JPS61296594A - 磁気バブルメモリ素子の作製方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子の作製方法Info
- Publication number
- JPS61296594A JPS61296594A JP60135894A JP13589485A JPS61296594A JP S61296594 A JPS61296594 A JP S61296594A JP 60135894 A JP60135894 A JP 60135894A JP 13589485 A JP13589485 A JP 13589485A JP S61296594 A JPS61296594 A JP S61296594A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- etching
- bubble
- thin film
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
軟磁性薄膜パターンを用いたバブル転送路と、イオン注
入法により形成したバブル転送路とを有する磁気バブル
メモリ素子の作製方法であって、両転送路のバイアスを
適合させるために軟磁性薄膜転送路を形成する領域のバ
ブル用結晶をエツチングにより薄くする場合、被エツチ
ング部にイオン注入したのちエツチングすることにより
膜厚制御を容易とする。
入法により形成したバブル転送路とを有する磁気バブル
メモリ素子の作製方法であって、両転送路のバイアスを
適合させるために軟磁性薄膜転送路を形成する領域のバ
ブル用結晶をエツチングにより薄くする場合、被エツチ
ング部にイオン注入したのちエツチングすることにより
膜厚制御を容易とする。
本発明は磁気バブルメモリ素子の作製法に関するもので
、さらに詳しく言えば、軟磁性薄膜パターンを用いたバ
ブル転送路とイオン注入法により形成したバブル転送路
とを有する磁気バブルメモリ素子の作製法に関するもの
である。
、さらに詳しく言えば、軟磁性薄膜パターンを用いたバ
ブル転送路とイオン注入法により形成したバブル転送路
とを有する磁気バブルメモリ素子の作製法に関するもの
である。
最近、磁気バブルメモリ装置において、そのバブル転送
路をイオン注入法により形成し記憶密度を高度化する方
法が用いられている。しかしこのイオン注入法によるバ
ブル転送路はその駆動パターンの駆動力が従来の軟磁性
薄膜パターンよりも小さいという欠点があり、比較的強
い駆動力を必要とするファンクションゲートの設計が困
難である。このため、そのような箇所では軟磁性薄膜パ
ターンを用いることが考えられ、イオン注入パタ−ンと
軟磁性薄膜パターンの両方の転送路を有する磁気バブル
メモリ装置が開発されている。
路をイオン注入法により形成し記憶密度を高度化する方
法が用いられている。しかしこのイオン注入法によるバ
ブル転送路はその駆動パターンの駆動力が従来の軟磁性
薄膜パターンよりも小さいという欠点があり、比較的強
い駆動力を必要とするファンクションゲートの設計が困
難である。このため、そのような箇所では軟磁性薄膜パ
ターンを用いることが考えられ、イオン注入パタ−ンと
軟磁性薄膜パターンの両方の転送路を有する磁気バブル
メモリ装置が開発されている。
イオン注入パターンと軟磁性薄膜パターンの両方の転送
路を有する磁気バブルメモリ装置ではイオン注入部と軟
磁性薄膜部とのバイアスマージンがうまく適合しないた
めに、軟磁性薄膜転送路を形成する領域のバブル結晶を
薄くしてバイアスマージンを適合させている。
路を有する磁気バブルメモリ装置ではイオン注入部と軟
磁性薄膜部とのバイアスマージンがうまく適合しないた
めに、軟磁性薄膜転送路を形成する領域のバブル結晶を
薄くしてバイアスマージンを適合させている。
このバブル結晶を薄くする方法としては、その部分をレ
ジスト等をマスクとしてイオンビームエツチング又はケ
ミカルエツチングを行なっている。
ジスト等をマスクとしてイオンビームエツチング又はケ
ミカルエツチングを行なっている。
この従来方法では、イオンビームエツチング、ケミカル
エツチングの双方とも膜厚制御が困難であるという欠点
がある。
エツチングの双方とも膜厚制御が困難であるという欠点
がある。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、節易
な方法で膜厚制御を容易にした磁気バブルメモリ素子の
作製方法を提供することを目的としている。
な方法で膜厚制御を容易にした磁気バブルメモリ素子の
作製方法を提供することを目的としている。
このため本発明においては、軟磁性薄膜パターンを用い
たバブル転送路と、イオン注入法により形成したバブル
転送路とを有し、両転送路のバイアスマージンを適合さ
せるために、バブル用結晶の軟磁性薄膜転送路を形成す
る領域をエツチングにより薄くする磁気バブルメモリ素
子の作製法において、バブル結晶２の被エツチング部３
は、核部にイオン注入した後、エツチング液により除去
することを特徴としている。
たバブル転送路と、イオン注入法により形成したバブル
転送路とを有し、両転送路のバイアスマージンを適合さ
せるために、バブル用結晶の軟磁性薄膜転送路を形成す
る領域をエツチングにより薄くする磁気バブルメモリ素
子の作製法において、バブル結晶２の被エツチング部３
は、核部にイオン注入した後、エツチング液により除去
することを特徴としている。
磁気バブル結晶の軟磁性薄膜転送路を形成する領域をイ
オン注入転送路を゛形成する領域より薄（する場合、軟
磁性薄膜転送路を形成する領域に予めイオン注入してお
くことにより、他よりエツチングレートが大となり、そ
の後のエツチングによる膜厚制御が容易となる。
オン注入転送路を゛形成する領域より薄（する場合、軟
磁性薄膜転送路を形成する領域に予めイオン注入してお
くことにより、他よりエツチングレートが大となり、そ
の後のエツチングによる膜厚制御が容易となる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図であり、ａ
％ ｄ図はその工程を説明するための断面図である。同
図において、１はＧＧＧ基板、２は磁気バブル結晶、３
は被エツチング部、４はマスク、５はイオン、６はイオ
ン注入層をそれぞれ示している。
％ ｄ図はその工程を説明するための断面図である。同
図において、１はＧＧＧ基板、２は磁気バブル結晶、３
は被エツチング部、４はマスク、５はイオン、６はイオ
ン注入層をそれぞれ示している。
第１図により本実施例を説明すると、先ずａ図の如く磁
気バブル結晶２の軟磁性薄膜転送路を形成する領域（被
エツチング部３）にイオン注入を行なうためのマスク４
としてレジスト、 Ｃｕ−Ａｕ等でパターニングする。
気バブル結晶２の軟磁性薄膜転送路を形成する領域（被
エツチング部３）にイオン注入を行なうためのマスク４
としてレジスト、 Ｃｕ−Ａｕ等でパターニングする。
次にｂ図の如くマスク４を形成した磁気バブル結晶２に
イオン５を注入し、イオン注入層６を形成する。なおイ
オン注入はエツチング膜厚に応じてエネルギーを調整し
ておく。
イオン５を注入し、イオン注入層６を形成する。なおイ
オン注入はエツチング膜厚に応じてエネルギーを調整し
ておく。
イオン注入後Ｃ図の如＜ ４Ｊン酸、フッ酸等で化学エ
ツチングを行なう。この場合、磁気バブル結晶２のイオ
ン注入された部分のエツチングレートはイオン注入され
ない部分より大となっており、またマスク４が、この工
程にもマスクとして使用できるので、イオン注入層６だ
けがエツチング除去される。このあとｄ図の如くマスク
４を除去するのである。
ツチングを行なう。この場合、磁気バブル結晶２のイオ
ン注入された部分のエツチングレートはイオン注入され
ない部分より大となっており、またマスク４が、この工
程にもマスクとして使用できるので、イオン注入層６だ
けがエツチング除去される。このあとｄ図の如くマスク
４を除去するのである。
このような本実施例によればイオン注入のエネルギーに
応じた膜厚だけ正確且つ容易にエツチングすることがで
きる。
応じた膜厚だけ正確且つ容易にエツチングすることがで
きる。
以上述べてきたように、本発明によれば、極めて簡易な
方法でバブル結晶の膜厚を正確容易にエツチングするこ
とができ、実用的には極めて有用である。
方法でバブル結晶の膜厚を正確容易にエツチングするこ
とができ、実用的には極めて有用である。
第１図は本発明の詳細な説明するための図である。
・ 第１図において、 １はＧＧＧ基板、 ２は磁気バブル結晶、３は被エ
ツチング部、 ４はマスク、 ５はイオン、 ６はイオン注入層である。
・ 第１図において、 １はＧＧＧ基板、 ２は磁気バブル結晶、３は被エ
ツチング部、 ４はマスク、 ５はイオン、 ６はイオン注入層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、軟磁性薄膜パターンを用いたバブル転送路と、イオ
ン注入法により形成したバブル転送路とを有し、両転送
路のバイアスマージンを適合させるために、バブル用結
晶の軟磁性薄膜転送路を形成する領域をエッチングによ
り薄くする磁気バブルメモリ素子の作製方法において、 バブル用結晶（２）の被エッチング部（３）は、該部に
イオン注入した後、エッチング液により除去することを
特徴とする磁気バブルメモリ素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60135894A JPS61296594A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 磁気バブルメモリ素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60135894A JPS61296594A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 磁気バブルメモリ素子の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61296594A true JPS61296594A (ja) | 1986-12-27 |
Family
ID=15162290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60135894A Pending JPS61296594A (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 磁気バブルメモリ素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61296594A (ja) |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP60135894A patent/JPS61296594A/ja active Pending
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