JPS61258441A - 半導体検査方法 - Google Patents

半導体検査方法

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Publication number
JPS61258441A
JPS61258441A JP60100719A JP10071985A JPS61258441A JP S61258441 A JPS61258441 A JP S61258441A JP 60100719 A JP60100719 A JP 60100719A JP 10071985 A JP10071985 A JP 10071985A JP S61258441 A JPS61258441 A JP S61258441A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
driving circuit
circuit substrate
inspection
semiconductor
measuring instrument
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60100719A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Kubota
窪田 愛幸
Yoshiro Takemoto
武本 義郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60100719A priority Critical patent/JPS61258441A/ja
Publication of JPS61258441A publication Critical patent/JPS61258441A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体電子部品の完成姿における検査測定を行
なう半導体検査方法に関するものである。
従来の技術 従来半導体検査方法では、ワークの供給・検査・取出を
一連のラインの中で処理し、検査は半導体の端子へコン
タクトピンを接触させて信号を入出力するという方式が
とられていた。
すなわち、第2図において、1の位置に供給されたワー
クを何んらかの方法により2の検査ポジションまで搬送
し、コンタクトピン3を半導体端子へ接触させ、ライン
外に設けられた、半導体の駆動回路基板4との間を適当
なリード線5により接続し、この駆動回路基板と測定器
6を接続して半導体の特性・性能検査を行ない、検査済
ワークをライン上の取出ポジシコン7まで搬送し取出す
という方式である。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような方式では、コンタクトビン−
駆動回路基板、駆動回路基板〜測定器の間で外部ノイズ
が混信し易く、また実際の使用状態とは異なった特性動
向を示す可能性もあり、特に高周波を取扱う半導体など
では検査の信頼性が著しく低くなるという問題点を有し
ていた。
本発明は上記問題点に鑑み、実際の使用状態によシ近く
、外部ノイズが混信しにくい検査測定方式を提供するも
のである。
問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するために本発明の半導体検査方法は
、検査対象となる半導体との接触部に半導体のソケット
を採用し、これを駆動回路基板上に設置し、この駆動回
路基板を測定器の直上に搭載する。そして、供給ライン
上にエスケープされた未検査ワークを、何んらかの移載
手段により駆動回路基板上のソケットに差し込み、検査
後取出ライン上へ移載するという方式により半導体の検
査を行なう。
作  用 本発明は上記した構成によって、検査対象となる半導体
と駆動回路基板間をソケットにより直接コンタクトさせ
ることができ、またこの駆動回路基板を測定器直上に搭
載したことにより、両者の間を連結していたリード線を
大巾に短縮することが可能であり、その結果外部ノイズ
の混信を著しく低減することができる。
実施例 以下本発明の一実施例の半導体検査方法について、図面
を参照しながら説明する。
第1図において8は供給ライン9上にエスケープされた
未検査ワークであシ、これを上下動できる供給チャック
10と横移動ユニット11により駆動回路基板12上に
設けられたソケット13へ移載装着する。14は測定器
であシ駆動回路基板取出を直上に搭載している。検査を
終えたワークは供給チャック1oと同様のチャック16
により取出レール16上へ移載される。17は取出され
た検査済ワークである。
また本実施例ではワークの供給・取出は専用のチャック
ユニットを使用しているが、これは1つのチャックが供
給・検査・取出ポジションへと横移動してもよく、また
必らずしも横移動式の移載ユニットという形態をとる必
要はない。
発明の効果 本発明は上記した方法によシ、駆動回路基板上に半導体
を実装した状態での検査を可能にし、コンタクトピンや
、コンタクトピンから駆動回路基板間のリード線を省き
、駆動回路基板から測定器間のリード線長さも短縮され
るため外部ノイズによる影響を極めて少くすることが可
能で、実際の稼動状態に近く、信頼性の高い半導体検査
を行うことができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例における半導体検査方法の斜視
図、第2図は従来の半導体検査方法の斜視図である。 3・・・・・・コンタクトピン、4・・・・・・駆動回
路基板、6・・・・・・リード線、6・・・・・・測定
器、12・・・・・・駆動回路基板、13・・・・・・
ソケット、14・・・・・・測定器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 /2−−−、馳勧回呵妖 t3−−−ソケッ卜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 検査対象となる半導体を差し込むソケットを、その半導
    体が実際に組み込まれて使用される回路と同等の機能を
    有する駆動回路基板上に設置し、この駆動回路基板を搭
    載した測定器を有し、供給ライン上の未検査半導体を移
    載し、上記ソケットに直接差し込み、検査を終えた後こ
    のソケットから抜き取り、取出ライン上へ移載する半導
    体検査方法。
JP60100719A 1985-05-13 1985-05-13 半導体検査方法 Pending JPS61258441A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01223364A (ja) * 1988-03-02 1989-09-06 Matsushita Electron Corp 半導体素子の測定装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01223364A (ja) * 1988-03-02 1989-09-06 Matsushita Electron Corp 半導体素子の測定装置

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