JPS61235571A - 無電解メツキ浴 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 不発明は、磁気ディスク等の磁気記録体に用（１られる
磁気記憶媒体Ｃｍ性膜）ｆＪ！：つ（るための無電解メ
ッキ浴に関する。

〔従来の技術〕

磁気ディスク装置は、ファイル記憶装置としてコンピュ
ータシステムでの重要性が年々高まりつつあり、その高
速大容量比、小皺低価格化を目標として磁気記憶媒体の
高記録密度化が要望されている。

それに応えるべ（櫨々な改良がなされてきたが。

従来のγ−Ｆｅ！０，１１布の媒体では、ｉＩ６記録密
度化技術が限界に近づき、その結果、高記録密度化が容
易に得られる無電解メッキによる金属薄膜媒体な有する
磁気ディスクが開発されつつある。

磁気ディスクの磁性膜な高記録密度化するためには、磁
性膜の薄膜化、高保磁力化、高角形比化および薄膜化に
伴なう出力の低下を補うための高残留磁束密度化が必要
であるが、無電解メッキ法では、これらの条件をかね臭
えたコバルト合ｆｌｉ！磁性膜な均一の厚さに多量生産
することが出来るとされている。しかし、製品を量産す
るためには、メン中温のＰＨ１その他の条件の僅かの差
によって磁性膜の保持力（以下Ｈｃという］％角形比（
以下Ｂ　ｒ　／　Ｂ　ｓという］等が変化せず、高位（
Ｈｃが高（、Ｂｒ／Ｂｓが１に近い］において安定した
磁性膜が得られることが必要である。

一般に無電解メッキによって磁性膜の特性を安定させる
には、製造条件が微妙で浴を理の固層さがあった。

この問題を解決するものとして、Ｃｏイオン、Ｎｉイオ
ン、これら金属イオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤を溶解した
公知の水溶液に、錯化剤としてリンゴ酸塩、コハク酸塩
、マロン酸塩の３種類（盆１１表ｆｆｉ技１．　ｖ　ｏ
　１３３　、　Ｎ　ｏ　９．１９８２）。

或いはリンゴ酸塩、コハク酸塩の２櫨類（特開昭５５−
９４４６８）’ｉ’添加した無電解メッキ浴が提案され
ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、上記無電解メッキ浴な用いることにより、得
られる磁性膜の特性は大幅に改良されたが、例えばＨＣ
：６００〜６５００ｅで末だ満足なものでなかった。そ
のため、さらにＨｃ％Ｂｒ／ＢＳ等が高く、管理容易な
無電解メッキ浴が求められている。

本発明は上記の事情に鑑み、ｐＨ，膜厚依存性が少なく
、浴管理が容易で、Ｈｃ、Ｂｒ／Ｂｓ等の特性が高位で
安定して得られる無電解メッキ浴を提供することｔ目的
とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等・は、上記の問題点を解決丁べく鋭意研究し
た結果、優れた特性の磁性膜が安定して得られる錯化剤
を発見するに至った。

本発明は上記の発見に基づいてなされたもので。

その要旨は、コバルトイオン、ニッケルイオン、これら
の金属イオンの還元剤、ｐＨ緩衝剤および所定のｐＨに
保持てるｐＨ調整剤を含む水溶液に。

上記金属イオンの錯化剤として、酒石酸塩、グルコン酸
塩およびポリエチレングリコールな同時に含有する無電
解メッキ浴にある。

本発明に係る無電解メッキ浴は、錯化剤を除いて公知の
処方のものが用いられる。丁なゎち、Ｃ。

イオンとしては、硫酸コバルト（Ｃｏ８０．．７Ｈ，Ｏ
ン；　０．０７〜０．０９ｍｏ　１　／ｌ、　Ｎ　ｉイ
オンとしては、硫酸ニッケル（Ｎ　ｉ　８０．．７Ｈ，
０）＊　０．００　ｓ〜ｏ、ｏ　２５ｍＯｌ　／　ｌ、
還元剤トシテは、次亜リン酸ナトリクＡ　（Ｎ　ａ　Ｈ
，Ｐ　Ｏ！　、Ｈ２Ｏ）；　０．１〜０．３　ｍｏ　ｌ
　／ｌ、　　ｐＨ緩衝剤としては。

＠酸７ンモニウＡ（（Ｎ）Ｉ、）、８０４　）；０．２
〜０．６ｍｏ　１／１．ｐ）（調整剤としては、水酸化
アンモニウム（ＮＨ，ＯＨ）が適量用いられる。

！！心、本発明の主体である錯化剤の組合わせは、撞々
探索の結果得られたもので、ｆｉ石酸塩、グルコン酸塩
、ポリエチレングリコールＣ以下ＰＭＧ）という】の３
櫨１Ｊ１４を同時に使用する。これら錯化剤は酒石酸塩
ｔベースとし１使用される。各成分の配合濃度Ｓ工び酒
石酸塩に対するグルコン酸塩お工びＰＥＧの使用ｔｆ！
：＠　１表に示した。

第１表 丁なわち、錯化剤の配合は、酒石酸塩に対する盪お工び
配合濃度の両方に工つ工制限される。また酒石酸塩、グ
ルコン酸塩は通常Ｎａ塩又はに塩が使用され、ＰＥＧは
１分子量２００−１５４０のものが使用されるが、その
使用量は分子量に関係がない。大き過ぎると水に溶解し
な（なる。

上、記処方による無電解メッキ浴は、ｐｆ（：９．２〜
９．８、温度ニア０・ン９０°Ｃにおいて使用される。

ｐＨ９，２未満ではＨｃ、Ｂｒ／Ｂｓが共に低くなり、
９．８ｆｔ越えると不安定となる。また、膜厚は温度が
一定であれば、１００ＯＡ程度までは浸漬する時間にほ
ぼ比例して厚くなるが１本発明ンＣおいては７５０±４
５人を目標とする。温度が７０’Ｃ未満ではメッキする
のに時間がかかり、９０°Ｃを越えると半丁ぎて管理が
困難となる。

磁気ディスクｔつ（る場合には１通常非磁性体であるＡ
１円板に周知の無電解メッキにエリ非磁性のＮ１−Ｐメ
ッキを施し、鏡面研磨したものを基板とする。これを上
記無電解メッキ浴に浸漬することにより、特性の優れた
磁性膜が安定して得もれる。

〔作用〕

磁性膜のＨｃは高過ぎても工くなく、またＢｒ／Ｂｓは
当然のことながら１に近い程よいが、不発明のメッキ浴
を用いることにエリ、Ｈｃ：８００±４００　ｅ　、　
Ｂ　ｒ　／　Ｂ　ｓ　：約０．８の特性の優れた磁性膜
が煩雑な浴管理を行なうことなく安定して得られる。

矢に本発明による無電解メッキ浴の特徴を実施例にエリ
説明する。

〔実施例１〕 硫酸コバルト　　　　　　　　　　０．０７５ｍ０１／
７硫１１ｉニアケル　　　　　　　　　ｏ、ｏ２ｓｍｏ
ｌ／ｌ矢亜リン酸ナトリウム　　　　　　０．２　　ｍ
ｏｌ／ｌ硫酸アンモニウム　　　　　　　０．４　　ｍ
ｏｌ／７の水溶液に錯比剤とし【 酒石酸ナトリウム　　　　　　　　Ｑ、３　　ｍｏｌ／
。

グルコン酸ナトリウム　　　　　０．３　　ｍｏｌ／１
ＰＥ０　　　　　　　　　１０　　ｇ／ｌ但し、ＰＥＧ
は分子ｔ：　　２００．　６００％１．１ｉ４０のもの
をそれぞれ単独で用い％３撞類（１）メン”を浴とし、
ＮＨ，０ＨＩＣよってｐＨを９．０〜９．８の範囲に変
化させた。

また基板としては、非磁性体のＡＩ成板上非磁性Ｎ１−
Ｐメッキを施し、説面研磨して用いた。

この基板を、温度８０°Ｃに保持し、ｐＨの異なる上記
メッキ浴に浸漬し、ＢＸ厚：５ｏｏＡとしてそれぞれの
Ｈｃ、Ｂｒ／Ｂｓを調べた。結果を第１図に示す。

図より明かな工うに、ｐ）１１．２〜９．６の範囲でＨ
ｃ、Ｂｒ／Ｂｓは共に不発明の目標値に達しかつ安定し
ている。

〔実施例２〕 ＰＨ：９．５に固定し、厚さの異なる磁性ｇをつくった
外は、実施例１と同じにしてＨｃ　ｓ　Ｂｒ　／　Ｂ　
ｓの膜厚依存性を調べた。結果を＄２図に示す。図工り
明かなように、膜厚が５００〜１０００人の範囲でＨｃ
、Ｂｒ／Ｂｓは、高位に安定している。

なお、上記実施例で得ら糺た磁性膜は、いずれも、滑ら
かで光沢がよ（従来のものと比較して表面の仕上りが二
かった。また、実謹例工の処方から、酒石酸ナトリウム
を除いたメッキ浴、ＰＧＥを除いたメッキ浴によって磁
性膜ｔつ（つたが、Ｈｃ、Ｂｒ／Ｂｓの傭が目標、値に
達せずかつ不安定であった。

〔効果〕

以上述べたように本発明に係るメッキ浴は、従来にない
優れた特性の磁性１Ｋをつくることができ、かつｐＨ，
１１＆厚などに対する依存性が少ない。したがって、メ
ッキ浴管理が容易となり、特性の優れた磁性膜を有する
製品が歩出りよく得られ、今後の磁気ディスクの生産に
寄与することが極めて大ぎいものである。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は不発明に係る無電解メッキ浴の一
例にエリメッキした磁性膜のＨｃ、Ｂｒ／Ｂｓを示すも
ので、第１図はｐＨ依存性を示す図、第２図は膜厚依存
性を示す図である。 ９．０　　９．２　　９．４　　９．６　　　ｇ、Ｂ（
ｐＨ） 膠１４−（ん

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. コバルトイオン、ニッケルイオン、これらの金属イオン
   の還元剤、ｐＨ緩衝剤および所定のｐＨに保持するｐＨ
   調整剤を含む水溶液に、上記金属イオンの錯化剤として
   、洒石酸塩、グルコン酸塩およびポリエチレングリコー
   ルを同時に含有することを特徴とする無電解メッキ浴。