JPS6127638A - 薄膜加工方法 - Google Patents
薄膜加工方法Info
- Publication number
- JPS6127638A JPS6127638A JP14891884A JP14891884A JPS6127638A JP S6127638 A JPS6127638 A JP S6127638A JP 14891884 A JP14891884 A JP 14891884A JP 14891884 A JP14891884 A JP 14891884A JP S6127638 A JPS6127638 A JP S6127638A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- patterns
- thin
- forming
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
- H10P76/20—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
- H10P76/202—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials for lift-off processes
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体、金属、誘電体等で構成される基板上に
薄膜パターンを形成する方法に関する。
薄膜パターンを形成する方法に関する。
基板上に薄膜パターンを形成する１方法に、リフトオフ
法が知られている。本方法は、写真喰刻法を用いてパタ
ーン化されたフォトレジスト等のマスク材料が形成され
た基板上に薄膜を形成し、しかる後、マスク材料を除去
することにより、マスク材料上に形成された薄膜をも除
去し、薄膜ノくターンを形成する方法である。本方法の
特徴は薄膜パターンの寸法が７オトレジスト等のマスク
材料の寸法にのみ依存するため、フォトレジストマスク
を用いて全面的に形成された薄膜をエツチングし、薄膜
パターンを形成する通常のパターン形成方法に比べて寸
法精度が高いことである。
法が知られている。本方法は、写真喰刻法を用いてパタ
ーン化されたフォトレジスト等のマスク材料が形成され
た基板上に薄膜を形成し、しかる後、マスク材料を除去
することにより、マスク材料上に形成された薄膜をも除
去し、薄膜ノくターンを形成する方法である。本方法の
特徴は薄膜パターンの寸法が７オトレジスト等のマスク
材料の寸法にのみ依存するため、フォトレジストマスク
を用いて全面的に形成された薄膜をエツチングし、薄膜
パターンを形成する通常のパターン形成方法に比べて寸
法精度が高いことである。
第２図に、従来のリフトオフ法の工程を示す。第２図（
ａ）に写真喰刻法全用いてバターニングしたフォトレジ
スト等のマスク用第１の薄膜２０２が形成されたシリコ
ン、金属、セラミックス等の基板２０１ を示す。
ａ）に写真喰刻法全用いてバターニングしたフォトレジ
スト等のマスク用第１の薄膜２０２が形成されたシリコ
ン、金属、セラミックス等の基板２０１ を示す。
第２図（ｂ）に、第２図（ａｔの表面に真空蒸着法等を
用いて第２の薄膜２０４，２０４．’ ２０５および
２０５′ を形成した構造を示す。
用いて第２の薄膜２０４，２０４．’ ２０５および
２０５′ を形成した構造を示す。
次に、第１の薄膜がエツチングでき、しかも第２の薄膜
がエツチングできないエツチング液を用いて２０４Ｍ下
の第１の薄膜を除去し、２０４を剥離する。この結果、
先に開口部２０３，２０３’が設けられていた部分に第
２の薄膜２０５，２０５’が残り、第２図（Ｃ）のよう
に、基板２０１上に第２の薄膜パターンが形成される。
がエツチングできないエツチング液を用いて２０４Ｍ下
の第１の薄膜を除去し、２０４を剥離する。この結果、
先に開口部２０３，２０３’が設けられていた部分に第
２の薄膜２０５，２０５’が残り、第２図（Ｃ）のよう
に、基板２０１上に第２の薄膜パターンが形成される。
一例としてセラミック基板ｆ：２０１ に、シラグレー
社のＡＺ−１４５０Ｊ フォトレジストを第１の薄膜
に、金膜を第２の薄膜に使用し、エツチング液にアセト
ンやシラプレー社の１１’１２Ａ剥離液を使用すれば、
セラミック基板に金パターンを形成できる。この方法で
は、第１の薄膜２０２を除去する時、エツチング液が２
０４ と２０５の境界からのみ浸透する。従って、基板
上に形成される薄膜パターンの面積に比べて十分に小さ
い場合、２０２をエツチングするのに長時開裂する欠点
−７Ｅおる。このエツチング液間を短縮する目的で超音
波をかけながらエツチングする方法もよく用いられるが
、この場合、第２の薄膜と基板の接着力が弱いと、２０
５ も剥離してしまうことがある。
社のＡＺ−１４５０Ｊ フォトレジストを第１の薄膜
に、金膜を第２の薄膜に使用し、エツチング液にアセト
ンやシラプレー社の１１’１２Ａ剥離液を使用すれば、
セラミック基板に金パターンを形成できる。この方法で
は、第１の薄膜２０２を除去する時、エツチング液が２
０４ と２０５の境界からのみ浸透する。従って、基板
上に形成される薄膜パターンの面積に比べて十分に小さ
い場合、２０２をエツチングするのに長時開裂する欠点
−７Ｅおる。このエツチング液間を短縮する目的で超音
波をかけながらエツチングする方法もよく用いられるが
、この場合、第２の薄膜と基板の接着力が弱いと、２０
５ も剥離してしまうことがある。
本発明の目的は上に述べた従来のリフトオＩフ法の欠点
を除去することである。
を除去することである。
本発明は基板表面上に第１の薄膜を形成し、該第１の薄
膜に写真喰刻法を用いて第１の薄膜を貫通する少なくと
も１つ以上の開ロＳｔ−設け、次に開口部をもつ第１の
薄膜か形成されている基板上に第２の薄膜を形成した後
、第２の薄膜のエツチングに耐える 材料４用いて、少なくとも前記第１の薄膜の開口部に形
成されている第２の薄膜を保護するマスクパターンを形
成し、しかる後、該マスクツくターンを用いて第２の薄
膜をエツチングし、最後に：第１の薄膜およびマスクパ
ターンを除去することにより、基板上にパターン化され
た第２の薄膜を形成することを特徴とする薄膜加工方法
２である。
膜に写真喰刻法を用いて第１の薄膜を貫通する少なくと
も１つ以上の開ロＳｔ−設け、次に開口部をもつ第１の
薄膜か形成されている基板上に第２の薄膜を形成した後
、第２の薄膜のエツチングに耐える 材料４用いて、少なくとも前記第１の薄膜の開口部に形
成されている第２の薄膜を保護するマスクパターンを形
成し、しかる後、該マスクツくターンを用いて第２の薄
膜をエツチングし、最後に：第１の薄膜およびマスクパ
ターンを除去することにより、基板上にパターン化され
た第２の薄膜を形成することを特徴とする薄膜加工方法
２である。
以下、図面を用いながら本発明の実施例を詳細に説明す
る。第１図は、本発明による製造工程の流れを示したも
のである。
る。第１図は、本発明による製造工程の流れを示したも
のである。
第１図（ａ）は、半導体、金属、絶縁物等の基板１０１
０表面に一様に形成されたフォトレジスト等の第１の薄
膜１０２に写真喰刻法を用いて開口部１０３゜１０３′
を設けた断面図である。
０表面に一様に形成されたフォトレジスト等の第１の薄
膜１０２に写真喰刻法を用いて開口部１０３゜１０３′
を設けた断面図である。
次に第１図（ｂｌに示すように表面に、金等の第２の薄
膜を真空蒸着法等を用いて形成する。ここで、１０２上
に形成される第２の薄膜を１０４、開口部１０３．１０
３’ に形成される第２の薄膜をそれぞれ１０５，１
０５’ とする。
膜を真空蒸着法等を用いて形成する。ここで、１０２上
に形成される第２の薄膜を１０４、開口部１０３．１０
３’ に形成される第２の薄膜をそれぞれ１０５，１
０５’ とする。
次に、フォトレジスト等の第３の薄膜を全面に形成し、
この後該第３の薄膜を写真喰刻法によりパターニングし
第１図（Ｃ１に示されているような１０５゜１０５′を
完全に覆うマスクパターン１．０６，１０６’を形成す
る。
この後該第３の薄膜を写真喰刻法によりパターニングし
第１図（Ｃ１に示されているような１０５゜１０５′を
完全に覆うマスクパターン１．０６，１０６’を形成す
る。
次に、１０６，１０６’をマスクとして第２の薄膜１０
４をエツチングすることにより第１図（ｄ）を得る。１
０４が金膜の場合のエツチング液としては王水やヨウ素
系エッチャントがある。
４をエツチングすることにより第１図（ｄ）を得る。１
０４が金膜の場合のエツチング液としては王水やヨウ素
系エッチャントがある。
最後に１０６． Ｈ１６’ および１０２をフォト
レジスト剥離液を用いて除去することにより、１０７も
剥離され、第１図ｔｅｌに示されているように、第２の
薄膜パターン１０５，１０５’が基板１０１上に形成さ
れる。
レジスト剥離液を用いて除去することにより、１０７も
剥離され、第１図ｔｅｌに示されているように、第２の
薄膜パターン１０５，１０５’が基板１０１上に形成さ
れる。
以上示した実施例では、第１の薄膜および第３の薄膜と
してフォトレジストを一例として示したが、第２の薄膜
のエツチング液に耐える材料であればこれに限らない。
してフォトレジストを一例として示したが、第２の薄膜
のエツチング液に耐える材料であればこれに限らない。
例えば、第２の薄膜が金膜の場合二酸化シリコン膜を第
１および第３の薄膜にフッ酸を第１および第３の薄膜に
使用することもできる。
１および第３の薄膜にフッ酸を第１および第３の薄膜に
使用することもできる。
最後に第２の薄膜として金膜を一例としたが、他の金属
膜、半導体膜あるいは絶縁膜でもかまわない。
膜、半導体膜あるいは絶縁膜でもかまわない。
以上述べたように、本発明を用いれはエツチング時間が
長くなる、あるいは、第２の薄膜パターンの剥離が発生
する可能性がある、等の従来のリフトオフ法の欠点が解
消でき、リフトオフ法の最大のメリットである高精度の
パターン形成が容易になる。
長くなる、あるいは、第２の薄膜パターンの剥離が発生
する可能性がある、等の従来のリフトオフ法の欠点が解
消でき、リフトオフ法の最大のメリットである高精度の
パターン形成が容易になる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明による製造工程の流れを
示した断面図である。１０１ Ｕ、基板、１０２は第１
の薄膜、１０３，１０３’ は第１の薄膜に形成され
た開口部である。１０４ は第１の薄膜上に形成された
第２の薄膜、１０５，１０５’ は開口部１０３．１
０３’に１０４ と同時に形成された第２の薄膜である
。また、１０６，１０６／ はパターン化された第３
の薄膜である。 第２図は（ａ）〜（Ｃ１、従来まで用いられているリフ
トオフ法を用いたパターン形成工程の流れを示す断面図
である。２０１は基板、２０２は第１の薄膜、２０３，
２０３’は第１の薄膜に形成された開口部である。また
２０４．２０５，２０５’ は第２の薄膜でおる。 第２図
示した断面図である。１０１ Ｕ、基板、１０２は第１
の薄膜、１０３，１０３’ は第１の薄膜に形成され
た開口部である。１０４ は第１の薄膜上に形成された
第２の薄膜、１０５，１０５’ は開口部１０３．１
０３’に１０４ と同時に形成された第２の薄膜である
。また、１０６，１０６／ はパターン化された第３
の薄膜である。 第２図は（ａ）〜（Ｃ１、従来まで用いられているリフ
トオフ法を用いたパターン形成工程の流れを示す断面図
である。２０１は基板、２０２は第１の薄膜、２０３，
２０３’は第１の薄膜に形成された開口部である。また
２０４．２０５，２０５’ は第２の薄膜でおる。 第２図
Claims (1)
- 基板表面上に第１の薄膜を形成し、該第１の薄膜に写真
喰刻法を用いて第１の薄膜を貫通する少なくとも１つの
開口部を設け、次に開口部をもつ第１の薄膜が形成され
ている基板上に第２の薄膜を形成した後、第２の薄膜の
エッチングに耐える材料を用いて、少なくとも前記第１
の薄膜の開口部に形成されている第２の薄膜を保護する
マスクパターンを形成し、しかる後、該マスクパターン
を用いて第２の薄膜をエッチングし、最後に、第１の薄
膜およびマスクパターンを除去することにより、基板上
にパターン化された第２の薄膜を形成することを特徴と
する薄膜加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14891884A JPS6127638A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 薄膜加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14891884A JPS6127638A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 薄膜加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6127638A true JPS6127638A (ja) | 1986-02-07 |
| JPH0544827B2 JPH0544827B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=15463568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14891884A Granted JPS6127638A (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | 薄膜加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6127638A (ja) |
-
1984
- 1984-07-18 JP JP14891884A patent/JPS6127638A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544827B2 (ja) | 1993-07-07 |
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