。或いは、該障壁層と電荷注入防止層９０
３とを併用しても差支えない。

障壁層形成材ネ；Ｉとしては、Ａ文　０　　、　Ｓ　ｉ
０２λ　　　３ 、Ｓ　Ｉ　３　　Ｎ　４等の無機電気絶縁材料やポリカ
ーボネート等の有機電気絶縁材料を挙げることができる
。

第９図に示される光受容部材９００においては、感光層
９０４−を二に形成される表面層９０５は自由表面を有
し、主に耐湿性、連続繰返し特性、電気的耐圧性、使用
環境特性、機械的耐久性、光受容特性において本発明の
目的を達成する為に設けられる。

本発明に於ける表面層９０５は、シリコン原子（Ｓｔ）
と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後、
ｒａ−（ＳｉＣ１）Ｘ　　　　　　　−Ｘ （ＨｌＸ）１−７」と記す。但し、０＜ｘ、ｙ≦１）で
構成される。

ａ−（Ｓｉ　ＣＨ）　（Ｈ，Ｘ）１　テｘ　　　　　　
　−ｘ　　　　ｙ　　　　　　　　　　　　　　　−ｙ
構成される表面層９０５の形成はグロー放電法のような
プラズマ気相法、（ＰＣＶＤ法）、あるいは光ＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法、エレクトロンビーム
法等によって成される。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度
、製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光受容部材を製造するための作製条件の制
御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及
びハロゲン原子を、作製する表面層９０５中に導入する
のが容易に行える等の利点からグロー放電法或はスパッ
ターリング法が好適に採用される。更に、本発明に於い
ては、グロー放電法とスパッターリング法とを同一装置
系内で併用して表面層９０５を形成してもよい。

グロー放電法によって表面層９０５を形成するにはａ−
（Ｓｔ　　Ｃ，）　　　（Ｈ，Ｘ）、　−ｙｘ　　　　
　　−ｘ　　　　ｙ 形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に
導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させるこ
とでガスプラズマ化して、前記支持体−ヒに形成されで
ある層上に ａ　−（Ｓｔ　　Ｃ＋　　　）　　　（Ｈ，Ｘ）＋　　
　。

ｘ　　　　　　　−ｘ　　　　ｙ を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　　（Ｓ　ｉＣ＋　　ｘ　）　ｙｘ （Ｈ，Ｘ）＋　−形成用の原料ガスとしては、シリコン
原子（Ｓｔ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロ
ゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子とする
ガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの
中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，Ｈ，Ｘ（７）中（７）　一つ！：Ｌ４、Ｓｉ
を構成原子とする原料ガスを使用する場合は、例えば、
Ｓｉを構成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする
原料ガスと、必要に応じて、Ｈを構成原子とする原料ガ
ス又は／及びＸを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又はＳｉを構成原子とする
原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス又は／
及びＣ及びＸを構成原子とする原料ガスとを、これも又
、所望の混合比で、混合するか、或いは、Ｓｔを構成原
子とする原料ガスと、Ｓｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子
とする原料ガス又は、Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子
とする原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｔとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて、表面層９０５中に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）として好適なのは、Ｆ、Ｃｆｉ、Ｂｒ、Ｉで
あり、殊にＦ、Ｃ１が望ましいものである。

本発明に於いて、表面層９０５を形成するのに有効に使
用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧に
於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を挙
げることができる。

本発明に於いて、表面層９０５形成用の原料ガスとして
有効に使用されるのは、ＳｔとＨとを構成原子とするＳ
ｉＨ４、Ｓｉ２　Ｈ６，５ｉ３ＨＢ、５ｉ４Ｈ１，）等
ノシラ７（Ｓｉｕａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、Ｃと
Ｈとを構成原子とする、例えば、炭素数１〜４の飽和炭
化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２
〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン
化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン
置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事ができる。具
体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）、エ
タン（Ｃ２Ｈ６）　、プロパン（Ｃ３、）（Ｂ）、ｎ−
ブタ７　（ｎ−Ｃ４Ｈｌ　Ｏ）、ペンタン（Ｃ５ＨＩ２
）、エチレン炭化水素としてはエチレン（Ｃ２Ｈ４）　
、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈｅ　）
、ブテン−２（Ｃ４ＳＳ）、イソブチレン（Ｃ４Ｈｅ　
）　、ペンテン（Ｃ５ＨＩＧ）、アセチレン系炭化水素
としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）　、　メチルアセチ
レン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）、ハロゲン単体
としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス
、ハロゲン化水素としては、ＦＨ，ＨＩ、ＨＣｌ、ＨＢ
ｒ、ハロゲン間化合物としては、ＢｒＦ　、　ＣＩ　Ｆ
　、　ＣＪｌｊ　Ｆ　３　、　ＣＩ　Ｆ　５　、　Ｂ　
ｒ　Ｆ　５．　Ｂｒ　Ｆ　３　１　Ｉ　Ｆ　７　、　Ｉ
　Ｆ　５　、　Ｉ　Ｃ文、ＩＢｒ、ハ。

ゲン化硅素としては、ＳｉＦ４　、Ｓｉ２　Ｆ６．５ｉ
ｃＪ１３Ｂｒ、ＳｉＣＭ２Ｂｒ２．５ｉＣｕＢｒ３．５
ｉＣ１３Ｉ　、ＳｉＢｒ４　、ハロゲン置換水素化硅素
としては、ＳｉＨ２Ｆ２　、ＳｉＨ２Ｃ文３　．５ｉＨ
３Ｃｕ、５ｉＨ３Ｂｒ、５ｉＨ３Ｂｒ、ＳｉＨ２Ｂｒ、
、、５ｉＨＢｒ３．水素化硅素としては、ＳｉＨ４，５
ｉ２ＨＢ　、５ｉ３ＨＢ　。

Ｓ　ｉ４　Ｈｌ６等のシラン（Ｓｉｕａｎｅ）類、等々
を挙げることができる。

これ等の他にＣＦ４　、ＣＣＪｌ、、ＣＢｒ４゜ＣＨＦ
３　　、ＣＨ２Ｆ２　　、ＣＨ３Ｆ　、ＣＨ３Ｃ文。

ＣＨ３Ｂｒ、ＣＨ３Ｉ　、Ｃ２Ｈ５Ｃ１，等ノハロゲン
置換パラフィン系炭化水素、ＳＦ４　、ＳＦ６のフッ素
化硫黄化合物、Ｓ　ｉ　（ＣＨ３）　４　　、　Ｓ　１
（Ｃ２Ｈ５）４．等のケイ化アルキルやＳｉＣ文（ＣＨ
３）３　．５ｉＣｕ２　　（ＣＨ３）２　　、ＳｉＣ１
３ＣＨ３等のハロゲン含有ケイ化アルキル等のシラン誘
導体も有効なものとして挙げることかできる。

これ等の表面層９０５形成物質は形成される表面層９０
５中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及びハ
ロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有される様に
、表面層９０５の形成の際に所望に従って選択されて使
用される。　例　えば、シリコン原子と炭素原子と水素
原子との含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るＳｉ（ＣＨ３）４と、ハロゲン原子を含有さ
れるものとしてのＳ　１Ｈｃｕ３　　、Ｓ　ｉＨ２Ｃ文
２　　ｌ　Ｓ　ｔ　Ｃ見４、或いは、５ｉＨ３Ｃ文等を
所定の混合比にして、ガス状態で表面層９０５形成用の
装置内に導入してグロー放電を生起させることにとッテ
ａ　　（Ｓ　ｉ　　Ｃ１）　　（ＣＭ＋ＨＸ　　　　　
−ｙ ）、−から成る表面層９０５を形成することができる。

スパッターリング法によって表面Ｍ９０５を形成するに
は、単結晶又は、多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェー
ハー又はＳｉとＣが混合されて含有されているウェーハ
ーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲン
原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々のガ
ス雰囲気中でスパッターリングすることによって行えば
良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェ
ーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を含有するガス雰囲気中で、スパッターリングするこ
とによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガス
となる物質としては、先述したグロー放電の例で示した
表面層９０５形成用の物質がスパッターリング法の場合
にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層９０５をグロー放電法又はスパ
ッターリング法で形成する際に使用Ｘれる稀釈ガスとし
ては、所謂、希ガス、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等が好
適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層９０５は、その要求される特性が
所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｔ　、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を、各々示すので、本発
明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（
ＳｉＸ所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成され
る。例えば、表面層９０５を電気的耐圧性の向上を主な
目的として設けるには、ａ−（ＳｉＣＩ）　　　（Ｈ，
Ｘ）＋　　　は使用環境に於いて電−ｘ　　　　ｙ　　
　　　　　　　　　　　　　−ｙ気絶縁性的挙動の顕著
な非晶質材料として作成される６　又、連続繰返し使用
特性や使用環境特性の向」二を主たる目的として表面層
９０５が設けられる場合には上記の電気絶縁性の度合は
ある程度緩和され、照射される光に対しである程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−（ＳｉＣ。

Ｘ　　　　　　−ｘ ）　　　（）（、Ｘ）Ｉ　　　作成がされる。

ｙ　　　　　　　　　　　　　　〜　ｙ第２の層表面に
ａ−（Ｓｉ　　Ｃ１−）　　　（Ｈ。

Ｘ　　　　　　　Ｘ　　　ｙ Ｘ）＋、から成る表面層９０５を形成する際。

層形成中の支持体温度は、形成される層の構造波び特性
を左右する重要な因子であって、本発明に於いては、目
的とする特性を有するａ（Ｓ　ｉｘＣ１）　　　（Ｈ、
Ｘ）　！　　　が所望通りに作−ｘ　　　　ｙ　　　　
　　　　　　　　　　−ｙ成され得る様に層作成時の支
持体温度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層９０５の形成法に併せて適宜最適範囲が選択さ
れて、表面層９０５の形成が実行されるが好ましくは、
２０〜４００℃、より好適には５０〜３５０℃、最適に
は１００〜３００℃とされるのが望ましいものである。

表面層９０５の形成には、層を構成する原子の組成比の
微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて、比較的容
易である事等のために、グロー放電法やスパッターリン
グ法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で表面層
９０５を形成する場合には前記の支持体温度と同様に層
形成の際の放電バＸ）１　　の特性を左右する重要な因
子の一つで−ｙ ある。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
−（Ｓｉ　　Ｃ＋　　　）　　　（Ｈ，Ｘ）＋　　）１
ｘ　　　　　　−ｘ　　　　ｙ が生産性良く効果的に作成されるための放電パワー条件
としては好ましくは１Ｏ−１０００Ｗ、より好適には２
０〜７５０Ｗ、最適には５０〜６５０Ｗとされるのが望
ましいものである。

堆積室のガス圧は好ましくは０．０１〜ｌＴ。

ｒｒ、より好適には０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされ
るのが望ましい。

本発明に於いては、表面層９０５を作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に、決められるものではなく、所望特性
のａ（ＳｉＸ　Ｃ、−Ｘ）ｙ（Ｈ９Ｘ）Ｉ　　から成る
表面層９　ｙ ０５が形成される様に相互的有機的関連性に基づいて各
層作成ファクターの最適値が決められるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ける表面層９０５に含有される
炭素原子の量は、表面層９０５の作成条件と同様１本発
明の目的を達成する所望の特性が得られる表面層９０５
が形成される重要な因子である。

本発明に於ける表面層９０５に含有される炭素原子の量
は、表面層９０５を構成する非晶質材料の種類及びその
特性に応じて適宜所望に応じて決められるものである。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｉＣ１） ｘ　　　　　　−ｘ　　　　ｙ （Ｈ，Ｘ）＋　−で示される非晶質材料は、大別すると
、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（
以後、ｒａ−３ｆＣ＋Ｊと記ａ　　　　　　−ａ す。但し、Ｏ＜ａ＜１）、シリコン原子と炭素原子と水
素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒａ　−（Ｓ
ｉ　　ＣＨ）　　Ｈｌ　　Ｊと記す。

ｂ　　　　　　　　ｂｃ　　　　　−ｃ但し、Ｏ＜ｂ、
ｃ＜１）、シリコン原子と炭素原子とハロゲン原子と必
要に応じて水素原子とで構成される非晶質材料（以後、
ｒ　ａ　　（Ｓ　ｉ、３　Ｃ１−）　　（Ｈ，Ｘ）ｌ　
　　］と記す。但し０＜ｄ。

ｄ　　　　ｅ　　　　　　　　　　　　　−ｅｅ＜１）
、に分類される。

本発明に於いて、表面層９０５がａ−５ｔ　　ユＣ１−
で構成される場合、表面層９０５に含有される炭素原子
の量は好ましくは１Ｘ１０＝〜９０ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好適には１〜８０ａｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、最適には
１０〜７５ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましもの
である。即ち、先のａＳ　ｉ　ＣＩ　　ａのａの表示で
行えば、ａが好ましくは０．１−０．９９９９９、より
好適には０．２〜０．９９、最適には、０．２５〜０．
９である。

本発明に於いて、表面層９０５がａ　　（Ｓ　ｓ　ＢＣ
＋　　１．、　）。ＨＩ−ｏで構成される場合、表面層
９０５に含有される炭素原子の量は、好ましくは１Ｘ１
０−３〜９０ａｔ　ｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは
、１〜９０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｉ　ｃ％、最適にはｌＯ
〜８０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましいもので
ある。水素原子の含有量としては、好ましくは１〜４０
ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは２〜３５　ａ　ｔ　ｏ
　ｍ　ｉ　ｃ％、最適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有量がある場
合に形成される光受容部材は、実際面に於いて優れたも
のとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ　””ｂ”　　ｂ）ｃ”　−ｃの表示で行
なえばｂが好ましくは、０．１〜０゜９９９９９、より
好適には、０，１〜０．９９゜最適には、０．１５〜０
．９、Ｃが好ましくは、０．６〜０．９９、より好適に
は０．６５〜０゜９８、最適には０．７〜０．９５であ
るのが望ましい。

表面層９０５が、ａ　　（Ｓ　ｉｄｃ＋　　６　）　ｅ
（Ｈ，Ｘ）ｌ　　　、で構成される場合には、表面層９
０５中に含有される炭素原子の含有量としては、好まし
くは、ｌＸ１０−３〜９０ａｔ　ｏｍｉ　ｃ％、より好
適には、ｌ　〜９０　ａ　ｔ　ｏ　ｍ　ｆ　０％、最適
には１０〜８０ａｔ　ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
ものである。ハロゲン原子の含有量としては、好ましく
は、１〜２０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、こ
れ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成され
る光受容部材を実際面に充分適用させ得るものである。

必要に応じて含有される水素原子の含有量としては、好
ましくは１９ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適には１３ａ
ｔｏｍｉ　ｃ％とされるのが望ましいものである。

即ち、先のａ　　（Ｓｉ　　Ｃ＋　　　）　　　（Ｈ，
Ｘ）ｄ　　　−ｄ　　ｅ １−　のｄ、ｅの表示で行なえば、ｄが好まし〈は、０
．１〜０．９９９９９、より好適には、０．１〜０．９
９、最適には０．１５〜０．９、ｅが好ましく１士、０
．８〜０．９９、より好適には０．８２〜０．９９、最
適には０．８５〜０゜９８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層９０５の層厚の数範囲は本発明の
目的を効果的に達成するための重要な因子の一つである
。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又１表面層９０５の層厚は、該層中に含有される炭素原
子の量や第１の層、第２の層の層厚との関係に於いても
、各々の層領域に要求Ｓれる特性に応じた有機的な関連
性の下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。本発明に於ける表
面層９０５の層厚としては、好ましくは０．００３〜３
０ｐＬ、好適には０　、００４〜２０ｐＬ、最適には、
０．００５〜ｉｏルとされるのが望ましいものである。

表面層９０５には、機械的耐久性に対する保護層として
の働き、及び光学的には反射防止層としての働きを主に
荷わせることができる。

表面層９０５は、次の条件を満すとき、反射防止層とし
ての機能を果すのに適している。

即ち、表面層９０５の屈折率をｎ９層厚をｄ、入射光の
波長を入とすると。

ん ｄ＝　　　　　− ｎ のとき、又はその奇数倍のとき、表面層は、反射防止層
として適している。又、感光層の屈折率をｎａとした場
合、表面層の屈折率ｎが ｎ＝（ｎ　　）３４ を満し、且つ表面層の層厚ｄが 入 ｄ＝　　　　　− ｎ 又はその奇数倍であるとき、表面層は反射防止層として
最適である。ａ−５ｉ：Ｈを感光層として用いる場合、
ａ−３ｉ：Ｈの屈折率は、約３．３であるので、表面層
としては、屈折率１．８２の材料が適している。ａ−３
ｉ：）（はＣの量を調整することにより、このような値
の屈折率とすることができ、かつ機械的耐久性、層間の
密着性及び電気的特性も十分に満足させることができる
ので、表面層の材料としては最適なものである。

また表面Ｒ９０５を反射防Ｉに層としての役割に重点を
置く場合には、表面層の層厚としては、０．０５〜２ｐ
Ｌｍとされるのがより望ましい。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１ 本実施例ではスポット系８０ｐｍの半導体レーザー（波
長７８０ｎｍ）を使用した。したがってＡ−３ｉ：Ｈを
堆積させる円筒状のＡｎ支持体（長さくＬ）　３５７　
ｍｍ　、径（ｒ）８０ｍｍ）」―に旋盤でピッチ（Ｐ）
２５ルｍで深さくＤ）０．８５で螺線状の溝を作成した
。このときの溝の形を第１０図に示す。

このＡｎ支持体−トに第１１図の装置で電荷注入時Ｉに
層、感光層、を次の様にして堆積した。

まず装置の構成を説明する。１１０１は高周波電源、１
１０２はマツチングボックス、１１０３は拡散ポンプお
よびメカニカルブースターポンプ、１１０４はＡ文支持
体回転用モータ、１１０５はＡｎ支持体、１１０６はＡ
ｎ支持体加熱用ヒータ、１１０７はガス導入管、１１０
８は高周波導入用カソード電極、１１０９はシールド板
、１１１０はヒータ用電源、１１２１−１１２５　。

１１４１−１１４５はバルブ、１１３１〜１１３５はマ
スフロコントローラー、１１５１〜１１５５はレギュレ
ーター、１１６１は水素（Ｈ２）ボンベ、１１６２はシ
ラン（ＳｉＨ４）ボンベ、１１６３はジポラン（Ｂ２　
Ｈ６）ボンベ、１１６４は酸化窒素（ＮＯ）ボンベ、１
１６５はメタン（ＣＨ４）ボンベである。

次に作製手順を説明する。１１６１〜１１６５のボンベ
の元栓をすべてしめ、すべてのマスフロコントローラー
およびバルブを開け、１１０３の拡散ポンプにより堆積
装置内を１０　　　Ｔｏｒｒまで減圧した。それと同時
に１１０６のヒータにより１１０５のＡｌｌ支持体を２
５０　’Ｃまで加熱し２５０℃で一定に保った。１１０
５のＡｎ支持体の温度が２５０℃で一定になった後１１
２１〜１１２５．１１４１〜１１４５．１１５１−１１
５５のバルブを閉じ、１１６１〜１１６５のボンベの元
栓を開け、１１０３の拡散ポンプをメカニカルブースタ
ーポンプに代える。１１５１−１１５５のレギュレータ
ー付きバルブの二次圧を１゜５Ｋｇ／ｃｒｎ’に設定し
た。１１３１のマスフロコントローラーを３００３ＣＣ
Ｍに設定し、１１４１のバルブと１１２１のバルブを順
に開き堆積装置内にＨ２ガスを導入した。

次に１１６１のＳｉＨ４ガスを１１３２のマスフロコン
トローラーの設定を１５０ｓｅｃＭに設定して、Ｈ２ガ
スの導入と同様の操作でＳｉＨ４ガスを堆積装置に導入
した。次に１１６３のＢ２Ｈ６ガス流量をＳｉＨ４ガス
流量に対して、１６００Ｖｏｌ　　ＰＰｍになるように
１１３３のマスフローコントローラーを設定して、Ｈ２
ガスの導入と同様な操作でＢ２Ｈ６ガスを堆積装置内に
導入した。

次に１１６４のＮｏガス流量をＳｉＨ４ガス流量に対し
て、３．４Ｖｏ１％になるように１１３４のマスフロー
コントローラーを設定して、Ｈ２ガスの導入と同様な操
作でＮＯガスを堆積装置内に導入した。

そして堆積装置内の内圧が０．２Ｔｏｒｒで安定したら
、１１０１の高周波電源のスイッチを入れ１１０２のマ
ツチングボックスを調節して、１１０５のＡＪＩ支持体
と１１０８のカソード電極間にグロー放電を生じさせ、
高周波電力を１５０Ｗとし５ｐＬｍ厚にＡ−３ｔ：Ｈ：
Ｂ：０層（Ｂ、０を含むＰ型のＡ−３ｔ：Ｈ層となる）
を堆積した（電荷注入防止層）。この様にして５ｐＬｍ
厚のＡ−３ｔ　：Ｈ：Ｂ　（Ｐ型）を堆積したのち放電
を切らずに、１１２３のバルブを閉めＢ２Ｈ６の流入を
止めた。

そして高周波電力１５０Ｗで２０１Ｌｍ厚のＡ−Ｓｉ：
Ｈ層（ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ）を堆積した（感光層）。そ
の後、１１３２のマスフローコントロラーの設定を３５
ＳＣＣＭに変え、１１６５のＣＨ４ガス流量がＳｉＨ４
ガス流量に対して流量比がＳ　ｔ　Ｈ４／　ＣＨ４＝　
１　／　３０となるようにあらかじめ設定されている１
１３５のマスフローコントロラーから、バルブ１１２５
を開けることによってＣＨ４ガスを導入し、高周波電力
１５０Ｗで０．５ｐＬｍ厚のＡ−５ｉＣ（Ｈ）を堆積し
た（表面層）。

高周波電源およびガスのバルブをすべて閉じ堆積装置を
排気し、ＡＩ支持体の温度を室温まで下げて、光受容層
を形成した支持体を取り出した。

別に、同一の表面性の円筒状Ａ１支持体上に高周波電力
４０Ｗとした以外は、上記の場合と同様の条件と作製手
順で電荷注入防止層、感光層、及び表面層を支持体上に
形成したところ第１２図に示す様に感光層１２０３の表
面は、支持体１２０１の平面に対して平行になっていた
。このときＡ１支持体の中央と両端部とで全層の層厚の
差は１μｍであった。

また、前記の高周波電力をｉ５ｏ　　ｗにした場合には
第１３図の様に感光層１３０３の表面と支持体１３０１
の表面とは非平行であった。この場合ＡＩ支持体層の中
央と両端部とで全層の層厚の差は２μｍであった。

以」−２種類の電子写真用の光受容部材について、波長
７８０ｎｍの半導体レーザーをスポット径８０ルｍで第
１４図に示す装置で画像露光を行ない、それを現像、転
写して画像を得た。層作製時の高周波電力４０Ｗで、第
１２図に示す表面性の光受容部材では干渉縞模様が観察
された。

一方、第１３図に示す表面性を有する光受容部材では干
渉縞模様は観察されず、実用に十分な電子写真特性を示
すものが得られた。

実施例２ 実施例１の干渉縞模様の消えた条件（高周波電力１５０
Ｗ）と同様な方法で、支持体上に感光層まで形成したも
のを７本作成した。

次に、第１１図の装置の１１６１の水素（Ｈ２）ボンベ
をアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取換え、堆積装置を清
掃し、カソード電極上にＳｔからなるスパッタリング用
ターゲットとグラファイトからなるスパッタリング用タ
ーゲットを面積比が第１表に示す如くになる様に一面に
はる。前記感光層まで形成したものｌ木を設置し、堆積
装置内を拡散ポンプで十分に減圧する。その後、アルゴ
ンガスを０．０１５　　Ｔｏｒｒまで導入し、高周波電
力１５０　　Ｗでグロー放電を起して、表面材料をスパ
ッタリングして、前記支持体上に第１表（条件Ｎｏ、１
０１）の表面層を堆積した。

（サンプルＮｏ、１０１） 同様に残り６木について第１表（条件Ｎｏ、１０２〜１
０７）の条件で表面層を堆積した。

（サンプルＮｏ　、１０２〜１０７） 実施例３ 表面層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスの流部比を
変えて、表面層におけるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は実施例１の干渉縞模様の消えた
条件と全く同様な方法によって電子写真用光受容部材の
夫々を作成した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し、転写までの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行なったところ
、第２表の如き結果を得た。

実施例４ 表面層の形成時、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガス、ＳｉＦ４ガス、Ｃ
Ｈ４ガスの流部比を変えて、表面層におけるシリコン原
子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施例１の
干渉縞模様の消えた条件と全く同様な方法によって電子
写真用光受容部材の夫々を作成した。こうして得られた
電子写真用光受容部材の夫々につき、実施例１と同様に
レーザーで画像露光し、転写までの工程を約５万回繰り
返した後、画像評価を行なったところ、第３表の如き結
果を得た。

実施例５ 表面層のり厚を変える以外は実施例１の干渉縞模様の消
えた条件と全く同様な方法によって電子写真用光受容部
材の夫々を作成した。こうして得られた電子写真用光受
容部材の夫々につき、実施例１と同様に作像、現像、ク
リーニングの工程を繰り返し第４表の如き結果を得た。

実施例６ 表面層の作製時の放電々力を３００Ｗとし、平均層厚を
２ｇｍとする以外は実施例１の干渉縞模様の消えた条件
と全く同様な方法によって電子写真用光受容部材の夫々
を作成した。こうして得られた電子写真用光受容部材の
表面層の平均層厚差は、中央と両端で０．５ｐ、ｍであ
った。また、微小部分での層厚差は０．１＋１．ｍであ
った。

この様な電子写真用光受容部材では、干渉縞は観察され
ず、また実施例１と同様な装置で作像。

現像、クリーニングの工程を繰り返し行なったが実用に
十分なものであった。

実施例　７ シリンダー状Ａｎ支持体の表面を旋盤で、第５表のよう
に加工した。これ等（Ｎｏ、５０１〜５０８）の円筒状
のＡＩ支持体上に、実施例１の干渉縞模様の消えた条件
（高周波電力１６０Ｗ）と同様の条件で、電子写真用光
受容部材を作製した（Ｎｏ、５１１〜５１８）。このと
きの電子写真用光受容部材のＡ１支持体の中央と両端部
での平均層厚の差は２．２ｇｍであった。

これらの電子写真用光受容部材の断面を電子顕微鏡で観
察し、感光層のピッチ内での差を測定したところ、第６
表の様な結果を得た。

これらの光受容部材について、実施例１と同様に第１４
図の装置で波長７８０　ｎｍの半導体レーザーを使い、
スポット径８ｏＩＬｍで画像露光を行ったところ、第６
表の結果を得た。

実施例８ 以下の点を除いて実施例７と同様な条件で光受容部材を
作製した（Ｎｏ６１１〜６１８）。そのとき電荷注入防
止層の層厚を１１０１Ｌとした。このときり電荷注入防
止層中央と両端部での平均層厚差は１．２ｐＬｍ、感光
層の層厚の中央と両端部での平均の差は２　、３　ｐｍ
であった。ＮＯ，６１１〜６１８の各層の厚さを電子顕
微鏡で測定したところ、第７表の様な結果を得た。これ
らの光受容部材について、実施例１と同様な像露光装置
に於いて、画像露光を行った結果、第７表の結果を得た
。

実施例９ 第５表に示す表面性のシリンダー状ＡｆＬ支持体（Ｎｏ
、５０１〜５０８）上に窒素を含有する電荷注入防止層
層を設けた光受容部材を第８表に示す条件で作製した（
Ｎ　ｏ　４０１〜４０８）。

−上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微
鏡で観察した。電荷注入防止層の平均層厚は、シリンダ
ーの中央と両端で０．０９ＪＬｍであった。感光層の平
均層厚はシリンダーの中央と両端で３用ｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第９表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第９表に示す結果を得た。

実施例１０ 第５表に示す表面性のシリンダー状ＡＭ支持体（Ｎｏ　
、　５０１−５０８）　Ｊｊ：窒素を含有する電荷注入
用１１二層を第１０表に示す条件で作製した（Ｎｏ５０
１〜５０８）。

」二記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微
鏡で観察した。電荷注入防止層の平均層厚は、シリンダ
ーの中央と両端で０．３７ｈｍであった。感光層の平均
層厚はシリンダーの中央と両端で３．２ｐＬｍであった
。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第１１表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第１１表に示す結果を得た。

実施例１１ 第５表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持体（Ｎｏ　
、５０１〜５０８）ｌに炭素を含有する電荷注入用１Ｌ
層を第１２表に示す条件で作製した（Ｎｏ１３０１〜１
３０８）。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観察した。電荷注入防止層の平均層厚は、シリンダー
の中央と両端で０．０８ｐＬｍであった。感光層の平均
層厚はシリンダーの中央と両端で２．５ｐｍであった。

各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第１３表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第１３表に示す結果を得た。

実施例１２ 第５表に示す表面性のシリンダー状Ａｎ支持体（Ｎｏ、
５０１〜５０８）上に炭素を含有する電荷注入阻止層を
第１４表に示す条件で作製した（Ｎｏ１５０１〜１５０
８）。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観察した。電荷注入防止層の平均層厚は、シリンダー
の中央と両端で１．１ｇｍであった。感光層の平均層厚
はシリンダーの中央と両端で３．４ｐＬｍであった・ 各光受容部材の感光層のショートレンジ内での層厚差は
、第１５表に示す値であった。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ第１５表に示す結果を得た。

比較例 比較実験として、実施例１の電子写真用光受容部材を作
製した際に使用したＡＩ支持体に代えて、サンドブラス
ト法によりＡＩ支持体の表面を着面化したＡ１支持体を
採用したほかは前述の実施例１の高周波電力１５０Ｗで
作製した電子写真用光受容部材と全く同様の方法でＡ−
３ｉ電子写真用光受容部材を作製した。この際のサンド
ブラスト法により表面粗面化処理したＡＩ支持体の表面
状態については光受容層を設ける前に小板研究所の万能
表面形状測定器（Ｓ　Ｅ　−３Ｃ）で側底したが、この
時平均表面粗さは１．８ｐ、ｍであることが判明した。

この比較用電子写真用光受容部材を実施例１で用いた第
１５図の装置に取付けて、同様の測定を行なったところ
、全面黒色画像中には明瞭な干渉縞が形成されていた。

［発明の効果］ 以１−１詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉
性中色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であ
り、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時
の斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ
、しかも機械耐久性、特に削摩粍性、及び光受容特性に
優れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。 第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の発現を説
明する為の図である。 第３図は散乱光による干渉縞の発現を説明する為の図で
ある。 第４図は、多層構成の光受容部材の場合の散乱光による
干渉縞の発現を説明する為の図である。 第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。 第６図は光受容部材の各層の界面が非平行な場合に干渉
縞が現われないことの原理を説明する為の図である。 第７図は、光受容部材の各層の界面が平行である場合と
非平行である場合の反射光強度の比較を示す為の説明図
である。 第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことを２層の場合の展開して説明する為の図で
ある。 第９図は、光受容部材の説明図である。 第１０図は、実施例１で用いたＡＩ支持体の表面状態の
説明図である。 第１１図は、実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明
図である。 第１２図、第１３図は、夫々実施例１で作製した光受容
部材の構造図である。 第１４図は、実施例で使用した画像露光装置を説明する
為の模式的説明図である。 ９００・・・・・・・・・光受容体 ９０２・・・・・・・・・光受容層 ９０１　、　ｌ　２０１　、１３０１ ・・・・・・・・・Ａｎ支持体 ９０３．１２０２．１３０２ ・・・・・・・・・第１の層 ９０４、　１２０３．　１３０３ ・・・・・・・・・感光層 ９０５　　、　１２０５．　１３０５ ・・・・・・・・・表面層 １４０１・・・・・・・・・電子写真用光受容部材１４
０２・・・・・・・・・半導体レーザー１４０３・・・
・・・・・・ｆθレンズ１４０４・・・・・・・・・ポ
リゴンミラー１４０５・・・・・・・・・露光装置の平
面図１４０６・・・・・・・・・露光装置の側面図第１
４図

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. （１）ショートレンジ内に、層厚方向と垂直な面内の少
   なくとも一方向に多数配列し且つ配列方向に於いて各々
   なめらかに連結している１対以上の非平行な界面を有す
   る、少なくとも１つの感光層と；シリコン原子と炭素原
   子とを含む非晶質材料からなる表面層と；を有する多層
   構成の光受容層を支持体上に有する光受容部材であって
   、前記光受容層は酸素原子、炭素原子、窒素原子の中か
   ら選択される原子の少なくとも一種を含有することを特
   徴とする光受容部材。
2. （２）前記配列が規則的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
3. （３）前記配列が周期的である特許請求の範囲第１項に
   記載の光受容部材。
4. （４）前記ショートレンジが０．３〜５００μｍである
   特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
5. （５）前記非平行な界面は前記支持体の表面に設けられ
   た規則的に配列しているなめらかな凹凸に基づいて形成
   されている特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
6. （６）前記なめらかな凹凸が正弦関数形線状突起によっ
   て形成されている特許請求の範囲第５項に記載の光受容
   部材。
7. （７）前記支持体が円筒状である特許請求の範囲第１項
   に記載の光受容部材。
8. （８）前記正弦関数形線状突起が前記支持体の面内に於
   いて螺旋構造を有する特許請求の範囲第７項に記載の光
   受容部材。
9. （９）前記螺旋構造が多重螺旋構造である特許請求の範
   囲第８項に記載の光受容部材。
10. （１０）前記正弦関数形線状突起がその稜線方向に於い
    て区分されている特許請求の範囲第６項に記載の光受容
    部材。
11. （１１）前記正弦関数形線状突起の稜線方向が円筒状支
    持体の中心軸に沿っている特許請求の範囲第７項に記載
    の光受容部材。
12. （１２）前記なめらかな凹凸は傾斜面を有する特許請求
    の範囲第５項に記載の光受容部 材。
13. （１３）前記傾斜面が鏡面仕上げされている特許請求の
    範囲第１２項に記載の光受容部 材。
14. （１４）光受容層の自由表面には、支持体表面に設けら
    れたなめらかな凹凸と同一のピッチで配列されたなめら
    かな凹凸が形成されている特許請求の範囲第５項に記載
    の光受容部材。
15. （１５）感光層がシリコン原子を含む非晶質材料から成
    る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
16. （１６）感光層に水素原子が含有されている特許請求の
    範囲第１５項に記載の光受容部 材。