JPS61224123A

JPS61224123A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPS61224123A
Application number: JP6553485A
Authority: JP
Inventors: Shigeo Fujii; 重男藤井; Koji Ichikawa; 耕司市川; Shiro Murakami; 志郎村上; Shigeo Endo; 遠藤　重郎
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1985-03-29
Filing date: 1985-03-29
Publication date: 1986-10-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は合金磁性薄膜を有する磁気記録媒体に係り、特
にこの合金磁性薄膜がアルミニウム若しくはシリコン、
又は銅のうちのいずれか１種以上を含有するコバルト基
合金からなる磁気記録媒体に関する。

［従来の技術］記録密度の高い合金磁性薄膜を有する磁気記録媒体の研
、究開発が近年大いに推進されているが、その一つとし
て無電解メッキ法によるコバルト（ＣＯ）−ニッケル（
Ｎｉ）−リン（Ｐ）合金磁性薄膜を用いたものがある。

しかしながらＣｏ　−Ｎ１−Ｐ合金は耐食性に問題があ
り、該合金磁性薄膜を用いた記録媒体は、永年使用した
際の記録エラー等信頼性の点で劣っていた。例えば、該
合金磁性薄膜を温度５７℃、湿度８５％の条件下にて２
週間放置した場合には飽和磁化の劣化が３０％であり、
また、純水中に１週間放置した場合のそれは４０％にも
達する。このような特性の劣化は実機使用した際の出力
低下を招き、また腐蝕部の存在はエラーの増大を引き起
こすという問題がある。

［発明が解決しようとする問題点］このように、無電解メッキ法によるＣｏ　−Ｎｉ−Ｐ合
金磁性薄膜は、出力低下やエラーの増大などといった信
頼性の低下に帰結する耐食性・耐候性の問題があった。

［問題点を解決するための手段］本発明者らは、上記不具合を解決するために様々な観点
から検討を加え、２〜１２原子％のアルミニウム（ＡＩ
）若しくはシリコン（Ｓｉ）、又は２〜８原子％の銅（
Ｃ１）のうちのいずれか１種以上を添加したＣｏ基合金
磁性薄膜が極めて優れた耐食性・＃４候性を有すること
を見い出した。

即ち、本発明は、基板上に形成された合金磁性薄膜を有
する磁気記録媒体において、上記合金磁性薄膜を２〜１
２原子％のＡ１若しくはＳｉ、又は２〜８原子％のＣＯ
のうちのいずれか１種以上と、０．２〜５原子％の窒素
とを含有するＣｏ基合金で構成したことを特徴とするも
のである。

以下本発明の構成について更に詳細に説明する。

本発明において用いられる磁性薄膜は、２〜１２原子％
のＡ１若しくはＳｉ、又は２〜８原子％のＣＯのうちの
いずれか１種以上とＮを０．５〜５原子％含むＣｏ基合
金からなるものである。

Ａ１またはＳｌの含有量を２〜１２原子％とし、Ｃｕの
含有量を２〜８原子％とした理由は、これら添加物の含
有量が２原子％未満では耐食性が低下するようになるか
らである。一方、Ｃｕの場合は８原子％、ＡＩまたはＳ
ｉの場合には１２原子％を越えるときは飽和磁化が低く
なりすぎ、薄層化という高密度記録に適った合金磁性薄
膜の特長が活かし得ないためである。

また、Ｎを０．２〜５原子％とした理由は、主として１
造上の関係によるものであり、例えば、後述する本発明
に係る製造法では０．２原子％以上のＮが残存してしま
うためである。一方、５原子％を越えるようになると磁
気特性のうち角型比Ｓと称されているものが低下するよ
うになるからである。通常、磁気記録媒体の角型比Ｓは
０．１以上であることが要求されているが、本発明にお
いて、特に好ましいＮの含有量は０．２〜３原子％であ
る。

本発明において、ＡＩ　、Ｓｉ　、Ｃｕ及びＮ以外の組
成としては、（イ）Ｃｏのみ（ロ）Ｃｏの一部をＮｉ及び／又はｌ”ｅで置換したも
のであってもよい。（ロ）の組成の場合、ＣＯの一部をＮ
ｉ及び／又はＦｅで置換するときの置換比率はＣＯの２
５原子％以下とするのが好ましい。置換比率が２５原子
％を越えるとｈｃｐ母結晶中にｆｃｃ相が出現し、膜面
内の磁気特性の低下をもたらす。

また、ｌ”ｅ置換の場合には、その置換比率が２５原子
％を越えると薄膜の耐食性、耐候性も低下させるように
なる。

本発明の磁気記録媒体は、例えば次のようにして製造す
ることができる。即ち、Ｎ２を含むＡｒガス雰囲気中で
スパッタリング等の真空蒸着法によってＡＩ　、ｓ＋　
、またはＣＤのうちの１種以上と、ＣＯ及びＮ（及び所
望により、更にＮｉ及び／又はＦｅ）を含む合金薄膜を
基板上に形成し、然る後熱処理し、Ｎを放出させてＮ含
有率を０．２〜５原子％とするものである。

この製造方法において、基板上にまず形成される薄膜は
アモルファス状又は粒径５０〜１００Ａ程度の微結晶体
より成り、後工程の熱処理で結晶化又は粒径１００〜４
００Ａ程度の結晶粒に成長し、適度なＨＣを有しかつ高
角形比の磁気記録媒体を形成するようになる。

この熱処理の温度としては２８０℃以上が好ましく、熱
処理の温度が２８０℃を下回る場合は脱Ｎの活性点にな
っておらず脱Ｎが進行しない。また、熱処理温度があま
り高温の場合には結晶粒が異常成長し保磁力ＨＣの低下
を招く。従って好ましい熱処理温度は２８０〜５００℃
である。

また、本発明において用いられる基板としては、非磁性
基板であるならば従来から用いられている各種のものが
採用でき、合金系基板（例えばＡ１に数％以下程度のマ
グネシウムを添加した合金やチタン合金の基板）、各種
のセラミックス、又はガラス基板などが用いられる。ま
た、基板と磁性薄膜との間にクロムやチタンあるいはア
ルマイト、Ｎ１−Ｐ等から成る硬質な下地層の他、磁性
薄膜の付着強度を増大させる各種の非磁性中間層などを
設けてもよい。また、磁性ｆｉｌｌ上に非磁性金属中間
層及び／又は炭素、ポリ珪酸等の保護膜を設けてもよい
。さらに、この保護膜上に潤滑剤を塗布しても良い。

［作用］２〜１２原子％のＡ１若しくはＳｉ、又は２〜８原子％
のＣｕのうちのいずれか１種以上を含有し、Ｎ含有量が
０．２〜５原子％であるＣＯ基合金磁性薄膜は適当な磁
気特性を有し、後述の実施例などに示す如く耐食性・耐
候性に優れる。

［実施例１以下、本発明を具体的実施例によって詳細に説明する。

なお、以下に述べる実施例は、ｒ、（マグネトロンスパ
ッタ装置によったが、イオン工学的に同様のことが言え
るイオンビームスパッタリング等によっても本発明の効
果を得ることが可能であることは勿論である。

実施例１ｒ、ｆ、プレーナーマグネトロンスパッタ装置を用い、
下記条件にて、ガラス基板上に様々な組成のＧｏ基合金
磁性１膜を形成した。

初期排気　　　　１〜２ｘ１０−’　Ｔｏｒｒ全雰囲気
圧（Ａｒ＋Ｎ２）　　１０〜２０ｍＴｏｒｒ（全圧に対
するＮ２分圧の％）５０〜８０％投入電力　　　　　　
１　　ｋＷターゲット組成　　　ＣＯ（目標とするＨ膜の組成に一致させる場合は、各添加物
のチップを適当にターゲット上に配置させることにより
行なう。）極間隔　　　　　　　１０８ｍｍ躾厚くスパッタ時）　　　　　　７００Ａ薄膜形成速度
　　　　２５０〜５００Ａ　／　ｇｌｉｎ基板温度　　
　　　　　　　２００℃ スパッタ膜形成後、１０″″’Ｔｏｒｒ以下の真空中に
て３００〜ｂ膜を結晶化させるとともに、膜中に含有された窒素を放
出させた。その後耐食性及び耐候性の検討を行なった。

ここに、耐蝕性の評価は３ＭΩ・Ｃｌ１ｌの純水中に１
週間浸すことにより、また耐候性の評価は温度５７℃、
湿度８０％の条件下に２週間放置することにより行なっ
た。

この結果を、第１表に示、す。

比較例１下記条件により、適宜に表面処理されたガラス基板上に
Ｃｏ　−Ｎｉ−Ｐ合金磁性膜を作成し、その後耐食性、
耐候性の評価を行なった。その結果を第１表に示す。

メッキ浴　硫酸コバルト　　　　０．０６　ｍｏｌ　／
ｌ硫酸ニッケル　　　　０．０４次亜リン酸　　　　　０．２硫酸アンモニウム　　０．１マロン酸ナトリウム　０．３リンゴ酸ナトリウム　０．４コハク酸ナトリウム　０．５ｐＨ−８，９〜９．３　　温度７５〜８５℃　膜厚７０
０Ａ比較例２スパッタリング時の雰囲気をＡｒ　　１００％としたこ
と以外は実施例１と同様にして、Ｎ含有率０％の１ｌｌ
ｌｉを作成した。また、残存Ｎ１度が５原子％を越える
場合、　Ｎｉ　１１１度が２５原子％を越える場合、及
び規定量を越える量の添加物を含む場合の合金薄膜も同
様に実施例１の条件下で作成した。

その磁気特性を第１表に示す。

第１表より、本発明によるＡＩ　、　ｓｔ　、またはＣ
ｕを含むＣａｍ合金磁性薄膜は、従来のＣｏ　−Ｎｉ−
Ｐ無電解メッキ磁性薄膜に比較し、遥かに優れた耐食性
・耐候性を示すことが認められる。

また、磁気記録媒体としての特性を満足するためには、
アルゴンと窒素の混合雰囲気下で膜が形成されなければ
ならないことも認められる。

実施例２表面研磨されたアルミ合金上にアルマイト処理を施して
成る基板上に、第２表に示すような所望の組成となるよ
うに、実施例１に記したと同様の条件下にて５１／４“
φディスクを作成し、真空中３５０℃ｘ　ａｈｒ熱処理
を施した後、ｒ、ｆ、プレーナーマグネトロン装置にて
４００Ａのアモルファス状カーボン膜を形成した。

次に、これらのディスクを用い耐食性、耐候性の評価を
行なった。その結果を第２表に示す。なお、磁気記録媒
体の電磁変換特性の評価は、下記の如き条件で行なった
。

使用ヘッド　Ｍｎ−Ｚｎフェライトヘッド（トラック幅
１６μ１１ギヤツプ長１．１μ１１ギャップ深さ２０μ
曙、巻数１９Ｔｘ　２）浮上ｌ００３４μｍ書き込み周波数　１　Ｆ　：　　１．２５　ＭＨ２２Ｆ
；　　２．５　　ＭＨｚディスク回転数　３６００ｒｐｍ測定箇所　ディスク中心よりの距離Ｒ−３０ｎｕｉ比較
例３表面研磨されたアルミニウム合金上にＮｉ　−Ｐメッキ
下地層が施された５　１／４“φディスク基板上に、比
較例１と同様の条件下でｃｏ　−Ｊｌｉ　−Ｐ合金磁性
膜を形成し、その後実施例２と同様に４００Ａのアモル
ファス状カーボン膜を形成した。

次に、これらを耐食性及び耐候性の評価に用いた。

その結果を第２表に示す。電磁変換路特性の評価は実施
例２と全く同様の条件下で行なった。

以上のことから、本発明における磁気記録媒体は耐食性
・耐候性に優れた媒体であることが証明された。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に形成された合金磁性薄膜を有する磁気記
録体において、該合金磁性薄膜が２〜１２原子％のアル
ミニウム若しくはシリコン、又は２〜８原子％の銅のう
ちのいずれか１種以上を含むコバルト基合金からなるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
（２）上記合金磁性薄膜は、基板上にスパッタリングさ
れ、かつ熱処理されて形成されたものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。
（３）上記合金磁性薄膜が、２〜１２原子％のアルミニ
ウム若しくはシリコン、又は２〜８原子％の銅のうちの
いずれか１種以上と、窒素を０．２〜５原子％含み、残
部コバルトからなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項又は第２項に記載の磁気記録媒体。
（４）上記合金磁性薄膜が、２〜１２原子％のアルミニ
ウム若しくはシリコン、又は２〜８原子％の銅のうちの
いずれか１種以上と、窒素を０．２〜５原子％含み、残
部がコバルトとニッケル及び／又は鉄とから成り、ニッ
ケル及び／又は鉄の含有量は、コバルトの２５原子％以
下を置換した量であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項又は第２項に記載の磁気記録媒体。