JPS61265837A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61265837A JPS61265837A JP10860385A JP10860385A JPS61265837A JP S61265837 A JPS61265837 A JP S61265837A JP 10860385 A JP10860385 A JP 10860385A JP 10860385 A JP10860385 A JP 10860385A JP S61265837 A JPS61265837 A JP S61265837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- oxide film
- electrode wiring
- insulating oxide
- stepped part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に配線部分
の下層に段差部を有する構造の半導体装置の製造方法に
関する。
の下層に段差部を有する構造の半導体装置の製造方法に
関する。
従来、半導体装置の電極配線の形成時に絶縁酸化膜等に
よる段差を有する部分の配線は、段差部の平面形状を直
線状又は段差の大きさに比べて充分大きな半径の曲線状
にして行っていた。
よる段差を有する部分の配線は、段差部の平面形状を直
線状又は段差の大きさに比べて充分大きな半径の曲線状
にして行っていた。
上述した従来の段差形状では、第３図に示すように電極
配線ｌを形成した際に、特に段差の大きい場合電極配線
［がこの段差部６で段切れを生じたり又は、形成した電
極の配線の厚さに比べてうずくくひれた形状になる等の
欠点があり、半導体装置の特性上又は信頼性上に不利な
条件となるものであった。尚第３図において５は半導体
基板。
配線ｌを形成した際に、特に段差の大きい場合電極配線
［がこの段差部６で段切れを生じたり又は、形成した電
極の配線の厚さに比べてうずくくひれた形状になる等の
欠点があり、半導体装置の特性上又は信頼性上に不利な
条件となるものであった。尚第３図において５は半導体
基板。
４は絶縁酸化膜である。
本発明の目的は上記欠点を除去し、段差部上形成する絶
縁膜の端部を鋸歯状又はくしの歯状に形成することによ
シ篭極配線の段切れをなくし信頼性の向上した半導体装
置の製造方法を提供することＫめる。
縁膜の端部を鋸歯状又はくしの歯状に形成することによ
シ篭極配線の段切れをなくし信頼性の向上した半導体装
置の製造方法を提供することＫめる。
不発明の半導体装置の製造方法は、端部が段差部？形成
する絶縁膜上の該段差部を横切って電極配線を形成する
半導体装置の製造方法でろって、少なくとも電極配線が
形成される前記絶縁膜の端部全鋸歯状又はくしの歯状に
形成するものでろる。
する絶縁膜上の該段差部を横切って電極配線を形成する
半導体装置の製造方法でろって、少なくとも電極配線が
形成される前記絶縁膜の端部全鋸歯状又はくしの歯状に
形成するものでろる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａｔ 、 （ｂｌ及び第２図（ａｌ 、 （ｂ
ｌは本発明の一実施例を説明するための平面図及びＡ−
Ａ’、Ｂ−Ｂ’断面図である。
ｌは本発明の一実施例を説明するための平面図及びＡ−
Ａ’、Ｂ−Ｂ’断面図である。
まず、第［図（ａｌ 、 （ｂ）に示すように、半導体
基板５上に形成された絶縁酸化膜４０段差部を横切って
電極配ｆｉｌを形成する場合は、少くとも電極配線の形
成予定部分ｔａの絶縁酸化膜４上に、鋸歯状又はくしの
歯状の凹凸パターンを有するフォトレジスト膜３を形成
し几のちエツチングし、所定部分の絶縁酸化膜４を除去
する。
基板５上に形成された絶縁酸化膜４０段差部を横切って
電極配ｆｉｌを形成する場合は、少くとも電極配線の形
成予定部分ｔａの絶縁酸化膜４上に、鋸歯状又はくしの
歯状の凹凸パターンを有するフォトレジスト膜３を形成
し几のちエツチングし、所定部分の絶縁酸化膜４を除去
する。
このように鋸歯状又はくシの歯状の凹凸パターンにより
エツチングされた絶縁酸化膜４の端部は第２図（ａｔ
、 （ｂｌに示すように、なだらかな段差部２を形成す
る。従ってその後の工程により電極配線１１形成した場
合は、段差部２が傾斜しているため従来のようにくひれ
や段切れ等の発生はなくなり半導体装置の信頼性は向上
したものとなる。
エツチングされた絶縁酸化膜４の端部は第２図（ａｔ
、 （ｂｌに示すように、なだらかな段差部２を形成す
る。従ってその後の工程により電極配線１１形成した場
合は、段差部２が傾斜しているため従来のようにくひれ
や段切れ等の発生はなくなり半導体装置の信頼性は向上
したものとなる。
以上説明したように本発明によれば、段差部を形成する
絶縁酸化膜の端部全鋸歯状又はくしの歯状に形成するこ
とにより、その上圧形成される電極配線の段切れ′ｔ−
なくし信頼性の向上した半導体装置の製造方法が得られ
るのでその効果は大きい。
絶縁酸化膜の端部全鋸歯状又はくしの歯状に形成するこ
とにより、その上圧形成される電極配線の段切れ′ｔ−
なくし信頼性の向上した半導体装置の製造方法が得られ
るのでその効果は大きい。
第【図（ａｌ 、 （ｂｌ及び第２図（ａｌ 、 （ｂ
ｌは本発明の一実施例を説明するための平面図及び断面
図、第３図は従来の半導体装置を説明するための断面図
である。 １・・・・・・電極配線、【ａ・・・・・・電極配線予
定部分、２・・・・・・電極配線段差部、３・・・・・
・フォトレジスト膜、４・・・・・・絶縁酸化膜、５・
・・・・・半導体基板、６・・・・・・段差部。 代理人 弁理士 内 原 晋 オ ２Ｉ！Ｉ 庫 ３ 国
ｌは本発明の一実施例を説明するための平面図及び断面
図、第３図は従来の半導体装置を説明するための断面図
である。 １・・・・・・電極配線、【ａ・・・・・・電極配線予
定部分、２・・・・・・電極配線段差部、３・・・・・
・フォトレジスト膜、４・・・・・・絶縁酸化膜、５・
・・・・・半導体基板、６・・・・・・段差部。 代理人 弁理士 内 原 晋 オ ２Ｉ！Ｉ 庫 ３ 国
Claims (1)
- 端部が段差部を形成する絶縁膜上の該段差部を横切っ
て電極配線を形成する半導体装置の製造方法において、
少くとも電極配線が形成される前記絶縁膜の端部を鋸歯
状又はくしの歯状に形成することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10860385A JPS61265837A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10860385A JPS61265837A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265837A true JPS61265837A (ja) | 1986-11-25 |
Family
ID=14488982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10860385A Pending JPS61265837A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61265837A (ja) |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10860385A patent/JPS61265837A/ja active Pending
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