JPS6127624A - 反応装置 - Google Patents
反応装置Info
- Publication number
- JPS6127624A JPS6127624A JP12600585A JP12600585A JPS6127624A JP S6127624 A JPS6127624 A JP S6127624A JP 12600585 A JP12600585 A JP 12600585A JP 12600585 A JP12600585 A JP 12600585A JP S6127624 A JPS6127624 A JP S6127624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- ring
- reaction
- substrate
- hole
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は例えば半導体装置などの製造工程で用いられる
反応装置に関するものである。
反応装置に関するものである。
この種の反応装置の主要構成部分は石英ガラス反応管で
あるが、この反応管はその汚染を取除くため時々装置か
ら取外して洗浄しなければならない。しかし反応管には
第1図に示すように反応ガスな導入するための反応ガス
入ロアが接続された構造になっている。第1図において
、1はヒータ、2は反応管、3はキャンプ、4は引き出
し棒、5は引き出し棒を通すだめの穴、6は排気口、7
は反応ガス入口である。このような構造の反応管は。
あるが、この反応管はその汚染を取除くため時々装置か
ら取外して洗浄しなければならない。しかし反応管には
第1図に示すように反応ガスな導入するための反応ガス
入ロアが接続された構造になっている。第1図において
、1はヒータ、2は反応管、3はキャンプ、4は引き出
し棒、5は引き出し棒を通すだめの穴、6は排気口、7
は反応ガス入口である。このような構造の反応管は。
洗浄の際に反応ガス入口が破損してしまったり、ひびが
入って反応ガス系統にガス漏れを生じたりする欠点があ
った。因みに、上記の構造の反応管は特開昭50−39
053号公報に開示されている。
入って反応ガス系統にガス漏れを生じたりする欠点があ
った。因みに、上記の構造の反応管は特開昭50−39
053号公報に開示されている。
本発明の目的は、このような欠点のない反応装置を提供
することにある。
することにある。
以下、本願発明の実施例を第2図を用いて説明する。
第2図において11は石英ガラス反応管12を挿入した
り引出したりすることのできる穴を有する基板である。
り引出したりすることのできる穴を有する基板である。
基板11には取付リング13がねじ14によって取付け
られている。取付リング13は基板11とほぼ対応する
貫通穴を形成するとともに、基板11とは反対側に反応
管12を装着するための段付部な形成し、また外周部に
は反応ガス入口16が形成されている。反応ガス入口1
6に連通するガス通路17は一旦半径方向中心側に向っ
て延じてから軸方向に基板11とは反対側に抜けている
。反応管12の輻射熱防止用冷却水パイプ18.19も
取付リング13の外周部に取付けられている。基板11
1C取付リング13を取付けた状態で取付リング13お
よび基板11の貫通穴内に反応管12を挿入し、その7
ランク部12aを取付リング13の上記段付部に係合さ
せ、その上から接続リング21を被せてこれを取付リン
グ13にねじ止めする。このねじ止めは、基板11に対
する取付リング13のねじ止めと同様にして行うことが
できる。接続リング21には取付リング13のガス通路
17に連通ずるガス通路22が形成されているが、この
ガス通路22は軸方向に貫通でろ通路部分とこれに連通
して半径方向中心側に抜ける通路部分とから成っている
。このガス通路22の軸方向に貫通する通路部分の開放
端部はキャップ23によって閉塞されている。キャップ
23の接続リング21への取付けはねじ24によりて行
われる。
られている。取付リング13は基板11とほぼ対応する
貫通穴を形成するとともに、基板11とは反対側に反応
管12を装着するための段付部な形成し、また外周部に
は反応ガス入口16が形成されている。反応ガス入口1
6に連通するガス通路17は一旦半径方向中心側に向っ
て延じてから軸方向に基板11とは反対側に抜けている
。反応管12の輻射熱防止用冷却水パイプ18.19も
取付リング13の外周部に取付けられている。基板11
1C取付リング13を取付けた状態で取付リング13お
よび基板11の貫通穴内に反応管12を挿入し、その7
ランク部12aを取付リング13の上記段付部に係合さ
せ、その上から接続リング21を被せてこれを取付リン
グ13にねじ止めする。このねじ止めは、基板11に対
する取付リング13のねじ止めと同様にして行うことが
できる。接続リング21には取付リング13のガス通路
17に連通ずるガス通路22が形成されているが、この
ガス通路22は軸方向に貫通でろ通路部分とこれに連通
して半径方向中心側に抜ける通路部分とから成っている
。このガス通路22の軸方向に貫通する通路部分の開放
端部はキャップ23によって閉塞されている。キャップ
23の接続リング21への取付けはねじ24によりて行
われる。
接続リング21と反応管12の7ランク部12aとの当
接部はシールリング26の取付げにより気密が保たれ、
またガス通路17および22に関して、取付リング13
と接続リング21との当接部はシールリング27の助け
により、さらに接続リング21とキャップ23との当接
部はシールリング28の助けにより、それぞれ気密が保
たれている。
接部はシールリング26の取付げにより気密が保たれ、
またガス通路17および22に関して、取付リング13
と接続リング21との当接部はシールリング27の助け
により、さらに接続リング21とキャップ23との当接
部はシールリング28の助けにより、それぞれ気密が保
たれている。
接続リング21には反応管12の内径とほぼ等しい内径
の軸方向貫通穴があけられているが、この貫通穴は反応
管内に被反応物を入れるためのもので被反応物を入れる
時以外はキャップ29で閉塞されている。この接続リン
グの貫通穴部の下側には、被反応物を反応管内に入れる
時、接続リングと接触して汚れが発生でるのを防止する
ため半円筒形の石英ガラス受台32が設けられている。
の軸方向貫通穴があけられているが、この貫通穴は反応
管内に被反応物を入れるためのもので被反応物を入れる
時以外はキャップ29で閉塞されている。この接続リン
グの貫通穴部の下側には、被反応物を反応管内に入れる
時、接続リングと接触して汚れが発生でるのを防止する
ため半円筒形の石英ガラス受台32が設けられている。
そしてこのキャンプ29と接続リング21とは反応管内
を真空ポンプより低圧にでる事により反応管内と大気圧
の圧力差及びシールリング31の助けを借りて気密にさ
れている。
を真空ポンプより低圧にでる事により反応管内と大気圧
の圧力差及びシールリング31の助けを借りて気密にさ
れている。
本願発明によれば、反応ガス入口が反応管とは別になっ
ているため、反応管洗浄の際に反応ガス入口が破損した
り、ひびが入ったりすることはない。
ているため、反応管洗浄の際に反応ガス入口が破損した
り、ひびが入ったりすることはない。
また、反応管洗浄の際に反応管の取扱いか容易である。
第1図は従来の反応装置を示す縦断面図であり、第2図
は本発明の反応装置の縦断面図である。 符号の説明 1・・・ヒータ、2・・・反応管、3・・・キャップ、
4・・・引き出し棒、5・・・引き出し棒を通すための
穴、6・・・排気口、7・・・反応ガス入口、11・・
・基板、12、、、FY、、yう7 、If:; 、−
: テ、: 、Ciケ’l ;、、 、”、、 :
C反応ガス入口、17・・・ガス通路、18.19・・
・冷却水パイプ、21・・・接続リング、22・・・ガ
ス通路、26.27.28.31・・・シールリング、
23゜29・・・キャップ。 第 1 図 第 2 図
は本発明の反応装置の縦断面図である。 符号の説明 1・・・ヒータ、2・・・反応管、3・・・キャップ、
4・・・引き出し棒、5・・・引き出し棒を通すための
穴、6・・・排気口、7・・・反応ガス入口、11・・
・基板、12、、、FY、、yう7 、If:; 、−
: テ、: 、Ciケ’l ;、、 、”、、 :
C反応ガス入口、17・・・ガス通路、18.19・・
・冷却水パイプ、21・・・接続リング、22・・・ガ
ス通路、26.27.28.31・・・シールリング、
23゜29・・・キャップ。 第 1 図 第 2 図
Claims (1)
- 1、反応管と、前記反応管端部に接続されて反応管と連
通されるべき貫通穴を有し前記貫通穴から外部に通じる
通路を有するリングとを有する反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12600585A JPS6127624A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12600585A JPS6127624A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 反応装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14649676A Division JPS5371567A (en) | 1976-12-08 | 1976-12-08 | Reaction equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6127624A true JPS6127624A (ja) | 1986-02-07 |
Family
ID=14924368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12600585A Pending JPS6127624A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02109065U (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP12600585A patent/JPS6127624A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02109065U (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 |
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