JPS61279082A - 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 - Google Patents
遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法Info
- Publication number
- JPS61279082A JPS61279082A JP11976885A JP11976885A JPS61279082A JP S61279082 A JPS61279082 A JP S61279082A JP 11976885 A JP11976885 A JP 11976885A JP 11976885 A JP11976885 A JP 11976885A JP S61279082 A JPS61279082 A JP S61279082A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、遠赤外線ヒーター並にその製造法に関する。
（従来の技術）
従来、遠赤外線ヒーターとしては、（ａ） ニクロム＃
！ヲ金属管内に酸化マグネシウムなどの絶縁物粉末を介
して封入すると共に該金属管の表面に、周期律表の第２
、第３周期に属する１種以上の酸化物と第４、第５周期
に属する１種以上の酸化物との混合物で形成した赤外線
放射体を被覆したもの（ｂ）シースヒーターにアルミニ
ウム板を被着させ、アルミニウム板上に前記の金属酸化
物粉末をプラズマ溶射させたものがある。
！ヲ金属管内に酸化マグネシウムなどの絶縁物粉末を介
して封入すると共に該金属管の表面に、周期律表の第２
、第３周期に属する１種以上の酸化物と第４、第５周期
に属する１種以上の酸化物との混合物で形成した赤外線
放射体を被覆したもの（ｂ）シースヒーターにアルミニ
ウム板を被着させ、アルミニウム板上に前記の金属酸化
物粉末をプラズマ溶射させたものがある。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来の遠赤外線ヒーターは、いづれも、遠赤外線の
波長のうち熱作用の大きい４〜２５μ島の範囲でその放
射量が小さい。而も（ａ）の形式のものは、その製造に
おける組立て作業が複雑で作業能率が悪く、製造コスト
が増大し又その製品として、金属管と金属酸化物層との
間で剥離し易く、又（ｂ）の製品も（＆）と同様に、プ
ラズマ溶射層とアルミニウム板との間で剥離現象を生じ
易い等の欠点がある。
波長のうち熱作用の大きい４〜２５μ島の範囲でその放
射量が小さい。而も（ａ）の形式のものは、その製造に
おける組立て作業が複雑で作業能率が悪く、製造コスト
が増大し又その製品として、金属管と金属酸化物層との
間で剥離し易く、又（ｂ）の製品も（＆）と同様に、プ
ラズマ溶射層とアルミニウム板との間で剥離現象を生じ
易い等の欠点がある。
Ｃ問題点を解決するための手段）
本発明は、従来の遠赤外線ヒーターの上記問題点全解決
し、製造が容易で且つ構成が簡単で而もセラミック成形
体に強固に密着した発熱抵抗体としての導電性薄膜を有
し、特に４〜２５μ角の波長帯域において就中６〜１５
μ島の範囲に最大の放射量のピークをもつ優れた遠赤外
線ヒーターとその製造法を提供するものである。
し、製造が容易で且つ構成が簡単で而もセラミック成形
体に強固に密着した発熱抵抗体としての導電性薄膜を有
し、特に４〜２５μ角の波長帯域において就中６〜１５
μ島の範囲に最大の放射量のピークをもつ優れた遠赤外
線ヒーターとその製造法を提供するものである。
即ち本発明の遠赤外線ヒーターは、セラミック成形体の
表面に、酸化インジウム又はこれに少量の酸化スズの混
入したものを主成分とする焼成薄膜を１体に有して成る
。
表面に、酸化インジウム又はこれに少量の酸化スズの混
入したものを主成分とする焼成薄膜を１体に有して成る
。
更に、本発明の上記遠赤外線ヒーターの製造法は、セラ
ミック成形体を加熱した表面に、インジウムハロゲン化
物の溶液又はこれにスズハロゲン化物をドープした溶液
を均一に付着させると共に短時間でこれを加熱加水分解
して酸化インジウム又はこれに少量の酸化スズの混入し
た混合酸化物金主体とする焼成薄膜を１体に生成せしめ
ることを特徴とする。
ミック成形体を加熱した表面に、インジウムハロゲン化
物の溶液又はこれにスズハロゲン化物をドープした溶液
を均一に付着させると共に短時間でこれを加熱加水分解
して酸化インジウム又はこれに少量の酸化スズの混入し
た混合酸化物金主体とする焼成薄膜を１体に生成せしめ
ることを特徴とする。
（実施例）
次に本発明の実施例につき説明する。
セラミック材としては、従来公知のセラミック・、材を
使用できるが、好ましくは、酸化アルミニウム（アルミ
ナＡｌｔＯｓ）、酸化ジルコニウム（ジルコニアｚｒｏ
ｌ）の単独、又はこれを主成分とするセラミック材を使
用する。本発明によれば、か−るセラミック材の成形体
、例えば板状の成形体を電気炉などにより加熱し、その
加熱した表面に、インジウムハロゲン化物、単独又はこ
れにスズハロゲン化物を少量混合したものを水又はアル
コールなどの有機溶剤に溶かし、一般にその濃度は約１
〜１．５％程度の範囲内とし、その溶液を噴霧や塗布な
どでその全面に均一に付着させ数ミクロン〜数百オング
ストロームの薄膜を形成する。
使用できるが、好ましくは、酸化アルミニウム（アルミ
ナＡｌｔＯｓ）、酸化ジルコニウム（ジルコニアｚｒｏ
ｌ）の単独、又はこれを主成分とするセラミック材を使
用する。本発明によれば、か−るセラミック材の成形体
、例えば板状の成形体を電気炉などにより加熱し、その
加熱した表面に、インジウムハロゲン化物、単独又はこ
れにスズハロゲン化物を少量混合したものを水又はアル
コールなどの有機溶剤に溶かし、一般にその濃度は約１
〜１．５％程度の範囲内とし、その溶液を噴霧や塗布な
どでその全面に均一に付着させ数ミクロン〜数百オング
ストロームの薄膜を形成する。
この場合の加熱成形体の湿度は、か＼るハロゲン化イン
ジウムやこれに混入したハロゲン化物ズが付着と同時に
直ちに加水分解反応を起こす加熱温度とする。多くの実
験結果によれば、少くとも約４００℃、好ましくは４５
０”Ｃ程度以上に加熱することにより直ちに加水分解反
応をおこしその結果の焼成膜は、所要の発熱体として得
られることが判った。この場合、その溶液の付着は特に
スプレー法がよい。尚焼成膜は、発熱抵抗体として数十
０７口 〜数百Ω１０ ｅもつものとなり、特に、好ま
しい数百Ω１０の発熱抵抗体とするためには、成形体の
加熱温度を４５０℃程度以上とする。尚、インジウムハ
ロゲン化物としては、例えば工ｎ０１３．工ｒＸＯ１３
・４Ｈ！。
ジウムやこれに混入したハロゲン化物ズが付着と同時に
直ちに加水分解反応を起こす加熱温度とする。多くの実
験結果によれば、少くとも約４００℃、好ましくは４５
０”Ｃ程度以上に加熱することにより直ちに加水分解反
応をおこしその結果の焼成膜は、所要の発熱体として得
られることが判った。この場合、その溶液の付着は特に
スプレー法がよい。尚焼成膜は、発熱抵抗体として数十
０７口 〜数百Ω１０ ｅもつものとなり、特に、好ま
しい数百Ω１０の発熱抵抗体とするためには、成形体の
加熱温度を４５０℃程度以上とする。尚、インジウムハ
ロゲン化物としては、例えば工ｎ０１３．工ｒＸＯ１３
・４Ｈ！。
の塩化インジウム、ドーパントであるスズハロケン化物
トシテ、例；Ｃ−ハＦ３ｎ０１４ 、５ｎ０４ ・ｎＨ
２０の塩化スズを使用し、その加熱加水分解反応により
酸化インジウムＬ ｎ！０３又はこれに少量の酸化スズ
を混入した混合物を主体とした数ミクロン〜数百オング
ストロームの透明な焼成膜が該成形体の表面に強固に密
着した安定堅牢な遠赤外線ヒーターを得られる。
トシテ、例；Ｃ−ハＦ３ｎ０１４ 、５ｎ０４ ・ｎＨ
２０の塩化スズを使用し、その加熱加水分解反応により
酸化インジウムＬ ｎ！０３又はこれに少量の酸化スズ
を混入した混合物を主体とした数ミクロン〜数百オング
ストロームの透明な焼成膜が該成形体の表面に強固に密
着した安定堅牢な遠赤外線ヒーターを得られる。
その具体的な実施例につき次に説明する。
成分Ａ４０ｓ９６％の１５０Ｘ１５０Ｘ３ （厚さ）の
板状アルミナ成形体を電気炉にて５５０℃に加熱し、加
熱炉から取り出した５５０℃の加熱成形体の表面に、水
に工ｎｏｌ、を適量溶解し１％含有の溶液をつくり、又
これにドーパントとして５ｎＯｌをＳｎ／工！１１％の
割合で添加したＩｎＣｌ′ｌｒ：主成分とする溶液全つ
くり、これをエアスプレーガンで吹付空気圧１ｋｇ／ｃ
ＩＩで均一に噴霧した。
板状アルミナ成形体を電気炉にて５５０℃に加熱し、加
熱炉から取り出した５５０℃の加熱成形体の表面に、水
に工ｎｏｌ、を適量溶解し１％含有の溶液をつくり、又
これにドーパントとして５ｎＯｌをＳｎ／工！１１％の
割合で添加したＩｎＣｌ′ｌｒ：主成分とする溶液全つ
くり、これをエアスプレーガンで吹付空気圧１ｋｇ／ｃ
ＩＩで均一に噴霧した。
この時の吹付量はユ０１ｓ ｍａｌ肩とした。この噴霧
と同時にその加熱加水分解反応が起こり、最終的に酸化
インジウムを主体とした抵抗値１００〜３００Ω／口
の範囲の焼成膜が、該成形体の表面に強固に結着密着し
た遠赤外線ヒーターが得られた。
と同時にその加熱加水分解反応が起こり、最終的に酸化
インジウムを主体とした抵抗値１００〜３００Ω／口
の範囲の焼成膜が、該成形体の表面に強固に結着密着し
た遠赤外線ヒーターが得られた。
このようにして得られた本発明ヒーターの１つにつき、
その成形板の両縁に市販の銀ペーストを焼付けした導電
Ｍｊヲつくり、これに電！！’ｅ接続しこれに導通し遠
赤外線ヒーターとして使用した。この場合、Ａｌ＠ＯＨ
成形体が１５０’Ｃに加熱されたときの赤外線−遠赤外
線の波長とその発生量を測定した結果はｆａ１図示の通
りであった０ これから明らかなように、本発明の遠赤外線ヒーターは
、特に人体に有効な６μ穐〜１５μ鳥程度の範囲にピー
クをもつ遠赤外線の放射量が大きい反面、人体にやけど
を与える近赤外線側でに発生量が小さくなる優れた特性
をもっていることが判る。尚、本発明のヒーターは、導
通より１分以内で１００℃の高温が得られ、従来のヒー
ターが４分程度要するに比し昇温速度が著しく早いこと
が分った。
その成形板の両縁に市販の銀ペーストを焼付けした導電
Ｍｊヲつくり、これに電！！’ｅ接続しこれに導通し遠
赤外線ヒーターとして使用した。この場合、Ａｌ＠ＯＨ
成形体が１５０’Ｃに加熱されたときの赤外線−遠赤外
線の波長とその発生量を測定した結果はｆａ１図示の通
りであった０ これから明らかなように、本発明の遠赤外線ヒーターは
、特に人体に有効な６μ穐〜１５μ鳥程度の範囲にピー
クをもつ遠赤外線の放射量が大きい反面、人体にやけど
を与える近赤外線側でに発生量が小さくなる優れた特性
をもっていることが判る。尚、本発明のヒーターは、導
通より１分以内で１００℃の高温が得られ、従来のヒー
ターが４分程度要するに比し昇温速度が著しく早いこと
が分った。
本発明の該焼成膜の組成は、現在、定かでないが、発熱
抵抗体としての導電性を有するので純粋な酸化物でない
ことから判断して、発熱抵抗体になり得る理由は、結晶
構造欠陥による金属インジウム等の金属原子イオン、塩
素イオンが電子供与体及び受容体として働くためと握測
される。
抵抗体としての導電性を有するので純粋な酸化物でない
ことから判断して、発熱抵抗体になり得る理由は、結晶
構造欠陥による金属インジウム等の金属原子イオン、塩
素イオンが電子供与体及び受容体として働くためと握測
される。
ｆａ２図は、ＡＪｔＯ，主成分とするセラミック体に代
え、Ｚｒｏ＊ｔ−主成分とするセラミック体を使用し、
前記と同様にして作成した前記と同じ酸化インジウムを
主体とする焼成膜をもつ本発明ヒーターの遠赤外線放射
特性の図である。このように、セラミック材をＺｒＯバ
ｔえても第１図と略同様の特性曲線が得られた。
え、Ｚｒｏ＊ｔ−主成分とするセラミック体を使用し、
前記と同様にして作成した前記と同じ酸化インジウムを
主体とする焼成膜をもつ本発明ヒーターの遠赤外線放射
特性の図である。このように、セラミック材をＺｒＯバ
ｔえても第１図と略同様の特性曲線が得られた。
第３図は、成形体の加熱温度と吹付量を一定にして得ら
れる焼成膜の電気抵抗値との関係を試験した結果の関係
曲線を示す。これによれば約４００℃以上の加熱温度で
、発熱抵抗体としての導電性焼成膜が得られることが分
る。
れる焼成膜の電気抵抗値との関係を試験した結果の関係
曲線を示す。これによれば約４００℃以上の加熱温度で
、発熱抵抗体としての導電性焼成膜が得られることが分
る。
第４図は、塩化インジウムに対する塩化スズの添加量（
ｚｒ／工！１％）の焼成膜の電気抵抗値との関係を試験
した結果の関係曲線を示す。これによれば、５％程度ま
での添加で好ましい焼成膜が得られることが分る０溶液
の吹付量については、図示しないが、その吹付量が増大
するにつれ、電気抵抗値が低下するが、この場合、加熱
成形体に付着した場合直ちに加熱加水分解が行なわれ焼
成膜となることが必要な少量にと鵞める。
ｚｒ／工！１％）の焼成膜の電気抵抗値との関係を試験
した結果の関係曲線を示す。これによれば、５％程度ま
での添加で好ましい焼成膜が得られることが分る０溶液
の吹付量については、図示しないが、その吹付量が増大
するにつれ、電気抵抗値が低下するが、この場合、加熱
成形体に付着した場合直ちに加熱加水分解が行なわれ焼
成膜となることが必要な少量にと鵞める。
かくして、そのセラミック成形体の加熱温度、塩化スズ
の添加量、吹付量の夫々を適宜コントプールすることに
より種々異なる電気抵抗値をもつ各種の本発明の遠赤外
線ヒーターを製造することができる。
の添加量、吹付量の夫々を適宜コントプールすることに
より種々異なる電気抵抗値をもつ各種の本発明の遠赤外
線ヒーターを製造することができる。
セラミック成形体として、ＰＺＴ、ソーダガラスなどの
任意のセラミック材料が使用できるが、前記の酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウムが好ましい。
任意のセラミック材料が使用できるが、前記の酸化アル
ミニウム、酸化ジルコニウムが好ましい。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、セラミック成形体を加
熱しその加熱面にインジウムハロゲン化物単独の溶液又
はこれにスズハロゲン化物をドーパントとして添加した
溶液を付着させると共にこれを短時間に加熱により加水
分解を行ないその酸化物を主体とする焼成膜としたので
、極めて容易な作業で且つ安価に構成簡単で而も安定竪
牢な効率の良い遠赤外線用ヒーターが得られる効果を有
する。
熱しその加熱面にインジウムハロゲン化物単独の溶液又
はこれにスズハロゲン化物をドーパントとして添加した
溶液を付着させると共にこれを短時間に加熱により加水
分解を行ないその酸化物を主体とする焼成膜としたので
、極めて容易な作業で且つ安価に構成簡単で而も安定竪
牢な効率の良い遠赤外線用ヒーターが得られる効果を有
する。
第１図は本発明製品の遠赤外線放射特性を示すグラフ、
第２図は他の実施例の同様のグラフ、第３図は、成形体
の加熱温度と焼成膜の電気抵抗値との関係曲線、第４図
はＳｎ／工ｎの配合量と焼成膜の電気抵抗値との関係曲
線を示す。 外２名 第１図 第２図 第３図 第４図 Ｓｎ ／ Ｉｎ 昭和 年 月 日
第２図は他の実施例の同様のグラフ、第３図は、成形体
の加熱温度と焼成膜の電気抵抗値との関係曲線、第４図
はＳｎ／工ｎの配合量と焼成膜の電気抵抗値との関係曲
線を示す。 外２名 第１図 第２図 第３図 第４図 Ｓｎ ／ Ｉｎ 昭和 年 月 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミック成形体の表面に、酸化インジウム又はこ
れに少量の酸化スズの混入したものを主成分とする焼成
薄膜を１体に有して成る遠赤外線ヒーター。 ２ セラミック成形体を加熱した表面に、インジウムハ
ロゲン化物の溶液又はこれにスズハロゲン化物をドープ
した溶液を均一に付着させると共に短時間でこれを加熱
加水分解して酸化インジウム又はこれに少量の酸化スズ
の混入した混合酸化物を主体とする焼成薄膜を１体に生
成せしめることを特徴とする遠赤外線ヒーターの製造法
。 ３ 酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、又はこれら
の混合物又はこれらから選んだ少くとも１種を主成分と
するセラミック成形体を約４００℃以上に加熱し、この
加熱温度をもつ表面に該溶液を噴露により均一に付着さ
せると共に短時間でこれを加熱加水分解することを特徴
とする特許請求の範囲（２）項に記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11976885A JPS61279082A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11976885A JPS61279082A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61279082A true JPS61279082A (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=14769711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11976885A Pending JPS61279082A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 遠赤外線ヒ−タ−並にその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61279082A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668959A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | ヒーター |
| JPH0668960A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | ヒーター |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019125A (ja) * | 1973-06-25 | 1975-02-28 | ||
| JPS51108342A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Sharp Kk | Sankainjiumumakuomochiita menjohatsunetsutai |
| JPS5449265A (en) * | 1977-09-27 | 1979-04-18 | Tokyo Shibaura Electric Co | Penetration type heater |
| JPS558796A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-22 | Betton Rene | Device for moving patient to automobile from wheelchair and for moving it to wheelchair from automobile |
| JPS5519183A (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-09 | Tokyo Electric Co Ltd | Toaster with glass heater |
-
1985
- 1985-06-04 JP JP11976885A patent/JPS61279082A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019125A (ja) * | 1973-06-25 | 1975-02-28 | ||
| JPS51108342A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Sharp Kk | Sankainjiumumakuomochiita menjohatsunetsutai |
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| JPS558796A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-22 | Betton Rene | Device for moving patient to automobile from wheelchair and for moving it to wheelchair from automobile |
| JPS5519183A (en) * | 1978-07-31 | 1980-02-09 | Tokyo Electric Co Ltd | Toaster with glass heater |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668959A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | ヒーター |
| JPH0668960A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-11 | Kawai Musical Instr Mfg Co Ltd | ヒーター |
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