JPS60108841A - 感光性耐熱材料 - Google Patents
感光性耐熱材料Info
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- JPS60108841A JPS60108841A JP58218208A JP21820883A JPS60108841A JP S60108841 A JPS60108841 A JP S60108841A JP 58218208 A JP58218208 A JP 58218208A JP 21820883 A JP21820883 A JP 21820883A JP S60108841 A JPS60108841 A JP S60108841A
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- Japan
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- polysiloxane
- organoladder
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は新規な感光性耐熱材料に閃する。
従来、半導体の製造において、固体素子の絶縁層やパッ
シベーション層は、たとえば酸化ケイ素などの無機材料
がＯＶＤ法などによって形成され、使用されているが、
平滑性が劣るため厚い層を形成する必要がある。それゆ
え、無機利料と比較して応力が低く、平滑性が良好で、
かつ純度が高いなどの点で優れた高分子材料を、固体素
子の絶縁層やパッシベーション層として使用する技術が
開発され、一部の半導体素子の製造に実用化されてきて
いる。これらの用途に用いる高分子材料としては、グイ
ボンディングなどの作業工程上、耐熱性が良好なことが
要求され、耐熱性の良好な高分子材料を使用する必要が
あり、通常耐熱性に優れたポリイミド樹脂やオルガノラ
ダーポリシロキサンなどの熱硬化性樹脂が検討されてき
ている。
シベーション層は、たとえば酸化ケイ素などの無機材料
がＯＶＤ法などによって形成され、使用されているが、
平滑性が劣るため厚い層を形成する必要がある。それゆ
え、無機利料と比較して応力が低く、平滑性が良好で、
かつ純度が高いなどの点で優れた高分子材料を、固体素
子の絶縁層やパッシベーション層として使用する技術が
開発され、一部の半導体素子の製造に実用化されてきて
いる。これらの用途に用いる高分子材料としては、グイ
ボンディングなどの作業工程上、耐熱性が良好なことが
要求され、耐熱性の良好な高分子材料を使用する必要が
あり、通常耐熱性に優れたポリイミド樹脂やオルガノラ
ダーポリシロキサンなどの熱硬化性樹脂が検討されてき
ている。
熱硬化性樹脂を固体素子の絶縁層やパッシベーション層
として利用するばあい、上下の導体層の通風部や外部リ
ード線との接続のためのスルーホール孔などの微細加工
をほどこす工程が必要メなるが、一般にはフォトレジス
トをマスクとして使用した熱硬化性樹脂の化学エツチン
グ処理により行なわれている。したがって、上記工程に
おける熱硬化性樹脂のパターン化には、フォトレジスト
の塗布や剥離などの工程が必要とされ、プロセス自体が
非常に煩雑りものとなる（特公昭５１−４４８７１号、
特開昭５６−４２５８５５号、同５６−１２５８５６号
および同５６−１２５８５７号の各公報）。
として利用するばあい、上下の導体層の通風部や外部リ
ード線との接続のためのスルーホール孔などの微細加工
をほどこす工程が必要メなるが、一般にはフォトレジス
トをマスクとして使用した熱硬化性樹脂の化学エツチン
グ処理により行なわれている。したがって、上記工程に
おける熱硬化性樹脂のパターン化には、フォトレジスト
の塗布や剥離などの工程が必要とされ、プロセス自体が
非常に煩雑りものとなる（特公昭５１−４４８７１号、
特開昭５６−４２５８５５号、同５６−１２５８５６号
および同５６−１２５８５７号の各公報）。
本発明の目的は前記プロセスの簡略化をはかるため、直
接光で微細加工可能な耐熱材料を提供することにあり、
一般式（１）： （式中、ｎは２〜１００の整数、Ｒ工はフェニル基また
はメチル基、エチル基、プロピル基などの低級アルキル
基を表わす）で示されるオルガノラダーポリシロキサン
と一般式（２）： ％式％（２） （式中、Ｘは水素原子、メチル基、エチル基またはフェ
ニル基、ｍは０〜４の整数、Ｒ２、Ｒ３はメチル基、エ
チル基、プロピル基などの低級アルキル基、ｔは１〜６
の整数である）で示される不飽和化合物とを有機溶媒中
で反応させてえられるオルガノラダーポリシロキサンお
よび一般式（８）：（式中、Ｒ４はメチル基、エチル基
、プロピル基など低級アルキル基、ｐおよびｒはそれぞ
れ１〜６の整数を表わす）で示される両末端にメルカプ
トアルキル基を有するシロキサンオリゴマーからなる感
光性耐熱拐料に関する。
接光で微細加工可能な耐熱材料を提供することにあり、
一般式（１）： （式中、ｎは２〜１００の整数、Ｒ工はフェニル基また
はメチル基、エチル基、プロピル基などの低級アルキル
基を表わす）で示されるオルガノラダーポリシロキサン
と一般式（２）： ％式％（２） （式中、Ｘは水素原子、メチル基、エチル基またはフェ
ニル基、ｍは０〜４の整数、Ｒ２、Ｒ３はメチル基、エ
チル基、プロピル基などの低級アルキル基、ｔは１〜６
の整数である）で示される不飽和化合物とを有機溶媒中
で反応させてえられるオルガノラダーポリシロキサンお
よび一般式（８）：（式中、Ｒ４はメチル基、エチル基
、プロピル基など低級アルキル基、ｐおよびｒはそれぞ
れ１〜６の整数を表わす）で示される両末端にメルカプ
トアルキル基を有するシロキサンオリゴマーからなる感
光性耐熱拐料に関する。
本発明に用いるオルガノラダーポリシロキサンは、前記
一般式（１）で示される末端とドブキシラダー型オルガ
ノポリシロキサンであり、重合度は２〜１０口、好まし
くは５〜２０である。該ラダー構造を有するオルガノラ
ダーポリシロキサンはきわめて耐熱性がすぐれているが
、該重合度が２未満になるとオルガノラダーポリシロキ
サンとはならず、耐熱性に劣り、１００をこえると該オ
ルガノラダーポリシロキサンを用いて製造したシリコー
ン化合物の架橋点が少なくなり、重合性が劣る。該重合
度が５〜２０のばあいには、耐熱性に優れ、かつ光重合
性に優れたシリコーン化合物かえられる。
一般式（１）で示される末端とドブキシラダー型オルガ
ノポリシロキサンであり、重合度は２〜１０口、好まし
くは５〜２０である。該ラダー構造を有するオルガノラ
ダーポリシロキサンはきわめて耐熱性がすぐれているが
、該重合度が２未満になるとオルガノラダーポリシロキ
サンとはならず、耐熱性に劣り、１００をこえると該オ
ルガノラダーポリシロキサンを用いて製造したシリコー
ン化合物の架橋点が少なくなり、重合性が劣る。該重合
度が５〜２０のばあいには、耐熱性に優れ、かつ光重合
性に優れたシリコーン化合物かえられる。
一般式（１）で示される化合物は、たとえばフェニル基
またはアルキル基を有するトリクロロシランを公知の方
法によって加水分解し、さらに水酸化カリウム、カルボ
ジイミド類、りｐクギ酸エステル類などの縮合触媒を必
要に応じて用い、任意の分子量を有するものが合成され
る。
またはアルキル基を有するトリクロロシランを公知の方
法によって加水分解し、さらに水酸化カリウム、カルボ
ジイミド類、りｐクギ酸エステル類などの縮合触媒を必
要に応じて用い、任意の分子量を有するものが合成され
る。
本発明に用いる一般式（２）で示される不飽和化合物は
、化合物中に一般式（４）： ％式％（４） （式中、Ｘ、ｍは前記と同じ）で示される感光基と、一
般式（５）： ％式％（５） （式中、Ｒ２、Ｒ３，７Ｓｎは前記と同じ）で示される
アルコキシシラノ基を有する化合物である。
、化合物中に一般式（４）： ％式％（４） （式中、Ｘ、ｍは前記と同じ）で示される感光基と、一
般式（５）： ％式％（５） （式中、Ｒ２、Ｒ３，７Ｓｎは前記と同じ）で示される
アルコキシシラノ基を有する化合物である。
一般式（４）で示される感光基における又としては、水
素原子、メチル基、エチル基またはフェニル基などが製
造されたシリコーン化合物の光重合性の点から好ましく
、ｍとしては０〜４であることが耐熱性の点から好まし
い。
素原子、メチル基、エチル基またはフェニル基などが製
造されたシリコーン化合物の光重合性の点から好ましく
、ｍとしては０〜４であることが耐熱性の点から好まし
い。
一方、一般式（５）で示されるアルコキシシラ７基にお
けるＲ２、Ｒ３としてはメチル基、エチル基、プロピル
基などの低級アルキル基であることが、脱アルコール反
応性などの点から好ましく、！としては該アルコキシシ
ラ７基が一般式（８）で示される感光基と結合し、アル
コキシシラ７基であるために１〜６であることが必要で
ある。
けるＲ２、Ｒ３としてはメチル基、エチル基、プロピル
基などの低級アルキル基であることが、脱アルコール反
応性などの点から好ましく、！としては該アルコキシシ
ラ７基が一般式（８）で示される感光基と結合し、アル
コキシシラ７基であるために１〜６であることが必要で
ある。
一般式（２）で示される不飽和化合物としては、たとえ
ばビニルメトキシシラン、ビニルエトキシシラン、ビニ
ルプロポキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、
ビニルメチルジェトキシシラン、アリルメトキシシラン
、アリルエトキシシランなどがあげられるが、これらに
限定されるものではない。
ばビニルメトキシシラン、ビニルエトキシシラン、ビニ
ルプロポキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、
ビニルメチルジェトキシシラン、アリルメトキシシラン
、アリルエトキシシランなどがあげられるが、これらに
限定されるものではない。
本発明において、一般式（１）で示されるオルガノラダ
ーポリシロキサンと一般式（２）で示される不飽和化合
物との反応により、光重合性ラダーボリシ四キサンが製
造される。すなわち、たとえばオルガノラダーポリシロ
キサンの水酸基１個に対し、不飽和化合物のアルコキシ
基１〜３個の割合でオルガノラダーポリシロキサンと不
飽和化合物とを混合し、反応を促進させるための触媒な
どを添加し、５０〜１３０°０程度の温度で５〜２０時
間加熱攪拌して水酸基とアルコキシシラノ基との間で脱
アルコール反応させ、シリコーン化合物が製造される。
ーポリシロキサンと一般式（２）で示される不飽和化合
物との反応により、光重合性ラダーボリシ四キサンが製
造される。すなわち、たとえばオルガノラダーポリシロ
キサンの水酸基１個に対し、不飽和化合物のアルコキシ
基１〜３個の割合でオルガノラダーポリシロキサンと不
飽和化合物とを混合し、反応を促進させるための触媒な
どを添加し、５０〜１３０°０程度の温度で５〜２０時
間加熱攪拌して水酸基とアルコキシシラノ基との間で脱
アルコール反応させ、シリコーン化合物が製造される。
前記反応において使用される触媒としては、硫酸、リン
酸、酸化アルミニウム、オルソチタン酸イソプロピルエ
ステルなどを使用することができる。該触媒の使用量は
、オルガノラダーポリシロキサン１００部（重量部、以
下同様）に対し０．０１〜５部であることが好ましい。
酸、酸化アルミニウム、オルソチタン酸イソプロピルエ
ステルなどを使用することができる。該触媒の使用量は
、オルガノラダーポリシロキサン１００部（重量部、以
下同様）に対し０．０１〜５部であることが好ましい。
本発明に用いるオルガノラダーポリシロキサンは通常固
体状であるため、前記脱アルコール反応には溶剤を使用
することが好ましい。そのような溶剤としては、メチル
エチルケトン、メチルインブチルケトンなどのケトン系
溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化
水素系溶剤またはＮ−メチルピロリドンなどがあげられ
るが、これらに限定されるものではない。
体状であるため、前記脱アルコール反応には溶剤を使用
することが好ましい。そのような溶剤としては、メチル
エチルケトン、メチルインブチルケトンなどのケトン系
溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化
水素系溶剤またはＮ−メチルピロリドンなどがあげられ
るが、これらに限定されるものではない。
前記一般式（１３）におけるｐ、ｒとしては１〜６であ
ることかえられた被膜の耐熱性の点から好ましい。一般
式（８）で示される両末端にメルカプトアルキル基を有
するシロキサンオリゴマーは、たとえば１モルのオルガ
ノジハロゲノシラン類と２モルのメルカプトアルキルモ
ノハロゲノシラン類とを従来から知られている方法によ
り共加水分解して製造される。
ることかえられた被膜の耐熱性の点から好ましい。一般
式（８）で示される両末端にメルカプトアルキル基を有
するシロキサンオリゴマーは、たとえば１モルのオルガ
ノジハロゲノシラン類と２モルのメルカプトアルキルモ
ノハロゲノシラン類とを従来から知られている方法によ
り共加水分解して製造される。
本発明の感光性耐熱材料は前記反応性シリコーン化合物
１当量に対し、感光性架橋剤である一般式（３）で示さ
れる両末端にメルカプトアルキル基を有するシロキサン
オリゴマーを０．５〜１．５当量混合することにより調
製される。該シロキサンオリゴマーの混合量が０．５当
量未満になると、該混合物を架橋させても充分架橋しな
くなり、１．５当景をこえると、えられた硬化物の熱安
定性が低下する０ たとえば本発明の感光性耐熱材料をそのまま基板に塗布
し、露光すると、鮮明なレリーフッぜターンをうること
ができるが、該耐熱材料に対して０．０１〜１０重量％
光増感剤を添加すると感光性が著しく増加する。
１当量に対し、感光性架橋剤である一般式（３）で示さ
れる両末端にメルカプトアルキル基を有するシロキサン
オリゴマーを０．５〜１．５当量混合することにより調
製される。該シロキサンオリゴマーの混合量が０．５当
量未満になると、該混合物を架橋させても充分架橋しな
くなり、１．５当景をこえると、えられた硬化物の熱安
定性が低下する０ たとえば本発明の感光性耐熱材料をそのまま基板に塗布
し、露光すると、鮮明なレリーフッぜターンをうること
ができるが、該耐熱材料に対して０．０１〜１０重量％
光増感剤を添加すると感光性が著しく増加する。
前記光増感剤としては、たとえばベンゾフェノン、ベン
ゾイン、ベンゾインイソプロピルエーテル、アセトフェ
ノン、チオキサントン、アントラキノンなどがあげられ
るが、これらに限定されるものではない。これらの光増
感剤は単独で用いてもよく、２種以上混合して用いても
よい。
ゾイン、ベンゾインイソプロピルエーテル、アセトフェ
ノン、チオキサントン、アントラキノンなどがあげられ
るが、これらに限定されるものではない。これらの光増
感剤は単独で用いてもよく、２種以上混合して用いても
よい。
本発明の感光性耐熱材料を、ガラス板またはシリコンウ
ェハ上などにスピンナーを用いた回転塗布などにより塗
布し、５０〜９００Ｃでプレキュア後、所定のパターン
を有するマスクを通して光または放射線を照射し、つい
でメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどの
ケトン系溶剤またはベンゼン、トルエン、キシレンなど
の芳香族炭化水素系溶剤などにより現像すると、未露光
部は洗い流され、端面のシャープなレリーフパターンを
うろことができる。えられたレリーフパターンをさらに
１５０〜４００°Ｃで熱処理すると耐熱性、耐薬品性、
電気的性質などに優れた良好なパターンを有する硬化物
をうろことができる。
ェハ上などにスピンナーを用いた回転塗布などにより塗
布し、５０〜９００Ｃでプレキュア後、所定のパターン
を有するマスクを通して光または放射線を照射し、つい
でメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどの
ケトン系溶剤またはベンゼン、トルエン、キシレンなど
の芳香族炭化水素系溶剤などにより現像すると、未露光
部は洗い流され、端面のシャープなレリーフパターンを
うろことができる。えられたレリーフパターンをさらに
１５０〜４００°Ｃで熱処理すると耐熱性、耐薬品性、
電気的性質などに優れた良好なパターンを有する硬化物
をうろことができる。
本発明の感光性耐熱材料は、半導体のパッシベーション
層、絶縁層または磁気ヘッドの絶縁層などとして有用で
あるばかりでなく、プリント回路の半田レジスト、高耐
熱性のフォトレジスト、リフトオフ材などへの適用も可
能である。
層、絶縁層または磁気ヘッドの絶縁層などとして有用で
あるばかりでなく、プリント回路の半田レジスト、高耐
熱性のフォトレジスト、リフトオフ材などへの適用も可
能である。
つぎに本発明の感光性耐熱材料を実施例にもとづき説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
製造例１
（末端ヒドロキシラダー型オルガノポリシロキサンの合
成）フェニルトリクロロシラン（ａ６ａ５ｓｔｏｚ３）
１０５．８２（０，５モル）をメチルイソブチルケト
ン２００ｍｊに溶解した溶液を、攪拌器および温度計を
取付け、水浴で冷却中の２１の４つロフラスコに入れた
１１のイオン交換水に、攪拌下、徐々に滴下し、加水分
解を行なった。該滴下中、反応温度を１０°０以下に保
持し、滴下終了までに４時間要した。そののち室温にも
どし、さらに６０分間攪拌し、加水分解反応を完結させ
た。
成）フェニルトリクロロシラン（ａ６ａ５ｓｔｏｚ３）
１０５．８２（０，５モル）をメチルイソブチルケト
ン２００ｍｊに溶解した溶液を、攪拌器および温度計を
取付け、水浴で冷却中の２１の４つロフラスコに入れた
１１のイオン交換水に、攪拌下、徐々に滴下し、加水分
解を行なった。該滴下中、反応温度を１０°０以下に保
持し、滴下終了までに４時間要した。そののち室温にも
どし、さらに６０分間攪拌し、加水分解反応を完結させ
た。
攪拌停止後、２層に分離した反応液からケトン層を分取
したのち、イオン交換水で中性になるまで数回水洗した
。該溶液から溶媒を除失し、減圧乾燥間中で１５０°Ｃ
×１時間乾燥させ、白色粉末５５、をえた。
したのち、イオン交換水で中性になるまで数回水洗した
。該溶液から溶媒を除失し、減圧乾燥間中で１５０°Ｃ
×１時間乾燥させ、白色粉末５５、をえた。
えられた白色粉末をＩＲスペクトル分析したところ、り
４００ＱＩＩｌ にＯＨの吸収、さらにジャーナル・オ
ブ・ポリマー・サイエンス（Ｊ、ＰＯ１μ、８ａＬ、
）、Ｏ−１巻、８６頁（１９６３）に記載されているよ
うなＳｉ ７０− Ｓｉの逆対称伸縮振動にヅ６１属さ
れる吸収が１１３５ ａｍ”および１０４５面一１゛に
観測された。これらの結果からえられた白色粉末が一般
式（１）に示す末端ヒドロキシラダー型ポリシロキサン
であることを確認した。また該粉末は溶融温度９０°０
１分子量約１５００（ｎ＝６）であった。
４００ＱＩＩｌ にＯＨの吸収、さらにジャーナル・オ
ブ・ポリマー・サイエンス（Ｊ、ＰＯ１μ、８ａＬ、
）、Ｏ−１巻、８６頁（１９６３）に記載されているよ
うなＳｉ ７０− Ｓｉの逆対称伸縮振動にヅ６１属さ
れる吸収が１１３５ ａｍ”および１０４５面一１゛に
観測された。これらの結果からえられた白色粉末が一般
式（１）に示す末端ヒドロキシラダー型ポリシロキサン
であることを確認した。また該粉末は溶融温度９０°０
１分子量約１５００（ｎ＝６）であった。
製造例２
（末端ヒドロキシラダー型オルガノボリシ四キサンの合
成）還流冷却管、攪拌器および温度計を取付けた３つロ
フラスコに製造例１でえられた白色粉末１０ｇおよびキ
シレン６０ｍ／を入れ、溶解して均一にしたのち、縮合
触媒としてクロロギ酸エチル０．４．を加え溶解し、１
６０°０×５時間反応させた。反応終了後、反応混合物
を放冷し、１０倍量（容量）のメタノール中にそそいで
ポリマーを析出させ、分取後減圧乾燥した（収量９．）
。
成）還流冷却管、攪拌器および温度計を取付けた３つロ
フラスコに製造例１でえられた白色粉末１０ｇおよびキ
シレン６０ｍ／を入れ、溶解して均一にしたのち、縮合
触媒としてクロロギ酸エチル０．４．を加え溶解し、１
６０°０×５時間反応させた。反応終了後、反応混合物
を放冷し、１０倍量（容量）のメタノール中にそそいで
ポリマーを析出させ、分取後減圧乾燥した（収量９．）
。
えられたポリマーを工Ｒスペクトル分析したところ、３
４００ｃｍ”−１にＯＨの吸収、また１１３５ａｍ−１
および１０４５６ｍ−１にＳｉ −０−Ｓｉの逆対称伸
縮振動に帰属される吸収が観測された。これらの結果か
らえられた列ポリマーは末端ヒドロキシラダーポリシロ
キサンであることを確認した。またえられたポリマーの
分子量は約６０００ （ｎ＝ １２ ）であった。
４００ｃｍ”−１にＯＨの吸収、また１１３５ａｍ−１
および１０４５６ｍ−１にＳｉ −０−Ｓｉの逆対称伸
縮振動に帰属される吸収が観測された。これらの結果か
らえられた列ポリマーは末端ヒドロキシラダーポリシロ
キサンであることを確認した。またえられたポリマーの
分子量は約６０００ （ｎ＝ １２ ）であった。
製造例６
製造例１でえられた末端ヒドロキシフェニルラターホリ
シロキサン６０９、ビニルエトキシシラン１５．２９お
よびトルエン５０りを３つロフラスコに入れ、攪拌器、
温度計、還流冷却器を取付け、約１１００Ｃで１０時間
攪拌し、反応させた。反応終了後、トルエンを減圧蒸留
により除去し、白色粉末をえた。収率は９５％であった
。
シロキサン６０９、ビニルエトキシシラン１５．２９お
よびトルエン５０りを３つロフラスコに入れ、攪拌器、
温度計、還流冷却器を取付け、約１１００Ｃで１０時間
攪拌し、反応させた。反応終了後、トルエンを減圧蒸留
により除去し、白色粉末をえた。収率は９５％であった
。
えられた白色粉末（シリコーン化合物）の工Ｒスペクト
ル分析を行なったところ、原料の末端ヒドロキシフェニ
ルラダー型ボリシ四キサンと比較して３４００ ａｍ−
１のＯＨによる吸収は減少し、あらたしこビニル基によ
る１２７０ ａｍ−’の吸収が認められた。
ル分析を行なったところ、原料の末端ヒドロキシフェニ
ルラダー型ボリシ四キサンと比較して３４００ ａｍ−
１のＯＨによる吸収は減少し、あらたしこビニル基によ
る１２７０ ａｍ−’の吸収が認められた。
製造例４
製造例２でえられた末端ヒドロキシフェニルラダーポリ
シロキサン６０り、ビニルエトキシシラン７．６．およ
びトルエン５０．を製造例６と同様の装置を用いて約１
１０８０×１０時間反応させたのち、１０倍量のメタノ
ールに注ぎ、白色沈殿をえた。収率番１９２％であった
。
シロキサン６０り、ビニルエトキシシラン７．６．およ
びトルエン５０．を製造例６と同様の装置を用いて約１
１０８０×１０時間反応させたのち、１０倍量のメタノ
ールに注ぎ、白色沈殿をえた。収率番１９２％であった
。
えられた白色沈殿（シリコーン化合物）の工Ｒスペクト
ル分析を行なったところ、原料の末端ヒドロキシフェニ
ルラダー型ポリシロキサンと比較して３４００ｃｍ−１
のＯＨによる吸収は減少し、あらたにビニル基による１
２７００ｍ−’の吸収がみとめられた。
ル分析を行なったところ、原料の末端ヒドロキシフェニ
ルラダー型ポリシロキサンと比較して３４００ｃｍ−１
のＯＨによる吸収は減少し、あらたにビニル基による１
２７００ｍ−’の吸収がみとめられた。
製造例５
製造例２でえられた末端ヒト四キシフェニルラダーポリ
シロキサン６０ｇ、アリルエトキシシラン８．２．およ
びトルエン５０．を製造例３と同様にして約１１０’０
Ｘ１０時間反応させたのち、１０倍量のメタノールに注
ぎ、白色沈殿をえた。収率は９２％であった。
シロキサン６０ｇ、アリルエトキシシラン８．２．およ
びトルエン５０．を製造例３と同様にして約１１０’０
Ｘ１０時間反応させたのち、１０倍量のメタノールに注
ぎ、白色沈殿をえた。収率は９２％であった。
えられた白色沈殿（シリコーン化合物）の工Ｒスペクト
ル分析を行なったところ、原料の末端ヒト四キシフェニ
ルラダー型ポリシロキサンと比較して５４００ｃｍ−１
のＯＨによる吸収は減少し、あらたにアリル基による１
６２０ ａｍ−１の吸収がみとめられた。
ル分析を行なったところ、原料の末端ヒト四キシフェニ
ルラダー型ポリシロキサンと比較して５４００ｃｍ−１
のＯＨによる吸収は減少し、あらたにアリル基による１
６２０ ａｍ−１の吸収がみとめられた。
製造例６
（０層ω位にメルカプトアルキル基を有するシロキサン
オリゴマーの合成） 攪拌器、温度計を取付けた２／４つロフラスコにイオン
交換水１１を入れ、水浴で冷却した。このフラスコ中ヘ
メルカブトメチルジメチルクロロシラン（Ｒ町５１（ａ
Ｈ３）２ａｌ） ７０．４〆０．５モル）およびジエチ
ルエーテル２００ｍＡからなる溶液を、滴下漏斗を用い
て徐々に滴下し、加水分解を行なった。反応中、温度を
１０°０以下にたもぢ、滴下に４時間要した。そののち
室温にもどし、さらに６０分間攪拌をつづけ、反応を完
結させた。
オリゴマーの合成） 攪拌器、温度計を取付けた２／４つロフラスコにイオン
交換水１１を入れ、水浴で冷却した。このフラスコ中ヘ
メルカブトメチルジメチルクロロシラン（Ｒ町５１（ａ
Ｈ３）２ａｌ） ７０．４〆０．５モル）およびジエチ
ルエーテル２００ｍＡからなる溶液を、滴下漏斗を用い
て徐々に滴下し、加水分解を行なった。反応中、温度を
１０°０以下にたもぢ、滴下に４時間要した。そののち
室温にもどし、さらに６０分間攪拌をつづけ、反応を完
結させた。
反応終了後、２層に分離した反応液からエーテル層を分
取し、イオン交換水で中性になるまで数回水洗し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、エーテルを留失し、反応物５
０．をえた。
取し、イオン交換水で中性になるまで数回水洗し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、エーテルを留失し、反応物５
０．をえた。
製造例７
（０層ω位にメルカプトアルキル基を有するシロキサン
オリゴマーの合成） 滴下したエーテル溶液をメルカプトメチルジメチルクロ
ロシラン３５．２ｇ（０，２５モル）、ジメチルジクロ
ロシラン（Ｓｉ（ＯＨ３）２０／２） １６．２． （
０，１２５モル）およびジエチルエーテル１５層ｍｌか
らなる溶液にした以外は製造例６と同様にして、反応物
６５．をえた０ 実施例１ 第１表に示すシリコーン化合物、０層ω位にメルカプト
アルキル基を有するシロキサンオリゴマーおよび光増感
剤をトルエン７０りに溶ＪＷ Ｌ 、スピナーを用いて
アルミニウム板上に均一に塗布し、６０°０で６０分間
乾燥さぜたのち（膜厚約１ｐｍ ） 、所定のマスクを
通して低圧水銀灯を用い、距離５００ｍで第１表に示す
時間照射した。照射後、メチルイソブチルケトンに６０
〜１２０秒浸漬し、パターンを形成させた。
オリゴマーの合成） 滴下したエーテル溶液をメルカプトメチルジメチルクロ
ロシラン３５．２ｇ（０，２５モル）、ジメチルジクロ
ロシラン（Ｓｉ（ＯＨ３）２０／２） １６．２． （
０，１２５モル）およびジエチルエーテル１５層ｍｌか
らなる溶液にした以外は製造例６と同様にして、反応物
６５．をえた０ 実施例１ 第１表に示すシリコーン化合物、０層ω位にメルカプト
アルキル基を有するシロキサンオリゴマーおよび光増感
剤をトルエン７０りに溶ＪＷ Ｌ 、スピナーを用いて
アルミニウム板上に均一に塗布し、６０°０で６０分間
乾燥さぜたのち（膜厚約１ｐｍ ） 、所定のマスクを
通して低圧水銀灯を用い、距離５００ｍで第１表に示す
時間照射した。照射後、メチルイソブチルケトンに６０
〜１２０秒浸漬し、パターンを形成させた。
えられたパターンの状βとを観察したのち、該試料を１
５０°Ｃ×６０分間、さらに４００°０×３０分間熱処
理し、パターンのぼやけおよび基板との密着性を測定し
た。またえられた硬化物の熱重量測定（チッ素雰囲気下
、昇温速度１０°Ｃ／分）を行なった。
５０°Ｃ×６０分間、さらに４００°０×３０分間熱処
理し、パターンのぼやけおよび基板との密着性を測定し
た。またえられた硬化物の熱重量測定（チッ素雰囲気下
、昇温速度１０°Ｃ／分）を行なった。
また感光性耐熱材料（溶剤を含む）の室温暗室下、３力
月後の保存安定性を測定した。その結果を第１表に示す
。
月後の保存安定性を測定した。その結果を第１表に示す
。
なお熱処理後のパターンのぼやけは走査型電子顕微鏡の
観察により判定し、ぼやけがないばあいを良、熱処理後
のパターンを形成した被膜と基板との密着性は被膜にナ
イフを用いて１ｍｍ角の傷を基盤目状につけ、スコッチ
テープを用いたビーリングにより判定し、はがれないば
あいを良、保存安定性は保存後実施例と同様の方法によ
りパターニング性を測定し、製造直後のものと差のない
ばあいを良として判定した。
観察により判定し、ぼやけがないばあいを良、熱処理後
のパターンを形成した被膜と基板との密着性は被膜にナ
イフを用いて１ｍｍ角の傷を基盤目状につけ、スコッチ
テープを用いたビーリングにより判定し、はがれないば
あいを良、保存安定性は保存後実施例と同様の方法によ
りパターニング性を測定し、製造直後のものと差のない
ばあいを良として判定した。
本発明の感光性耐熱材料を用いることにより、パターン
化された耐熱性を有する硬化膜を形成することができ、
半導体製造プロセスの簡略化を可能とすることができる
。
化された耐熱性を有する硬化膜を形成することができ、
半導体製造プロセスの簡略化を可能とすることができる
。
代理人 大岩増）ｉｔ （ほか２名）
Claims (1)
- （１）一般式（１）： （式中、ｎは２〜１００の整数、Ｒ工はフェニル基また
はメチル基、エチル基、プロピル基などの低級アルキル
基を表わす）で示されるオルガノラダーポリシロキサン
と一般式（２）： ％式％（２） （式中、Ｘは水素原子、メチル基、エチル基またはフェ
ニル基、ｍは０〜４の整数、Ｒ２、Ｒ３はメチル基、エ
チル系、プロピル基などの低級アルキル基、ｌは１〜６
の整数である）で示される不飽和化合物とを有機溶媒中
で反応させてえられるオルガノラダーポリシロキサンお
よび一般式（Ｓ）：（式中、Ｒ４はメチル基、エチル基
、プロピル基などの低級アルキル基、ｐおよびｒはそれ
ぞれ１〜乙の整数を表わす）で示される両末端にメルカ
プトアルキル基を有するシロキサンオリゴマーからなる
感光性耐熱材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58218208A JPS60108841A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 感光性耐熱材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58218208A JPS60108841A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 感光性耐熱材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60108841A true JPS60108841A (ja) | 1985-06-14 |
Family
ID=16716310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58218208A Pending JPS60108841A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | 感光性耐熱材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60108841A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6476046A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Fujitsu Ltd | Pattern forming material |
| JPS6478248A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Shinetsu Chemical Co | Photosensitive resin composition for screen printing |
| JPS6480943A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Shinetsu Chemical Co | Aqueous dispersion of photosensitive resin for screen printing |
| JPS6482032A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Shinetsu Chemical Co | Photosensitive resin composition for screen printing |
| JPS6488445A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Shinetsu Chemical Co | Aqueous solution of photosensitive resin for screen printing process |
| JPH01113749A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スクリーン印刷用感光性樹脂水性液 |
| JPH01142720A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Toray Silicone Co Ltd | 高エネルギー線硬化性組成物およびレジスト組成物 |
-
1983
- 1983-11-18 JP JP58218208A patent/JPS60108841A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6476046A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Fujitsu Ltd | Pattern forming material |
| JPS6478248A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Shinetsu Chemical Co | Photosensitive resin composition for screen printing |
| JPS6480943A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Shinetsu Chemical Co | Aqueous dispersion of photosensitive resin for screen printing |
| JPS6482032A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Shinetsu Chemical Co | Photosensitive resin composition for screen printing |
| JPS6488445A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Shinetsu Chemical Co | Aqueous solution of photosensitive resin for screen printing process |
| JPH01113749A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | スクリーン印刷用感光性樹脂水性液 |
| JPH01142720A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Toray Silicone Co Ltd | 高エネルギー線硬化性組成物およびレジスト組成物 |
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