JPS61248607A

JPS61248607A - カレントミラ−回路

Info

Publication number: JPS61248607A
Application number: JP9032985A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Fukuda; 和幸福田
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1985-04-26
Filing date: 1985-04-26
Publication date: 1986-11-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、定電流回路などに用いられるカレントミラ
ー回路に係り、特に、複数の電流出力を取り出す場合の
電流比の均一化に関する。

〔従来の技術〕

第４図に示すように、複数の定電流を取り出すだめのカ
レントミラー回路には、定電流を発生する基準側素子と
してのトランジスタ２．４および抵抗６とともに、トラ
ンジスタ２．４によって電流が規制される非基準側素子
として複数のトランジスタ８．１８□、８．・・・およ
び抵抗１０＋、１０□、１０３　・・・が設置されてい
る。

各トランジスタ２．８１．８□、８．・・・のベースは
共通に形成されるとともに、各抵抗６．１０１．１０□
、１０３　・・・は半導体基板上に形成された配線導体
であるアルミニウム配線１２で共通に接続されている。

トランジスタ４のコレクタ側には電源用端子（パッド）
１４、トランジスタ２のコレクタ側には定電流用端子（
パッド）１３、また、アルミニウム配線１２の端部には
接地用端子（バンド）、１６がそれぞれ接続され、これ
ら端子１４．１６間に電源から特定の定電流が流し込ま
れることにより、トランジスタ２に定電流Ｉ。が流れる
とともに、各トランジスタ８１．８□、８３　・・・に
は、トランジスタ２とのエミツタ面積比および抵抗６と
抵抗１０１．１０．．１０．　　・・・との抵抗比に応
じた電流Ｉが流れ、各トランジスタ８１．８□、８．・
・・から個別に取り出される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

一般に、カレントミラー回路には大電流が流れるため、
通常、半導体基板の接地側端子１６の近傍に配置される
が、基準側素子としてのトランジスタ４および非基準側
素子としてのトランジスタ８１．８２　・・・は接地側
アルミニウム配線１２で接続されているため、そのアル
ミニうム配線１２に存在する抵抗Ｒによって個々のトラ
ンジスタ８１．８□　・・・の特性が同一にならず、各
トランジスタ８１１８゜、８３　・・・に流れる電流値
も異なってくることから、その電流値の変化が各トラン
ジスタ８１．８□、８３　・・・の特性に影響を与える
。この結果、各トランジスタ８１．８□、８３　・・・
の電流比が不安定になり、しかも、その電流比は温度特
性の影響を受ける。

このような不都合を軽減するため、アルミニウム配線１
２の幅を広げて抵抗Ｒを低下させることが行われている
が、アルミニウム配線１２の幅を広げると、半導体基板
上のアルミニウム配線１２が占める比率が大きくなり、
不都合である。

そこで、この発明は、回路配置によって電流比の変動を
抑制しようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、この発明は、電流を発生する基準側素子と、
この基準側素子によって電流が規制される複数の非基準
側素子とからなるカレントミラー回路において、併設さ
れた複数の前記非基準側素子をその接地側で接続する配
線導体に生じる電圧降下の平均値と等しい値の電圧降下
が生じる前記配線導体上の部位に前記基準側素子から基
準電流を流すようにしたものである。

〔作　　　用〕

したがって、この発明は、配線導体の電圧降下の平均値
を求め、この平均値に等しい電圧降下が生じる部位に基
準側素子から基準電流を流すことにより、非基準側素子
から流出する電流比の変化を抑制している。この結果、
配線導体に生じる電圧降下によって基準側素子と非基準
側素子との電流比が損われるのが防止され、所定の電流
比が得られている。

〔実　施　例〕

以下、この発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。

員上爽隻桝第１図はこの発明のカレントミラー回路の第１実施例を
示している。

半導体基板１８に基準側素子２０および非基準側素子２
２．．２２□、２２３．２２４．２２５．２２６を設定
し、接地側の配線導体としてのアルミニウム配線２４を
設ける。

そこで、６個の非基準側素子２２１．２２□、２２３．
２２４．２２ｓ　、２２６における特性の平均を求める
。

ここで、各素子２２．．２２２．２Ｌ、２２４．２２ｓ
　、２２６の特性の平均は、非基準側素子２２．．２２
□、２２ｓ　、２２４．２２ｓ、２２６間のアルミニウ
ム配線２４の抵抗Ｒで決るので、各非基準側素子２２．
．２２□、２２３．２２４．２２ｓ　、２２６に流れる
電流との関係から、アルミニウム配線２４上の電圧降下
の平均値を求め、その平均値の電圧降下が生じるアルミ
ニウム配線２４上の部位を求め、その部位の近傍に基準
側素子２０を設置して基準側素子２０から基準電流を流
し込む。この場合、接地側端子２６をアルミニウム配線
２４の終端部に設置しである。

このように構成すれば、基準側素子２０から各非基準側
素子２２．．２２．．２２．．２２．．２２５．２２６
に対して電圧降下の影響を最も少なくでき、各非基準側
素子２２Ｉ、２２□、２２３．２２４．２２５．２２６
に流れる電流比の精度が高くなり、その温度特性の影響
が低減される。

第４ＪＵ１Ｎまた、第２図に示すように、基準側素子２０に対して９
個の非基準側素子２２．．２２□　・・・２２、を設置
した場合において、各素子２０．２２＋　−２２ｇ　　
・・・２２．を接続するアルミニラム配線２４の中心位
置に接地側端子２６を設置してもよく、この場合にも第
１実施例と同様にアルミニウム配線２４の電圧降下の平
均値を求め、その平均値が得られるアルミニウム配線２
４の部位に基準側素子２０を設置し、基準側素子２０か
ら基準電流を流すようにしたものである。

築Ｊ叉族開また、第３図に示すように、第２実施例と同様に基準側
素子２０と非基準側素子２２．．２２□・・・２２６を
結ぶアルミニウム配線２４の中心に接地側端子２６を設
置した場合、非基準側素子２２、．２Ｌ　　・・・２２
６の中間位置に基準側素子２０を設置し、電圧降下の平
均値が得られるアルミニウム配線２４の部位に、基準側
素子２０の基準電流を二層配線２８を用いて流してもよ
い。

このようにすれば、基準側素子２０と非基準側素子２２
．．２２□　・・・２２６とを幾何学的位置に設定して
も、基準電流の供給する位置を電圧降下の平均値に設定
できることから、基準側素子２０の位置設定が容易にな
る点で有利である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明によれば、配線導体に用
いられた、たとえば、アルミニウム配線の抵抗Ｒでの電
圧降下の平均値を求め、その平均値と等しい電圧降下が
生じる配線導体上の部位に基準側素子から基準電流を流
しているので、次のような効果が得られる。

（ａｌ　　基準側素子と非基準側素子との電流比を安定
化でき、所定の電流比を実現できる。

Ｔｏｌ　　配線導体の幅に無関係に各非基準側素子の特
性を合わせることができるので、配線導体の幅を狭くで
き、半導体基板上の配線導体の占める割合を縮小でき、
半導体基板の縮小化が実現できる。

（Ｃ）　　電流比のばらつきを抑えることができるので
、その温度変化による影響も少な（なり、温度特性を改
善できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明のカレントミラー回路の第１実施例を
示す説明図、第２図はこの発明のカレントミラー回路の
第２実施例を示す説明図、第３図はこの発明のカレント
ミラー回路の第３実施例を示す説明図、第４図は一般的
なカレントミラー回路の回路構成を示す回路図である。２０・・・基準側素子としてのトランジスタ、２２、．
２２□　・・・２２．・・・非基準側素子としてのトラ
ンジスタ、２４・・・配線導体としてのアルミニウム配
線。

Claims

【特許請求の範囲】

電流を発生する基準側素子と、この基準側素子によって
電流が規制される複数の非基準側素子とからなるカレン
トミラー回路において、併設された複数の前記非基準側
素子をその接地側で接続する配線導体に生じる電圧降下
の平均値と等しい値の電圧降下が生じる前記配線導体上
の部位に前記基準側素子から基準電流を流すことを特徴
とするカレントミラー回路。