JPS61276202A - 薄膜サ−ミスタ - Google Patents
薄膜サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS61276202A JPS61276202A JP60116910A JP11691085A JPS61276202A JP S61276202 A JPS61276202 A JP S61276202A JP 60116910 A JP60116910 A JP 60116910A JP 11691085 A JP11691085 A JP 11691085A JP S61276202 A JPS61276202 A JP S61276202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrode
- film
- film thermistor
- thermistor
- Prior art date
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- Granted
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は耐熱性の高い薄膜サーミスタに関するもの七あ
る。
る。
従来の技術
薄膜サーミスタは、例えば、長井、他 ナショナルテク
ニカルレポート（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌＲｅｐｏｒｔ） ｖｏｌ、 ２６ 、 （１９８０）
Ｐ、４０３に示されているように、平板状絶縁性基板
の一方の表面に感温抵抗体膜と一対の電極膜とを形成し
て構成される。
ニカルレポート（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌＲｅｐｏｒｔ） ｖｏｌ、 ２６ 、 （１９８０）
Ｐ、４０３に示されているように、平板状絶縁性基板
の一方の表面に感温抵抗体膜と一対の電極膜とを形成し
て構成される。
発明が解決しようとする問題点
前記文献に示されているように、感温抵抗体膜として炭
化硅素（ＳｉＣ）抵抗体、一対の電極膜としてＡｕ −
Ｐ を厚膜電極膜を用いたとき、 この薄膜サーミスタ
は空気中４００〜４５０℃の高温に耐える優れた耐熱性
を有する。しかし、この温度以上では特性変化が大きい
という欠点があった。
化硅素（ＳｉＣ）抵抗体、一対の電極膜としてＡｕ −
Ｐ を厚膜電極膜を用いたとき、 この薄膜サーミスタ
は空気中４００〜４５０℃の高温に耐える優れた耐熱性
を有する。しかし、この温度以上では特性変化が大きい
という欠点があった。
この原因のひとつは、薄膜サーミスタが空気中で高温（
例えば、６００℃）に暴されたとき、ＳｉＣ抵抗体膜と
接するＡｕ−Ｐｔ電極膜の界面に絶縁性の薄い層が形成
され、このためにＳｉＣ抵抗体膜とＡｕ−Ｐｔ電極膜と
の間に大きな接触抵抗が存在することにある。
例えば、６００℃）に暴されたとき、ＳｉＣ抵抗体膜と
接するＡｕ−Ｐｔ電極膜の界面に絶縁性の薄い層が形成
され、このためにＳｉＣ抵抗体膜とＡｕ−Ｐｔ電極膜と
の間に大きな接触抵抗が存在することにある。
この薄い絶縁層が形成される詳細な理由は不明であるが
、次のように考えられる。Ａｕ−Ｐｔ電極膜は、Ａｕ、
Ｐｔの金属微粒子と硝子との均一な混合物で構成される
が、高温雲囲気中に長時間放置されたとき、金属微粒子
と硝子とが分離し易すくなる。このため硝子成分の多い
部分が絶縁性になると考えられる。
、次のように考えられる。Ａｕ−Ｐｔ電極膜は、Ａｕ、
Ｐｔの金属微粒子と硝子との均一な混合物で構成される
が、高温雲囲気中に長時間放置されたとき、金属微粒子
と硝子とが分離し易すくなる。このため硝子成分の多い
部分が絶縁性になると考えられる。
本発明は電極として硝子成分を含まない材料を用いるこ
とにより前記欠点を解消した薄膜サーミスタを提供する
ものである。
とにより前記欠点を解消した薄膜サーミスタを提供する
ものである。
問題点を解決するための手段
前記問題点を解決する本発明の技術的な手段は、共晶銀
ろうでＳｉＣ抵抗体膜にろう付されたＴ１もしくはＺｒ
を電極として用いる点にある。
ろうでＳｉＣ抵抗体膜にろう付されたＴ１もしくはＺｒ
を電極として用いる点にある。
作 用
本発明は上述したように、硝子などの絶縁性材料を含ま
ない材料で電極を構成しているので、ＳｉＣ抵抗体膜と
電極との間で大きな接触抵抗は発生しない。また、共晶
銀ろうの融点は約７８０℃であるので、６５０〜７００
℃の高温中でも電極として安定に作用する。
ない材料で電極を構成しているので、ＳｉＣ抵抗体膜と
電極との間で大きな接触抵抗は発生しない。また、共晶
銀ろうの融点は約７８０℃であるので、６５０〜７００
℃の高温中でも電極として安定に作用する。
実施例
第１図は本発明の薄膜サーミスタの一実施例を示す断面
図である。平板状アルミナ基板１の−１の表面上にＳｉ
Ｃ抵抗体膜２を形成した。こののち、共晶銀ろう箔３と
Ｔｉ箔４とをこの順序でＳｉＣ抵抗体膜２上に一対配置
し、真空中で８００８２０℃に加熱した。この真空中加
熱により、Ｔｉ箔３はＳｉＣ抵抗体膜２にろう付された
。
図である。平板状アルミナ基板１の−１の表面上にＳｉ
Ｃ抵抗体膜２を形成した。こののち、共晶銀ろう箔３と
Ｔｉ箔４とをこの順序でＳｉＣ抵抗体膜２上に一対配置
し、真空中で８００８２０℃に加熱した。この真空中加
熱により、Ｔｉ箔３はＳｉＣ抵抗体膜２にろう付された
。
真空中加熱ののち、Ｔｉ箔４とＳｉＣ抵抗体膜２の間の
化学組成を分析したところ、ＳｉＣ抵抗体膜２の表面に
微量のＴｉ原子が存在し、つづいてＡｇ、Ｃｕ、Ｔｉの
合金層を介してＴｉ箔４がろう付されていることが明ら
かになった。このことから、真空加熱中に溶融した共晶
銀ろう中をＴｉ原子がＳｉＣ抵抗体膜２に向って拡散し
、ＳｉＣ抵抗体膜２の表面でＴｉ原子が化学的に吸着さ
れる過程によりＴｉ箔４がＳｉＣ抵抗体膜２にろう付さ
れると考えられる。
化学組成を分析したところ、ＳｉＣ抵抗体膜２の表面に
微量のＴｉ原子が存在し、つづいてＡｇ、Ｃｕ、Ｔｉの
合金層を介してＴｉ箔４がろう付されていることが明ら
かになった。このことから、真空加熱中に溶融した共晶
銀ろう中をＴｉ原子がＳｉＣ抵抗体膜２に向って拡散し
、ＳｉＣ抵抗体膜２の表面でＴｉ原子が化学的に吸着さ
れる過程によりＴｉ箔４がＳｉＣ抵抗体膜２にろう付さ
れると考えられる。
このようにして形成した本発明の薄膜サーミスタと従来
の薄膜サーミスタを空気中６００℃中に約１００Ｈ放置
試験した。試験前後の抵抗値の周波数特性を次表に示す
。
の薄膜サーミスタを空気中６００℃中に約１００Ｈ放置
試験した。試験前後の抵抗値の周波数特性を次表に示す
。
（臥１ 金 ら）
表 試験前後のＲｆ／ＲＯ，、の周波数特性同表から明
らかなように、従来の薄膜サーミスタは、試験後、周波
数が高くなるにつれて抵抗値が大巾に減少した。これは
容量性インピーダンスの大きいことを示す。従来の薄膜
サーミスタは図２に示す構造を有することを考えると、
試験後の従来薄膜サーミスタの容量性インピーダンスは
、ＳｉＣ抵抗体膜２とＡｕ−Ｐｔ電極膜５の界面に存在
すると考えられる。他方、本発明の薄膜サーミスタは試
験後でも抵抗の周波数特性を殆んど示さなかった。これ
は、本発明の薄膜サーミスタは高温放置試験によりＴｉ
箔電極４とＳｉＣ抵抗体膜２の電気的接触が影響を受け
ないことを示す。
らかなように、従来の薄膜サーミスタは、試験後、周波
数が高くなるにつれて抵抗値が大巾に減少した。これは
容量性インピーダンスの大きいことを示す。従来の薄膜
サーミスタは図２に示す構造を有することを考えると、
試験後の従来薄膜サーミスタの容量性インピーダンスは
、ＳｉＣ抵抗体膜２とＡｕ−Ｐｔ電極膜５の界面に存在
すると考えられる。他方、本発明の薄膜サーミスタは試
験後でも抵抗の周波数特性を殆んど示さなかった。これ
は、本発明の薄膜サーミスタは高温放置試験によりＴｉ
箔電極４とＳｉＣ抵抗体膜２の電気的接触が影響を受け
ないことを示す。
なお、Ｔｉ箔４の代りにＺｒ箔４を用いても同様の効果
が得られた。
が得られた。
発明の効果
以上述べてきたように本発明の薄膜サーミスタによれば
次に示す効果が得られる。
次に示す効果が得られる。
（１１ＳｉＣ抵抗体膜にＴｉ箔をろう付して電極を構成
しているので、すなわち電極は導電性材料のみで構成さ
れ、絶縁性材料を含まないので、高温下でもＳｉＣ抵抗
体膜と電極との接触は安定である。
しているので、すなわち電極は導電性材料のみで構成さ
れ、絶縁性材料を含まないので、高温下でもＳｉＣ抵抗
体膜と電極との接触は安定である。
（２）薄膜サーミスタを実用する場合、電極にリード線
を溶接する必要がある。本発明の薄膜サーミスタの電極
はＴｉ箔であるので、従来のＡｕ−Ｐｔ厚膜電極膜に比
べると、リード線の溶接は容易であり、また溶接部の安
定性が高い。
を溶接する必要がある。本発明の薄膜サーミスタの電極
はＴｉ箔であるので、従来のＡｕ−Ｐｔ厚膜電極膜に比
べると、リード線の溶接は容易であり、また溶接部の安
定性が高い。
＠１図は本発明の一実施例を示す薄膜サーミスタの断面
図、第２図は従来の一実施例を示す薄膜サーミスタの断
面図である。 １・・・・・・平板状絶縁性基板、２・・・・・・Ｓｉ
Ｃ抵抗体膜、３・・・・・・共晶銀ろう、４・・・・・
・ＴｉあるいはＺｒ。 ５・・・・・・Ａｕ−Ｐｔ厚膜電極膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名７−
−−壬板状絶縁蒸板 斗−ｍ−Ｔ１もしく （３１ｒＮ 羊 第 ２ 図 ｚ
図、第２図は従来の一実施例を示す薄膜サーミスタの断
面図である。 １・・・・・・平板状絶縁性基板、２・・・・・・Ｓｉ
Ｃ抵抗体膜、３・・・・・・共晶銀ろう、４・・・・・
・ＴｉあるいはＺｒ。 ５・・・・・・Ａｕ−Ｐｔ厚膜電極膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名７−
−−壬板状絶縁蒸板 斗−ｍ−Ｔ１もしく （３１ｒＮ 羊 第 ２ 図 ｚ
Claims (1)
- 平板状絶縁性基板と、この平板状絶縁性基板の一方の
表面に形成された炭化硅素抵抗体膜と一対の電極から成
り、この一対の電極が共晶銀ろうで前記炭化硅素抵抗体
膜にろう付されたチタンもしくはジルコニウムで構成さ
れた薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60116910A JPS61276202A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60116910A JPS61276202A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276202A true JPS61276202A (ja) | 1986-12-06 |
| JPH0342682B2 JPH0342682B2 (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=14698670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60116910A Granted JPS61276202A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | 薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276202A (ja) |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP60116910A patent/JPS61276202A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0342682B2 (ja) | 1991-06-28 |
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