JPS6165437A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS6165437A JPS6165437A JP59187604A JP18760484A JPS6165437A JP S6165437 A JPS6165437 A JP S6165437A JP 59187604 A JP59187604 A JP 59187604A JP 18760484 A JP18760484 A JP 18760484A JP S6165437 A JPS6165437 A JP S6165437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etched
- substrate
- etching
- holder
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、雌業上の利用分野
本発明は、集噴回路などの半導体装置の製造に使用され
るドライエツチング方法に関するものである。
るドライエツチング方法に関するものである。
口、従来の技術
従来、７１回する２つの７６、 ｔＭＯ間に被エツチン
グ基板（光学マスク又はウェーハ）を設置して行なうリ
アクティブイオンエツチングでは、被エツチング基板の
周辺部の方が中心部に比べ早くエツチングが進行し、中
心部のエツチングが終了する頃には周辺部はかなりのオ
ーバーエツチング状態になる傾向があった。この現象は
、実際のエツチングに寄与するプラズマ中の粘性化イオ
ンが半導体基板の中央部では次々とエツチングで消費さ
れて行くのに対し、周辺部では、被１エツチング基板外
のエツチングに全く寄与していない活性化イオンが順次
供給されてエツチングを進行させて行く事に起因してい
る。この現象の為に、エツチングが終了した基板では、
中央部と周辺部で素子の寸法に大きな差が生じ、製置歩
留の低下を招いている。
グ基板（光学マスク又はウェーハ）を設置して行なうリ
アクティブイオンエツチングでは、被エツチング基板の
周辺部の方が中心部に比べ早くエツチングが進行し、中
心部のエツチングが終了する頃には周辺部はかなりのオ
ーバーエツチング状態になる傾向があった。この現象は
、実際のエツチングに寄与するプラズマ中の粘性化イオ
ンが半導体基板の中央部では次々とエツチングで消費さ
れて行くのに対し、周辺部では、被１エツチング基板外
のエツチングに全く寄与していない活性化イオンが順次
供給されてエツチングを進行させて行く事に起因してい
る。この現象の為に、エツチングが終了した基板では、
中央部と周辺部で素子の寸法に大きな差が生じ、製置歩
留の低下を招いている。
ハ０発明が解決しようとする問題点
上述のように、被エツチング基板の周辺部と中央部にお
けるエツチング速度の違いから、低いぐジ造歩留りを招
いているということが、解決を要する問題点である。
けるエツチング速度の違いから、低いぐジ造歩留りを招
いているということが、解決を要する問題点である。
二９問題点を解決するための技術手段
上記間唄点に対し、本発明では、エツチング室内に被エ
ツチング基板をセットするホルダの材質を、被エツチン
グ基板と同じ材質としている。
ツチング基板をセットするホルダの材質を、被エツチン
グ基板と同じ材質としている。
ホ１作用
本発明では、被エツチング基板の川辺部を囲むホルダが
被エツチング基板と同じ材質であるから、エツチングに
関与するエツチング室内の活性化イオンに対し、被エツ
チング基板の周辺部、中央部という条件は成り立たなく
なり、周辺部と中央部のエツチング速度の違いはなくな
る。
被エツチング基板と同じ材質であるから、エツチングに
関与するエツチング室内の活性化イオンに対し、被エツ
チング基板の周辺部、中央部という条件は成り立たなく
なり、周辺部と中央部のエツチング速度の違いはなくな
る。
へ、実施例
つぎに本発明を実施列により説明する。
第１図は本発明の一実施例に係るエツチング装置と、こ
れにセットした被エツチング基板（本例では光学マスク
）を示す断面図、第２図は第１図の被エツチング基板ホ
ルダの平面図である。第１図および第２図において、エ
ツチング室１内には、上部電極２と下部電極３が対向し
て設けられ、この対向電極間に１被エツチング基板とし
て、ガラス基板上に１００ＯＡ前後のクロム薄膜を蒸着
した光学マスク６が、ホルダ支持柱５に支えられた被エ
ツチング基板ホルダ４の各支持部にセットされている。
れにセットした被エツチング基板（本例では光学マスク
）を示す断面図、第２図は第１図の被エツチング基板ホ
ルダの平面図である。第１図および第２図において、エ
ツチング室１内には、上部電極２と下部電極３が対向し
て設けられ、この対向電極間に１被エツチング基板とし
て、ガラス基板上に１００ＯＡ前後のクロム薄膜を蒸着
した光学マスク６が、ホルダ支持柱５に支えられた被エ
ツチング基板ホルダ４の各支持部にセットされている。
ここで基板ホルダ４は、光学マスク６の被エツチング部
と同じクロムから作られており、第２図に示されている
とおり、被エツチング基板をセットする格子自決の四角
形の複数の穴４ａがあけられており、この穴の四隅の出
張りでセットされた被エツチング基板を支持させる。こ
の状態でエツチングガス導入ロアからエツチングガスを
導入し、排出口８からガスを排出させながら、電極２と
３との間に高周波電源９から高量波電圧を印加して光学
マスク６のエツチングを行う。この場合、光学マスク６
とホルダ４は同じクロムであるから、同量のエツチング
が行われる。しかし、その竜は、エツチング−回につき
１００ＯＸという、微量であるから、ホルダ４の厚みが
３１以上であれば、一つのホルダで１０．０００回のエ
ツチングができるから、ホルダの消耗は全く気になら々
い。
と同じクロムから作られており、第２図に示されている
とおり、被エツチング基板をセットする格子自決の四角
形の複数の穴４ａがあけられており、この穴の四隅の出
張りでセットされた被エツチング基板を支持させる。こ
の状態でエツチングガス導入ロアからエツチングガスを
導入し、排出口８からガスを排出させながら、電極２と
３との間に高周波電源９から高量波電圧を印加して光学
マスク６のエツチングを行う。この場合、光学マスク６
とホルダ４は同じクロムであるから、同量のエツチング
が行われる。しかし、その竜は、エツチング−回につき
１００ＯＸという、微量であるから、ホルダ４の厚みが
３１以上であれば、一つのホルダで１０．０００回のエ
ツチングができるから、ホルダの消耗は全く気になら々
い。
なお、ホルダ４は、ホルダ材料を被エツチング材料と必
ずしも同じ材料で作る必要はなく、ホルダ表面に、被エ
ツチング材料を蒸着しておくだけでも支障なく用いるこ
とができる。
ずしも同じ材料で作る必要はなく、ホルダ表面に、被エ
ツチング材料を蒸着しておくだけでも支障なく用いるこ
とができる。
ト０発明の効果
上述のように、従来方法では、ホルダ部に存在する活性
イオンのエネルギーはホルダ部で消費され・ず被エツチ
ング基板に次々と流入し、基板周辺部を特に強くエツチ
ングするため、中央部と周辺部の間でエツチング状態に
違いを生じさせたのに対し、本発明方法では、プラズマ
中の活性化イオンは被エツチング基板部でもホルダ部で
も均等に消費されるため、被エツチング基板の全面に渡
って均一なエツチングが行われ、エツチング差による歩
留り低下が解消される。
イオンのエネルギーはホルダ部で消費され・ず被エツチ
ング基板に次々と流入し、基板周辺部を特に強くエツチ
ングするため、中央部と周辺部の間でエツチング状態に
違いを生じさせたのに対し、本発明方法では、プラズマ
中の活性化イオンは被エツチング基板部でもホルダ部で
も均等に消費されるため、被エツチング基板の全面に渡
って均一なエツチングが行われ、エツチング差による歩
留り低下が解消される。
！１図は本発明の一実施例に係るドライエツチング装置
に被エツチング基板をセットした状態を示す断面図、第
２図は第１図に示す被エツチング基板ホルダの平面図で
ある。 １・・・・・・エツチング室、２・・・・・・上部電極
、３・・・・・・下部ｔＤ、４・・・・・・被エツチン
グ基板ホルダ、５・・・・・・ホルダ支持柱、６・・・
・・・光学マスク、７・・・・・・エツチングガス流入
口、８・・・・・・エツチングガス排出口、９・・・・
・・高周波電源。 代理人 弁理士 内 原 晋、シー”〈
に被エツチング基板をセットした状態を示す断面図、第
２図は第１図に示す被エツチング基板ホルダの平面図で
ある。 １・・・・・・エツチング室、２・・・・・・上部電極
、３・・・・・・下部ｔＤ、４・・・・・・被エツチン
グ基板ホルダ、５・・・・・・ホルダ支持柱、６・・・
・・・光学マスク、７・・・・・・エツチングガス流入
口、８・・・・・・エツチングガス排出口、９・・・・
・・高周波電源。 代理人 弁理士 内 原 晋、シー”〈
Claims (1)
- 対向する２つの電極の間に被エッチング基板を設置し
て行うドライエッチングにおいて、前記被エッチング基
板をセットするホルダの少くとも表面の材質が前記被エ
ッチング基板と同一の材質である事を特徴とするドライ
エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187604A JPS6165437A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59187604A JPS6165437A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165437A true JPS6165437A (ja) | 1986-04-04 |
Family
ID=16209016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59187604A Pending JPS6165437A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165437A (ja) |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59187604A patent/JPS6165437A/ja active Pending
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