JPH02202030A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02202030A JPH02202030A JP1022952A JP2295289A JPH02202030A JP H02202030 A JPH02202030 A JP H02202030A JP 1022952 A JP1022952 A JP 1022952A JP 2295289 A JP2295289 A JP 2295289A JP H02202030 A JPH02202030 A JP H02202030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic material
- layer
- material layer
- metallic layer
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体及び集積回路等の製造方法に関し、特
に、電極金属の微小配線を精度よく形成する技術に関す
るものである。
に、電極金属の微小配線を精度よく形成する技術に関す
るものである。
従来の技術
従来、この種の電極形成技術としては、−船釣に真空中
における蒸着法、スパッタ法等により電極金属層を形成
し、しかるのちに感光性樹脂を使用して所望のパターン
を形成していた。
における蒸着法、スパッタ法等により電極金属層を形成
し、しかるのちに感光性樹脂を使用して所望のパターン
を形成していた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述した従来の方法は、配線間隔が狭く
なれば、金属層をパターンニングする為に施す紫外線感
光樹脂膜の解像度の問題から金属配線間で金属が接触す
るいわゆる短絡を生ぜしめ、特性不良となる場合があっ
た。この傾向は配線間隔が狭くなればなるほど発生頻度
は高くなる。
なれば、金属層をパターンニングする為に施す紫外線感
光樹脂膜の解像度の問題から金属配線間で金属が接触す
るいわゆる短絡を生ぜしめ、特性不良となる場合があっ
た。この傾向は配線間隔が狭くなればなるほど発生頻度
は高くなる。
この課題を解決するために、従来は紫外線光量を弱くし
たり感光樹脂膜厚を薄くするなどの方法を検討してきた
。しかるに、光量不足に起因する樹脂の重合不十分、膜
厚が薄い為に生じる樹脂のピンホール等、パターンニン
グ不具合が多発するという欠点があった。
たり感光樹脂膜厚を薄くするなどの方法を検討してきた
。しかるに、光量不足に起因する樹脂の重合不十分、膜
厚が薄い為に生じる樹脂のピンホール等、パターンニン
グ不具合が多発するという欠点があった。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消し、精度良く金属層の微小パターンの配線を可能
とした半導体装置の新規な製造方法を提供することにあ
る。
従って本発明の目的は、従来の技術に内在する上記欠点
を解消し、精度良く金属層の微小パターンの配線を可能
とした半導体装置の新規な製造方法を提供することにあ
る。
発明の従来技術に対する相違点
上述した従来技術の方法では、金属層に微小パターンを
形成する場合には配線間短絡及びピンホール等による金
属層の破壊が発生し１歩留り低下の原因となった。これ
に対して本発明は、金属層をパターンニングして配線を
形成すると同時に、その間にさらに配線を可能とし、上
記欠点を解決するという相違点を有する。
形成する場合には配線間短絡及びピンホール等による金
属層の破壊が発生し１歩留り低下の原因となった。これ
に対して本発明は、金属層をパターンニングして配線を
形成すると同時に、その間にさらに配線を可能とし、上
記欠点を解決するという相違点を有する。
課題を解決するための手段
前記目的を達成する為に、本発明に係る半導体装置の製
造方法は、金属層に感光性樹脂を塗布し、これをパター
ンニングし、さらに、有機物質層を形成した後にこれを
パターンニングし、所望の配線を形成するためのエツチ
ングをする。その後、前記金属層、フォトレジスト層及
び有機物質層等の上から金属層を形成し、不要領域の金
属層及びフォトレジスト層、有機物質層を除去すること
を特徴としている。
造方法は、金属層に感光性樹脂を塗布し、これをパター
ンニングし、さらに、有機物質層を形成した後にこれを
パターンニングし、所望の配線を形成するためのエツチ
ングをする。その後、前記金属層、フォトレジスト層及
び有機物質層等の上から金属層を形成し、不要領域の金
属層及びフォトレジスト層、有機物質層を除去すること
を特徴としている。
この場合、第１の金属配線に対し、第２の金属配線はセ
ルファラインされており第１の金属層に対し等間隔の位
置になる。従って、微小配線を精度良くパターンニング
することを可能ならしめる特徴を有している。
ルファラインされており第１の金属層に対し等間隔の位
置になる。従って、微小配線を精度良くパターンニング
することを可能ならしめる特徴を有している。
実施例
次に本発明をその好ましい各実施例について図面を参照
して具体的に説明する。
して具体的に説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程を示す断面図であり、（ａ）は完成された断面
を示す。
めの工程を示す断面図であり、（ａ）は完成された断面
を示す。
第１図（ａ）〜（ｆ）を参照するに、第１図（ｂ）に示
すように半導体基板１に第１の金属層２（本実施例では
アルミニウム層を２μ）を形成し１次に第１の有機物質
層３（本実施例ではポジタイプフォトレジスト０ＦＰＲ
８００を使用）を形成したのちにこれをパターンニング
する。
すように半導体基板１に第１の金属層２（本実施例では
アルミニウム層を２μ）を形成し１次に第１の有機物質
層３（本実施例ではポジタイプフォトレジスト０ＦＰＲ
８００を使用）を形成したのちにこれをパターンニング
する。
次いで第１図（ｃ）に示すように、第２の有機物質層４
を（本実施例ではポリイミド樹脂ＰＩＸを使用）を形成
し、さらに第３の有機物質層５（本実施例ではネガタイ
プフォトレジスト使用）を形成し、続いて第１ＵＡ（ｄ
）に示すごとく、これを第１の開口領域３′を含む領域
を窓開け（開口部５゛）する。
を（本実施例ではポリイミド樹脂ＰＩＸを使用）を形成
し、さらに第３の有機物質層５（本実施例ではネガタイ
プフォトレジスト使用）を形成し、続いて第１ＵＡ（ｄ
）に示すごとく、これを第１の開口領域３′を含む領域
を窓開け（開口部５゛）する。
次にこの有機物質層をマスキングとして該有機物質層４
を除去しく本実施例では酸素グラズマを用いて約１５分
間実施）、第１の金属層２を露出させる０次にこの金属
層２を除去する。
を除去しく本実施例では酸素グラズマを用いて約１５分
間実施）、第１の金属層２を露出させる０次にこの金属
層２を除去する。
本実施例ではリン酸系のエッチャントを使用し、６０℃
で１５分間実施した。これにより第１の金属層２は横方
向にもエツチングされ、第１図（ｅ）に示す空間５″が
形成される。
で１５分間実施した。これにより第１の金属層２は横方
向にもエツチングされ、第１図（ｅ）に示す空間５″が
形成される。
次に再度金属層２′を形成（本実施例ではアルミニウム
層を２μ形成）し、しかるのちに前記有機物質層３．４
，５及び金属層２′を有機溶剤中に浸し、綿花或いは超
音波をかけてｌｆｌ［的に不要部を除去する。これによ
り完成したものが第１図（ａ）である。
層を２μ形成）し、しかるのちに前記有機物質層３．４
，５及び金属層２′を有機溶剤中に浸し、綿花或いは超
音波をかけてｌｆｌ［的に不要部を除去する。これによ
り完成したものが第１図（ａ）である。
次に本発明による他の実施例について説明するに、第１
図（ｃ）に示す様に、半導体基板ｌに第１の金属層２を
形成し、さらに第１の有機物質層３を形成したのちに第
２の有機物質層４を形成する場合に、上記実施例では、
ポリイミド樹脂を使用したが、この代わりに感光性ポリ
イミドを使用しても良い。
図（ｃ）に示す様に、半導体基板ｌに第１の金属層２を
形成し、さらに第１の有機物質層３を形成したのちに第
２の有機物質層４を形成する場合に、上記実施例では、
ポリイミド樹脂を使用したが、この代わりに感光性ポリ
イミドを使用しても良い。
この場合には、直接１選択的に所望部の窓開けが可能で
あり、上記実施例で示した場合よりも工程が短くなる利
点がある。
あり、上記実施例で示した場合よりも工程が短くなる利
点がある。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、半導体基板に配線
間隔の短い電極金属層をパターンニングする場合におい
て予め形成した金属配線間に、セルフアライメント方式
でさらに配線を形成することにより、精度良く微小パタ
ーンの配線を可能ならしめる効果が得られる。
間隔の短い電極金属層をパターンニングする場合におい
て予め形成した金属配線間に、セルフアライメント方式
でさらに配線を形成することにより、精度良く微小パタ
ーンの配線を可能ならしめる効果が得られる。
第１図（ａ）〜（「）は本発明の一実施例を説明するた
めに示した断面図である。 １・・・半導体基板、２．２′・・・第１及び第２の金
属層（アルミニウム層）、３．３’・・・第１の有機物
質層（ポジ型フオトレジス１−）ａＬ”開口部、４・・
・第２の有機物質層（ポリイミド樹脂）、５゜５′、５
″・・・第３の有ｅｌｌ物質層（ネガ型フォトレジスト
）及び開口部
めに示した断面図である。 １・・・半導体基板、２．２′・・・第１及び第２の金
属層（アルミニウム層）、３．３’・・・第１の有機物
質層（ポジ型フオトレジス１−）ａＬ”開口部、４・・
・第２の有機物質層（ポリイミド樹脂）、５゜５′、５
″・・・第３の有ｅｌｌ物質層（ネガ型フォトレジスト
）及び開口部
Claims (1)
- 半導体基板上に第１の金属層を形成する工程と該第１の
金属層上に第１の有機物質層を形成する工程と、さらに
前記第１とは異なった第２の有機物質層を形成する工程
と、これをパターンニングし所望の窓開けをする工程と
、前記第１の金属層を横方向に除去する工程と、しかる
のちに第２の金属層を形成する工程と、前記第１及び第
２の有機物質層を除去する工程とからなり、前記第１及
び第２の金属層を精度良く形成することを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1022952A JPH02202030A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1022952A JPH02202030A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202030A true JPH02202030A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12096950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1022952A Pending JPH02202030A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202030A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5474956A (en) * | 1995-03-14 | 1995-12-12 | Hughes Aircraft Company | Method of fabricating metallized substrates using an organic etch block layer |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1022952A patent/JPH02202030A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5474956A (en) * | 1995-03-14 | 1995-12-12 | Hughes Aircraft Company | Method of fabricating metallized substrates using an organic etch block layer |
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