JPS61248522A - 不純物層形成装置 - Google Patents
不純物層形成装置Info
- Publication number
- JPS61248522A JPS61248522A JP60091442A JP9144285A JPS61248522A JP S61248522 A JPS61248522 A JP S61248522A JP 60091442 A JP60091442 A JP 60091442A JP 9144285 A JP9144285 A JP 9144285A JP S61248522 A JPS61248522 A JP S61248522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- disc
- ion implantation
- specified
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
- H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウエノ・に所望の抵抗値を有する不
純物層を形成する際等に使用される不純物層形成装置に
関するものである。
純物層を形成する際等に使用される不純物層形成装置に
関するものである。
従来半導体ウエノ・に不純物層を形成するには、不純物
イオンビームを照射してイオン注入を行なった後、ウニ
八表面に付着している種々の汚染を除去するために硫酸
、硝酸などの酸による洗浄処理を行なった後、イオン注
入層を活性化するために、窒素（Ｎり、酸素（Ｏｚ）な
どのガスが満たされ９００〜１２００℃に昇温された電
気炉の中に３０分〜２時間程度放置する処理が行なわれ
ていた。
イオンビームを照射してイオン注入を行なった後、ウニ
八表面に付着している種々の汚染を除去するために硫酸
、硝酸などの酸による洗浄処理を行なった後、イオン注
入層を活性化するために、窒素（Ｎり、酸素（Ｏｚ）な
どのガスが満たされ９００〜１２００℃に昇温された電
気炉の中に３０分〜２時間程度放置する処理が行なわれ
ていた。
しかしながら、このような従来の方法では、（イ）各工
程間の移動、ウェハの移し換え時にウェハが汚染される
。（ロ）高温炉にウェハを挿入する前には炉の汚染を防
ぐために酸による前処理が必要である、（ハ）長時間の
熱処理によりイオン注入された不純物が再分布するので
不純物分布は熱処理によって律則され、イオン注入のす
ぐれた不純物制御性が有効に活かされない、に）不純物
を高濃度にイオン注入した際には、高温炉中に放置して
活性化をはかつてもイオン注入によ多結晶に与えられた
損傷が完全には回復しない、（ホ）注入された不純物層
の評価は高温炉中での活性化を行なった後でなければで
きないので、もし正しく不純物層が形成されていない場
合にはそのウェハは不良品となるなどの問題があった。
程間の移動、ウェハの移し換え時にウェハが汚染される
。（ロ）高温炉にウェハを挿入する前には炉の汚染を防
ぐために酸による前処理が必要である、（ハ）長時間の
熱処理によりイオン注入された不純物が再分布するので
不純物分布は熱処理によって律則され、イオン注入のす
ぐれた不純物制御性が有効に活かされない、に）不純物
を高濃度にイオン注入した際には、高温炉中に放置して
活性化をはかつてもイオン注入によ多結晶に与えられた
損傷が完全には回復しない、（ホ）注入された不純物層
の評価は高温炉中での活性化を行なった後でなければで
きないので、もし正しく不純物層が形成されていない場
合にはそのウェハは不良品となるなどの問題があった。
この発明はこのような問題点を解決するためになされた
もので、その目的は、ウェハの汚染を防ぎ、所望の特性
の不純物層を効率的かつ制御性良く形成することが可能
な不純物層形成装置を提供することＫある。
もので、その目的は、ウェハの汚染を防ぎ、所望の特性
の不純物層を効率的かつ制御性良く形成することが可能
な不純物層形成装置を提供することＫある。
この発明は、同−真空漕中に不純物イオン注入部と熱処
理部、ならびに測定部を配置し、さらに被処理物を、こ
れら３部分間を連続的かつ周期的に通過させる搬送機構
を設けたものである。
理部、ならびに測定部を配置し、さらに被処理物を、こ
れら３部分間を連続的かつ周期的に通過させる搬送機構
を設けたものである。
半導体ウェハ等の被処理物は、搬送機構に運はれてイオ
ン注入、活性化、測定の一連のサイクルの処理を所要の
特性値が得られるまで繰）返し受ける。
ン注入、活性化、測定の一連のサイクルの処理を所要の
特性値が得られるまで繰）返し受ける。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は側面
図である。図中１は円周上に被処理ウェハを複数枚並べ
たウェハ装着ディスク、２は被処理ウェハにイオンを注
入するイオン注入部、３はイオン注入された被処理ウェ
ハのイオン注入層を活性化するための熱処理部で、これ
は発熱源からの輻射熱を利用して非接触で被処理ウェハ
を昇温させるものである。４は被処理ウェハのイオン注
入層のシート抵抗を非接触で測定するシート抵抗測定部
、５はイオンビーム、そして６が被処理ウェハである。
図である。図中１は円周上に被処理ウェハを複数枚並べ
たウェハ装着ディスク、２は被処理ウェハにイオンを注
入するイオン注入部、３はイオン注入された被処理ウェ
ハのイオン注入層を活性化するための熱処理部で、これ
は発熱源からの輻射熱を利用して非接触で被処理ウェハ
を昇温させるものである。４は被処理ウェハのイオン注
入層のシート抵抗を非接触で測定するシート抵抗測定部
、５はイオンビーム、そして６が被処理ウェハである。
図上省略したが、これらは同一の真空槽中に収容されて
いる。
いる。
上記構成において、ウェハ装着ディスク１は軸１Ａのま
わシに回転運動をしている。したがって被処理ウェハ６
は、イオン注入部２においてイオンビーム５によシイオ
ン注入された後、熱処理部３において昇温される。これ
によシ、注入された不純物は活性化する。その後、シー
ト抵抗測定部４においてシート抵抗がモニターされる。
わシに回転運動をしている。したがって被処理ウェハ６
は、イオン注入部２においてイオンビーム５によシイオ
ン注入された後、熱処理部３において昇温される。これ
によシ、注入された不純物は活性化する。その後、シー
ト抵抗測定部４においてシート抵抗がモニターされる。
このように被処理ウェハ６はイオン注入→熱処理→シー
ト抵抗測定→イオン注入→・・・・というサイクルを繰
返す。そしてシート抵抗測定値が所要の値になったとこ
ろで処理を停止する。
ト抵抗測定→イオン注入→・・・・というサイクルを繰
返す。そしてシート抵抗測定値が所要の値になったとこ
ろで処理を停止する。
なお、この実施例はバッチ処理形の装置の例であるが、
この発明はシリアル処理形の装置にも同様に適用するこ
とができる。また不純物層の活性化の手段には輻射熱に
よる昇温を用いたが、レーザーアニール、ビームアニー
ル等地の昇温技術を用いても良い。
この発明はシリアル処理形の装置にも同様に適用するこ
とができる。また不純物層の活性化の手段には輻射熱に
よる昇温を用いたが、レーザーアニール、ビームアニー
ル等地の昇温技術を用いても良い。
以上説明したように、この発明によれば、次のような種
々の効果が得られる。
々の効果が得られる。
（１）高濃度にイオンを注入する際に、予め想定した必
要なイオン注入量を全部注入してから熱処理をする方法
に比べ、イオン注入→熱処理→イオン注入→熱処理とい
うサイクルを必要なイオン注入量が得られるまで繰シ返
すので、注入された不純物の活性化率が高くなる。
要なイオン注入量を全部注入してから熱処理をする方法
に比べ、イオン注入→熱処理→イオン注入→熱処理とい
うサイクルを必要なイオン注入量が得られるまで繰シ返
すので、注入された不純物の活性化率が高くなる。
（２） イオン注入ｉｔシート抵抗測定により逐時モ
ニターしながら、その結果によシイオン注入量を制御す
るので、注入量の制御が確実である。
ニターしながら、その結果によシイオン注入量を制御す
るので、注入量の制御が確実である。
（３）３つの工程を同一の真空槽内部で行なうために、
工程間の移動時のウェハ汚染の影響を無くすことができ
、余分な洗浄処理も不要である。
工程間の移動時のウェハ汚染の影響を無くすことができ
、余分な洗浄処理も不要である。
（４）熱処理を熱源からの輻射熱によシ短時間に行なう
ため不純物注入層の再分布が少ない。
ため不純物注入層の再分布が少ない。
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図、第２図はそ
の側面図である。 １・・・・ウェハ装着ディスク、２・・・・イオン注入
部、３・・・・熱処理部、４・・・・シート抵抗測定部
、５・・・・イオンビーム、６・・・−被処理ウェハ。
の側面図である。 １・・・・ウェハ装着ディスク、２・・・・イオン注入
部、３・・・・熱処理部、４・・・・シート抵抗測定部
、５・・・・イオンビーム、６・・・−被処理ウェハ。
Claims (1)
- 被処理物に不純物イオンビームを照射して不純物イオン
注入層を形成する不純物イオン注入部と、不純物イオン
注入層を活性化するための熱処理部と、活性化後の不純
物イオン注入層の所定の特性値を測定する測定部とを同
一真空槽中に配置するとともに、被処理物をこれら不純
物イオン注入部、熱処理部および測定部間を連続的かつ
周期的に通過させる搬送機構を設けたことを特徴とする
不純物層形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60091442A JPS61248522A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 不純物層形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60091442A JPS61248522A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 不純物層形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61248522A true JPS61248522A (ja) | 1986-11-05 |
Family
ID=14026482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60091442A Pending JPS61248522A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 不純物層形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61248522A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6419669A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Nippon Steel Corp | Work heater for ion implanter |
| KR100485387B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2005-04-27 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 장치의 모니터링 방법 및 이를 수행하기 위한섀도우 지그를 갖는 이온 주입 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5447473A (en) * | 1977-09-21 | 1979-04-14 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of implanting ion to semiconductor |
| JPS5850737A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の製造装置 |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP60091442A patent/JPS61248522A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5447473A (en) * | 1977-09-21 | 1979-04-14 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of implanting ion to semiconductor |
| JPS5850737A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子の製造装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6419669A (en) * | 1987-07-14 | 1989-01-23 | Nippon Steel Corp | Work heater for ion implanter |
| KR100485387B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2005-04-27 | 삼성전자주식회사 | 이온 주입 장치의 모니터링 방법 및 이를 수행하기 위한섀도우 지그를 갖는 이온 주입 장치 |
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