JPS60250662A - 抵抗回路 - Google Patents

抵抗回路

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JPS60250662A
JPS60250662A JP59106370A JP10637084A JPS60250662A JP S60250662 A JPS60250662 A JP S60250662A JP 59106370 A JP59106370 A JP 59106370A JP 10637084 A JP10637084 A JP 10637084A JP S60250662 A JPS60250662 A JP S60250662A
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JP
Japan
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pattern
voltage divider
resistance
equal
length
Prior art date
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JP59106370A
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JPH0530072B2 (ja
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Toshiro Tsukada
敏郎 塚田
Tatsuji Matsuura
達治 松浦
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/401Resistive arrangements

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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の利用分野〕 本発明は抵抗回路に係り、特に集積回路化に適した抵抗
分圧回路に関する。
〔発明の背景〕
従来の半導体集積回路における抵抗素子としては拡散層
やポリシリコン、メタル配線層が用いられているが、第
1図(a)に示す抵抗分圧回路をアルミニウムのような
低抵抗メタル配線層で構成する場合は、第1図(b)の
ようなストリップライン10から等間隔に分圧電圧端子
11を取り出したり、第1図(C)のような櫛形のパタ
ーン12を配置し等間隔で分圧端子13を引き出してい
たが。
抵抗分圧回路のパターン10.12が同図のように大き
く折り返される場合は斜線部14.15のような不整合
部分が生じる。これによる抵抗の誤差分を補償するため
に、従来破線で囲まれるようなパターンを設け、端子間
ABの抵抗を調整する手法がとられてきた。しかしこの
調整には実際にいくつかの補償パターンを集積回路で作
製して実験評価し、最適なパターンをめるのがふつうで
あり、このために多くの手間と時間を要していた。
またシミュレーションによって最適なパターンをめるこ
とも可能であるが、実際には精度的な問題も多く、テス
ト用の集積回路を作製して予備実験門状み嘉ければなら
ない。が実情、あ、。3.7)ことは集積回路で抵抗回
路を設計する場合の大きな欠点であった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は上記の問題点を解決し、回路調整するこ
となく高精度が達成でき、集積回路化に適した抵抗分圧
回路を提供することにある。
〔発明の概要〕
上記の目的を達成するため本発明では、抵抗配線層のパ
ターンを45°の傾きをもつ部分配線パタ゛−ンを接続
して鋸歯状とし、これにより抵抗分圧回路の折り返し部
の不整合が生じないようにした。この結果従来の折り返
し部のパターン調整が不要になり、設計に手間どらず高
精度な抵抗分圧回路を実現できることがあきらかになっ
た。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を第2図〜第4図により詳細に説
明する。
第2図は本発明の抵抗分圧回路の配置パターン例を示す
図である。幅Wのメタル配線が±45゜傾きで互いに接
続され鋸歯状に配置されている。
分圧電圧端子11の隣合った端子間の平均的な長さは各
端子の代表点Pの間の長さΩで表わすことができる。各
代表点間の長さΩはすべて等しく、折り返し部について
も成立っていることがわかる。
第2図で代表点P2とP、の間の長さをQ (P。
−P2)で表わし、P、とPAおよびPAとP。
の間の長さをそれぞれQ (PA P+)。
Q (Pa PA)とすると、 Q (PR,PA )= Q (PA P + )=Q
CP+ Pz) となっている。つぎにこの鋸歯状配線に電流を流した場
合、配線幅Wに対し長さQがある程度大きくなると第2
図に示す中間部分の断面Qの電流分布は一様で互いに等
しくなる。したがって代表点P2あるいはP、を含む配
線のコーナ部の電流分布とPAあるいはPnを含む配線
のコーナ部の電流分布は互いに等しいということができ
る。このことから分圧端子間A2とA I−A’+とA
、Aと電ヤ11 Bの電圧は互いに等しくなり、直線性のすぐれた分圧電
圧が得られる。従来の欠点であった゛折り返し部の不整
合は除去することができ、回路調整が不要で高精度の抵
抗分圧回路を容易に設計することができる。
第3図は本発明の抵抗分圧回路の他の配置パターン例を
示す図である。第2図と同様の鋸歯状配線を用いている
が、鋸歯状パターンのピッチを十分小さくし、巨視的に
は第1図(c)に対応したパ1) ターンを構成している。折り返し部の端子A、B間の鋸
歯状パターンの繰り返し数と一般の分圧端子間A I−
A 2間のそれとは同数であり、図示の例では11とな
っている。第2図で述べた電流分布の一様性の理由から
第3図の抵抗分圧回路は折り返し部においても所定の分
圧電圧が得られ、直線性精度のよい抵抗分圧回路が実現
できる。
第4図は折り返し部の中点から分圧端子を引き出した本
発明の抵抗分圧回路の配置パターン例を示す図である。
各分圧端子A、A間、AC間。
C8間の鋸歯状パターンの繰り返し数は互いに等しく同
図の例では11となっている。第3図の場合と同じく直
線性のよい分圧電圧が得られる。
竿、2図〜第4、図に示した抵抗分圧回路においては分
圧端子をそれ5ぞれに示す位置から引き出しているが、
端子−の鋸歯状パターンの繰り返し数が互いに等しく保
たれてさえいれば、分圧端子の引き出し部の位置はずら
すことができる。図示した引き出し線は簡単のため実線
を用いてシンボル化しである。実際にはメタル配線層等
で配置されるが、雪の形状はMO8集積回路等では特性
を左右することは少々い。MO8集積回路は入力抵抗が
非常に高いため、分圧電圧端子から直流的な定常電流が
出入りする使い方をしなくてすむからである。本発明の
抵抗分圧回路は並列形A/D変換器に必要となる2M(
Mビット)個の基準分圧電圧の発生回路に適している。
設計が容易で直線性にすぐれているため、高性能なA/
D変換器を実現することが可能となる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば高精度の抵抗分圧回路
を集積回路化することが容易であり、設計の手数もかか
らず、回路調整も不要であるなど性能の向上や生産にお
ける経済性において多大の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の抵抗分圧回路の摺成とパターン配置例を
示す図、第2図〜第4図は本発明の抵抗分圧回路のパタ
ーン配置例を示す図である。 10・・・抵抗配線層(ストリップライン)、11・・
・分圧電圧端子、12・・・抵抗配線層(櫛形パターン
)、13・・・分圧電圧端子、14・・・折り返しパタ
ーンの不整合部、15・・・折り返しパターンの不整合
部、16・・・回路調整パターン、17・・・回路調整
パター第2図 ’yK s 図 Yt4 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、導体層あるいは半導体層で形成される抵抗回路にお
    いて、矩形の導体層あるいは半導体層を互いに直角に複
    数個、繰り返して配置し、これらを直列接続することに
    よって形成したことを特徴とする抵抗回路。 2、特許請求の範囲第1項記載の抵抗回路において、゛
    同一の該矩形の導体層あるいは半導体層を互いに直角に
    複数優−;繰り返して配置し、これらを直列接続して抵
    抗を形成し、該抵抗を複数個、繰り返し直列接続するこ
    とによって形成したことを特徴とする抵抗回路。 3、特許の範囲第2項記載の抵抗回路において、複数個
    の該抵抗の繰り返し配置方向に対し、該矩形の導体層あ
    るいは半導体層の繰り返し配置方向が45°をなすこと
    を特徴とする抵抗回路。
JP59106370A 1984-05-28 1984-05-28 抵抗回路 Granted JPS60250662A (ja)

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JP59106370A JPS60250662A (ja) 1984-05-28 1984-05-28 抵抗回路

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JP59106370A JPS60250662A (ja) 1984-05-28 1984-05-28 抵抗回路

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JPH0530072B2 JPH0530072B2 (ja) 1993-05-07

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JPS63142667A (ja) * 1986-12-04 1988-06-15 Nec Corp GaAs半導体集積回路
JPH0341761A (ja) * 1989-07-10 1991-02-22 Nissan Motor Co Ltd 半導体集積回路
US6057590A (en) * 1997-08-23 2000-05-02 Winbond Electronics Corp. Structure of polysilicon load for static random access memory
CN103745974A (zh) * 2014-01-29 2014-04-23 上海华力微电子有限公司 环形电阻结构

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