JPS58105143A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents

ポジ型フオトレジスト組成物

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Publication number
JPS58105143A
JPS58105143A JP20245581A JP20245581A JPS58105143A JP S58105143 A JPS58105143 A JP S58105143A JP 20245581 A JP20245581 A JP 20245581A JP 20245581 A JP20245581 A JP 20245581A JP S58105143 A JPS58105143 A JP S58105143A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoresist composition
positive type
solvent
striations
type photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20245581A
Other languages
English (en)
Inventor
Norio Ishikawa
典夫 石川
Hayato Katsuragi
桂木 速人
Tomoaki Yamashita
山下 朝朗
Yoichi Hirai
洋一 平井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanto Chemical Co Inc
Original Assignee
Kanto Chemical Co Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Kanto Chemical Co Inc filed Critical Kanto Chemical Co Inc
Priority to JP20245581A priority Critical patent/JPS58105143A/ja
Publication of JPS58105143A publication Critical patent/JPS58105143A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 物に関するものである。さらに詳しく言えば、本発明は
、0−キノンジアジド系感元剤とアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂とを、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブおよびN,N−ジメチルホルムアミド
がら選はれた少くとも1つを溶剤として用い、さらにフ
ッ素系界面活性剤を配合してなることを特徴とする新規
な0−キノンジアジF糸ボジ型フォトレンスト組成物を
提供するものである。
ボン型フォトレジヌトはネガ型フォトレンヌトに比べ畠
解像度である為IC,T.SI等の微細加工を必賛とす
る部分のフオトエソチングプロセスの耐エツチング皮膜
として使用されており、さらに今後の超LSI製造工程
におけるフォトエツチング用レジストとして期待されて
いる。
“ しかしながら、従来のポ゛ジ型フォトレジストは、
スピンナーによる塗膜形成時に塗膜表面に放射線状の縞
が発生するという問題点があった。
この塗膜表面の放射線状の縞はストリエーショ/と呼ば
れているが、このストリエーションを顕微鏡およびタリ
ステップ等で鈎べると、レジスト膜表面は小さな塗布ム
ラとなっており、レジスト膜厚にして400〜600λ
の差が生じていることがわかる。
また、このストリエーションは現+s後,いっそう大き
くなり、そのためボ′ジ型フォトレジストのパターンの
直線性およびパターンの再現性は悪くなる。
本発明者らは、ストリエーションの発生の極めて少ない
ポジ型フォトレジストヲ提供することを目的として研死
を重ねた結果、特定の溶剤とフッ素系界面活性剤との組
合せ使用によりストリエーションが改善される事実を見
い出した。
本発明はかかる知見に基づくものである。
ボン型フォトレンスト組成物の溶剤としては通常、酢酸
セロソルブ、6酸−n−ブチル、メチルセロソルブ、エ
チルセロソルブ、ジオキサン、N、N−ンメチルホルム
アミド、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロ
フランなどが混合使用されているか、本発明の組成物に
用いられる溶剤は、/クロヘキサノン、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、N、N −)メチルホルムアミ
ドの中から選ばれる少なくとも1つ剤の例としては、F
c−430、Fc−431(フロロケミカル−庄友スリ
ーエム製)などがあり、これら界面活性剤の使用量は広
範囲にわたって使用可能であるが、過剰に使用するとか
えってレジスト表1fIi全不均一にするので、固型分
に灯して001〜1.0wt%程度の量で加えるのが望
ましい。
これらフッ素系界面活性剤の添加により、ボン型フォト
レジストの特性および基板との密着性は何ら変化しない
事実が見出された。
次に、実施例をあげて本発明の詳細な説明するが本発明
はこれのみに限定されるものではない。
実施例 1 0−ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドとm−
クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂との縮合物
102、m−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹
脂30fI′fr:メチルセロソルブ602に溶解し、
さらにHc−430(フロロケミカル−住友スリーエム
V)ko2r(固型分に対して0.5wt%)添加した
感光液を調製し、5io2/siウエハー上にスピンナ
ーにより塗膜を形成した。塗膜形成後ホットプレート上
で850.10分間プレベークして、レジスト膜表面を
調べたところ、放射線状の縞すなわちストリエーション
は見られなかった。
さらに露光、現像後のレジスト膜表面のストリエーショ
ンも見られなかった。
実施IPil  2 0−ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドとm−
クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂との縮合物
109.m−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹
脂30f’tメチルセロツルー1boyに溶解し、さら
にFc−430(フロロケミカル−住友スリーエム製)
 t−0,02f(固型分に対してo05 wtチ)添
加した感光液をw4裂し、実施例1と同様の操作を行な
いストリエーションを−ベた結果、現像前後ともにスト
リエーションは見られなかった。
実施例 3 5.5′−メチレン−ヒス−サリチルアルデヒドとo−
フェニレンジアミンのl縮合物と。−ナ 5− フトキノンシアジドスルホニルクロライドとの縮合物5
2、m−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂1
0 f ’i ])MF 25 f 、エチルセロソル
ブ252、キシレン5fの混合溶剤に溶解し、さらVC
Fc−430k 0.015 ? (固型分に対して0
.1 wt%)添加した感″Jt、液を調製し、実施例
1と同様の操作後ス) IJエニーョンを調べた結果、
ストリエーションは、はとんど見られなかった。
実施例 4 5.5′−メチレン−ビス−サリチルアルデヒドとO−
フェニレンジアミンの重縮合物と0−ナフトキノンジア
ジドスルホニルクロライドとの縮合物51.m−クレゾ
ールホルムアルデヒドノボラック樹脂10りiDMF2
!M、エチルセロソルブ25t、キシレン5fの混合溶
剤に溶解し、さらにFc−431k 0.075f (
固型分に対して0.5 wt%)添加した感光液を#l
製し、実施例1と同様の操作後ス) IJエーションヲ
調べた結果、ストリエーションは、はとんど見られなか
 6− つた。
本発明の組成物により得られるレジスト膜表面を、タリ
ステップ(テーラーホブンン社製)で走査した結果、比
較対照品(市販品)を用いて得られるボ、;型フォトレ
ジスト膜の場合と比べ、市販品の場合がス) IJエニ
ーョンが著シく見られるのに対し、本発明の組成物によ
って得られるレジスト膜表面には、ストリニルジョンが
見られないことが確認された。
特許出願人 関東化学株式会社 代理人 弁理土用 孝夫  7−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 0−キノンジアンド系感光剤とアルカリ可溶性フェノー
    ル樹脂とを、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、エ
    チルセロソルブおよ0:N、N−ジメチルホルムアミド
    から選ばれた少くとも1つを溶剤の主成分として用い、
    さらにフッ素系界面活性剤を配合してなること全特徴と
    する0−キノンジアジF糸ポジ型フォトレジスト利成物
JP20245581A 1981-12-17 1981-12-17 ポジ型フオトレジスト組成物 Pending JPS58105143A (ja)

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