JPS58105143A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
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- JPS58105143A JPS58105143A JP20245581A JP20245581A JPS58105143A JP S58105143 A JPS58105143 A JP S58105143A JP 20245581 A JP20245581 A JP 20245581A JP 20245581 A JP20245581 A JP 20245581A JP S58105143 A JPS58105143 A JP S58105143A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
物に関するものである。さらに詳しく言えば、本発明は
、0−キノンジアジド系感元剤とアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂とを、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブおよびN,N−ジメチルホルムアミド
がら選はれた少くとも1つを溶剤として用い、さらにフ
ッ素系界面活性剤を配合してなることを特徴とする新規
な0−キノンジアジF糸ボジ型フォトレンスト組成物を
提供するものである。
、0−キノンジアジド系感元剤とアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂とを、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、
エチルセロソルブおよびN,N−ジメチルホルムアミド
がら選はれた少くとも1つを溶剤として用い、さらにフ
ッ素系界面活性剤を配合してなることを特徴とする新規
な0−キノンジアジF糸ボジ型フォトレンスト組成物を
提供するものである。
ボン型フォトレジヌトはネガ型フォトレンヌトに比べ畠
解像度である為IC,T.SI等の微細加工を必賛とす
る部分のフオトエソチングプロセスの耐エツチング皮膜
として使用されており、さらに今後の超LSI製造工程
におけるフォトエツチング用レジストとして期待されて
いる。
解像度である為IC,T.SI等の微細加工を必賛とす
る部分のフオトエソチングプロセスの耐エツチング皮膜
として使用されており、さらに今後の超LSI製造工程
におけるフォトエツチング用レジストとして期待されて
いる。
“ しかしながら、従来のポ゛ジ型フォトレジストは、
スピンナーによる塗膜形成時に塗膜表面に放射線状の縞
が発生するという問題点があった。
スピンナーによる塗膜形成時に塗膜表面に放射線状の縞
が発生するという問題点があった。
この塗膜表面の放射線状の縞はストリエーショ/と呼ば
れているが、このストリエーションを顕微鏡およびタリ
ステップ等で鈎べると、レジスト膜表面は小さな塗布ム
ラとなっており、レジスト膜厚にして400〜600λ
の差が生じていることがわかる。
れているが、このストリエーションを顕微鏡およびタリ
ステップ等で鈎べると、レジスト膜表面は小さな塗布ム
ラとなっており、レジスト膜厚にして400〜600λ
の差が生じていることがわかる。
また、このストリエーションは現+s後,いっそう大き
くなり、そのためボ′ジ型フォトレジストのパターンの
直線性およびパターンの再現性は悪くなる。
くなり、そのためボ′ジ型フォトレジストのパターンの
直線性およびパターンの再現性は悪くなる。
本発明者らは、ストリエーションの発生の極めて少ない
ポジ型フォトレジストヲ提供することを目的として研死
を重ねた結果、特定の溶剤とフッ素系界面活性剤との組
合せ使用によりストリエーションが改善される事実を見
い出した。
ポジ型フォトレジストヲ提供することを目的として研死
を重ねた結果、特定の溶剤とフッ素系界面活性剤との組
合せ使用によりストリエーションが改善される事実を見
い出した。
本発明はかかる知見に基づくものである。
ボン型フォトレンスト組成物の溶剤としては通常、酢酸
セロソルブ、6酸−n−ブチル、メチルセロソルブ、エ
チルセロソルブ、ジオキサン、N、N−ンメチルホルム
アミド、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロ
フランなどが混合使用されているか、本発明の組成物に
用いられる溶剤は、/クロヘキサノン、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、N、N −)メチルホルムアミ
ドの中から選ばれる少なくとも1つ剤の例としては、F
c−430、Fc−431(フロロケミカル−庄友スリ
ーエム製)などがあり、これら界面活性剤の使用量は広
範囲にわたって使用可能であるが、過剰に使用するとか
えってレジスト表1fIi全不均一にするので、固型分
に灯して001〜1.0wt%程度の量で加えるのが望
ましい。
セロソルブ、6酸−n−ブチル、メチルセロソルブ、エ
チルセロソルブ、ジオキサン、N、N−ンメチルホルム
アミド、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロ
フランなどが混合使用されているか、本発明の組成物に
用いられる溶剤は、/クロヘキサノン、メチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、N、N −)メチルホルムアミ
ドの中から選ばれる少なくとも1つ剤の例としては、F
c−430、Fc−431(フロロケミカル−庄友スリ
ーエム製)などがあり、これら界面活性剤の使用量は広
範囲にわたって使用可能であるが、過剰に使用するとか
えってレジスト表1fIi全不均一にするので、固型分
に灯して001〜1.0wt%程度の量で加えるのが望
ましい。
これらフッ素系界面活性剤の添加により、ボン型フォト
レジストの特性および基板との密着性は何ら変化しない
事実が見出された。
レジストの特性および基板との密着性は何ら変化しない
事実が見出された。
次に、実施例をあげて本発明の詳細な説明するが本発明
はこれのみに限定されるものではない。
はこれのみに限定されるものではない。
実施例 1
0−ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドとm−
クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂との縮合物
102、m−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹
脂30fI′fr:メチルセロソルブ602に溶解し、
さらにHc−430(フロロケミカル−住友スリーエム
V)ko2r(固型分に対して0.5wt%)添加した
感光液を調製し、5io2/siウエハー上にスピンナ
ーにより塗膜を形成した。塗膜形成後ホットプレート上
で850.10分間プレベークして、レジスト膜表面を
調べたところ、放射線状の縞すなわちストリエーション
は見られなかった。
クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂との縮合物
102、m−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹
脂30fI′fr:メチルセロソルブ602に溶解し、
さらにHc−430(フロロケミカル−住友スリーエム
V)ko2r(固型分に対して0.5wt%)添加した
感光液を調製し、5io2/siウエハー上にスピンナ
ーにより塗膜を形成した。塗膜形成後ホットプレート上
で850.10分間プレベークして、レジスト膜表面を
調べたところ、放射線状の縞すなわちストリエーション
は見られなかった。
さらに露光、現像後のレジスト膜表面のストリエーショ
ンも見られなかった。
ンも見られなかった。
実施IPil 2
0−ナフトキノンジアジドスルホニルクロライドとm−
クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂との縮合物
109.m−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹
脂30f’tメチルセロツルー1boyに溶解し、さら
にFc−430(フロロケミカル−住友スリーエム製)
t−0,02f(固型分に対してo05 wtチ)添
加した感光液をw4裂し、実施例1と同様の操作を行な
いストリエーションを−ベた結果、現像前後ともにスト
リエーションは見られなかった。
クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂との縮合物
109.m−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹
脂30f’tメチルセロツルー1boyに溶解し、さら
にFc−430(フロロケミカル−住友スリーエム製)
t−0,02f(固型分に対してo05 wtチ)添
加した感光液をw4裂し、実施例1と同様の操作を行な
いストリエーションを−ベた結果、現像前後ともにスト
リエーションは見られなかった。
実施例 3
5.5′−メチレン−ヒス−サリチルアルデヒドとo−
フェニレンジアミンのl縮合物と。−ナ 5− フトキノンシアジドスルホニルクロライドとの縮合物5
2、m−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂1
0 f ’i ])MF 25 f 、エチルセロソル
ブ252、キシレン5fの混合溶剤に溶解し、さらVC
Fc−430k 0.015 ? (固型分に対して0
.1 wt%)添加した感″Jt、液を調製し、実施例
1と同様の操作後ス) IJエニーョンを調べた結果、
ストリエーションは、はとんど見られなかった。
フェニレンジアミンのl縮合物と。−ナ 5− フトキノンシアジドスルホニルクロライドとの縮合物5
2、m−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂1
0 f ’i ])MF 25 f 、エチルセロソル
ブ252、キシレン5fの混合溶剤に溶解し、さらVC
Fc−430k 0.015 ? (固型分に対して0
.1 wt%)添加した感″Jt、液を調製し、実施例
1と同様の操作後ス) IJエニーョンを調べた結果、
ストリエーションは、はとんど見られなかった。
実施例 4
5.5′−メチレン−ビス−サリチルアルデヒドとO−
フェニレンジアミンの重縮合物と0−ナフトキノンジア
ジドスルホニルクロライドとの縮合物51.m−クレゾ
ールホルムアルデヒドノボラック樹脂10りiDMF2
!M、エチルセロソルブ25t、キシレン5fの混合溶
剤に溶解し、さらにFc−431k 0.075f (
固型分に対して0.5 wt%)添加した感光液を#l
製し、実施例1と同様の操作後ス) IJエーションヲ
調べた結果、ストリエーションは、はとんど見られなか
6− つた。
フェニレンジアミンの重縮合物と0−ナフトキノンジア
ジドスルホニルクロライドとの縮合物51.m−クレゾ
ールホルムアルデヒドノボラック樹脂10りiDMF2
!M、エチルセロソルブ25t、キシレン5fの混合溶
剤に溶解し、さらにFc−431k 0.075f (
固型分に対して0.5 wt%)添加した感光液を#l
製し、実施例1と同様の操作後ス) IJエーションヲ
調べた結果、ストリエーションは、はとんど見られなか
6− つた。
本発明の組成物により得られるレジスト膜表面を、タリ
ステップ(テーラーホブンン社製)で走査した結果、比
較対照品(市販品)を用いて得られるボ、;型フォトレ
ジスト膜の場合と比べ、市販品の場合がス) IJエニ
ーョンが著シく見られるのに対し、本発明の組成物によ
って得られるレジスト膜表面には、ストリニルジョンが
見られないことが確認された。
ステップ(テーラーホブンン社製)で走査した結果、比
較対照品(市販品)を用いて得られるボ、;型フォトレ
ジスト膜の場合と比べ、市販品の場合がス) IJエニ
ーョンが著シく見られるのに対し、本発明の組成物によ
って得られるレジスト膜表面には、ストリニルジョンが
見られないことが確認された。
特許出願人 関東化学株式会社
代理人 弁理土用 孝夫
7−
Claims (1)
- 0−キノンジアンド系感光剤とアルカリ可溶性フェノー
ル樹脂とを、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、エ
チルセロソルブおよ0:N、N−ジメチルホルムアミド
から選ばれた少くとも1つを溶剤の主成分として用い、
さらにフッ素系界面活性剤を配合してなること全特徴と
する0−キノンジアジF糸ポジ型フォトレジスト利成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20245581A JPS58105143A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20245581A JPS58105143A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58105143A true JPS58105143A (ja) | 1983-06-22 |
Family
ID=16457806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20245581A Pending JPS58105143A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58105143A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155836A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPS6057339A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPS6074621A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60125841A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-05 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS60208749A (ja) * | 1984-04-02 | 1985-10-21 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ホトレジスト組成物 |
| JPS61226745A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 |
| JPS61226746A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 |
| JPS61228440A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-11 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS6236657A (ja) * | 1985-08-10 | 1987-02-17 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 半導体微細加工用レジスト組成物 |
| JPS62226143A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPS63501744A (ja) * | 1985-11-27 | 1988-07-14 | ヘキスト セラニーズ コーポレーション | 基体上のフォトレジスト画像層を熱安定させる方法 |
| JPS6448849A (en) * | 1987-08-17 | 1989-02-23 | Konishiroku Photo Ind | Photosensitive composition |
| JPH01293340A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH03502224A (ja) * | 1988-01-07 | 1991-05-23 | ローベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 内燃機関の制御装置と同装置のパラメータを調節する方法 |
| KR100573243B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2006-04-24 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 액정소자 제조용 포지티브형 포토레지스트 도포액 및그것을 사용한 기재 |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP20245581A patent/JPS58105143A/ja active Pending
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