JPS61226745A - 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、放射線感応性組成物に関し、特に塗布ムラの
ない均一な塗膜を形成することができる点で改善され、
例えば半導体集積回路などの製造において用いられる微
細加工用のレジストとして好適な放射線感応性組成物に
関する。

〔従来の技術〕

半導体、半導体集積回路などの各種の１７９グラフイ技
術を用いた製造においては、マスクを忠実に再現した高
精度の微細レジストパターンを形成するために、レジス
ト組成物が解像度、感度などの放射線に対する感応特性
の点で優れているだけでなく、塗布ムラのない均一な膜
厚を有する塗膜を形成しうるものであることが要求され
る。

しかし、従来のレジスト組成物においては、ストリエー
ションと呼ばれろ塗布ムラを生ずる問題カアった。この
ストリエーションは、レジスト組成物をスピンコーティ
ングによって基板上に塗布する場合に生ずる塗布ムラで
あり、目視による観察では放射状のしま模様を呈し、通
常、数百人の高低差を有する波状の起伏をなしている。

このストリエーションが生ずると、パターンの直線性お
よび再現性が低下し、所要の精［１有するレジストパタ
ーン全形成することができないという問題が発生する。

また、最近においては、シリコンウエノ１などの基板が
大口径になる傾向にあり、そのためレジスト組成物を基
板上に塗布するときに塗れ残りが発生しやすいという問
題がある。

〔発明が解決しょうとする問題点〕

本発明は、従来の放射線感応性組成物が有する、ストリ
エーションなどの塗布ムラが生じやすい問題点を解決し
、基板に対する濡れ性が良好で塗れ残りがなく均一な膜
厚を有する塗膜を形成することができ、高精度の微細加
工全達成することのできるレジストとして好適な放射線
感応性組成物を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、 （イ）側鎖にフルキレンオキシド基およびフッ化アルキ
ル基金有し、かつ （ロ）標準ポリスチレン換算数平均分子量（以下単に「
数平均分子量」という）が１０．０００未満である。

アクリレート系重合体および／またはメタクリレート系
重合体（以下単に「（メタコアクリレート重合体」とい
う〕を含有することを特徴とする放射線感応性組成物に
工って解決される。

すなわち、本発明は、放射線感応性物質を必要に応じて
加えられる結合剤およびその他の添加剤とともに溶剤に
溶解して形成される放射線感応性組成物において、添加
剤として側鎖に特定の基および分子量を有する〔メタコ
アクリレート重合体を用いている点に特徴を育する。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明における（メタ）アクリレート重合体としては、
側鎖にアルキレンオキシド基および７ツ化アルキル基を
有し、さらに数平均分子量が１００００未満、好ましく
は３，０００〜９，０００の範囲にあるものが用いられ
る。（メタ）アクリレート重合体の数平均分子量が１０
，０００以上であると、塗布性改良の効果が十分でな（
なる。

上記（メタ）アクリレート重合体におけるアルキレンオ
キシド基を側鎖に有するアクリレート構造単位またはメ
タクリレート構造単位としては、例えば下記一般式 ％式％ （式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示し、ｎは１〜
６の整数ｆ、ｍは１−１０の整数を示す）で表わすこと
ができ、具体的には。

ｃ＝ｏ　　　　　　　　　ｃ＝。

ＯＣ９ＨＡＯＨ０Ｃ３Ｈ６０Ｈ ＣＨａ　　　　　　　　　　　　　　ＣＨａＣＨ３ＣＨ
３ Ｃ＝＝ＯＣ＝０ などを挙げることができる。

また前記（メタ）アクリレート重合体における７ツ化ア
ルキル基を側鎖に有するアクリレート構造単位またはメ
タクリレート構造単位としては、例えば下記一般式 ％式％ （式中、Ｒは水素原子またはメチル基であり、ｎはＯ〜
２０の整数を示す） または下記一般式 Ｒ −ＣＨ２−Ｃ− （式中、Ｒは水素原子またはメチル晟であり、ｎは１〜
１０の整数を、ｍは０．〜２ｏの整数を示す） で表わすことができ、具体的には 一〇）１２−Ｃ）ｉ− Ｃ＝０ ０−ＣＨ２（ＣＦ２）２ＣＦ３ ０−ＣＨ２（ＣＦ２）ａＣＦｓ　　　　　　０−ＣＨ２
（ＣＦ２）４０Ｆ３−ＣＨ２−ＣＨ−−ＣＨ２−ＣＨ− ０−ＣＨ２（ＣＦ２　）　１５ＣＦ３　　　　０−ＣＨ
２（ＣＦ２　）　１　ｇにｒ’３−Ｂ４弘　　　　　　
　　　　ペΣ、ＣＥ←なとを挙げることができる。

また−前記（メタ）アクリレート、重１合・体は、側鎖
にアルキル基、アリール基、アリレン基などを有するア
クリレート構造単位またはメタクリレート構造単位、例
えば下記一般式 Ｒ −ＣＨ２−Ｃ− Ｃ＝０ ０−　ＣｎＨ２ｎ＋　１ （式中、Ｒは水素原子またはメチル基であり、ｎは１〜
２２の整数を示す） 具体的には、 ０−ＣＨ３０−Ｃ２Ｈｓ　　　　　　０−Ｃ３Ｈ？ＱＣ
？Ｈ１５０−Ｃ！ＩＨＩ　？　　　　０−ＣｇＪｉ　１
　ｇ−ＣＨ２−Ｃ）ｉ−−ＣＨ２−ＣＨ−−ＣＨ２−Ｃ
）←ＯＣＨ３０−Ｃ２Ｈｓ　　　　　　　　０−Ｃ３Ｈ
７など、および Ｃ−ＯいＯ ＣＨ３ＣＨ３ などで表わされる構造単位を有していてもよい。

さらに本発明釦用いる（メタ）アクリレート重合体は、
前記以外の構造単位１例えば −〇Ｈ？−ＣＨ２−、−ＣＨｚ−ＣＨ−−ＣＨｚ−Ｃｒ
２−一〇Ｆ’２−ＣＦ）←　、　　　−ＣＦ２−ＣＦ２
−　　、　　−Ｃｒ１２−ＣＨ−。

ＯＯＨ などを有していてもよい。

なお本発明における（メタ）アクリレート重合体のフッ
素含有量は、通常、５〜８０重１＊、好ましくは８〜６
５重量％である＠ かかる（メタ）アクリレート重合体は、例えばできる。

本発明における（メタ）アクリレート重合体は、例えば
フッ素系界面活性剤として市販されており、具体例とし
ては、例えば「５−３８１Ｊ、「５−３８２Ｊ（いずれ
も旭硝子■製）などを挙げることができる。

本発明における（メタ）アクリレート重合体＆九放射線
感応性組成物を構成する固形分く対して０．０００１〜
２重量％、好ましくは０．０００５〜１重鰍チの使用割
合で用いられることが望ましい。使用割合がＱ、０００
１重を一未満ではストリエーションを防止する効果が不
十分であり、使用割合が２重量Ｓｔ−越えると組成物の
軟化温度が低下する１５になる。

本発明の放射線感応性組成物を構成する放射線感応性物
質は、放射線、例えば紫外線、遠紫外線。

Ｘ線、電子線、イオン線、分子線、γ線などの照射によ
って現像液に対する溶解性が変化する物質であればよく
、特に好ましい放射線感応性物質として以下のものを挙
げることができる◎葎）　キノンジアジド化合物 例えばベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、ナフ
トキノンジアジドスルホン酸エステル、ベンゾキノンジ
アジドスルホン酸アミド、ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸アミドなとであり、公知のキノンジアジド化合物を
そのまま使用することができる。さらに具体的には、ｃ
Ｌ　Ｋｏｓｇｒ著”Ｌｉｇｈｔ　−５ｅｎｓｉｔｉｖｅ
　　Ｓｙｓｔｅｍｓ　　３３９〜３３５２．（１９６５
）、ＪｏｈＢ　Ｗｉｌｅｙ　＆　５ｏｎｓ社（Ｎｅｗ　
Ｙｏｒｋ）？、Ｗ、　Ｓ。

Ｄａ　Ｆｏｒｅｓｔ著　Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　　５
０ｅ（１９７５）、ＭｃＧｒ＠ｗ　　Ｈｉ　１１　、　
１　ｆｉｃ　、　（Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ　）に記載されて
いるキノンジアジド化合物が挙げられる。すなわち、１
．２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸フェニル
エステル、ジー（１”　Ｉ　２”−ベンゾキノンジアジ
ド−７−スルホニル）−４，４’−ジヒドロキシビフェ
ニル、１．２−ベンゾキノンジアジド−４−（Ｎ−エチ
ル−Ｎ−β−ナフチル）−スルホンアミド、１．２−ナ
フトキノジジアジド−５−スルホン酸シクロヘキシルエ
ステル、１−（１’、２’−ナフトキノンジアジド−５
１−スルホニル）−３，５−ジメチルピラゾール、１．
２−す７トキノンジアジドー５−スルホン酸−４’−１
ｅ−ドロキシジフェニル−４１言−アシ−β−ナフトー
ルエステル、Ｎ、Ｎ−ジー（］、］２−ナフトキノンジ
アジドー５−スルホニル〕アニリン、２−（１１，２１
−ナフトキノンジアジド−５１−スルホニルオキシ）−
１−ヒドロキシ−アントラキノン、１．２−す７トキノ
ンジアジドー５−スルホン酸クロリド２モルと４．４１
−ジアミノベンゾフェノン１モルとの縮合物、１．２−
ナフトキ／７ジアジドー５−スルホン酸クロリド２モル
と４．４１−ジヒドロキシ−１，Ｉ　Ｉ−ジフェニルス
ルホン１モルとの縮合物、１，２−す７トキノンシアジ
ドー５−スルホン酸クロリド１モルとプルプロガリン１
モルとの縮合物、１．２−す７トキノンジアジドー５−
（Ｎ−ジヒドロアビエチル升スルホンアミノなどを例示
することができる。

また特公昭３７−１９５３号公報、同３７−３ｇ７号公
報、同３７−１３１０９号公報、同４〇−２６１２６号
公報、同４０−３８０１号公報、同４５−５，６０４号
公報、同４５−２７，３４５号公報、同５１−１３，０
１３号公報、特開昭４８−９６．５７５号公報、同４８
−６３，８０２号公報、同４８−６３，８０３号公報、
特開昭５８−７５．１４９号公報、同５８−１７，１１
２号公報、同５９−１６５．０５３号公報などに記載さ
れたキノンジアジド化合物も使用することができる。

さらに米国特許第３，０４６，１２０号明細書中に記載
されているナフトキノン−（１，２）−ジアジド−■−
スルホン酸クロライドとフェノールまたはクレゾール−
ホルムアルデヒド樹脂とのニス　　　゛チル、米国特許
第３，６３５，７００号明細書く記載されているピロガ
ロール−アセトン樹脂とす７トキノンジアジドスルホン
酸クロライドのエステル、特開昭５５−７６３４６号、
同５６−１０４４号、および同５６−１，０４５号の各
公報に記載されているポリヒドロキシフェニル樹脂とナ
フトキノンジアジドスルホン酸クロライドのエステル、
特開昭５０−１１３，３０５号公報に記載されているよ
うなｐ−ヒドロキシスチレンのホモポリマーまたはこれ
と他の共重合し得るモノマーとの共重合体にナフトキノ
ンジアジドスルホン酸クロライドをエステル反応させた
もの、特公昭４９−１７４８１号公報記載のスチレンモ
ノマーと７工ノール誘導体との重合体生成物とキノンジ
アジドスルホン酸との反応生成物、ポリヒドロキシベン
ゾフェノンとナフトキノンジアジドスルホン酸クロライ
ドのエステルなども使用することができる。

かかるす７トキノンジアジド化合物は必要忙応じて結合
剤とともに用いられる。この結合剤の好適なものとして
は、アルカリ水溶液に対して可溶性のノボラック樹脂が
挙げられる。このようなノボラック樹脂としては、フェ
ノールーホルムアルデｅドノメ・ラック樹脂、クレゾー
ル−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、ｐ−ｔｅｒｔ−
ブチルフェノール−ホルムアルデヒドノボラック樹脂、
などを代表的なものとして挙げることができる。全組成
物中のキノンジアジド化合物の配合割合は、通常、１０
〜５０重量％であり、好ましくは２０〜４０重蓋−であ
る。また、上記結合剤の配合割合は、通常、全組成物中
の４５〜８０重量％であり、好ましくは５０〜７０重量
％である。

（ロ）　ジアゾ樹脂 好適なジアゾ樹脂としては、ｐ−ジアゾジフェニルアミ
ンとホルムアルデヒドまたはアセトアルデヒドとの縮合
物の塩、例えばヘキサフルオロリン酸塩、テトラフルオ
ロホウ酸塩、過塩素酸塩または過ヨウ素酸塩と前記縮合
物との反応生成物であるジアゾ樹脂無機塩、米国特許第
３，３００，３０９号明細書に記載されているような、
前記縮合物とスルホン酸類の反応生成物であるジアゾ樹
脂有機塩等が挙げられる。

これらのジアゾ樹脂は、好ましくは結合剤と共に使用さ
れる。かかる結合剤としては種々の高分子化合物が使用
され得るが、好ましくは、特開昭５４−９８，６１３号
公報に記載されているような芳香族性水酸晟ヲ有する重
合体１例えばＮ−（４−ヒドロキシフェニル）アクリル
アミド、Ｎ−（４−ヒドロキシフェニル）メタクリルア
ミド　Ｑ　−＋　。

ｍ　−マたはｐ−ヒドロキシスチレン、ｏ−、ｍ−また
はｐ−ヒドロキシフェニルメタクリレートなどと他の単
址体との共重合体、米国特許第４，１２３゜２７６号明
細書に記載されているようなヒドロキシエチルアクリレ
ート単位またはヒドロキシエチルメタクリレート単位を
主なる繰り返し単位として含むポリマー、シェラツク、
ロジンなどの天然樹脂、ポリビニルアルコール、米国特
許第３，７５１゜２５７　号明細書に記載されているポ
リアミド樹脂、米国特許第３，６６０，０９７号明細書
く記載されている線状ポリウレタン樹脂、ポリビニルア
ルコールの７タレー）化１１脂、ビスフエノールＡとエ
ピクロルヒドリンから縮合されたエポキシ樹脂、酢酸セ
ルロース、セルロースアセテート７タレート等のセルロ
ース類が包含される。

（Ｃ）　　重合体主鎖または側鎖に感光基として−ＣＨ
−ＣＨ−Ｃ−を含むポリエステル類、ポリアミド類、ポ
リカーボネート類のような放射線感応性樹脂例えば、特
開昭５５−４０，４１５号公報に記載されているような
、フェニレンジエチルアクリレートと水素添加したビス
フェノールＡおよびトリエチレングリ；−ルとの縮合で
得られる感光性ポリエステル、米国特許第２９５６８７
８号明細書く記載されているような、シンナミリデンマ
ロン酸などの（２−プロペリデン）マロン酸化合物およ
び二官能性グリコール類から誘導される感光性ポリエス
テル類などが挙げられる。

（ｄ）　　芳香族アジド化合物、または芳香族アジドス
ルホニルｆヒ金物 例えば特開昭５８−２０３４３８号公報に記載されてい
るようなアジドカルコン類、ジアジドベンザルメチルミ
クロヘキサノン類および／またはアジドシンナミリデン
アセトフェノン類と、ｐ−ビニルフェノール重合体およ
び／またはノボラック樹脂とからなる感光性組成物、日
本化学会誌、ＮＯ］２　１）１７０８〜１７１４　１９
８３年に記載されている芳香族アジド化合物および／ま
たは芳香族ジアジド化合物とＯ−ビニルフェノール重合
体とからなる感光性組成物などが挙げられる。

幹）　　ポリ（オレフィンスルホン）類例えば特開昭５
９−１５２号公報に記載されているようなポリ（２−メ
チルペンテン−１−スルホン）、ポリ（ブテンＪスルホ
ン）などのポリ（オレフィンスルホン）類と、ｍ−クレ
ゾールおよびｐ−クレゾールを主成分とするノボラック
樹脂とからなる放射線感応性組成物など力予挙げられる
Ｏ 本発明の放射線感応性組成物は、上記成分を有機溶剤に
溶解させることにより得られる。

この際使用される有機溶剤としては、例えばエチルグリ
コールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジプチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテルなどのグリコールエーテル類、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート
、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステ
ル類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ
キサノン、７クロペンタノン、アセトニルアセトン、ア
セトフェノン、インホロンなどのクトン類、ベンジルエ
チルエーテル、１゜２−ジブトキシエタン、ジヘキシル
エーテルなどのエーテル類、カプロン酸、カプリル酸な
どの脂肪酸類、１−オクタツール、１−ノナノール、ト
テカノール、ベンジルアルコールナトｏ　７　ル：７−
ル類、酢酸エチル、酢酸エチル、２−エチルヘキシルア
セテート、酢酸ベンジル、安息香酸ベンジル１．蓚酸ジ
エチル、蓚酸ジプチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸
ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジプチル、
７タル酸ジメチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレンなと
のエステル類ｒ−プチロラクトンなどの環状ラクトン類
が挙げられる。

これらの有機溶剤は、１種または２種以上組合わせて用
いられる。

この有機溶剤の使用蓋は、組成物溶液を塗布す　　゛る
際の必要膜厚により異なるが、一般的には組成物１００
重鷺部に対して、１００〜４０００重量部、好ましくは
３００〜１，５００重量部である。

本発明の放射線感応性組成物の塗布方法としては、スピ
ンコーティング、ロールコーティング、ディップコーテ
ィング、スプレーコーティング、ブレードコーティング
などの各種の方法を用いることができ、いずれの塗布方
法においても本発明の効果を十分に得ることができる〇 〔実施例〕 以下、本発明、の実施側鎖ついて述べるが、本発明がこ
れらに限定されるものではない。

実施例１ ２１３１４−）リヒドロキシペンゾフェノンとＯ−ナフ
トキノンジアジド−５−スルホニルクロライドとの縮合
物２６．５ｇとクレゾール−ホルムアルデヒドノボラッ
ク樹脂１００ｇＫ’３３６ｇのセロソルブアセテートに
溶解して溶液釜調製し、これに（メタ）アクリレート重
合体・ｒＳ→にＢＬｆ（旭」硝′ψａ４ｉ！−）を固形
分に対して５ｐＩ）ｍの濃度で添加してレジスト溶液を
調製した。このレジスト溶液を直径４インチのシリコン
ウニノー上に回転数３０００ｒｐｍでスピンコーティン
グ法＆ＣＪＣり塗布した後、１９０℃に保った空気循環
型オープン中で２５分間加熱乾燥し、膜厚が１．５μｍ
のレジスト膜を有するシリコンウェハを得た。なお、こ
こ忙おいて用いたシリコンウェハは、表面に、熱酸化に
１って形成された厚さ０．７μｍの二酸化シリコ・ンの
被膜を有するものである。

以上のようにして得られた、レジスト膜を有するシリコ
ンウェハ（以下、「サンプル」という）について次のよ
うな項目について評価テス）を行った・その結果を第１
表に示す。

（］）　　ストリエーション サンプルのレジスト膜表面を光学顕微鏡によって倍率１
００倍で観察し、ストリエーションの発生状態を調べた
。評価はストリエーションの発生が認められないものｔ
　ｒＯＪ　、やや認められるものｔ″「Δ」、はっきり
と認められるものヲ「×」として表わす・ さらに、レジスト膜の表面荒さを、表面荒さ計「タリス
テップ」（ランクテーラーホプソン社製）Ｋぶって測定
した。

（２）塗れ残り（濡れ性） サンプルのレジスト膜表面ｔ−光学顕微鏡によって倍率
１００倍で観察し、塗れ残りの有無を調べた。評価は、
塗れ残りの発生しなかったものを「Ｏ」、サンプルの周
辺部のごく一部忙発生したものを「Δ」、サンプルの周
辺部の一部に発生したものヲ「×」としで表わす。

■）　サイドエツチング（耐ウエツトエツチング性） サンプルをコンタクトアライナ−「ＰＬＡ５０１ＦＪ（
＃ヤノン■社製）ｆ：用い、線巾が２μｍのバトンのマ
スクを介して紫外線で露光焼付げした後、水酸化テトラ
メチルアンモニウムの２．４重ｔｓ水溶液を用いて６０
秒間現像し、流水下で２０秒間リンスし、線巾２μｍの
レジストパターンを得た。

次にこのレジストパターンが形成されたサンプル金１３
０℃に保った空気循環型オーブン中で３０分間ポストベ
ークした後に、４９重量−のフッ化水素水溶液／４０重
ｉ１チのフッ化アンモニウム水溶液（重置比１：１）よ
り成るエッチャントを用いて６分間エツチングした後レ
ジストパターンを剥離した。このようにして得られたウ
ェハのエツチング部分和ついてサイドエッチを測定した
。サイドエッチは、第１図に示ｔよ５に、二酸化シリコ
ンの被膜がエツチングされて形成されたパターン部１の
上ＷｉＫおける幅をＡ、パターン部１の底面（二酸化シ
リコンの被膜とシリコン層２との境界面）における幅を
Ｂとしたとき１次式によって得られるもの、である。

　−Ａ サイドエッチ＝　　　　（μｍ） 実施例２〜８ （メタ）アクリレート重合体の種類および添加ｔｔ第１
表に示すとおりとしたなかは、実施例１と同様圧してレ
ジスト溶液を調製し、さらにこのレジスト溶液を用いて
シリ−、ンンウーｒ−ｋＴｈ上にレジスト膜を形成し、
計７種のサンプルを得た。これら７種の各サンプルにつ
いて、実施例１において述べたと同様の項目について評
価テス）を行った。

その結果を第１表に示す。

比較例】 （メタ）アクリレート重合体を添加しないほかは実施例
１と同様にしてレジスト溶液を調製し、さらＫこのレジ
スト溶液を用いてシリコンウェハ上にレジスト膜を形成
し、比較用サンプルを得た。

このサンプル九ついて実施例１において述べたと同様の
項目について評価テストを行った０その結果を第１表に
示す。

以上の結果より明らかなように、本発明の実施例におい
ては、（メタ）アクリレート重合体ｔ−添加していない
比較例に比してすべての項目において優れており、具体
的に次のヨウな作用効果が確認された。

（１）　　スピンコーティングによる塗膜の形成におい
てストリエーションの発生がほとんどなく、きわめて平
滑な表面を有するレジスト膜を形成することができる。

（２レジスト溶液の基板（シリコンウェハ）Ｋ対する濡
れ性が良好であって塗れ残りを生ずることがなく、均一
で完全なレジスト膜を形成することができる。

（３）　　基板に対する接着性が良好であって、サイド
エ、Ｚ’ｆ−ｙ／グ塊象すｔｂちレジストパター′ン部
の下にエッチャントが浸み込みエツチングされる現象を
生じＫくく、耐ウエツトエツチング性に優れたレジスト
膜を形成することができる◎ 〔発明の効果〕 本発明の放射線感応性組成物は、特定の（メタ）アクリ
レート重合体を含有しており、以下の効果を有する。

（１）　　ストリエーションなどの塗布ムラを生じにく
く、平滑で均一な膜厚を有する塗膜を形成することがで
きる。

Ｑ）　基板に対する濡れ性が優れており、塗れ残りのな
い完全な状態の塗膜を形成することができる。

Ｇ）　基板に対して適度な接着力を有していて耐・エツ
チング性に優れた塗膜を形成することができるＯ 本発明の放射線感応性組成物は１以上のような特徴を有
しているので高精度のリングラフィを達成することがで
き、例えば半導体集積回路、プリント基板、テレビのシ
ャドーマスク、光集Ｍ回路などの製造忙おいて用いられ
るレジストとして好適に使用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はエツチングされたシリコンウェハを模式的に示
す説明用断面図である。 １・・・パターン部　　　２・・・シリコン層−′″″
戸、 代理人　弁理士　　大　井　正　彦（；ゝ〜゛シ。 引図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）（イ）側鎖にアルキレンオキシド基およびフッ化ア
   ルキル基を有し、かつ （ロ）標準ポリスチレン換算数平均分子量が１０，００
   ０未満である、 アクリレート系重合体および／またはメタクリレート系
   重合体を含有することを特徴とする放射線感応性組成物
   。