JPS61236104A - 磁気記録媒体用六方晶フェライトの製法 - Google Patents
磁気記録媒体用六方晶フェライトの製法Info
- Publication number
- JPS61236104A JPS61236104A JP7648385A JP7648385A JPS61236104A JP S61236104 A JPS61236104 A JP S61236104A JP 7648385 A JP7648385 A JP 7648385A JP 7648385 A JP7648385 A JP 7648385A JP S61236104 A JPS61236104 A JP S61236104A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hexagonal ferrite
- ferrite
- magnetic recording
- powder
- recording media
- Prior art date
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体用六方晶フェライトおよびその
製法に係り、とくに垂直磁気記録用に好適な大方晶フェ
ライトに関する。
製法に係り、とくに垂直磁気記録用に好適な大方晶フェ
ライトに関する。
磁気記録を用いたものとしては、オーディオ。
ビデオ、ＯＡ機器等があり１．これらの産業は今後も成
長して行〈産業の一つである。
長して行〈産業の一つである。
こうした磁気記録に用いられている記録媒体としては、
金属酸化物が一般に使用されておシ、なかでも、針状フ
ェライト（ｒ −Ｆ ｅ２０ａ ）が広く用いられてい
るが、この針状フェライト粉は凝集し易く、またその形
状から垂直磁気記録媒体として用いるには不利である。
金属酸化物が一般に使用されておシ、なかでも、針状フ
ェライト（ｒ −Ｆ ｅ２０ａ ）が広く用いられてい
るが、この針状フェライト粉は凝集し易く、またその形
状から垂直磁気記録媒体として用いるには不利である。
しかし、近年、前記磁気記録機器の小型化に伴って、記
録媒体の記録密度向上が要求されているが、これに応え
るためには、磁気記録媒体は垂直磁気記録ができるもの
を用いるのが有利である。
録媒体の記録密度向上が要求されているが、これに応え
るためには、磁気記録媒体は垂直磁気記録ができるもの
を用いるのが有利である。
垂直磁気記録方式の記録媒体としては、六方晶フェライ
トが良いＣ特開昭５６−６７９０４）が、問題は六方晶
７エライトは記録媒体として用いるには飽和磁化値が約
６０ｅｍｕ／ｇと低いことである。
トが良いＣ特開昭５６−６７９０４）が、問題は六方晶
７エライトは記録媒体として用いるには飽和磁化値が約
６０ｅｍｕ／ｇと低いことである。
大方晶フェライトの飽和磁化値は、六方晶フェライトの
中のＦｅ原子によってもたらされるが、１分子中に含ま
れる１２個のＦｅ原子のうち４個は他の８個とスピン方
向が互に磁化を打消す方向に向いているため、これまで
低かった。すなわち磁化の強さはＦｅ原子できまるが、
８−４＝４個しか寄与していないためである。
中のＦｅ原子によってもたらされるが、１分子中に含ま
れる１２個のＦｅ原子のうち４個は他の８個とスピン方
向が互に磁化を打消す方向に向いているため、これまで
低かった。すなわち磁化の強さはＦｅ原子できまるが、
８−４＝４個しか寄与していないためである。
特公昭４８−２２２６５号公報には上記六方晶フェライ
トの製造方法が示されている。
トの製造方法が示されている。
本発明は、その飽和磁化値を向上させた磁気記録媒体用
六方晶フェライト並びＫその製造方法を提供するにある
。
六方晶フェライト並びＫその製造方法を提供するにある
。
大方晶フェライトの飽和磁化値が強くない理由について
は既述の通りである。
は既述の通りである。
そこで本発明者らは、４個のＦｅ原子のうち２個は結晶
学的に他と異った位置Ｃ四配位）に存在するので、この
２個を何とか非磁性原子または弱磁性原子で置換できれ
ば、相対的に見て飽和磁化値の高い六方晶フェライトが
得られるのではないかと考えた。
学的に他と異った位置Ｃ四配位）に存在するので、この
２個を何とか非磁性原子または弱磁性原子で置換できれ
ば、相対的に見て飽和磁化値の高い六方晶フェライトが
得られるのではないかと考えた。
本発明者らは、六方晶フェライト中の四配位のＦｅを非
磁性または弱磁性原子で置換すべく、各種の検討を重ね
た結果、目的とする大方晶フェライトを作成することに
成功した。
磁性または弱磁性原子で置換すべく、各種の検討を重ね
た結果、目的とする大方晶フェライトを作成することに
成功した。
すなわち本発明は、一般式ＭＦｅｔｚＯｔｓ（但しＭは
１３ａ、 Ｓｒ、ｐｂから選ばれる）で示す大方晶フェ
ライトの四配位のＦｅ原子をＡｌ、Ｃｄ。
１３ａ、 Ｓｒ、ｐｂから選ばれる）で示す大方晶フェ
ライトの四配位のＦｅ原子をＡｌ、Ｃｄ。
７、ｎから選ばれる少なくとも１種の原子で置換した磁
気記録媒体用六方晶フェライトにある。
気記録媒体用六方晶フェライトにある。
上記７エライト（ＭＦ ｅｔ鳳０ｔｓ ）のＡｌ、Ｃｄ
。
。
Ｚｎの置換度は
（Ａｌ、ｗｔ ％／９１＋（Ｃｄ ｗｔ％／３０）＋（
Ｚｎ ｗｔ％／２０）≦１を満足する範囲内であればよ
い。この範囲を越えると飽和磁化値が低下する。
Ｚｎ ｗｔ％／２０）≦１を満足する範囲内であればよ
い。この範囲を越えると飽和磁化値が低下する。
上記本発明のフェライトを製造する方法はフェライトの
基礎成分にガラス形成物質を加え、これにＡｅ、Ｃｄ、
ＺｎＴｈ添加する。例えばＢｅｄ。
基礎成分にガラス形成物質を加え、これにＡｅ、Ｃｄ、
ＺｎＴｈ添加する。例えばＢｅｄ。
Ｆ ｅ２ｏｓ 、 Ｂａ５ｓにＡｌ、Ｃｄ、 ｚｎの１
種以上を添加混合したものを溶融してガラスを作成し、
この溶融ガラスを急冷することによシ非晶質ガラスを作
成する。この非晶質ガラスを再加熱することによりガラ
ス中に大方晶フェライトが析出する。
種以上を添加混合したものを溶融してガラスを作成し、
この溶融ガラスを急冷することによシ非晶質ガラスを作
成する。この非晶質ガラスを再加熱することによりガラ
ス中に大方晶フェライトが析出する。
ガラス成分を酸で溶解除去することにより本発明の大方
晶フェライトが得られる。但し上記非晶質ガラスの再加
熱温度は７５０Ｃ以下であることが重要である。７５０
Ｃを越えると六方晶フェライト中のＦｅ原子の前記元素
による置換が十分起らないためか、飽和磁化値の向上に
対する効果が低下する。
晶フェライトが得られる。但し上記非晶質ガラスの再加
熱温度は７５０Ｃ以下であることが重要である。７５０
Ｃを越えると六方晶フェライト中のＦｅ原子の前記元素
による置換が十分起らないためか、飽和磁化値の向上に
対する効果が低下する。
なお、フェライトとしては針状フェライト（Ｆｅｔｕ３
）または通常の六方晶フェライト（ＭＦ ｅｔｚｏｔ＊
） 、あるいは両者の混合物を用いてもよい。
）または通常の六方晶フェライト（ＭＦ ｅｔｚｏｔ＊
） 、あるいは両者の混合物を用いてもよい。
実施例ｌ
ＢａＯ粉末５３ｗｔ４、Ｆｅｚｅｓ粉末２６％、Ａｌ、
粉末５ｗｔチ、８２０ｇ粉末１６ｗｔチをよく混合した
後、白金るつぼ中で１４００Ｃに加熱し溶融した。
粉末５ｗｔチ、８２０ｇ粉末１６ｗｔチをよく混合した
後、白金るつぼ中で１４００Ｃに加熱し溶融した。
この溶融ガラスを第１図の様な装置を用いて急冷し非晶
質ガラスを得た。
質ガラスを得た。
るつぼ１中で溶融したガラス２を冷却ロール４上に滴下
する。冷却ロール４はガイドローラー６によって案内さ
れ、冷却ロール４の表面周速と周速度で冷却ロール４に
沿って移動する冷却ベルト５と接している。上記溶融ガ
ラス２は、冷却ロール１と冷却ベルト５との間に滴下さ
れて、順次冷却される。なお、冷却ベルト５が溶融ガラ
ス２を冷却ロール１と挾持して冷却するのを助けるため
ベルト冷却装置７が設けられている。また、冷却速度を
制御するために、冷却ロール１にもロール冷却装置８が
設けられている。
する。冷却ロール４はガイドローラー６によって案内さ
れ、冷却ロール４の表面周速と周速度で冷却ロール４に
沿って移動する冷却ベルト５と接している。上記溶融ガ
ラス２は、冷却ロール１と冷却ベルト５との間に滴下さ
れて、順次冷却される。なお、冷却ベルト５が溶融ガラ
ス２を冷却ロール１と挾持して冷却するのを助けるため
ベルト冷却装置７が設けられている。また、冷却速度を
制御するために、冷却ロール１にもロール冷却装置８が
設けられている。
冷却された固体ガラス３は、はく離装置９によりかき落
される。なお、固体ガラス３は急冷されるために非晶質
ガラスとなる。
される。なお、固体ガラス３は急冷されるために非晶質
ガラスとなる。
得られた非晶質ガラスを、再加熱することにより、六方
晶フェライトを晶出させると同時に、大方晶フェライト
中の四配位のＦｅイオンを置換するわけであるが、その
ときの加熱温度の効果を見るために温度を変えて処理を
行ない、飽和磁化値に及ぼす影響を調べた。
晶フェライトを晶出させると同時に、大方晶フェライト
中の四配位のＦｅイオンを置換するわけであるが、その
ときの加熱温度の効果を見るために温度を変えて処理を
行ない、飽和磁化値に及ぼす影響を調べた。
５００ｒ〜９００ｔｌ’の間で温度を変えたものについ
て大気中でそれぞれ３０時間加熱後、酢酸水溶液中で２
時間煮沸してガラス成分を溶解し、ろ別して本発明の六
方晶フェライト粉を作成した。
て大気中でそれぞれ３０時間加熱後、酢酸水溶液中で２
時間煮沸してガラス成分を溶解し、ろ別して本発明の六
方晶フェライト粉を作成した。
上記フェライト粉末を内径５ｍＸ９０＋ａ長さの石英管
に封入し、１０エルステツドの磁場中で磁化し、飽和磁
化値を測定し熱処理温度の影響を調べた。結果を第２図
忙示す。
に封入し、１０エルステツドの磁場中で磁化し、飽和磁
化値を測定し熱処理温度の影響を調べた。結果を第２図
忙示す。
第２図から明らかな様に、加熱温度７５０Ｃ以下で磁化
の強さは急激に高くなる。ｆｆＯち換言すると７５０Ｃ
以下になると大方晶フェライト中のＦｅ原子の置換が進
行することを示している。
の強さは急激に高くなる。ｆｆＯち換言すると７５０Ｃ
以下になると大方晶フェライト中のＦｅ原子の置換が進
行することを示している。
なお、再加熱！１ｆ６００Ｃ未満および８５０Ｃよりも
高い温度で加熱したものは、六方晶フェライトの晶出が
悪く、酢酸によるガラス溶解により回収されたフェライ
トｌが少なかった。実用性を考慮した場合、再加熱温度
は６００℃〜７５０Ｃの範囲が好ましい。
高い温度で加熱したものは、六方晶フェライトの晶出が
悪く、酢酸によるガラス溶解により回収されたフェライ
トｌが少なかった。実用性を考慮した場合、再加熱温度
は６００℃〜７５０Ｃの範囲が好ましい。
実施例２
ＢａＯ粉末５３ ｗ ｔ Ｓ、Ｆｅｚｅｓの粉末１８ｗ
ｔ％、Ｂ２Ｏ３粉末１６ｗｔ％、Ａｔ粉末２ ｗｔｌｌ
ｒ、Ｃｄ粉末１１ｗｔ％をよく混合した後、白金るつぼ
中で１４００Ｃに加熱し溶融した。これを実施例１と同
様にして本発明の大方晶フェライトを得た。
ｔ％、Ｂ２Ｏ３粉末１６ｗｔ％、Ａｔ粉末２ ｗｔｌｌ
ｒ、Ｃｄ粉末１１ｗｔ％をよく混合した後、白金るつぼ
中で１４００Ｃに加熱し溶融した。これを実施例１と同
様にして本発明の大方晶フェライトを得た。
そのフェライト粉の磁化特性は、第２図と同様のものが
得られた。
得られた。
実施例３
ＢａＯ粉末５３ｗｔ１、Ｆｅｚｅｓの粉末２０ｗｔチ、
Ｂ２Ｏ３粉末１６ｗｔ ９６、ｌＬｔ粉末粉末１チｔチ
ｄ粉末３ｗｔヂおよび７．ｎ粉末７ｗｔチをよく混合し
た後、白金るつぼ中で１４００Ｃに加熱し溶融した。こ
れを実施例１と同様にして本発明の大方晶フェライトを
得た。そのフェライト粉の磁化特性は、第２図と同様の
ものが得られた。
Ｂ２Ｏ３粉末１６ｗｔ ９６、ｌＬｔ粉末粉末１チｔチ
ｄ粉末３ｗｔヂおよび７．ｎ粉末７ｗｔチをよく混合し
た後、白金るつぼ中で１４００Ｃに加熱し溶融した。こ
れを実施例１と同様にして本発明の大方晶フェライトを
得た。そのフェライト粉の磁化特性は、第２図と同様の
ものが得られた。
実施例４
ＢａＯ粉末５３ｗｔ％、Ｆｌｙｓの粉末１６ｗｔ％、Ｂ
２Ｏ３粉末１８Ｗｔｌ、Ｚｎ粉末６ｗｔ％およびＣｄ粉
末９ｗｔチをよく混合した後、白金るつぼ中で１４００
Ｃに加熱し溶融した。これを実施例１と同様にして本発
明の六方晶フェライトを得た。そのフェライト粉の磁化
特性は、第２図と同様のものが得られた。
２Ｏ３粉末１８Ｗｔｌ、Ｚｎ粉末６ｗｔ％およびＣｄ粉
末９ｗｔチをよく混合した後、白金るつぼ中で１４００
Ｃに加熱し溶融した。これを実施例１と同様にして本発
明の六方晶フェライトを得た。そのフェライト粉の磁化
特性は、第２図と同様のものが得られた。
実施例５
ＢａＯ粉末４４ Ｗ ｔ Ｌ Ｆｅｚｅｓの粉末１５ｗ
ｔ％ｓ ＢａＦｅｎ０ｔｓ粉末２０ ｗ ｔ Ｌｓ％Ｂ
ｚＯｓ粉末１６ｗｔチ、Ａｔ粉末５ｗｔ％をよ〈混合し
た後、白金るつぼ中で１４０００に加熱し溶融した。
ｔ％ｓ ＢａＦｅｎ０ｔｓ粉末２０ ｗ ｔ Ｌｓ％Ｂ
ｚＯｓ粉末１６ｗｔチ、Ａｔ粉末５ｗｔ％をよ〈混合し
た後、白金るつぼ中で１４０００に加熱し溶融した。
これを実施例１と同様にして本発明の大方晶フェライト
を得た。そのフェライト粉の磁化特性は、第２図と同様
のものが得られた。
を得た。そのフェライト粉の磁化特性は、第２図と同様
のものが得られた。
本発明で得意六方晶フェライトは従来のものに比べて磁
化強さが約５ｏｆＪｕｐした。これを用いて、磁気記録
媒体を作成した。その結果再生出力が従来の大方晶フェ
ライトを用いたものに比べ、約５（ｌアップし、記録が
明確Ｆｃｆｋつた。
化強さが約５ｏｆＪｕｐした。これを用いて、磁気記録
媒体を作成した。その結果再生出力が従来の大方晶フェ
ライトを用いたものに比べ、約５（ｌアップし、記録が
明確Ｆｃｆｋつた。
第４図は、本発明の大方晶フェライトの製造装置の略図
、第２図は、大方晶フェライトの製造時における加熱処
理温度と飽和磁化値の関係を示す曲線図である。 ２・・・溶融ガラス、３・・・固化ガラス、４・・・冷
却ロール％５・・・冷却ベルト、７，８・・・冷却装置
、１ｏ・・・ロール清掃用ローラー。
、第２図は、大方晶フェライトの製造時における加熱処
理温度と飽和磁化値の関係を示す曲線図である。 ２・・・溶融ガラス、３・・・固化ガラス、４・・・冷
却ロール％５・・・冷却ベルト、７，８・・・冷却装置
、１ｏ・・・ロール清掃用ローラー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、六方晶フェライト中のＦｅ原子の２原子以下を、Ａ
ｌ、Ｃｄ、Ｚｎから選ばれる１種以上の原子で置換され
ていることを特徴とする磁気記録媒体用六方晶フェライ
ト。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記六方晶フェラ
イトは（ＭＦｅ＿１＿２Ｏ＿１＿９）からなり、その中
のＡｌ、Ｃｄ、Ｚｎの含有量の関係が（Ａｌｗｔ％／９
）＋（Ｃｄｗｔ％／３０）＋（Ｚｎｗｔ％／２０）≦１
であることを特徴とする磁気記録媒体用六方晶フェライ
ト。 ３、Ａｌ、Ｃｄ、Ｚｎから選ばれる１種以上を六方晶フ
ェライト中のＦｅ原子の２原子以下を置換し得る有効量
、六方晶フェライト基礎成分およびガラス形成物質を加
熱し、溶融したガラスを急冷固化し、次いで７５０℃以
下で熱処理し、放冷後ガラス成分を溶解除去することに
より六方晶フェライトを分離することを特徴とする磁気
記録媒体用六方晶フェライトの製法。 ４、特許請求の範囲第３項において、フェライトに添加
するＡｌ、Ｃｄ、Ｚｎの添加量の関係が（Ａｌｗｔ％／
９）＋（Ｃｄｗｔ％／３０）＋（Ｚｎｗｔ％／２０）≦
１であることを特徴とする磁気記録媒体用六方晶フェラ
イトの製法。 ５、特許請求の範囲第３項において、ガラスの熱処理温
度が７５０℃〜６５０℃であることを特徴とする磁気記
録媒体用六方晶フェライトの製法。 ６、特許請求の範囲第３項において、六方晶フェライト
の基礎成分にＦｅ＿２Ｏ＿３を含むことを特徴とする磁
気記録媒体用六方晶フェライトの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7648385A JPH0616449B2 (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 磁気記録媒体用六方晶フェライトの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7648385A JPH0616449B2 (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 磁気記録媒体用六方晶フェライトの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61236104A true JPS61236104A (ja) | 1986-10-21 |
| JPH0616449B2 JPH0616449B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=13606444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7648385A Expired - Lifetime JPH0616449B2 (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 磁気記録媒体用六方晶フェライトの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616449B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011521865A (ja) * | 2008-10-02 | 2011-07-28 | エスエヌユー アール アンド ディービー ファウンデーション | マルチフェロイック物質およびその製造方法 |
| JP2011225417A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Fujifilm Corp | 六方晶フェライト磁性粒子およびその製造方法、磁気記録媒体用磁性粉、ならびに磁気記録媒体 |
| JP2013251293A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Fujifilm Corp | 六方晶フェライト磁性粉末およびその製造方法、ならびに磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP7648385A patent/JPH0616449B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011521865A (ja) * | 2008-10-02 | 2011-07-28 | エスエヌユー アール アンド ディービー ファウンデーション | マルチフェロイック物質およびその製造方法 |
| JP2011225417A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Fujifilm Corp | 六方晶フェライト磁性粒子およびその製造方法、磁気記録媒体用磁性粉、ならびに磁気記録媒体 |
| JP2013251293A (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-12 | Fujifilm Corp | 六方晶フェライト磁性粉末およびその製造方法、ならびに磁気記録媒体およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0616449B2 (ja) | 1994-03-02 |
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