JPH0222855A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0222855A JPH0222855A JP63173411A JP17341188A JPH0222855A JP H0222855 A JPH0222855 A JP H0222855A JP 63173411 A JP63173411 A JP 63173411A JP 17341188 A JP17341188 A JP 17341188A JP H0222855 A JPH0222855 A JP H0222855A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- resistance value
- semiconductor substrate
- impurity diffused
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/201—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits
- H10D84/204—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors
- H10D84/209—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of only components covered by H10D1/00 or H10D8/00, e.g. RLC circuits of combinations of diodes or capacitors or resistors of only resistors
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、特に抵抗の構造に関する
ものである。
ものである。
第２図（ａ）は従来の半導体基板上の抵抗の構成を示す
断面図であって、Ｍ２図（ｂ）は第２図（ａ）に示した
抵抗のトリミングを行う状況を示す断面図である。図に
おいて、（１）は半導体基板、（２）は半導体基板（１
）に形成された不純物拡散抵抗、（３）は不純物抵抗（
２）上に形成された電極、（６）はエツチングによる穴
である。
断面図であって、Ｍ２図（ｂ）は第２図（ａ）に示した
抵抗のトリミングを行う状況を示す断面図である。図に
おいて、（１）は半導体基板、（２）は半導体基板（１
）に形成された不純物拡散抵抗、（３）は不純物抵抗（
２）上に形成された電極、（６）はエツチングによる穴
である。
次に従来の抵抗の構造について説明する。
一般にモノリシックマイクロ波ＩＣのような半導体装置
に抵抗を形成する場合、抵抗形成後に抵抗値の評価を行
い、抵抗値の修正が必要な場合には、抵抗のトリミング
を行っていた。従来、第２図（、）に示すごとく、半導
体基板（１）上に必要な抵抗値が得られる大きさの不純
物拡散抵抗（２）を形成し更に不純物拡散抵抗＜２３の
両端に電極（３）を備え九構造をとっていた。抵抗トリ
ミングを行うには第２図（ｂ）に示すごとく不純物拡散
抵抗（２）にエツチングによる穴（６）を設ける。抵抗
値の修正が必要な場合不純物拡散抵抗（２）にエツチン
グを施して、抵抗値を徐々に上げ、必要な抵抗値が得ら
れた時点でトリミングを完了していた。
に抵抗を形成する場合、抵抗形成後に抵抗値の評価を行
い、抵抗値の修正が必要な場合には、抵抗のトリミング
を行っていた。従来、第２図（、）に示すごとく、半導
体基板（１）上に必要な抵抗値が得られる大きさの不純
物拡散抵抗（２）を形成し更に不純物拡散抵抗＜２３の
両端に電極（３）を備え九構造をとっていた。抵抗トリ
ミングを行うには第２図（ｂ）に示すごとく不純物拡散
抵抗（２）にエツチングによる穴（６）を設ける。抵抗
値の修正が必要な場合不純物拡散抵抗（２）にエツチン
グを施して、抵抗値を徐々に上げ、必要な抵抗値が得ら
れた時点でトリミングを完了していた。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
抵抗のトリミングをしても形成直後の抵抗値と比較して
高い抵抗値しか得られないという問題があった。
抵抗のトリミングをしても形成直後の抵抗値と比較して
高い抵抗値しか得られないという問題があった。
この発明は上記のような問題を解消するためになされた
もので、抵抗をトリミングした際、そのエツチング量で
形成ｌｆ後の抵抗値と比較して高い抵抗値も、低い抵抗
値も実現できるような半導体装置を得ることを目的とす
る０ 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置は、半導体基板上に形成され
た不純物拡散抵抗上にショットキー接合を形成するよう
な金ｌｌ４Ｃ以下、ゲート金属という）を形成し友もの
である。
もので、抵抗をトリミングした際、そのエツチング量で
形成ｌｆ後の抵抗値と比較して高い抵抗値も、低い抵抗
値も実現できるような半導体装置を得ることを目的とす
る０ 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置は、半導体基板上に形成され
た不純物拡散抵抗上にショットキー接合を形成するよう
な金ｌｌ４Ｃ以下、ゲート金属という）を形成し友もの
である。
この発明における半導体装置は、不純物拡散抵抗上にゲ
ート金属を形成し、抵抗トリミングは上記ゲート金属及
び不純物拡散抵抗のエツチングによシ実施するため、そ
のエツチング量によ）形成直後の抵抗値と比較して、高
い抵抗値も低い抵抗値も実現できる。
ート金属を形成し、抵抗トリミングは上記ゲート金属及
び不純物拡散抵抗のエツチングによシ実施するため、そ
のエツチング量によ）形成直後の抵抗値と比較して、高
い抵抗値も低い抵抗値も実現できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は半導体基板上の抵抗を示し、（ａ）は抵抗の構成を
示す断面図、価）及び（ｃ）は抵抗のトリミングを行う
状況を示す断面図である。図において、（１）〜（３）
、 （６）は第２図の従来例に示したものと同等であ
るので説明を省略する。（４）はゲート金属、（５）は
半導体基板（１）にゲート金属（４）を形成することに
よ多形成する空乏層である。
図は半導体基板上の抵抗を示し、（ａ）は抵抗の構成を
示す断面図、価）及び（ｃ）は抵抗のトリミングを行う
状況を示す断面図である。図において、（１）〜（３）
、 （６）は第２図の従来例に示したものと同等であ
るので説明を省略する。（４）はゲート金属、（５）は
半導体基板（１）にゲート金属（４）を形成することに
よ多形成する空乏層である。
次に動作について説明する。
第１図（ａ）に示すように、不純物拡散抵抗（２）上に
ゲート金属（４）を形成することで空乏層（５）を発生
させ、ゲート金ｊｌ（４）がない場合と比較して高抵抗
を形成したものである。抵抗値を測定後、更に低い抵抗
を要する場合、ゲート金属（４）をエツチングして第１
図（ｂ）に示すような、従来の構造にすれば空乏７１（
５）は形成されず、エツチング前と比較して低い抵抗値
が得られる。更に半導体基板（１）のエツチングを実施
すれば、そのエツチング量によシ徐々に初期抵抗値に近
づけることが可能である。更にエツチングを実施すれば
、初期抵抗値よりも高い抵抗値が実現できる。
ゲート金属（４）を形成することで空乏層（５）を発生
させ、ゲート金ｊｌ（４）がない場合と比較して高抵抗
を形成したものである。抵抗値を測定後、更に低い抵抗
を要する場合、ゲート金属（４）をエツチングして第１
図（ｂ）に示すような、従来の構造にすれば空乏７１（
５）は形成されず、エツチング前と比較して低い抵抗値
が得られる。更に半導体基板（１）のエツチングを実施
すれば、そのエツチング量によシ徐々に初期抵抗値に近
づけることが可能である。更にエツチングを実施すれば
、初期抵抗値よりも高い抵抗値が実現できる。
以上説明したように、この発明によれば、半導体基板上
の抵抗を、不純物拡散抵抗上にゲート金属を形成するよ
うな構成にしたので、エツチングによるトリミングを行
った際、初期抵抗値と比較して、趙抵抗、低抵抗の両方
について実現できるという利点がある。
の抵抗を、不純物拡散抵抗上にゲート金属を形成するよ
うな構成にしたので、エツチングによるトリミングを行
った際、初期抵抗値と比較して、趙抵抗、低抵抗の両方
について実現できるという利点がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置における
抵抗の構成及びトリミングを行う状況を示す断面図、第
２図は従来の半導体装置における抵抗の構成及びトリミ
ングを行う状況を示す断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は不純物拡散
抵抗、（３）は電極、（４）はゲート金属、（５）は空
乏層、（６）はエツチングによる穴である０ なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第１図
抵抗の構成及びトリミングを行う状況を示す断面図、第
２図は従来の半導体装置における抵抗の構成及びトリミ
ングを行う状況を示す断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は不純物拡散
抵抗、（３）は電極、（４）はゲート金属、（５）は空
乏層、（６）はエツチングによる穴である０ なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第１図
Claims (1)
- 半導体基板上に任意の大きさをもつ不純物拡散抵抗を有
し、上記不純物拡散抵抗の両端に一対の電極を形成し、
更に上記電極間の抵抗上にショットキー接合を形成する
ような金属を形成することによつて抵抗を構成したこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63173411A JPH0222855A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63173411A JPH0222855A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222855A true JPH0222855A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15959936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63173411A Pending JPH0222855A (ja) | 1988-07-11 | 1988-07-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0222855A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060550A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
-
1988
- 1988-07-11 JP JP63173411A patent/JPH0222855A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012060550A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
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