JPS63227774A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
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- JPS63227774A JPS63227774A JP6038787A JP6038787A JPS63227774A JP S63227774 A JPS63227774 A JP S63227774A JP 6038787 A JP6038787 A JP 6038787A JP 6038787 A JP6038787 A JP 6038787A JP S63227774 A JPS63227774 A JP S63227774A
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- sputtering
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Links
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 15
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔航業上の利用分野〕
本発明は、スパッタリング用ターゲットの構造に関する
。
。
特に多元素同時スパッタリングにおけるスパッタリング
用ターゲットにおいて、複数の小部分を継ぎ合せ所定の
大きさ、形状を構成するターゲット（以後複合ターゲッ
トと記す）が多く提案されている１例えば、特開昭５４
−１４３７８０．特開昭５６−１６９７７５．特開昭５
８−１００６７９等がある。金−間化合物等の脆い組成
でできているターゲットは、加工時の取扱い、あるいは
、スパッタ時の熱歪等により割れ、ヒビ等が入りやすく
、一枚のターゲットによる大面積化は難しく、上記の複
合ターゲットによる大面積化が育効な手段となっている
。又複数の組成の小片を組み合せた複合ターゲットも注
目されている。
用ターゲットにおいて、複数の小部分を継ぎ合せ所定の
大きさ、形状を構成するターゲット（以後複合ターゲッ
トと記す）が多く提案されている１例えば、特開昭５４
−１４３７８０．特開昭５６−１６９７７５．特開昭５
８−１００６７９等がある。金−間化合物等の脆い組成
でできているターゲットは、加工時の取扱い、あるいは
、スパッタ時の熱歪等により割れ、ヒビ等が入りやすく
、一枚のターゲットによる大面積化は難しく、上記の複
合ターゲットによる大面積化が育効な手段となっている
。又複数の組成の小片を組み合せた複合ターゲットも注
目されている。
しかしこのような、複合ターゲットにおいてスパッタ時
に継ぎ目より、ロウ材や、バッキングプレート材がスパ
ッタされ、成膜の特性を、著しく低下させるという問題
を有した。これを解決するため、第５図（α）に示すよ
うに小片を斜めに切断する方法やｃｂ＞のように段にし
て組み合せ、ロウ材や、バッキングプレート材が１）１
！スパツタされないようにする方法が提案されていた８
図中３０１．５０４はターゲット、３０２はロウ材、３
０３はバッキングプレート。
に継ぎ目より、ロウ材や、バッキングプレート材がスパ
ッタされ、成膜の特性を、著しく低下させるという問題
を有した。これを解決するため、第５図（α）に示すよ
うに小片を斜めに切断する方法やｃｂ＞のように段にし
て組み合せ、ロウ材や、バッキングプレート材が１）１
！スパツタされないようにする方法が提案されていた８
図中３０１．５０４はターゲット、３０２はロウ材、３
０３はバッキングプレート。
しかし、前述の従来技術では第３図（α）、（ｂ）のよ
うな形状を製作するのは、金属間化合物等の脆い組成で
、できているターゲットにおいては高度な加工技術が髪
求される。又第４図（α）（ｂ）のように、二ロージ箇
ンが進行すると継ぎ目より、ロウ材、バッキングプレー
ト材がスパッタされるため、ターゲットの利用効率が低
下する問題を有していた。
うな形状を製作するのは、金属間化合物等の脆い組成で
、できているターゲットにおいては高度な加工技術が髪
求される。又第４図（α）（ｂ）のように、二ロージ箇
ンが進行すると継ぎ目より、ロウ材、バッキングプレー
ト材がスパッタされるため、ターゲットの利用効率が低
下する問題を有していた。
図中４０１．４０４はターゲット、４０２はロウ材、４
０３はバッキングプレートである。
０３はバッキングプレートである。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
めのエロージ肩ンが進行しても、ロウ材、バッキングプ
レート材がスパッタされることもなく、高度の加工技術
も必％としないスパッタリング用ターゲットを得ること
を目的としている。
めのエロージ肩ンが進行しても、ロウ材、バッキングプ
レート材がスパッタされることもなく、高度の加工技術
も必％としないスパッタリング用ターゲットを得ること
を目的としている。
上記問題点を解決するために、本発明のスパッタリング
用ターゲットは、複数の小部分を継ぎ合わせることによ
り所定の大きさ、形状を構成するスパッタリング用ター
ゲットにおいて、継ぎ合わせ部にターゲットと同組成の
粉末を充填することを特徴とする。
用ターゲットは、複数の小部分を継ぎ合わせることによ
り所定の大きさ、形状を構成するスパッタリング用ター
ゲットにおいて、継ぎ合わせ部にターゲットと同組成の
粉末を充填することを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、エロージヨンが進行して
も、プラズマは、ロウ材やバッキングプレート材に直接
接りすることはなく、ターゲットと同組成の材料をスパ
ッタするので、成膜中にロウ材やバッキングプレート材
が混入することがない。
も、プラズマは、ロウ材やバッキングプレート材に直接
接りすることはなく、ターゲットと同組成の材料をスパ
ッタするので、成膜中にロウ材やバッキングプレート材
が混入することがない。
第１図は、本発明実施例におけるスパッタリング用ター
ゲットである。１０１はターゲツト材であり本実施例に
おいては、希土類−遷移金目系金属間化合物であり脆い
材質である。これを任意のターゲット形状に加工し、継
ぎ合わせ部をターゲットのスパッタされる面に垂直に加
工する。このターゲツト材のロウ材１０２と接触する面
をメタライズイングを行ない、ロウ材とのロウ付性を改
良した後、ターゲツト材１０１とバッキングプレー）１
０５をロウ材１０２を介しロウ材を行なう、ロウ付後継
ぎ合わせ部にターゲツト材と同組成の粉末１０４を充填
する。このスパッタリング用ターゲットを用いスパッタ
リングを行なったところ、二ロージ１ンがかなり進行し
ても継ぎ合わせ部から直接ロウ材がプラズマに露出する
ことなく成膜に、ロウ材あるいは、バッキングプレート
材が混入がなくこれを第２図に示す。２０１はターゲツ
ト材、２０２はロウ材、２０５はバッキングプレート、
２０４は充填粉末。また第３図の様に継ぎ合わせ部を複
雑な加工をしなくても成膜への混入物はなかった。
ゲットである。１０１はターゲツト材であり本実施例に
おいては、希土類−遷移金目系金属間化合物であり脆い
材質である。これを任意のターゲット形状に加工し、継
ぎ合わせ部をターゲットのスパッタされる面に垂直に加
工する。このターゲツト材のロウ材１０２と接触する面
をメタライズイングを行ない、ロウ材とのロウ付性を改
良した後、ターゲツト材１０１とバッキングプレー）１
０５をロウ材１０２を介しロウ材を行なう、ロウ付後継
ぎ合わせ部にターゲツト材と同組成の粉末１０４を充填
する。このスパッタリング用ターゲットを用いスパッタ
リングを行なったところ、二ロージ１ンがかなり進行し
ても継ぎ合わせ部から直接ロウ材がプラズマに露出する
ことなく成膜に、ロウ材あるいは、バッキングプレート
材が混入がなくこれを第２図に示す。２０１はターゲツ
ト材、２０２はロウ材、２０５はバッキングプレート、
２０４は充填粉末。また第３図の様に継ぎ合わせ部を複
雑な加工をしなくても成膜への混入物はなかった。
本実施例においては、継ぎ合わせ部をスパッタリング面
に対して垂直に切断したが本発明は、当然従来（第３図
）の様な複雑な加工を施した場合にも応用できる。
に対して垂直に切断したが本発明は、当然従来（第３図
）の様な複雑な加工を施した場合にも応用できる。
以上述べたとうり本発明によれば、複数の小部分を継ぎ
合わせることにより所定の大きさ、形状を構成するスパ
ッタリング用ターゲットにおいて、継ぎ合わせ部にター
ゲットと同組成の粉末を充填することにより、ターゲッ
ト継ぎ合わせ部が単純な構造でよく、エロージヨンが進
行しても継ぎ合わせ部から、ロウ材、バッキングプレー
ト材が直接プラズマに接触することなく、ターゲットの
利用効率は、かなり上昇する。
合わせることにより所定の大きさ、形状を構成するスパ
ッタリング用ターゲットにおいて、継ぎ合わせ部にター
ゲットと同組成の粉末を充填することにより、ターゲッ
ト継ぎ合わせ部が単純な構造でよく、エロージヨンが進
行しても継ぎ合わせ部から、ロウ材、バッキングプレー
ト材が直接プラズマに接触することなく、ターゲットの
利用効率は、かなり上昇する。
８ｇ１図は本発明のスパッタリングターゲットの一実施
例を示す主要断面図。 第２図は本発明のスパッタリングターゲットの二ロージ
１ンが進行した一実施例を示す主要断面図。 第６図は従来のスパッタリングターゲットの主要断面図
。α、ｂは、継ぎ合わせ部の形状がちがっている。 第４図は従来のスパッタリングターゲットの二ロージ１
ンが進行した様子を示す主留断面図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上筋（他１名） ノ″ 第２図
例を示す主要断面図。 第２図は本発明のスパッタリングターゲットの二ロージ
１ンが進行した一実施例を示す主要断面図。 第６図は従来のスパッタリングターゲットの主要断面図
。α、ｂは、継ぎ合わせ部の形状がちがっている。 第４図は従来のスパッタリングターゲットの二ロージ１
ンが進行した様子を示す主留断面図。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上筋（他１名） ノ″ 第２図
Claims (1)
- 複数の小部分を継ぎ合わせることにより所定の大きさ、
形状を構成するスパッタリング用ターゲットにおいて、
継ぎ合わせ部にターゲットと同組成の粉末を充填するこ
とを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6038787A JPS63227774A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6038787A JPS63227774A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63227774A true JPS63227774A (ja) | 1988-09-22 |
Family
ID=13140683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6038787A Pending JPS63227774A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63227774A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7652223B2 (en) * | 2005-06-13 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Electron beam welding of sputtering target tiles |
| US20130081944A1 (en) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | H.C. Starck, Inc. | Large-area sputtering targets |
| WO2014131458A1 (en) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | Applied Materials, Inc. | Gapless rotary target and method of manufacturing thereof |
| US8961867B2 (en) | 2008-09-09 | 2015-02-24 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| US9095932B2 (en) | 2006-12-13 | 2015-08-04 | H.C. Starck Inc. | Methods of joining metallic protective layers |
| US9783882B2 (en) | 2007-05-04 | 2017-10-10 | H.C. Starck Inc. | Fine grained, non banded, refractory metal sputtering targets with a uniformly random crystallographic orientation, method for making such film, and thin film based devices and products made therefrom |
-
1987
- 1987-03-16 JP JP6038787A patent/JPS63227774A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7652223B2 (en) * | 2005-06-13 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Electron beam welding of sputtering target tiles |
| US9095932B2 (en) | 2006-12-13 | 2015-08-04 | H.C. Starck Inc. | Methods of joining metallic protective layers |
| US9783882B2 (en) | 2007-05-04 | 2017-10-10 | H.C. Starck Inc. | Fine grained, non banded, refractory metal sputtering targets with a uniformly random crystallographic orientation, method for making such film, and thin film based devices and products made therefrom |
| US8961867B2 (en) | 2008-09-09 | 2015-02-24 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| US20130081944A1 (en) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | H.C. Starck, Inc. | Large-area sputtering targets |
| WO2013049274A3 (en) * | 2011-09-29 | 2013-06-06 | H.C. Starck, Inc. | Large -area sputtering targets |
| US9108273B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-08-18 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints |
| US9120183B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-09-01 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets |
| US9293306B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-03-22 | H.C. Starck, Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints |
| US9412568B2 (en) * | 2011-09-29 | 2016-08-09 | H.C. Starck, Inc. | Large-area sputtering targets |
| WO2014131458A1 (en) * | 2013-02-28 | 2014-09-04 | Applied Materials, Inc. | Gapless rotary target and method of manufacturing thereof |
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