JPS6130570A - ７―チアプロスタグランジンｅ↓１類 - Google Patents
７―チアプロスタグランジンｅ↓１類Info
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- JPS6130570A JPS6130570A JP15203584A JP15203584A JPS6130570A JP S6130570 A JPS6130570 A JP S6130570A JP 15203584 A JP15203584 A JP 15203584A JP 15203584 A JP15203584 A JP 15203584A JP S6130570 A JPS6130570 A JP S6130570A
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は新規７−チアブロスタグランジンＥ１類および
その製造法に関する。更に詳細には医薬品としておよび
その中間体４−とじて有用な新規７−チアブロスタグラ
ンジンＥｌ類および２−オルガノチオ−２−シクロベン
テノン類に有機銅化合物を共役伺加させ、次いで必要に
応じて脱保饅および／または加水分解および／または塩
生成反応せしめて該アーチアブ戸スタグランジンＥ、類
を製造する方法ならびにアーチアブレスタグランジン玖
類の４，５デヒドロ誘導体を水素添加反応せしめて該７
−チアブースタグランジン＆類を製造する方法に関する
ものである。
その製造法に関する。更に詳細には医薬品としておよび
その中間体４−とじて有用な新規７−チアブロスタグラ
ンジンＥｌ類および２−オルガノチオ−２−シクロベン
テノン類に有機銅化合物を共役伺加させ、次いで必要に
応じて脱保饅および／または加水分解および／または塩
生成反応せしめて該アーチアブ戸スタグランジンＥ、類
を製造する方法ならびにアーチアブレスタグランジン玖
類の４，５デヒドロ誘導体を水素添加反応せしめて該７
−チアブースタグランジン＆類を製造する方法に関する
ものである。
従来技術
天然プロスタグランジン類は生物学的および薬理学的に
高度な活性を持つ局所ホルモンとして知られており、そ
れ故にそれらの誘導体に関する研究も数多く行なわれて
いる。天然プロスタグランジン類の中でもプロスタグラ
ンジンＥ、は強い血小板凝集抑制作用、血管拡張作用等
を有し、臨床への応用が期待さねている。
高度な活性を持つ局所ホルモンとして知られており、そ
れ故にそれらの誘導体に関する研究も数多く行なわれて
いる。天然プロスタグランジン類の中でもプロスタグラ
ンジンＥ、は強い血小板凝集抑制作用、血管拡張作用等
を有し、臨床への応用が期待さねている。
天然プルスタブランジン類、特にＰＧＥ、類の最大の欠
点は、経口投与によって速やかに代謝されるため経口投
与で用いることができず、通常静注により用、いなけれ
ばならない点にある。
点は、経口投与によって速やかに代謝されるため経口投
与で用いることができず、通常静注により用、いなけれ
ばならない点にある。
従来、天然プロスタグランジン類の骨格を形成する炭素
原子の１個又は２個を硫黄原子で置き換えた人ニブロス
タグランジン類の研究も種々性なわれている。
原子の１個又は２個を硫黄原子で置き換えた人ニブロス
タグランジン類の研究も種々性なわれている。
例えば、１位の炭素原子を硫黄原子で置換した骨格を持
つ（従って１位に硫黄原子が存在するのでＩＳを冠して
表示される。以下他の位置が硫黄と置換されたものにつ
いても同様に硫黄の置換位置に相当する番号とＳとを冠
して表示する）ｌＳ−プロスタグランジンＥ、又はＦ、
α類（ジャーナルオプオルガニックケ ミ ス ト
リ − （Ｊ、Ｏｒｇ、Ｃｈｅｍ、）、 ４ ０
、 ５ ２ １（Ｉ９７５）および特開昭５３−
３４７４７）。
つ（従って１位に硫黄原子が存在するのでＩＳを冠して
表示される。以下他の位置が硫黄と置換されたものにつ
いても同様に硫黄の置換位置に相当する番号とＳとを冠
して表示する）ｌＳ−プロスタグランジンＥ、又はＦ、
α類（ジャーナルオプオルガニックケ ミ ス ト
リ − （Ｊ、Ｏｒｇ、Ｃｈｅｍ、）、 ４ ０
、 ５ ２ １（Ｉ９７５）および特開昭５３−
３４７４７）。
３Ｓ−１１−デオキシプロスタグランジンＥ。
（テトラヘドロンレターズ（ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬ
ｅｔｔｅｒｓ ） 、 １９７５ 、７６５およびジャ
ーナルオブメディシナルケミストリ−（Ｊ、Ｍｅｄ。
ｅｔｔｅｒｓ ） 、 １９７５ 、７６５およびジャ
ーナルオブメディシナルケミストリ−（Ｊ、Ｍｅｄ。
Ｃｈｅｍ、）、 ２０ 、１６６２ （Ｉ９７７） ）
、 ７Ｓ−プロスタグランジンＦ１α類（ジャーナル
オブアメリカンケミカルソサイエティ−（Ｊ。
、 ７Ｓ−プロスタグランジンＦ１α類（ジャーナル
オブアメリカンケミカルソサイエティ−（Ｊ。
Ａｍｅｒ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、）、９６．６７５７（Ｉ
９７４））。
９７４））。
９Ｓ−プロスタグランジンＥｌ類（テトラヘドロンレタ
ーズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ ＬｅｔｔｅＭ ） ＋
１９７４．４２６７および４４５９；テトラヘドロンレ
ターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ ）
１９７６．４７９３およびヘテｐサイクルズ（Ｈｅｔｅ
ｒｏｃｙｃｌｅｓ ） 、 ６ ｒ １０９
７（Ｉ９７７））。
ーズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ ＬｅｔｔｅＭ ） ＋
１９７４．４２６７および４４５９；テトラヘドロンレ
ターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ ）
１９７６．４７９３およびヘテｐサイクルズ（Ｈｅｔｅ
ｒｏｃｙｃｌｅｓ ） 、 ６ ｒ １０９
７（Ｉ９７７））。
１１８−プロスタグランジンＥ１又はＦ、α類（テトラ
ヘドロンレターズ（ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔｅ
ｒｓ ） 、 １９７５ 、１１６５ ） 、 １３
Ｓ−プロスタグランジンＥ又はＦ類（ＵＳＰ。
ヘドロンレターズ（ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔｅ
ｒｓ ） 、 １９７５ 、１１６５ ） 、 １３
Ｓ−プロスタグランジンＥ又はＦ類（ＵＳＰ。
４０８０．４５８（Ｉ９７８））、および１５Ｓ−プロ
スタグランジンＥ、Ｐ（テトラヘドロンレターズ（Ｔｃ
ｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ ） 。
スタグランジンＥ、Ｐ（テトラヘドロンレターズ（Ｔｃ
ｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ ） 。
１９７７．１６２９）等が知られている。
発明の目的
本発明者らは先ＶＣ７−千アプースタダランジンＥ、誘
導体類の合成に成功し、別途報告したが、今回、前記７
−チアブロスタグランジンＥ、誘導体類の新規な類縁化
合物に関して鋭意研究した結果、新規な４，５−デヒド
ロ−７−チアブロスタグランジンＥ１類の合成に成功し
、本発明に到達したものである。
導体類の合成に成功し、別途報告したが、今回、前記７
−チアブロスタグランジンＥ、誘導体類の新規な類縁化
合物に関して鋭意研究した結果、新規な４，５−デヒド
ロ−７−チアブロスタグランジンＥ１類の合成に成功し
、本発明に到達したものである。
発明の構成および作用効果
本発明では、下記式〔１）
ＯＲ’ ＯＲ”
で表わされる化合物およびその１５（ｎ ＝’０のとキ
）マたは１６ （ｎ ＝ １のとキ）エピマーならびに
それらの鋳像体あるいはそれらの任意の割合の混合物で
ある新規７−チアブロスタグランジンＥ１類が提供され
る。
）マたは１６ （ｎ ＝ １のとキ）エピマーならびに
それらの鋳像体あるいはそれらの任意の割合の混合物で
ある新規７−チアブロスタグランジンＥ１類が提供され
る。
Ｒ１は水素原子、ＣＩ””’ ｃｌｌ＋アルキル基、置
換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換の
０３〜ＣＩＯシクロアルキル基、Ｒ換もしくは非置換の
フェニル（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル基。
換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換の
０３〜ＣＩＯシクロアルキル基、Ｒ換もしくは非置換の
フェニル（Ｃ１〜Ｃ３）アルキル基。
または−当量のカチオンを表わす。
Ｃ１〜Ｃ８゜のアルキル基としては、例えば、メ ゛チ
ル、エチル、ｎ−プロピル、 １ｓｏ−プロピル、ｎ−
ブチル、就−ブチル、 ｔｅｒｔ−ブチルｎ−ペンチル
、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル。
ル、エチル、ｎ−プロピル、 １ｓｏ−プロピル、ｎ−
ブチル、就−ブチル、 ｔｅｒｔ−ブチルｎ−ペンチル
、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル。
ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル等の直鎖状また
は分岐状のものを淫げることができる。
は分岐状のものを淫げることができる。
置換もしくは非置換のフェニル基の置換基としては、例
えばハロゲン原子、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ，アシロキ
シ基、ハロゲン原子で置換さねていてもよいＣ１〜Ｃ４
アルキル基、ハロゲン原子でｆ／！を換すワていてもよ
いＣ１〜Ｃ４アルコキシ基、ニトリル基、カルボキシル
基又ヲ家（Ｃ１〜Ｃ６）アルコキシカルボニル基等カー
好まし、い。ノ・ロゲン原子としては、弗素、塩素又は
臭素等、特に弗素または塩素が好ましい。
えばハロゲン原子、ヒドロキシ基、Ｃ１〜Ｃ，アシロキ
シ基、ハロゲン原子で置換さねていてもよいＣ１〜Ｃ４
アルキル基、ハロゲン原子でｆ／！を換すワていてもよ
いＣ１〜Ｃ４アルコキシ基、ニトリル基、カルボキシル
基又ヲ家（Ｃ１〜Ｃ６）アルコキシカルボニル基等カー
好まし、い。ノ・ロゲン原子としては、弗素、塩素又は
臭素等、特に弗素または塩素が好ましい。
Ｃ３〜Ｃ，アシルキシ基としては、例えばアセトキシ、
プロピオニルオキシ、ｎ−ブチリルオキシ＋ １８０−
ブチリルオキシ、ｎ−７２レリルオキシ、 ｊｓｏ−バ
レリルオキシ、カプロイルオキシ、エナンチルオキシま
たはベンゾイルオキシを挙げることができる。
プロピオニルオキシ、ｎ−ブチリルオキシ＋ １８０−
ブチリルオキシ、ｎ−７２レリルオキシ、 ｊｓｏ−バ
レリルオキシ、カプロイルオキシ、エナンチルオキシま
たはベンゾイルオキシを挙げることができる。
ハロゲンで［１されていてもよいＣ１〜Ｃ４アルキル基
としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ＠０−プ
ロピル、ｎ−ブチル、り一一メチル、ジクロロメチル、
トリフ／レオ−メチル等を好ましいものとして挙げるこ
とｈｌできる。ハロゲンで置換されていてもよ〜ｓ Ｃ
１〜Ｃ４アルコキシ基としては、例えばメトキシ。
としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ＠０−プ
ロピル、ｎ−ブチル、り一一メチル、ジクロロメチル、
トリフ／レオ−メチル等を好ましいものとして挙げるこ
とｈｌできる。ハロゲンで置換されていてもよ〜ｓ Ｃ
１〜Ｃ４アルコキシ基としては、例えばメトキシ。
エトキシ、ｎ−プロポキシ＋ １ｓｏ−プｐボキシ、ｎ
−ブトキシ、り９口、メトキシ、ジクロロメトキシ、ト
リフルオロメトキシ等を好ましいものとして挙げること
がで知る。（Ｃ，〜Ｃ６）アルコキシカルボニル基とし
ては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル
。
−ブトキシ、り９口、メトキシ、ジクロロメトキシ、ト
リフルオロメトキシ等を好ましいものとして挙げること
がで知る。（Ｃ，〜Ｃ６）アルコキシカルボニル基とし
ては、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル
。
ブトキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等を然
げることかできる。
げることかできる。
置換フェニル基は、上記の′ｂｒＪき置換基な１〜３個
、好ましくは１個持つことができる。
、好ましくは１個持つことができる。
置換もしくは非置換のＣ３〜Ｃ３゜シクロアルキル基と
しては、上記したと同じ置換基で置換さｈているかまた
は非置換の、Ｉ和または不飽和のＣ１〜Ｃ８゜、好まし
くはＣ，−Ｃ，、特に好ましくはＣ６の基、例えばシク
ロプロピル−シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロ
ヘキセニル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクμ
デシル等を巣げることかできるつ ・置換もしくは非置換のフェニル（Ｃｔ〜Ｃｔ ）アル
キル基としては、該フェニル基が上記したと同じ置換基
で置換されているか又は非置換のベンジル、α−フェネ
チル、β−７エネチルを洋げられる。
しては、上記したと同じ置換基で置換さｈているかまた
は非置換の、Ｉ和または不飽和のＣ１〜Ｃ８゜、好まし
くはＣ，−Ｃ，、特に好ましくはＣ６の基、例えばシク
ロプロピル−シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロ
ヘキセニル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクμ
デシル等を巣げることかできるつ ・置換もしくは非置換のフェニル（Ｃｔ〜Ｃｔ ）アル
キル基としては、該フェニル基が上記したと同じ置換基
で置換されているか又は非置換のベンジル、α−フェネ
チル、β−７エネチルを洋げられる。
一当量のカチオンとしては１例えば洲、＋。
テトラメチルアンモニウム、モノメチルアンモニウム、
ジメチルアンモニウム、トリメチルアンモニウム、ベン
ジルアンモニウム、フェネチルアンモニウム、モルホリ
ニウムカチオン、モノエタノールアンモニウム、ピペリ
ジニウムカチオンなどのアンモニウムカチオン； Ｎａ
＋＋ Ｋ＋などのアルカリ金属カチオン；１／２Ｃａ”
、 １／２Ｍｇ” 、 １／２Ｚｎ” ” １／３Ａ
ｔ”＋などの２価もしくは３価の金属カチオン等を挙げ
ることができる。
ジメチルアンモニウム、トリメチルアンモニウム、ベン
ジルアンモニウム、フェネチルアンモニウム、モルホリ
ニウムカチオン、モノエタノールアンモニウム、ピペリ
ジニウムカチオンなどのアンモニウムカチオン； Ｎａ
＋＋ Ｋ＋などのアルカリ金属カチオン；１／２Ｃａ”
、 １／２Ｍｇ” 、 １／２Ｚｎ” ” １／３Ａ
ｔ”＋などの２価もしくは３価の金属カチオン等を挙げ
ることができる。
８皿としては、水素原子＋ Ｃ１〜Ｃ１゜アルキル基ま
たは一当貴のカチオンが好ましい。
たは一当貴のカチオンが好ましい。
Ｒ２およびＲ３は同一もしくは異なり、水素原子、）
！Ｊ （Ｃｓ〜Ｃ？）炭化水素シリル基または水酸基の
酸素原子と共に７セタ一ル結合を形成する基である。
！Ｊ （Ｃｓ〜Ｃ？）炭化水素シリル基または水酸基の
酸素原子と共に７セタ一ル結合を形成する基である。
） ！Ｊ （Ｃ，〜Ｃｔ）炭化水素シリル基としては、
例支ハトリメ手ルシリル８．トリエチルシリル。
例支ハトリメ手ルシリル８．トリエチルシリル。
ｔ−ブチルジメ牛ルシリル基の如きトリ（Ｃ１〜Ｃ４）
アルキルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリル基の如キ
ジフェニル（００〜Ｃ４）アルキルシリルまたはトリベ
ンジルシリル基等を好ましいものとして挙げることがで
きる。
アルキルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリル基の如キ
ジフェニル（００〜Ｃ４）アルキルシリルまたはトリベ
ンジルシリル基等を好ましいものとして挙げることがで
きる。
水酸基のｌＷ素原子と共にアセタール結合を形成する基
としては、例えばメトキシメチル。
としては、例えばメトキシメチル。
１−エトキシエチル、２−メトキシ−２−プロピル、２
−エトキシ−２−プロピル、（２−メトキシエトキシ）
メチル、ペンジルオキモノ斗ル、２−テトラヒドロピラ
ニル、２−テトラヒドロフラニル又は６，６−ジメ千ル
ー３−オキサ−２−オキソビシクロ（３，１，０）へキ
ス−４−イル基を挙げることができる。これらのうち、
２−テトラヒドロピラニル、２−テトラヒドロフラニル
、１−エトキシエチル、２−メトキシ−２−プロピル、
（２−メトキシエトキシ）メチル又は６，６−シメチル
ー３−オキサ−２−オキソビシクロ （３，１，０）へ
キス−４−イル基が％に好ましい。
−エトキシ−２−プロピル、（２−メトキシエトキシ）
メチル、ペンジルオキモノ斗ル、２−テトラヒドロピラ
ニル、２−テトラヒドロフラニル又は６，６−ジメ千ル
ー３−オキサ−２−オキソビシクロ（３，１，０）へキ
ス−４−イル基を挙げることができる。これらのうち、
２−テトラヒドロピラニル、２−テトラヒドロフラニル
、１−エトキシエチル、２−メトキシ−２−プロピル、
（２−メトキシエトキシ）メチル又は６，６−シメチル
ー３−オキサ−２−オキソビシクロ （３，１，０）へ
キス−４−イル基が％に好ましい。
ＢｌまたはＲ３としては、これらのうち水素原子、トリ
（Ｃ１〜Ｃ４）アルキルシリル基、ジフェニル（Ｃ，”
Ｃｍ ）アルキルシリル基、２−ｆトラヒト−ピラニ
ル基、２−テトラヒドロフラニル基、１−エトキシエチ
ル基、２−エトキシ−２−プロピル基、（２−メトキシ
エトキシ）メチル基、又は６．６−シメチルー３−オキ
サ−２−オキソビシクｑ ［３，１，０）へキス−４−
イル基が好ましい。
（Ｃ１〜Ｃ４）アルキルシリル基、ジフェニル（Ｃ，”
Ｃｍ ）アルキルシリル基、２−ｆトラヒト−ピラニ
ル基、２−テトラヒドロフラニル基、１−エトキシエチ
ル基、２−エトキシ−２−プロピル基、（２−メトキシ
エトキシ）メチル基、又は６．６−シメチルー３−オキ
サ−２−オキソビシクｑ ［３，１，０）へキス−４−
イル基が好ましい。
上記式［１）においてＲ４は水素原子、メチル基または
ビニル基を表わす。
ビニル基を表わす。
上記式ＣＩ）においてＲ３は酸素原子を含んでいてもよ
い直鎖もしくは分枝鎖Ｃ５−Ｃ，アルキル基；置換され
【いてもよいフェニル基。
い直鎖もしくは分枝鎖Ｃ５−Ｃ，アルキル基；置換され
【いてもよいフェニル基。
フェノキシ基、もしくはＣ１〜ＣＩ６シクロアルキル基
；またはＣ，−Ｃ，アルコキシ基、置換されていてもよ
いフェニル基、フェノキシ基、もしくはＣ１〜Ｃ１１ｌ
シクロアルキル基で置換されている直鎖もしり一１家分
７．枝鎖Ｃ１−Ｃ，アルキル基を表わす。
；またはＣ，−Ｃ，アルコキシ基、置換されていてもよ
いフェニル基、フェノキシ基、もしくはＣ１〜Ｃ１１ｌ
シクロアルキル基で置換されている直鎖もしり一１家分
７．枝鎖Ｃ１−Ｃ，アルキル基を表わす。
酸素原子を含んでいてもよい直鎖もしく番オ分枝仔Ｃｓ
〜Ｃ，アルキル基としては２−メトキシエチル、２−エ
トキシエチル、プロピル。
〜Ｃ，アルキル基としては２−メトキシエチル、２−エ
トキシエチル、プロピル。
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、１
−メチル−１−ブチル、２−メチル−１−ブチル、２−
メチルヘキシル、２−メチル−２−ヘキシル、２−ヘキ
シル、１，１−ジメチルペンチル基、好ましくは２−メ
トキシエチル、フチル、ペンチル、ヘキシル。
−メチル−１−ブチル、２−メチル−１−ブチル、２−
メチルヘキシル、２−メチル−２−ヘキシル、２−ヘキ
シル、１，１−ジメチルペンチル基、好ましくは２−メ
トキシエチル、フチル、ペンチル、ヘキシル。
（Ｒ）−もしくは（Ｓ） −２−メチルヘキシル。
２−ヘキシル、１−メチル−１−ブチル基、特Ｋ 好ｔ
しくはブチル、ペンチル、ヘキシル。
しくはブチル、ペンチル、ヘキシル。
２−ヘキシル、２−メチノ１．ヘキシル基をあげること
ができる。
ができる。
置換されていて堅よいフェニル基、フェノキシ基の置換
基としてはＲ１の置換フェニル基の置換基としてあげた
置換基によって置換されていてもよい。また置換されて
℃・てもよ〜・Ｃ１〜Ｃ，シクロアルキル基としては上
記したと同じ置換基で置換されて（Ｓるかまた＆ま非臂
換の９和または不飽和のＣ１〜Ｃ１゜、好ましくは０４
〜Ｃ２、特に好ましくはＣ，、Ｃ，のシクロアルキル基
、例夕げシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキ
シル、シクロヘキセニル、シクロヘプチル、シクロオク
チル、シクロデシル基等をさげろことができる。
基としてはＲ１の置換フェニル基の置換基としてあげた
置換基によって置換されていてもよい。また置換されて
℃・てもよ〜・Ｃ１〜Ｃ，シクロアルキル基としては上
記したと同じ置換基で置換されて（Ｓるかまた＆ま非臂
換の９和または不飽和のＣ１〜Ｃ１゜、好ましくは０４
〜Ｃ２、特に好ましくはＣ，、Ｃ，のシクロアルキル基
、例夕げシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキ
シル、シクロヘキセニル、シクロヘプチル、シクロオク
チル、シクロデシル基等をさげろことができる。
Ｃ３〜Ｃ６アルコキシ基、置換されていてもよいフェニ
ル基、フェノキシ基、 Ｃ，〜Ｃ１゜シクロアルキル基
で置換されている直鉛イ、シフは分枝ｍ ｃ、〜Ｃ，ア
ルキル基のうちでＣ１〜Ｃ，アルコキシ基とし７ては、
例えばメトキシ、エトキシ。
ル基、フェノキシ基、 Ｃ，〜Ｃ１゜シクロアルキル基
で置換されている直鉛イ、シフは分枝ｍ ｃ、〜Ｃ，ア
ルキル基のうちでＣ１〜Ｃ，アルコキシ基とし７ては、
例えばメトキシ、エトキシ。
プ、ポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ｔ−ブトキシ
、ヘキシル、オキシ基などがあげられ、ｆ！換されてい
てもよいフェニル基、フェノキシ基としては前記のもの
をそのまま好適忙あげることができる。Ｃ１〜Ｃニジク
ロアルキル基としても前記のものをそのまま好適にあげ
ることができ、直鎖もしくは分枝鎖Ｃ１〜Ｃｓアルキル
基としてはメチル、エチル、プロピル、 １ｓｏ−プロ
ピル、ブチル＊ １ｓｏ−ブチ／１７１ 度−７’チル
、ｔ−７’キット、ペンチ／Ｉ）基ｆｘどをあげること
ができ、置換基はその任意の位ＷＩｔＶｃ結合していて
もよい。
、ヘキシル、オキシ基などがあげられ、ｆ！換されてい
てもよいフェニル基、フェノキシ基としては前記のもの
をそのまま好適忙あげることができる。Ｃ１〜Ｃニジク
ロアルキル基としても前記のものをそのまま好適にあげ
ることができ、直鎖もしくは分枝鎖Ｃ１〜Ｃｓアルキル
基としてはメチル、エチル、プロピル、 １ｓｏ−プロ
ピル、ブチル＊ １ｓｏ−ブチ／１７１ 度−７’チル
、ｔ−７’キット、ペンチ／Ｉ）基ｆｘどをあげること
ができ、置換基はその任意の位ＷＩｔＶｃ結合していて
もよい。
また上記式（Ｉ）で表わされる化合物ＩＣおいてシクロ
ペンタノン環上ＶＣＩＰ５合している置換基の立体配置
は天然のプロスタグランジンＥ。
ペンタノン環上ＶＣＩＰ５合している置換基の立体配置
は天然のプロスタグランジンＥ。
と同一な立体配置を有しているために特に有用な立体異
性体であるが、本発明″ｆ″はその鉾像体である下記式
（Ｉ） ｅｎｔ 式中、Ｒ’ 、 Ｒ” 、 Ｒ” 、 Ｒ’ 、 Ｒ’
、 Ｘ 、 オヨびｎは前記定Ｍｋ同じである。
性体であるが、本発明″ｆ″はその鉾像体である下記式
（Ｉ） ｅｎｔ 式中、Ｒ’ 、 Ｒ” 、 Ｒ” 、 Ｒ’ 、 Ｒ’
、 Ｘ 、 オヨびｎは前記定Ｍｋ同じである。
で表わされる立体異性体あるいはそれらの任意の割合の
混合物をも含むものである。またＯＲ” 、 Ｒ’およ
びＨｓが置換している炭素は不斉炭素であるためｋＣ２
種類の光学異性体が存在するがいずれの光学異性体でも
あるいはそれなお上記式（Ｉ）（Ｉ：Ｉ−ａ〕、［１−
ｂ）、および（Ｖ）を含む）で代表される化合物とは上
記式Ｅｌ）（（Ｔ−ａ ） 、 ＣＩ−ｈ ） 、およ
び〔■〕を含む）で表わされろ化合物およびその１５
（ｎ ＝ ００とき）または１６ （ｎ ＝ １のとき
）エピマーならびにそれらの鏡像体あるいはそれらの任
意の割合の混合物のことを意味する。
混合物をも含むものである。またＯＲ” 、 Ｒ’およ
びＨｓが置換している炭素は不斉炭素であるためｋＣ２
種類の光学異性体が存在するがいずれの光学異性体でも
あるいはそれなお上記式（Ｉ）（Ｉ：Ｉ−ａ〕、［１−
ｂ）、および（Ｖ）を含む）で代表される化合物とは上
記式Ｅｌ）（（Ｔ−ａ ） 、 ＣＩ−ｈ ） 、およ
び〔■〕を含む）で表わされろ化合物およびその１５
（ｎ ＝ ００とき）または１６ （ｎ ＝ １のとき
）エピマーならびにそれらの鏡像体あるいはそれらの任
意の割合の混合物のことを意味する。
上記式［１）においてＸはエチニレン基。
シス−ビニレン基、またはトランス−ビニレン基を表わ
し、それぞれに応じて上記式［１３（ａ）、 Ｘがエチ
ニレン基のときは下記式（Ｉ−ａ）−０Ｒｓ （ｂ）、 Ｘがシス−ビニレン基のときは下記式％式％
：］ 式中、Ｒ１、Ｒ１、Ｒ８、Ｒ４、Ｒ８，およびｎは前記
定唆に同じである。
し、それぞれに応じて上記式［１３（ａ）、 Ｘがエチ
ニレン基のときは下記式（Ｉ−ａ）−０Ｒｓ （ｂ）、 Ｘがシス−ビニレン基のときは下記式％式％
：］ 式中、Ｒ１、Ｒ１、Ｒ８、Ｒ４、Ｒ８，およびｎは前記
定唆に同じである。
（＋ｊ 、 Ｘがトランス−ビニレン基のときは下記式
〔■−Ｃ〕 式中、）ｊｌ 、 Ｒ’ 、 Ｒ１、Ｒ４、Ｒ８，およ
びｎは前記定義に同じである。
〔■−Ｃ〕 式中、）ｊｌ 、 Ｒ’ 、 Ｒ１、Ｒ４、Ｒ８，およ
びｎは前記定義に同じである。
で表わされる。
上記式［１３（（：Ｉ−ａ）、ＣＩ−ｂ）、ＣＩ−ｃ）
、および（’Ｖ）を含む）においてｎは０または１を表
わし、ｎが０のとき下記式〔１３１ 式中、Ｒ’ 、 Ｒ” 、 Ｒ” 、 Ｒ’ 、 Ｒ６
、オよびＸは前記穴＠に同じである。
、および（’Ｖ）を含む）においてｎは０または１を表
わし、ｎが０のとき下記式〔１３１ 式中、Ｒ’ 、 Ｒ” 、 Ｒ” 、 Ｒ’ 、 Ｒ６
、オよびＸは前記穴＠に同じである。
ｎが１のとき、下記式〔Ｉ〕〃
Ｏｍ” ｏＲｓ
式中、ＲＩ、Ｒ２，Ｒｓ、Ｒ４，Ｒ１′、オヨヒＸは前
記定義に同じである。
記定義に同じである。
で表わされる。
本発明により提供される上記式〔夏〕で表わされる新規
７−チアブロスタグランジン鳥類の好ましい具体例とし
ては下記に示した化合物をあげることができる。
７−チアブロスタグランジン鳥類の好ましい具体例とし
ては下記に示した化合物をあげることができる。
（Ｉ） ４，４．５．５−デヒドロ−７−チアブロス
タグランジンＥ。
タグランジンＥ。
（２） ４．４．５．５−デヒドロ−２０−メチル−
アーチアブジスタグランジンＥ０ （３） ４，４．５．５−デヒド１＝−２０−エチル
−７−チアブロスタグランジンＥ。
アーチアブジスタグランジンＥ０ （３） ４，４．５．５−デヒド１＝−２０−エチル
−７−チアブロスタグランジンＥ。
（４） ４．４．５．５−デヒドロ−１６−メチル−
７−チアブロスタグランジン烏 （５） ４，４，５．５−デヒドＧ７−１６．２０−
ジメチル−７−チアブロスタグランジンＥ。
７−チアブロスタグランジン烏 （５） ４，４，５．５−デヒドＧ７−１６．２０−
ジメチル−７−チアブロスタグランジンＥ。
（６） ４，４，５．５−デヒドロ −１７−メチル
−アーチアブジスタグランジンＥ。
−アーチアブジスタグランジンＥ。
（７） ４．４，５．５−デヒドｆ’ −１７，２０
−ジノチル−７−チアブロスタグランジンＦ４（ａ）４
．４．５．５−デヒドμｍ１７（Ｓ）、２０−ジメチル
−アーチアブジスタグランジンも （９） ４．４，５．５−テヒドρ−１７＠）、２０−
ジメチル−アーチアブジスタグランジンＥ。
−ジノチル−７−チアブロスタグランジンＦ４（ａ）４
．４．５．５−デヒドμｍ１７（Ｓ）、２０−ジメチル
−アーチアブジスタグランジンも （９） ４．４，５．５−テヒドρ−１７＠）、２０−
ジメチル−アーチアブジスタグランジンＥ。
０１Ｊ ４．４．５．５−デヒドｒ’−２０−３−ｆ
ルー１−６−メチル−アーチアブρスタグランジンＥ。
ルー１−６−メチル−アーチアブρスタグランジンＥ。
（Ｉ１）４ 、４ 、５ 、５−デヒドロ−２０−エチ
ル−１７−メチル−７−チアブロスタグランジンＥ。
ル−１７−メチル−７−チアブロスタグランジンＥ。
］２ ４＋４．５＋Ｆｌ−デヒド、１−１６．１７゜１
８．１９．２０−ペンタノルー１５−シクロヘキシル−
７−チアブロスタグランジンＥ。
８．１９．２０−ペンタノルー１５−シクロヘキシル−
７−チアブロスタグランジンＥ。
Ｑ＄ ４．４，５．５−デヒドロ−１６，１７゜１８
、 ］、 ９ 、２０−−ペンタノルー１５−シクロ
ペンチル−７−千７プロスタグランジンＥ１ ］４ ４ 、４．５ 、５−デヒドロ−１８−オキサ−
７−手７プρスタグランジンＥ。
、 ］、 ９ 、２０−−ペンタノルー１５−シクロ
ペンチル−７−千７プロスタグランジンＥ１ ］４ ４ 、４．５ 、５−デヒドロ−１８−オキサ−
７−手７プρスタグランジンＥ。
（２） ４，４．５．５−デヒドロ−１７，１８゜１９
．２０−テトラツルー１６−シクロヘキジルー７−チア
ブａスタグランジン龜 Ｃ１０４、４、ｓ ； ｓ−デヒドロ−１５−デオキシ
−１６−ヒドロキシ−５７−チアブロスタグランジンＥ
１ ０乃 ４．４，５．５−デヒドロ−１５−デオキシ−１
６−ヒドロキシ−１８−オキサ−７−千７プロスタグラ
ンジンＥ１ ０梯 ４．４，５．５−デヒドａ−１８，１９゜２０−
トリノル−１５−チオキシ−１６−ヒドロキシ−１７−
フエツキシー７−チアブロスタグランジンＥ１ （Ｉ鴫 ４．４．５．５−デヒドロ−１５−デオキシ−
１６−ヒドロキシ−２０−メチル−７−チアブロスタグ
ランジンＥ１ （Ｉ） ４，４，５．５−デヒドロ−１５−デオキシ−
１６−ヒドロキシ−１７，２０−ジメチル−アーチアブ
μスタダランジン島 （ハ） ４，４，５．５−デヒドロ−１７，１８゜１９
．２０−テトラツルー１５−チオキイー１６−ヒドロキ
シ−１６−シクロベンチルー７−チアブロスタグランジ
ンＥ。
．２０−テトラツルー１６−シクロヘキジルー７−チア
ブａスタグランジン龜 Ｃ１０４、４、ｓ ； ｓ−デヒドロ−１５−デオキシ
−１６−ヒドロキシ−５７−チアブロスタグランジンＥ
１ ０乃 ４．４，５．５−デヒドロ−１５−デオキシ−１
６−ヒドロキシ−１８−オキサ−７−千７プロスタグラ
ンジンＥ１ ０梯 ４．４，５．５−デヒドａ−１８，１９゜２０−
トリノル−１５−チオキシ−１６−ヒドロキシ−１７−
フエツキシー７−チアブロスタグランジンＥ１ （Ｉ鴫 ４．４．５．５−デヒドロ−１５−デオキシ−
１６−ヒドロキシ−２０−メチル−７−チアブロスタグ
ランジンＥ１ （Ｉ） ４，４，５．５−デヒドロ−１５−デオキシ−
１６−ヒドロキシ−１７，２０−ジメチル−アーチアブ
μスタダランジン島 （ハ） ４，４，５．５−デヒドロ−１７，１８゜１９
．２０−テトラツルー１５−チオキイー１６−ヒドロキ
シ−１６−シクロベンチルー７−チアブロスタグランジ
ンＥ。
に） ４，４．５．５−デヒドロ−１７，１８゜１．９
．２０−テトラツルー１５−デオキシ−１６−ヒドロキ
シ−１６−シクロヘキジルー７−チアブロスタグランジ
ンＥ。
．２０−テトラツルー１５−デオキシ−１６−ヒドロキ
シ−１６−シクロヘキジルー７−チアブロスタグランジ
ンＥ。
（至）（Ｉ）〜ａ傍の化合物の１５−メチル誘導体（２
） （Ｉ）〜（２）の化合物の１５−ビニル誘導体（ハ
）０６〜（ロ）の化合物の１６−メチル誘導体−αｅ−
（２）の化合物の１６−ビニル誘導体＠（Ｉ）〜（２）
の化金物の（４Ｅ）−４，５−ジヒドロ誘導体 （２） （Ｉ）〜（２）の化合物の（４Ｚ ） −４，
５−ジヒドロ誘導体 四 （Ｉ）〜（ハ）の化合物の（４Ｚ） −４，５−ジ
ジュウテリオ（重水素化）誘導体 （３１（Ｉ）〜（２）の化合物の（４Ｚ）−４，５−ジ
トリチオ誘導体 （３１（Ｉ）〜に）の化合物のメチルエステル（２）（
Ｉ）〜■の化合物のエチルエステル＠（Ｉ）〜（イ）の
化合物のナトリウム塩←会（Ｉ）〜（至）の化合物の水
酸基（Ｉ１位と１５位あるいは１１位と１６位）がｔ−
ブチルジメ千ルシリル基および／または２−テトラヒド
ロピラニル基で保護された誘導体 （ハ）（Ｉ）〜（ロ）の化合物の鉾像体などを拳げるこ
とかできるが、これらに限定されるものではない。また
（］）〜（２）の化合物の１５位または１６位の光学異
性体およびこれらすべての儒像体もあわせて挙げられる
。
） （Ｉ）〜（２）の化合物の１５−ビニル誘導体（ハ
）０６〜（ロ）の化合物の１６−メチル誘導体−αｅ−
（２）の化合物の１６−ビニル誘導体＠（Ｉ）〜（２）
の化金物の（４Ｅ）−４，５−ジヒドロ誘導体 （２） （Ｉ）〜（２）の化合物の（４Ｚ ） −４，
５−ジヒドロ誘導体 四 （Ｉ）〜（ハ）の化合物の（４Ｚ） −４，５−ジ
ジュウテリオ（重水素化）誘導体 （３１（Ｉ）〜（２）の化合物の（４Ｚ）−４，５−ジ
トリチオ誘導体 （３１（Ｉ）〜に）の化合物のメチルエステル（２）（
Ｉ）〜■の化合物のエチルエステル＠（Ｉ）〜（イ）の
化合物のナトリウム塩←会（Ｉ）〜（至）の化合物の水
酸基（Ｉ１位と１５位あるいは１１位と１６位）がｔ−
ブチルジメ千ルシリル基および／または２−テトラヒド
ロピラニル基で保護された誘導体 （ハ）（Ｉ）〜（ロ）の化合物の鉾像体などを拳げるこ
とかできるが、これらに限定されるものではない。また
（］）〜（２）の化合物の１５位または１６位の光学異
性体およびこれらすべての儒像体もあわせて挙げられる
。
上記式（Ｉ）で表わされる本発明の新規７−チアブロス
タグランジンＥ、４は下記式〔■〕ＯＲ″ 基を表わし、Ｘは前記宇榛に同じである。
タグランジンＥ、４は下記式〔■〕ＯＲ″ 基を表わし、Ｘは前記宇榛に同じである。
で表わされる２−才ルガノチオー２−シクロベンテノン
類またはその鎖像体あるいはそれらの任意の割合の混合
物を下記式［１１１）で表わされる有機リチウム化合物
と下記式（ＩＶＩ ＣｕＱ ・・・・・・〔■〕 で表わされる銅化合物とから得られる有機銅化合物と共
役付加反応せしめ、必要に応じて脱保護および／または
加水分解および／または塩生成反応に付すことにより製
造することができる。
類またはその鎖像体あるいはそれらの任意の割合の混合
物を下記式［１１１）で表わされる有機リチウム化合物
と下記式（ＩＶＩ ＣｕＱ ・・・・・・〔■〕 で表わされる銅化合物とから得られる有機銅化合物と共
役付加反応せしめ、必要に応じて脱保護および／または
加水分解および／または塩生成反応に付すことにより製
造することができる。
本発明の７−チアブロスタグランジンチアの合成経路を
、その原料化合物である２−オルガノチオ−２−シクロ
ベンテノン類の合成経路も含めて図示すると次のようＩ
Ｃなる。
、その原料化合物である２−オルガノチオ−２−シクロ
ベンテノン類の合成経路も含めて図示すると次のようＩ
Ｃなる。
ｏｈ・・ ｉ・・
Ｈ８Ｖｘ＼ｔり００Ｒ１１
ＨＵ
ＯＨ０Ｈ
ＯＨ０）ｌ
Ｒ口、Ｒ”＋ Ｒ” 、Ｒ’ ＋ Ｒ” ｒ Ｘ ｒ
ｎ ＊ ｔａよびＱは前記定義に同じである。
ｎ ＊ ｔａよびＱは前記定義に同じである。
本発明方法の特徴の１つは、出発原料と（７てｌ休を用
いると、途中の中間体は上記に図示した化合物とその伊
像体との混合物として立体ＯＳ的に合成経路を進んで行
き、前記式（ｍあるいは前記式（２）のいずれか一方が
光学活性ならば適当な段階において分離することにより
各々の立体異性体を純品として単離することができるこ
とにある。
いると、途中の中間体は上記に図示した化合物とその伊
像体との混合物として立体ＯＳ的に合成経路を進んで行
き、前記式（ｍあるいは前記式（２）のいずれか一方が
光学活性ならば適当な段階において分離することにより
各々の立体異性体を純品として単離することができるこ
とにある。
式〔１）の有接リチウム化合物におけるＲ３１は、ｌｐ
ｌと同機に、Ｒ１の定義から水素原子を除いたものであ
る。式［ＩＶ）の銅化合物におけるＱは、塩素、フッ素
、臭素などのハロゲン原子；シアノ基、フェニルチオ基
またはｌ−ペンチニル基を表わす。
ｌと同機に、Ｒ１の定義から水素原子を除いたものであ
る。式［ＩＶ）の銅化合物におけるＱは、塩素、フッ素
、臭素などのハロゲン原子；シアノ基、フェニルチオ基
またはｌ−ペンチニル基を表わす。
式〔■〕の有楼リチウム化合物と式（ＩＶ）の銅化合物
とから有機銅化合物を得るには、例えば文献Ｇ、Ｈ，Ｐ
ｏ５ｎｅｒ＋Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎ、 ｖ
ｏｌ、 １９ 、１（Ｉ９７２） Ｉ Ｔｅｔｒａｈａ
ｄｒｏｎ Ｌ＠ｔｔ、 ２１１１２４７（Ｉ９８０）な
どが参考とされる。
とから有機銅化合物を得るには、例えば文献Ｇ、Ｈ，Ｐ
ｏ５ｎｅｒ＋Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎ、 ｖ
ｏｌ、 １９ 、１（Ｉ９７２） Ｉ Ｔｅｔｒａｈａ
ｄｒｏｎ Ｌ＠ｔｔ、 ２１１１２４７（Ｉ９８０）な
どが参考とされる。
本発明方法では有機銅化合物とともに、三価の有機リン
化合物、例えば、トリアルキルホスフィン（例えば、ト
リエチルホスフィン。
化合物、例えば、トリアルキルホスフィン（例えば、ト
リエチルホスフィン。
トリブチルホスフィンなど）、トリアル千ルホスファイ
ト（例えハ、トリメチルホスファイト、トリエチルホス
ファイト、トリイソプロピルホスファイト、トリーｎ−
ブチルホスファイトなど）、ヘキサメチルホスホラスト
リアミド、あるいはトリフェニルホスフィンなどを用い
ると本共役付加反応が円滑に進行するが、特にトリプ千
ルホスフィン、ヘキサメチルホスホラストリアミドが好
適に用いられる。
ト（例えハ、トリメチルホスファイト、トリエチルホス
ファイト、トリイソプロピルホスファイト、トリーｎ−
ブチルホスファイトなど）、ヘキサメチルホスホラスト
リアミド、あるいはトリフェニルホスフィンなどを用い
ると本共役付加反応が円滑に進行するが、特にトリプ千
ルホスフィン、ヘキサメチルホスホラストリアミドが好
適に用いられる。
本発明方法は前記式〔■〕で代表される２−オルガノ千
オー２−シクロベンテノン類を、前記式（Ｉｌｌ）で代
表される有機銅化合物と、三価の有機リン化合物および
非プロトン性不活性有機媒体の存在下に反応せしめると
とＫより行なわれる。
オー２−シクロベンテノン類を、前記式（Ｉｌｌ）で代
表される有機銅化合物と、三価の有機リン化合物および
非プロトン性不活性有機媒体の存在下に反応せしめると
とＫより行なわれる。
２−オルガノ千オー２−シクロベンテノン類と該有機銅
化合物とは、化学量論的には等モル反応を行なうが、通
常、２−オルガノチオ−２−シクロベンテノン類１モル
に対し、０．５〜５．０倍、好ましくは０．８〜２．０
倍、特に好ましくは１．０〜１．５モル倍の有機銅化合
物を用いて行なわれる。
化合物とは、化学量論的には等モル反応を行なうが、通
常、２−オルガノチオ−２−シクロベンテノン類１モル
に対し、０．５〜５．０倍、好ましくは０．８〜２．０
倍、特に好ましくは１．０〜１．５モル倍の有機銅化合
物を用いて行なわれる。
反応温度は一１００℃〜５０℃、特に好ましくは一り８
℃〜０℃程度の温度範囲が採用される。反応時間は反応
温度により異なるが、通常−７８℃〜−２０℃にて約１
時間反応せしめれば充分である。
℃〜０℃程度の温度範囲が採用される。反応時間は反応
温度により異なるが、通常−７８℃〜−２０℃にて約１
時間反応せしめれば充分である。
反応は有機媒体の存在下に行なわれる。反応温度下にお
いて液状であって、反応試剤とは反応しない不活性の非
プロトン性の有機媒体が用いられる。
いて液状であって、反応試剤とは反応しない不活性の非
プロトン性の有機媒体が用いられる。
かかる非プロトン性不活性有棲媒体としては、例えば、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン。
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン。
シクロヘキサンの如き飽和炭化水素類、ベンゼン、トル
エン、キシレンの如き芳香族炭化水素類、ジエチルエー
テル、テトラヒドロ７ラン、ジオキサン、ジメトキシエ
タン、ジエチレングリコールジメチルエーテルの如鎗エ
ーテル系溶媒、その他へキサメチルホスホリックトリ７
ミド（ＨＭＰ ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｄ
ＭＦ）、Ｎ、Ｎ−ジメチル７セトアミド（ＤＭＡＣ）、
ジメチルスルホキシド、スルホラン、Ｎ−メチルピルリ
ドンの如きいわゆる非プロトン性極性溶媒等があげられ
、二種以上の溶媒の混合溶媒として用いることも可能で
ある。また、かかネ非プμトン性不活性有機媒体として
は、有機銅化合物を製造するに用いられた不活性媒体を
、そのまま用いろこともできる。すなわち、この堝・合
、有機銅化合物を製造した反応系内に該２−オルガノ千
オー２−シクロベンテノン類を添加せしめて反応を行な
えばよい。有機媒体の使用量は反応を円滑に進行させる
に十分な量があれば良く、通常は原料の１〜１００倍容
量、好ましくは２〜２０倍容量が用いられる。
エン、キシレンの如き芳香族炭化水素類、ジエチルエー
テル、テトラヒドロ７ラン、ジオキサン、ジメトキシエ
タン、ジエチレングリコールジメチルエーテルの如鎗エ
ーテル系溶媒、その他へキサメチルホスホリックトリ７
ミド（ＨＭＰ ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｄ
ＭＦ）、Ｎ、Ｎ−ジメチル７セトアミド（ＤＭＡＣ）、
ジメチルスルホキシド、スルホラン、Ｎ−メチルピルリ
ドンの如きいわゆる非プロトン性極性溶媒等があげられ
、二種以上の溶媒の混合溶媒として用いることも可能で
ある。また、かかネ非プμトン性不活性有機媒体として
は、有機銅化合物を製造するに用いられた不活性媒体を
、そのまま用いろこともできる。すなわち、この堝・合
、有機銅化合物を製造した反応系内に該２−オルガノ千
オー２−シクロベンテノン類を添加せしめて反応を行な
えばよい。有機媒体の使用量は反応を円滑に進行させる
に十分な量があれば良く、通常は原料の１〜１００倍容
量、好ましくは２〜２０倍容量が用いられる。
三価の有機リン化合物は有機銅化合物の前記した欄製時
に存在せしめておくこともでき、その系内に２−オルガ
ノチオ−２−シフ−ペンチノンを加えて反応を実施する
こともできる。
に存在せしめておくこともでき、その系内に２−オルガ
ノチオ−２−シフ−ペンチノンを加えて反応を実施する
こともできる。
かくして、前記式（Ｉ）で表わされる化合物のうち、そ
の水酸基が保護され、かつ、その１位のカルボン酸のエ
ステル体が得られる。
の水酸基が保護され、かつ、その１位のカルボン酸のエ
ステル体が得られる。
本発明の？ｌ！Ｉ造法は立体特異的に進行する反応を用
いているためＫと記式［ｌＴ）で表わされる立体配置を
持つ出発原料からは％９上記（Ｉ）で表わされる立体配
置を持つ化合物が得られ、上記式（Ｉ］の銅像体からは
前記式（ｌｅａｎｔで表わされろ前記式［１）の鏡ゆ体
が得られることになる。
いているためＫと記式［ｌＴ）で表わされる立体配置を
持つ出発原料からは％９上記（Ｉ）で表わされる立体配
置を持つ化合物が得られ、上記式（Ｉ］の銅像体からは
前記式（ｌｅａｎｔで表わされろ前記式［１）の鏡ゆ体
が得られることになる。
反応後、得られる生成物は通常の手段により反応液から
分離、精製される。例えば抽出洗浄、クロマトグラフィ
ーあるいはこれらの組み合わせにより行なわれる。
分離、精製される。例えば抽出洗浄、クロマトグラフィ
ーあるいはこれらの組み合わせにより行なわれる。
さらにここで得られた水酸基が保護され、かつその１位
のカルホン準がエステル体である化合物は、次いで必要
に応じて脱保護、加水分解、あるいは塩生成反応に付す
ことができる。
のカルホン準がエステル体である化合物は、次いで必要
に応じて脱保護、加水分解、あるいは塩生成反応に付す
ことができる。
水酸基の保護基（Ｒ１１および／またはＲ３１）の除去
は、保護基が水酸基の酸素原子と共にアセタール結合を
形成する基の鳩舎には、例えば酢？、ｐ−）ルエンスル
ホン酸のピリジニラム塩又は陽イオン交換樹脂等を触媒
とし、例えば水、テトラヒドロフラン、エチルエーテル
、ジオキサン、アセトン、アセトニトリル等を反応溶媒
とすることにより好適忙実施される。反応は通常−７８
℃〜＋５０℃の温度範囲で１０分〜３日間程度行なわれ
る。また、保護基が） ＩＪ （’Ｃ１〜Ｃｔ ）炭化
水素シリル基の場合忙は、例えば酢酸、テトラブチルア
ンモニウムフルオライド、セシウムフルオランド、フッ
化水素酸、７ツ化水オーピリジン等を触媒とし、上記し
た反応溶媒中で同様の温度で同稈度の時間実施される。
は、保護基が水酸基の酸素原子と共にアセタール結合を
形成する基の鳩舎には、例えば酢？、ｐ−）ルエンスル
ホン酸のピリジニラム塩又は陽イオン交換樹脂等を触媒
とし、例えば水、テトラヒドロフラン、エチルエーテル
、ジオキサン、アセトン、アセトニトリル等を反応溶媒
とすることにより好適忙実施される。反応は通常−７８
℃〜＋５０℃の温度範囲で１０分〜３日間程度行なわれ
る。また、保護基が） ＩＪ （’Ｃ１〜Ｃｔ ）炭化
水素シリル基の場合忙は、例えば酢酸、テトラブチルア
ンモニウムフルオライド、セシウムフルオランド、フッ
化水素酸、７ツ化水オーピリジン等を触媒とし、上記し
た反応溶媒中で同様の温度で同稈度の時間実施される。
カルボキシル基の保賜基（Ｒｓｔ ）の除去すなわち加
水分解反応は、例えばリパーゼ、エステラーゼ等の酵素
を用い、水Ｘは水を含む溶媒中で一１０℃〜＋６０℃の
温度範囲で１０分〜２４時間程度行なわれる。
水分解反応は、例えばリパーゼ、エステラーゼ等の酵素
を用い、水Ｘは水を含む溶媒中で一１０℃〜＋６０℃の
温度範囲で１０分〜２４時間程度行なわれる。
本発明によれば、上記の如き加水分解反応により生゛成
せしめたカルボキシル基を有する化合物は、次いで必要
により、更に塩生成反応に付され相当するカルボン酸塩
を与える。
せしめたカルボキシル基を有する化合物は、次いで必要
により、更に塩生成反応に付され相当するカルボン酸塩
を与える。
塩生成反応はそれ自体公知であり、カルボン酸とほげ等
量の水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、棹酸ナトリウ
ムなどの環基性化合物あるいけアンモニア、トリメチル
アミン、モノエタノールアミン、モルホリンとを通常ノ
方法で中和反応せしめるととＫより行なわれる？ 以上の方法により製造される前記式ＣＩ）で代表される
新規７−チアブロスタグランジンＥ、類は、出発原料と
して用いた前記式〔１１〕で代表される２−オルガノチ
オ−２−シクロベンテノン類のＸの種類忙よって下記式
〔１−ａ）（Ｘが工手二しン基のとき）、下記式［１−
ｂ）（Ｘがシス−ビニレン基のとき）、下記式［１−ｃ
）（Ｘがトランスービニンン基のとき）の三種類の誘導
体の形で得られることになる。
量の水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、棹酸ナトリウ
ムなどの環基性化合物あるいけアンモニア、トリメチル
アミン、モノエタノールアミン、モルホリンとを通常ノ
方法で中和反応せしめるととＫより行なわれる？ 以上の方法により製造される前記式ＣＩ）で代表される
新規７−チアブロスタグランジンＥ、類は、出発原料と
して用いた前記式〔１１〕で代表される２−オルガノチ
オ−２−シクロベンテノン類のＸの種類忙よって下記式
〔１−ａ）（Ｘが工手二しン基のとき）、下記式［１−
ｂ）（Ｘがシス−ビニレン基のとき）、下記式［１−ｃ
）（Ｘがトランスービニンン基のとき）の三種類の誘導
体の形で得られることになる。
すなわち、下記式［１−ａ ）
で代表される４、４．５．５−デヒドａ −７−チアブ
ロスタグランジンＥ８類。
ロスタグランジンＥ８類。
ＯＲ” ＯＲ亀
で代表される（４Ｚ）−４，５−デヒドロ−７−チアブ
ロスタグランジン鳥類、および下記式（Ｉ−ｃ ） 一チアプロスタグランジンＥ、類である。
ロスタグランジン鳥類、および下記式（Ｉ−ｃ ） 一チアプロスタグランジンＥ、類である。
本発明の方法によって得られる上記式
〔１−ｂ）で代表される（４Ｚ）−４，５−デヒドロ−
７−チアブロスタグランジンＥ□類は上記式〔Ｉ−ａ）
で代表される４、４．５．５−デヒドロ＝７−千アブジ
スタグランジンＥ１類を水素添加触媒の存在下に接触還
元することによって得られ、さらに上記式（Ｉ−ｂ）で
代表される（４Ｚ ） −４，５−デヒドＲ−７−チア
ブロスタグランジンＥ□類を水素添加触媒の存在下に接
触還元することによって下記式〔■〕 で代表される７−チアブロスタグランジンＥ１類が製造
される。すなわち、このプロセスを図示すると次のよう
になる。
７−チアブロスタグランジンＥ□類は上記式〔Ｉ−ａ）
で代表される４、４．５．５−デヒドロ＝７−千アブジ
スタグランジンＥ１類を水素添加触媒の存在下に接触還
元することによって得られ、さらに上記式（Ｉ−ｂ）で
代表される（４Ｚ ） −４，５−デヒドＲ−７−チア
ブロスタグランジンＥ□類を水素添加触媒の存在下に接
触還元することによって下記式〔■〕 で代表される７−チアブロスタグランジンＥ１類が製造
される。すなわち、このプロセスを図示すると次のよう
になる。
式（Ｔ−ｂ）
式［Ｖ］
以下、工程１．工稈２について遂次説明する。。
工８１は上記式（Ｉ−ａ〕で代表される４、４，５゜５
−デヒドロ−７−チアブロスタグランジンＥ、 ｎを上
記式（Ｉ−ｂ：］で代表される（４Ｚ）−４，５−デヒ
ドロ−７−チアブロスタグランジンＥ１類に接触衛元す
る工程である。該接触環元反応は、水素添加触媒の存在
下に実施される。かかる水素添加触媒と］７ては通常使
用されるパラジウム系触媒、白金触媒、あるいはロジウ
ム触媒が用いられる。パラジウム系触媒としてはパラジ
ウム−活性炭、パラジウム−炭酸カルシウム、バ吾ジウ
ムー硫酸バリウムなどがあげられるが、なかでも、パラ
ジウム−活性炭が好ましい。また工程１のみを進行させ
、式［１−’ｂ）で代表される（ ４Ｚ ’）−４，５
−デヒドｃｙ −，７−千アブロスタグモンジンＥ、類
を得る時にはリンドラ−触１％またはキノリンで被拷さ
れたパラジウム−Ｍ酸バリウム触亦が好７病に用いられ
る。
−デヒドロ−７−チアブロスタグランジンＥ、 ｎを上
記式（Ｉ−ｂ：］で代表される（４Ｚ）−４，５−デヒ
ドロ−７−チアブロスタグランジンＥ１類に接触衛元す
る工程である。該接触環元反応は、水素添加触媒の存在
下に実施される。かかる水素添加触媒と］７ては通常使
用されるパラジウム系触媒、白金触媒、あるいはロジウ
ム触媒が用いられる。パラジウム系触媒としてはパラジ
ウム−活性炭、パラジウム−炭酸カルシウム、バ吾ジウ
ムー硫酸バリウムなどがあげられるが、なかでも、パラ
ジウム−活性炭が好ましい。また工程１のみを進行させ
、式［１−’ｂ）で代表される（ ４Ｚ ’）−４，５
−デヒドｃｙ −，７−千アブロスタグモンジンＥ、類
を得る時にはリンドラ−触１％またはキノリンで被拷さ
れたパラジウム−Ｍ酸バリウム触亦が好７病に用いられ
る。
白金Ｍ！媒としては酸化白金１白金黒などが用いられる
が本発明方法の出発原料には硫黄原子がスルフィド結合
を形成して含まれているために、この硫黄原子が触媒毒
となる傾向が認められるため、好ま［７い水素添加＃媒
としては選ばれない。ロジウム触媒としてはクロロトリ
ス（トリフェニルホスフィン）０ジウム（Ｉ）などがあ
げられる。その他の例示としてはルテニウム系触媒など
もあり、これら水素添加触媒、ｊ（関する詳細は各種触
媒圧対する反応条件等も含めて日本化学金線「新実験化
学講座１５．Ｒ化と還元ｌ１ｌ（丸善株式会社）３３３
頁〜４４８頁（Ｉ９７，７）ＶＣ記載されている。
が本発明方法の出発原料には硫黄原子がスルフィド結合
を形成して含まれているために、この硫黄原子が触媒毒
となる傾向が認められるため、好ま［７い水素添加＃媒
としては選ばれない。ロジウム触媒としてはクロロトリ
ス（トリフェニルホスフィン）０ジウム（Ｉ）などがあ
げられる。その他の例示としてはルテニウム系触媒など
もあり、これら水素添加触媒、ｊ（関する詳細は各種触
媒圧対する反応条件等も含めて日本化学金線「新実験化
学講座１５．Ｒ化と還元ｌ１ｌ（丸善株式会社）３３３
頁〜４４８頁（Ｉ９７，７）ＶＣ記載されている。
反応条件の一例を示すとパラジウム−活性炭を水シテ添
加５１けして甲いた場合、反応溶媒としては酢酸二本ル
、エタノール、メタノールが使用され、通常、常圧下室
温にて１１１０間から数日反応させハげ充分である。
加５１けして甲いた場合、反応溶媒としては酢酸二本ル
、エタノール、メタノールが使用され、通常、常圧下室
温にて１１１０間から数日反応させハげ充分である。
工程２は上％＋７式（Ｉ−ｂ）で代表される（４ｚ）−
４，５−デヒドロ−７−チアブロスタグランジンＥ１類
を上記式〔■〕で代表される７−チアブロスタグランジ
ンＥｉ類ｊで接触還元する工程である。な８、上記式Ｃ
Ｉ−ａ）で代表される４、４，５．５−デヒドロ−７−
チアブロスタグランジンＥｌ傾を出発原料とし、途中、
上記式（Ｔ−ｂ〕テ代表される（４Ｚ）−４，５−デヒ
ドロ−７−千７プロスタダランジンＥ、類を単離するこ
となしに工程１および工程２な実施して上記式（Ｖ）で
代表される７−チアブロスタグランジンＥ、類を得ても
よく、リンドラ−触媒またはキノリンで被毒されたパラ
ジウム−硫酸バリウム触媒の場合を除き、通常、この方
法が採用される。従って水素添加触媒１反応溶媒２反応
温度１反応時間ともに工程１での餅、明がそのまま適用
される。
４，５−デヒドロ−７−チアブロスタグランジンＥ１類
を上記式〔■〕で代表される７−チアブロスタグランジ
ンＥｉ類ｊで接触還元する工程である。な８、上記式Ｃ
Ｉ−ａ）で代表される４、４，５．５−デヒドロ−７−
チアブロスタグランジンＥｌ傾を出発原料とし、途中、
上記式（Ｔ−ｂ〕テ代表される（４Ｚ）−４，５−デヒ
ドロ−７−千７プロスタダランジンＥ、類を単離するこ
となしに工程１および工程２な実施して上記式（Ｖ）で
代表される７−チアブロスタグランジンＥ、類を得ても
よく、リンドラ−触媒またはキノリンで被毒されたパラ
ジウム−硫酸バリウム触媒の場合を除き、通常、この方
法が採用される。従って水素添加触媒１反応溶媒２反応
温度１反応時間ともに工程１での餅、明がそのまま適用
される。
かくして得られた式［１−ｂ）および式〔Ｖ〕の化合物
の単離は通常実施されている方法がそのまま用いられ、
ロカ・、洗浄、抽出、クロマトグラフィーなどの操作に
より達成される。
の単離は通常実施されている方法がそのまま用いられ、
ロカ・、洗浄、抽出、クロマトグラフィーなどの操作に
より達成される。
本発明水洗により得られる式（Ｉ−ａ） 、式Ｃ１−ｂ
） 、式（Ｉ−ｅ）、および式〔■〕で代表される各種
の７−千７プロスタグランジンＥ、類の内、Ｈｍおよび
Ｒ１が遊離の水酸基である誘導体は血小板凝集抑制作用
、血管拡張作用、血圧降下作用時のプロスタグランジン
様作用を有し、これらの生理作用により期待される医薬
品、例えば、血栓症治療薬または予防薬、血小板疑集阻
止薬、降圧薬などとして有用である。
） 、式（Ｉ−ｅ）、および式〔■〕で代表される各種
の７−千７プロスタグランジンＥ、類の内、Ｈｍおよび
Ｒ１が遊離の水酸基である誘導体は血小板凝集抑制作用
、血管拡張作用、血圧降下作用時のプロスタグランジン
様作用を有し、これらの生理作用により期待される医薬
品、例えば、血栓症治療薬または予防薬、血小板疑集阻
止薬、降圧薬などとして有用である。
また、十二指腸ａ瘍、冑潰瘍などの消化器疾也、肝炎、
劇症肝炎、脂肪肝、肝性昏睡。
劇症肝炎、脂肪肝、肝性昏睡。
肝腎肥大、肝硬変などの肝腓疾患、膵炎などの膵臓疾患
、糖尿病腎症、急性腎不全、膀胱炎、尿道後などの泌尿
器疾患、肺炎、気管炎などの呼吸器疾患、内分泌疾患、
免疫疾患およびアルコール中妻、四塩化炭素中毒などの
中春症状ならびに血圧降下などの各種疾患の予防お↓び
／または治療に用いることがで弾る。
、糖尿病腎症、急性腎不全、膀胱炎、尿道後などの泌尿
器疾患、肺炎、気管炎などの呼吸器疾患、内分泌疾患、
免疫疾患およびアルコール中妻、四塩化炭素中毒などの
中春症状ならびに血圧降下などの各種疾患の予防お↓び
／または治療に用いることがで弾る。
さらに本発明の與造方法において接触還元を重水素中、
またはトリチウム中で実施することにより重水素または
トリチウムで標ｌ＃ｌされた式［１−ｂ）で代表される
（４Ｚ）−４，５−デヒドｑ −７−チアブロスタグラ
ンジン龜類あるいは式〔■〕で代表される７−チアブロ
スタグランジンＥＩ顛が得られるという注目すべ禽特徴
を有している。かかる重水素またはトリチウムで標識す
れた化合物は対応する医薬品として有用な７−チアブロ
スタグランジンＥ□類の定量あるいは生体内動態の研究
に有用な化合物であり、この点からも本発明方法の有用
性を示しているものといえる。
またはトリチウム中で実施することにより重水素または
トリチウムで標ｌ＃ｌされた式［１−ｂ）で代表される
（４Ｚ）−４，５−デヒドｑ −７−チアブロスタグラ
ンジン龜類あるいは式〔■〕で代表される７−チアブロ
スタグランジンＥＩ顛が得られるという注目すべ禽特徴
を有している。かかる重水素またはトリチウムで標識す
れた化合物は対応する医薬品として有用な７−チアブロ
スタグランジンＥ□類の定量あるいは生体内動態の研究
に有用な化合物であり、この点からも本発明方法の有用
性を示しているものといえる。
以下本発明を実′施例により更に詳細に紛明するか、本
発明はこれらに限ｇされるものではない。
発明はこれらに限ｇされるものではない。
実施例１
（Ｅ）−（３８）−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ−
１−ヨード−１−オクテン（４，３９Ｆ、 １１．９４
ｒｒｖｎｏＬ ）をエーテル（２０ｍｇ）ＩＣ溶かし一
７８℃に冷却した後、ｔ−ブチルリチウム（Ｉ，９Ｍ
、 １２．９ｍ 。
１−ヨード−１−オクテン（４，３９Ｆ、 １１．９４
ｒｒｖｎｏＬ ）をエーテル（２０ｍｇ）ＩＣ溶かし一
７８℃に冷却した後、ｔ−ブチルリチウム（Ｉ，９Ｍ
、 １２．９ｍ 。
２３ 、９ｒｒｒｎｏＬ ）を添加し、−７８℃で２時
間攪拌した。
間攪拌した。
フェニルチオ＠ （２，０６ｆ 、 １１．９４ ｍｍ
ｒｌｔ）とへキサメチルホスホラストリアミド（５，８
４ｙ 、 ３５．８ｎｙｎａｌ ’）のエーテル（２０
ｔｄ）溶液をこの反応混合物に添加し、−７８℃で１時
間攪拌した。次いで（Ｒ） −４−ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシ−２−（５−メトキシカルボニル−２−ペ
ンチニルチオ）−２−シクロベンテノン（３，９５ｔ
。
ｒｌｔ）とへキサメチルホスホラストリアミド（５，８
４ｙ 、 ３５．８ｎｙｎａｌ ’）のエーテル（２０
ｔｄ）溶液をこの反応混合物に添加し、−７８℃で１時
間攪拌した。次いで（Ｒ） −４−ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシ−２−（５−メトキシカルボニル−２−ペ
ンチニルチオ）−２−シクロベンテノン（３，９５ｔ
。
１０ 、７ ｍｍｏｌ ）のテトラヒドロ７ラン（５０
ｍｇ）溶液を加え一７８℃で１５分、−４０℃で３θ分
間攪拌した。
ｍｇ）溶液を加え一７８℃で１５分、−４０℃で３θ分
間攪拌した。
反応混合物に２Ｍアセテート緩衝液を加え、ヘキサン（
Ｉ５０ｍ／！Ｘ３）で抽出し、各々の有機層を食塩水で
洗浄した後、無水硫酸マグネシウム上で乾燥し、Ｐ別後
濃縮して６，８ｆの粗生成物を得た。このものをシリカ
ゲルカラ１クーマドグラフイー（ヘキサン：酢酸エチル
−＝４．：］）Ｋ付１７て目的とする１１．１５−ビス
（ｔ−プチルジメ手ルシリル） −４，４，５，５−デ
ヒドａ −７−チアブロスクグランジンＥ、メチルエス
テル（６，８３ｆ ｔ １１．２ ｍｒｎｏＺ ＋ ９
４％）を得た。
Ｉ５０ｍ／！Ｘ３）で抽出し、各々の有機層を食塩水で
洗浄した後、無水硫酸マグネシウム上で乾燥し、Ｐ別後
濃縮して６，８ｆの粗生成物を得た。このものをシリカ
ゲルカラ１クーマドグラフイー（ヘキサン：酢酸エチル
−＝４．：］）Ｋ付１７て目的とする１１．１５−ビス
（ｔ−プチルジメ手ルシリル） −４，４，５，５−デ
ヒドａ −７−チアブロスクグランジンＥ、メチルエス
テル（６，８３ｆ ｔ １１．２ ｍｒｎｏＺ ＋ ９
４％）を得た。
核磁気共鳴吸収（ｃＤｃｔ、 、δ（ｐｒ＋ｍ））；０
．０６ （Ｉ２Ｈ，８）、 ０．８７ （２１Ｈ）、
１．０〜１．８（８Ｈ，ｍ）、 ２．３〜３．６ （Ｌ
ＯＴ（、１１”、）＋ ３．６７ （３Ｈ，ｓ−）。
．０６ （Ｉ２Ｈ，８）、 ０．８７ （２１Ｈ）、
１．０〜１．８（８Ｈ，ｍ）、 ２．３〜３．６ （Ｌ
ＯＴ（、１１”、）＋ ３．６７ （３Ｈ，ｓ−）。
３．８０〜４．４０ （２Ｈ，ｍ）、 ５．５０〜５．
７５ （２Ｈ，ｍ）。
７５ （２Ｈ，ｍ）。
赤外吸収スペクトル（液膜、７ｍ”）；１７４５ 、１
２５０ 、１１６５ 、１１１０ 、１０７５ 、９６
５゜８８５ 、８３５ 、８０５ ＋’ ７７５゜質量
分析（ＦＤ −ＭＳ ） ； ６１０ （Ｍ”）。
２５０ 、１１６５ 、１１１０ 、１０７５ 、９６
５゜８８５ 、８３５ 、８０５ ＋’ ７７５゜質量
分析（ＦＤ −ＭＳ ） ； ６１０ （Ｍ”）。
実施例２
実施例１で得られた１１．１５−ビス（Ｉ−プチルジメ
千ルシリル） −４，４，ｓ、ｓ−デヒドロ−７−千７
プロスタグランジンＥＩメチルエステル（Ｉ，２２ｆ、
２．０ｍｍｏｔ）をアセトニトリル（５０ｄ）Ｋ溶か
し、ピリジン（Ｉ，０＋＋ｆｆ１）、次いで７ツ化水素
−ピリジン（２，０ｒｎｌ）か添加し空温で３時間攪拌
Ｉ７た。反応液に炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて中
和し、酢酸エチル（Ｉ５０ｍｊＸ３）で抽出後、分離し
た各有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸々グネシウム上
で乾燥後１１１：γ〜縮して７８０■の卸生成物を得た
。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘ
キサン：酢酸エチル＝に３）に付して目的とする４、４
．５．５−デヒドロ−７−チアブロスタグランジン玖メ
チルエステル（７１０■、１．８６ ｍｍｏｔ＋ ９３
チ）を得た。
千ルシリル） −４，４，ｓ、ｓ−デヒドロ−７−千７
プロスタグランジンＥＩメチルエステル（Ｉ，２２ｆ、
２．０ｍｍｏｔ）をアセトニトリル（５０ｄ）Ｋ溶か
し、ピリジン（Ｉ，０＋＋ｆｆ１）、次いで７ツ化水素
−ピリジン（２，０ｒｎｌ）か添加し空温で３時間攪拌
Ｉ７た。反応液に炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて中
和し、酢酸エチル（Ｉ５０ｍｊＸ３）で抽出後、分離し
た各有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸々グネシウム上
で乾燥後１１１：γ〜縮して７８０■の卸生成物を得た
。このものをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘ
キサン：酢酸エチル＝に３）に付して目的とする４、４
．５．５−デヒドロ−７−チアブロスタグランジン玖メ
チルエステル（７１０■、１．８６ ｍｍｏｔ＋ ９３
チ）を得た。
核磁気共鳴吸収（ＣＤＣｔｓ、δ（ｐａｍ）） ；０．
７〜１．０ （３Ｈ，ｍ）、 １．０〜１．８ （８Ｈ
，ｍ） 。
７〜１．０ （３Ｈ，ｍ）、 １．０〜１．８ （８Ｈ
，ｍ） 。
２．３〜３．５ （Ｉ２Ｈ，ｍ）、 ３．６７ （３Ｈ
，ｓ） 。
，ｓ） 。
３．８〜４．４ （２Ｈ，ｍ）、 ５．６〜５．８ （
２Ｈ，’、 ｍ）。
２Ｈ，’、 ｍ）。
赤外吸収スペクトル（液膜＊ 備−’ ） ；３４００
、１７４０ 、１２６０ 、８４５ 、７３０゜質量
分析（ＦＤ −ＭＳ ） ： ３８２ （Ｍ＋）。
、１７４０ 、１２６０ 、８４５ 、７３０゜質量
分析（ＦＤ −ＭＳ ） ： ３８２ （Ｍ＋）。
′ｇＬ施例３
実施例Ｉにおいて（Ｅ） −（ａｓ） −ｔ−ブｑ−ル
シメ＋ルシリルオキシー１−ヨード−１−オクテンの代
わりＫ （Ｅ） −（３３、５Ｒ） −３−ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ−５−メ＋ルーｌ−ヨードー１−
ノネン、フェニルチオ鋼の代わりに１−ペンチニル鋼を
１用いて、！１ｌｌｉ施例１と同様の操作手順によって
、１１．１５−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
） −４，４，５，５−デヒドロ−１７（Ｒ）、 ２０
−ジメチル−７−チアブロスタグランジン島メチルエス
テルを収ｇ８９％で得た。
シメ＋ルシリルオキシー１−ヨード−１−オクテンの代
わりＫ （Ｅ） −（３３、５Ｒ） −３−ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ−５−メ＋ルーｌ−ヨードー１−
ノネン、フェニルチオ鋼の代わりに１−ペンチニル鋼を
１用いて、！１ｌｌｉ施例１と同様の操作手順によって
、１１．１５−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ
） −４，４，５，５−デヒドロ−１７（Ｒ）、 ２０
−ジメチル−７−チアブロスタグランジン島メチルエス
テルを収ｇ８９％で得た。
核磁気共鳴吸収（ＣＤＣ４、δ（ｐｐｍ ） ） ；０
．０６ （Ｉ２Ｈ，ｓ）、 ０．８７ （２４Ｈ）、
１．０〜１．８ （９）１ｍ）、 ２．３〜３．６ （
Ｉ（Ｈ（、ｍ）、 ３．６７ （３Ｈ，ｓ）３．８５〜
４．３５ （２Ｈ，ｍ）、 ５．５０〜５．７５ （２
Ｈ，ｍ）。
．０６ （Ｉ２Ｈ，ｓ）、 ０．８７ （２４Ｈ）、
１．０〜１．８ （９）１ｍ）、 ２．３〜３．６ （
Ｉ（Ｈ（、ｍ）、 ３．６７ （３Ｈ，ｓ）３．８５〜
４．３５ （２Ｈ，ｍ）、 ５．５０〜５．７５ （２
Ｈ，ｍ）。
赤外吸収スペクトル（液膜ｒ Ｃｒｎ７” ） ；１７
４５、１２５０．１１６５．１１１０．１０７５．９６
５．８８５゜８３５、 ８０５． ７７５゜ 質Ｊｌ）析（）’Ｄ−ＭＳ ） ； ６３８ （Ｍ＋）
、 ５８１ （Ｍ −５７）、 ５７゜ 実施例４ 実施例３で得られた１１．１５−ビス（ｔ−プチルジメ
ルシリルオキシ） −４，４，５，５−デヒドロ−１７
（Ｒ） 、 ２０−ジメチル−７−チアブロスタグラン
ジン玖メチルエステルを実施例２と全く同様の脱保護反
応、後処理、精製をして収量７９チで４．４．５．５−
デヒドロ−１７（Ｒ）、２０−ジメチル−７−チアブロ
スタグランジンＥ１メチルエステルを得た。
４５、１２５０．１１６５．１１１０．１０７５．９６
５．８８５゜８３５、 ８０５． ７７５゜ 質Ｊｌ）析（）’Ｄ−ＭＳ ） ； ６３８ （Ｍ＋）
、 ５８１ （Ｍ −５７）、 ５７゜ 実施例４ 実施例３で得られた１１．１５−ビス（ｔ−プチルジメ
ルシリルオキシ） −４，４，５，５−デヒドロ−１７
（Ｒ） 、 ２０−ジメチル−７−チアブロスタグラン
ジン玖メチルエステルを実施例２と全く同様の脱保護反
応、後処理、精製をして収量７９チで４．４．５．５−
デヒドロ−１７（Ｒ）、２０−ジメチル−７−チアブロ
スタグランジンＥ１メチルエステルを得た。
核磁気共鳴吸収（ＣＤＣ４、δ（ｐｐｍ） ） ；０．
７−１．０ （６Ｈ，ｍ）、１．０〜１．９ （９Ｈ，
ｍ）。
７−１．０ （６Ｈ，ｍ）、１．０〜１．９ （９Ｈ，
ｍ）。
２、：３〜３．５ （Ｉ２Ｈ，ｍ）、 ３．６７（３
Ｈ，ｓ・）。
Ｈ，ｓ・）。
３．８〜４．４ （２Ｈ，ｍ）、５．６〜５．８ （２
Ｈ，ｍ）。
Ｈ，ｍ）。
赤外吸収スペクトル（液膜＊ ５７１１−” ） ；３
４００、 １７４０． １２４０． １２００． １１
６５． １０７５゜１０４０、９６５．７３５゜ 、質量分析（ＦＤ −ＭＳ ） ； ４１０（Ｍ＋）。
４００、 １７４０． １２４０． １２００． １１
６５． １０７５゜１０４０、９６５．７３５゜ 、質量分析（ＦＤ −ＭＳ ） ； ４１０（Ｍ＋）。
実施例５
実施例１と同様にして（Ｅ）、 −（３８） −ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ−３−シクロヘキシル−１−
ヨード−１−プロペンと（Ｒ） −４−ｔ −ブチルジ
メチルシリルオキシ−２−（（Ｅ）−５−メトヤシカル
ボニル−２−ペンテニルチオ）−２−シクロベンテノン
から収率８７チで（４Ｅ）−１１，Ｘ５−ビス（ｔ−７
’チルジメチルシリル）−４，５−デヒドロ−１６，１
７，１ｇ、１９．２０−ペンタノルー１５−シクロヘキ
シル−７−チアブロスタグランジン烏メチルエステルを
得た。
チルジメチルシリルオキシ−３−シクロヘキシル−１−
ヨード−１−プロペンと（Ｒ） −４−ｔ −ブチルジ
メチルシリルオキシ−２−（（Ｅ）−５−メトヤシカル
ボニル−２−ペンテニルチオ）−２−シクロベンテノン
から収率８７チで（４Ｅ）−１１，Ｘ５−ビス（ｔ−７
’チルジメチルシリル）−４，５−デヒドロ−１６，１
７，１ｇ、１９．２０−ペンタノルー１５−シクロヘキ
シル−７−チアブロスタグランジン烏メチルエステルを
得た。
核磁気共鳴吸収（ＣＤＣ４、δ（ｐｐｍ）） ；０．０
６ （Ｉ２８，ｓ）、 ０．８７ （Ｉ８Ｈ，ｓ）、
０．８−１．９（ＩＩＨ，ｍ）、 １．９〜３．１ （
ＩＯＨ，ｍ）、 ３．７〜４．３ （２ｍｍ）、 ３．
６３ （３Ｌ ｓ）、 ５．２−５．８ （４Ｈ，ｍ）
。
６ （Ｉ２８，ｓ）、 ０．８７ （Ｉ８Ｈ，ｓ）、
０．８−１．９（ＩＩＨ，ｍ）、 １．９〜３．１ （
ＩＯＨ，ｍ）、 ３．７〜４．３ （２ｍｍ）、 ３．
６３ （３Ｌ ｓ）、 ５．２−５．８ （４Ｈ，ｍ）
。
赤外吸収スペクトル（９ｍ 、 Ｃｒｎ”） ；３０Ｂ
０． １７４０． １２７０． １２００． １０８０
． ９７５． ８８５゜８３５、 ８０５． ７７５゜ 質量分析（ＦＤ −ＭＳ ＞ ； ６２４ （Ｍ”）。
０． １７４０． １２７０． １２００． １０８０
． ９７５． ８８５゜８３５、 ８０５． ７７５゜ 質量分析（ＦＤ −ＭＳ ＞ ； ６２４ （Ｍ”）。
弗施例６
実施例５で得られた（４Ｅ） −１１，１５−ビス（ｔ
−ブチルジメチルシリル） −４，５−デヒドロ−１６
，１７，１，８，１９，２０−ペンタノルー１５−シク
ロヘキシル−７−チアブロスタグランジン玖メチルエス
テルを実施例２と全く同様にして脱保護。
−ブチルジメチルシリル） −４，５−デヒドロ−１６
，１７，１，８，１９，２０−ペンタノルー１５−シク
ロヘキシル−７−チアブロスタグランジン玖メチルエス
テルを実施例２と全く同様にして脱保護。
後処理、精製して収率８６％で（４Ｅ） −４，５−デ
ヒドロ−１６，１７，１８，１９’、２０−ペンタノル
ー１５−シクロヘキシル−７−チアブロスタダランジン
Ｅ、メチルエステルヲ得り。
ヒドロ−１６，１７，１８，１９’、２０−ペンタノル
ー１５−シクロヘキシル−７−チアブロスタダランジン
Ｅ、メチルエステルヲ得り。
核磁気共鳴吸収（ＣＤＣ４、δ（ｐｐｍ））；０．８−
１．”９（ＩＩＨ，ｍ）、 １．９−３．２ （Ｉ２Ｈ
，ｍ）。
１．”９（ＩＩＨ，ｍ）、 １．９−３．２ （Ｉ２Ｈ
，ｍ）。
３．７−４．３ （２Ｈ，ｍ）、 ３．６３ （３Ｈ，
ｓ）。
ｓ）。
５．２−５．８ （４Ｈ，ｍ）。
赤外吸収スペクトル（液膜、 ６ｎ−′） ’。
３４２０、 ３０８０． １７４０． １２７０． １
２００． １０８０． ９７５゜９１０、 ７３０゜ 質量分析（ＦＤ −ＭＳ ） ： ３９６ （Ｍ−’
）。
２００． １０８０． ９７５゜９１０、 ７３０゜ 質量分析（ＦＤ −ＭＳ ） ： ３９６ （Ｍ−’
）。
実施例７
実施例１と同機にして、ｄｔ−（Ｅ）−４−）リフチル
シリルオキシ−１−ヨード−１−オクテン（Ｒ） −４
−ｔ −ブチルジメチルシリルオキシー２− （（Ｚ）
−５−メトキシカルボニル−２−ペンテニル牛オ）−
２−シクロベンテノンから収率７９係で（４Ｚ） −（
Ｉ６Ｒ８） −１ｌ−ｔ−ブーＦ−ルジメチルシリル）
−４，５−デヒドロ−１５−チオキシ−１６−メチル
−１６−）！Ｊメチルシリルオキシー７−チアブロスタ
グランジンＥ０メチルエステルを得た。
シリルオキシ−１−ヨード−１−オクテン（Ｒ） −４
−ｔ −ブチルジメチルシリルオキシー２− （（Ｚ）
−５−メトキシカルボニル−２−ペンテニル牛オ）−
２−シクロベンテノンから収率７９係で（４Ｚ） −（
Ｉ６Ｒ８） −１ｌ−ｔ−ブーＦ−ルジメチルシリル）
−４，５−デヒドロ−１５−チオキシ−１６−メチル
−１６−）！Ｊメチルシリルオキシー７−チアブロスタ
グランジンＥ０メチルエステルを得た。
核磁気共鳴吸収（ＣＤＣ４、δ（ｐｐｍ） ） ；０．
０−０．２ （Ｉ５Ｈ，ｍ）、 ０．８７ （９Ｈ，
ｓ）、 ０．７−１．０（３Ｈ，ｍ）、 １．１８
（３Ｈ，ｓ）、 １．１〜２．０ （６Ｈ，ｍ）。
０−０．２ （Ｉ５Ｈ，ｍ）、 ０．８７ （９Ｈ，
ｓ）、 ０．７−１．０（３Ｈ，ｍ）、 １．１８
（３Ｈ，ｓ）、 １．１〜２．０ （６Ｈ，ｍ）。
２、（Ｉ−３，１（Ｉ２Ｈ，ｍ）、 ３．６１ （
３Ｈ，ｓ）、 １．１−２．０（６Ｈ，’ｍ）、
２．０〜３．１ （Ｉ２Ｈ，ｍ）＋ ３．６１
（３Ｈ１ｓ）。
３Ｈ，ｓ）、 １．１−２．０（６Ｈ，’ｍ）、
２．０〜３．１ （Ｉ２Ｈ，ｍ）＋ ３．６１
（３Ｈ１ｓ）。
３．８−４．２ （ＩＨ，ｒｎ）、５．２−６．０
（４Ｈ，ｍ）。
（４Ｈ，ｍ）。
赤外吸収スペクトル（液膜ｒ ｃＪｎ−” ） ；３０
８０、 １７４０． １２５０． ８３５． ７７５゜
質量分析（ＦＤ −ＭＳ ） ； ５８４ （Ｍ”）。
８０、 １７４０． １２５０． ８３５． ７７５゜
質量分析（ＦＤ −ＭＳ ） ； ５８４ （Ｍ”）。
実施例８
実施例７で得られた（４Ｚ） −（Ｉ６Ｒ８） −１１
−ｔ−７’チルジメチルシリル）−４，５−デヒドロ−
１５−デオキシ−１６−メチル−１６−ドリメチルシリ
ルオキシー７−チアブロスタグランジンＥ、メチルエス
テルを実施例２と全く同様に脱係％Ｉ 、 後処理＋’
ｍｅ Ｌ テ収率ｓ３ｓ テ（４Ｚ） −（Ｉ６Ｒ８
）−４，５−デしドロー１５−デオキシ−１６−ヒドｐ
キシ−１６−メチル−７−チアブロスタグランジンＥ、
メチルエステルを得た。
−ｔ−７’チルジメチルシリル）−４，５−デヒドロ−
１５−デオキシ−１６−メチル−１６−ドリメチルシリ
ルオキシー７−チアブロスタグランジンＥ、メチルエス
テルを実施例２と全く同様に脱係％Ｉ 、 後処理＋’
ｍｅ Ｌ テ収率ｓ３ｓ テ（４Ｚ） −（Ｉ６Ｒ８
）−４，５−デしドロー１５−デオキシ−１６−ヒドｐ
キシ−１６−メチル−７−チアブロスタグランジンＥ、
メチルエステルを得た。
核磁気共鳴吸収（ＣＤＣ４、δ（ｐｐｍ） ） ；０．
８８ （３Ｈ，ｔｌ １．１４ （３Ｈ，ｓ）、 １．
１−２．０ （６Ｈ。
８８ （３Ｈ，ｔｌ １．１４ （３Ｈ，ｓ）、 １．
１−２．０ （６Ｈ。
ｍ）、 ２．０−３．４ （Ｉ４Ｈ，ｍ）、 ３．６１
（３Ｈ，ｓ）、 ３．６−４．ｓ （２Ｈ，ｍ）、
５．２〜６．０ （４Ｈ，ｍ）。
（３Ｈ，ｓ）、 ３．６−４．ｓ （２Ｈ，ｍ）、
５．２〜６．０ （４Ｈ，ｍ）。
赤外吸収スペクトル（液膜・ｍ” ） ｅ。
３４２０、１？４０．１２６０．８４５．７３０゜質量
分析（ＦＤ −ＭＳ） ； ３９８（Ｍ＋）。
分析（ＦＤ −ＭＳ） ； ３９８（Ｍ＋）。
実施例９
実施例１で得られた１１．１５−ビス（ｔ−ブチルジメ
チルシリル） −４，４，５，５−デヒドロ−７−チア
ブロスタグランジン玖メチルエステル（６１０ｒｉｇ
、 １．０ ｍｍｏｔ）を酢酸エチル（Ｉ０ｍ／りに溶
かし、５０■のリンドラ−触媒を加えて皐温で２４晴間
攪拌した。触媒を日別し、酢酸エチルで洗浄後、＃絆し
て粗生成物を得、シリカゲルカラム７０マドグラフイー
（ヘキサン：酢酸エチル＝ ４ ： １ ）ＶＣ付して
目的とする（４Ｚ） −１１゜１５−ビス（Ｉ−ブチル
ジメチルシリル） −４，５−デヒドロ−アーチアブロ
スタグランジン島メチルエステル（４２８岬、 ０．７
０ ｍｍｏＬ ＋ ７０％）を得た。
チルシリル） −４，４，５，５−デヒドロ−７−チア
ブロスタグランジン玖メチルエステル（６１０ｒｉｇ
、 １．０ ｍｍｏｔ）を酢酸エチル（Ｉ０ｍ／りに溶
かし、５０■のリンドラ−触媒を加えて皐温で２４晴間
攪拌した。触媒を日別し、酢酸エチルで洗浄後、＃絆し
て粗生成物を得、シリカゲルカラム７０マドグラフイー
（ヘキサン：酢酸エチル＝ ４ ： １ ）ＶＣ付して
目的とする（４Ｚ） −１１゜１５−ビス（Ｉ−ブチル
ジメチルシリル） −４，５−デヒドロ−アーチアブロ
スタグランジン島メチルエステル（４２８岬、 ０．７
０ ｍｍｏＬ ＋ ７０％）を得た。
核磁気共鳴吸収（’ＣＤＣム、δ（ｐｐｍ））：０．０
６ （Ｉ，２Ｈ，Ｓ）、 ０．８７’ （３Ｈ，ｓ）、
１．０〜１．８（８Ｈ，ｍ）、 ２．：３−３．６
（ＩＯＨ，ｍ）、 ３．６７ （３Ｈ，８）。
６ （Ｉ，２Ｈ，Ｓ）、 ０．８７’ （３Ｈ，ｓ）、
１．０〜１．８（８Ｈ，ｍ）、 ２．：３−３．６
（ＩＯＨ，ｍ）、 ３．６７ （３Ｈ，８）。
３．８−４．４ （２Ｈ，ｍ）、 ５．２〜５．８
（４Ｈ，ｍ）。
（４Ｈ，ｍ）。
赤外吟収スペクトル（液膜＋ ＣＩ’１−’ ） ；１
７４５、１２５０．１，１６５．１１１０．１０７５．
９６５．８８５゜、８３５，８０５，７７５゜ 質量分析（ＦＤ −ＭＳ ） ； ６１２（Ｍ”）。
７４５、１２５０．１，１６５．１１１０．１０７５．
９６５．８８５゜、８３５，８０５，７７５゜ 質量分析（ＦＤ −ＭＳ ） ； ６１２（Ｍ”）。
実施例１０
実施例９で得られた（４ｚ）−１１，１５−ビス（ｔブ
チルジメチルシリル）−４１５−テヒドロー７−千７プ
ロスタグランジンＦ４メチルエステル（３０６Ｆ７ｐ＋
０．５ｒｎｍｏｔ）を実施例２と全く同様にして脱係
−１後処理、精！’ｌ！’ Ｌテ（４Ｚ） −４，５−
デヒドロ−７−チアブロスタグランジンＥ１メチルエス
テル（Ｉ７７＋η＊ ０．４６ ｎｚｍｏｔ、９２ ｔ
６）を得た。
チルジメチルシリル）−４１５−テヒドロー７−千７プ
ロスタグランジンＦ４メチルエステル（３０６Ｆ７ｐ＋
０．５ｒｎｍｏｔ）を実施例２と全く同様にして脱係
−１後処理、精！’ｌ！’ Ｌテ（４Ｚ） −４，５−
デヒドロ−７−チアブロスタグランジンＥ１メチルエス
テル（Ｉ７７＋η＊ ０．４６ ｎｚｍｏｔ、９２ ｔ
６）を得た。
核磁気共鳴吸収（ＣＤＣ／４．δ（ｐｐｍ））：０．８
８ （３Ｈ，ｔ）、 ｉ、ｏ−１，８（８Ｈ，ｍ）、
２．２−３．６（Ｉ２Ｈ，ｍ）、 ３．６３ （３Ｈ，
ｓ）、 ３．８〜４．４ （２Ｈ，ｍ）。
８ （３Ｈ，ｔ）、 ｉ、ｏ−１，８（８Ｈ，ｍ）、
２．２−３．６（Ｉ２Ｈ，ｍ）、 ３．６３ （３Ｈ，
ｓ）、 ３．８〜４．４ （２Ｈ，ｍ）。
５．２−５．８ （４Ｈ，ｍ）。
赤外吸収スペクトル（液膜＋ ｒｒｑ−” ） ；３４
００、１７４０．１２６０．８４５．７３０゜質量分析
（ＦＤ −ＭＳ ） ； ３８４（Ｍ”）。
００、１７４０．１２６０．８４５．７３０゜質量分析
（ＦＤ −ＭＳ ） ； ３８４（Ｍ”）。
実施例１１
実施例２で得られた４、４，５．５−デヒドロスタグラ
ンジンＥ、メチルエステル（Ｉ９１＋Ｉ９．０．５ｍｍ
ｏｔ）をア七トン（２ｎ＝／ ）に溶かし、ｐＨ８のリ
ン酸緩衝液（２０πｔ）を加えた後、隷肝臓エステラー
ゼ（シグマ社１ｆｌ 、、 Ｎｏ Ｅ−３１２８，、ｐ
Ｈ８，０，２ｍ）を加えて室温２４時間接拌した。反応
終了後、０．ＩＮ塩啼でｐＨ４に酸性化１２、水層を価
、酸アンモニウムで物和した後ＩＣ酢酸エチルで抽出し
、食塩水で洗浄した。有機層を値醐マグネシウム上で乾
燥後減圧濃縮して粗生成物を得、これをシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１ ：
４ 、０．１％酢酸）に供して精製し、４，４．５．
５−デヒドｑ −７−チアブロスタグランジンＥ１（］
６２Ｗ 、 ０．４４ ｍｍｏｔ、 ８８ ％ ）を得
た。
ンジンＥ、メチルエステル（Ｉ９１＋Ｉ９．０．５ｍｍ
ｏｔ）をア七トン（２ｎ＝／ ）に溶かし、ｐＨ８のリ
ン酸緩衝液（２０πｔ）を加えた後、隷肝臓エステラー
ゼ（シグマ社１ｆｌ 、、 Ｎｏ Ｅ−３１２８，、ｐ
Ｈ８，０，２ｍ）を加えて室温２４時間接拌した。反応
終了後、０．ＩＮ塩啼でｐＨ４に酸性化１２、水層を価
、酸アンモニウムで物和した後ＩＣ酢酸エチルで抽出し
、食塩水で洗浄した。有機層を値醐マグネシウム上で乾
燥後減圧濃縮して粗生成物を得、これをシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１ ：
４ 、０．１％酢酸）に供して精製し、４，４．５．
５−デヒドｑ −７−チアブロスタグランジンＥ１（］
６２Ｗ 、 ０．４４ ｍｍｏｔ、 ８８ ％ ）を得
た。
核磁気共＋４吸収（ＣＤＣ１４，δ（ｐｐｍ） ） ；
０．７−１．０ （３７（、ｍ）、 １．０〜１．８
（８Ｈ，ｍ）、 ２．３−３．５（Ｉ０）（、ｍ＞、
３．８〜４．４ （２）Ｉ、 ｍ）、 ５．６−５．８
（２Ｈ。
０．７−１．０ （３７（、ｍ）、 １．０〜１．８
（８Ｈ，ｍ）、 ２．３−３．５（Ｉ０）（、ｍ＞、
３．８〜４．４ （２）Ｉ、 ｍ）、 ５．６−５．８
（２Ｈ。
ｍ）、 ６．３０ （３Ｈ，ｂｓ）。
赤外吸収スペクトル（液膜＋ ｃｔＩ＋−’ ） ；３
４００、 ｘ７４”ｏ、 １７１０゜、ｆｆｆ＆分析（
ＦＤ −’、４Ｓ ） ； ３６８（Ｍ＋）。
４００、 ｘ７４”ｏ、 １７１０゜、ｆｆｆ＆分析（
ＦＤ −’、４Ｓ ） ； ３６８（Ｍ＋）。
実施例１２
実施例１０で得られた（４Ｚ） −４，５−デヒドロ−
７−チアブロスタグランジンＥ、メチルエステルを実施
例１１と全（同様の加水分解方法により対応する（４Ｚ
） −４，５−デヒドロ−７−チアブロスタグランジン
Ｅ□を収率８７チで得た。
７−チアブロスタグランジンＥ、メチルエステルを実施
例１１と全（同様の加水分解方法により対応する（４Ｚ
） −４，５−デヒドロ−７−チアブロスタグランジン
Ｅ□を収率８７チで得た。
核磁気共鳴吸収（ＣＤＣ４、δ（ｐｐｍ） ） ：０．
８８ （３Ｈ，ｔ）、 ｉ、ｏ−ｉ、ｓ （８Ｈ，ｍ）
、 ２．２〜３．６（ＩＯＨ，ｍ）、 ３．８−４．４
（２Ｈ，ｍ）、 ５．２−５．８ （４Ｈ。
８８ （３Ｈ，ｔ）、 ｉ、ｏ−ｉ、ｓ （８Ｈ，ｍ）
、 ２．２〜３．６（ＩＯＨ，ｍ）、 ３．８−４．４
（２Ｈ，ｍ）、 ５．２−５．８ （４Ｈ。
ｍ）、 ６．５０ （３Ｈ，ｂｓ）。
赤外吸収スペクトル（液ｆｆｅｔ ＊ ｃｍ−” ）
；３４００、１７４０．１７１０゜ 質量分析（ＦＤ −ＭＳ ） ； ３７０（Ｍ＋）。
；３４００、１７４０．１７１０゜ 質量分析（ＦＤ −ＭＳ ） ； ３７０（Ｍ＋）。
実施例１３
実施例３で得られた１１．１５−ビス（ｔ−ブチルジメ
チルシリル） −４，４，５，５−デヒドロ１７（Ｒ）
、 ２０−ジメチル−７−チアブロスタグランジン島
メチルエステル（Ｉ２８■、０．２０ｍｍｏｔ）を酢酸
エチル（ａｙ）に溶かし５０■の１０％パラジウム−活
性炭を加えて室温２４時間攪拌した。触媒を口利し、酢
酸エチルで洗浄後濃縮して粗生成物を得、このものをそ
のまま実施例２と同様の脱シリル化反応を実施し２て標
品に一致する１７（Ｉｔ） 、 ２Ｇ−ジメ千ルー７−
チアブロスタグランジンＥ１メチルエステルを収率６２
チで得られた。
チルシリル） −４，４，５，５−デヒドロ１７（Ｒ）
、 ２０−ジメチル−７−チアブロスタグランジン島
メチルエステル（Ｉ２８■、０．２０ｍｍｏｔ）を酢酸
エチル（ａｙ）に溶かし５０■の１０％パラジウム−活
性炭を加えて室温２４時間攪拌した。触媒を口利し、酢
酸エチルで洗浄後濃縮して粗生成物を得、このものをそ
のまま実施例２と同様の脱シリル化反応を実施し２て標
品に一致する１７（Ｉｔ） 、 ２Ｇ−ジメ千ルー７−
チアブロスタグランジンＥ１メチルエステルを収率６２
チで得られた。
実施例１４
実施例１３において１ｏチパラジウムー活性炭の代わり
にクロロトリス（トリフェニルホスフィン）μジウム（
Ｉ）を用いて実施し、ｅ品Ｋ 一致する１７（Ｒ） 、
２０−ジメチル−７−千アブｐスタグランジンＥ、メ
チルエステルを得た。
にクロロトリス（トリフェニルホスフィン）μジウム（
Ｉ）を用いて実施し、ｅ品Ｋ 一致する１７（Ｒ） 、
２０−ジメチル−７−千アブｐスタグランジンＥ、メ
チルエステルを得た。
実施例１５
実施例１３と同様にしてｉｉ 、 ｔｓ−ビス（ｔ−ブ
チルジメチルシリル） −４，４，５，５−デヒドロ−
１７（Ｒ，） 、 ２０−ジメチル−７−チアブロスタ
グランジン玖メチルエステルを出発原料として１０チパ
ラジウムー活性炭を水添触媒に用いて重水素で接触還元
した。１ｄｌ様に脱保護して標品と一致する１７（Ｒ）
、 ２０−ジメチル−アーチアブジスタグランジンＥ
、−４，４，５，５−ｄ４メチルエステルを得た。
チルジメチルシリル） −４，４，５，５−デヒドロ−
１７（Ｒ，） 、 ２０−ジメチル−７−チアブロスタ
グランジン玖メチルエステルを出発原料として１０チパ
ラジウムー活性炭を水添触媒に用いて重水素で接触還元
した。１ｄｌ様に脱保護して標品と一致する１７（Ｒ）
、 ２０−ジメチル−アーチアブジスタグランジンＥ
、−４，４，５，５−ｄ４メチルエステルを得た。
実施例１６
実施例１３と同様にして１１．１５−ビス（ｔ−ブチル
ジメチルシリル）−４，４，５，５−デヒドロ−１７（
Ｒ） 、 ２０−ジメチル−７−チアブロスタグランジ
ンＥ、メチルエステルを出発−“料として１０係パラジ
ウｌ、−活性炭を水添触媒に用いてトリチウムで接触襟
元した。同Ｊｆ１６に脱係物して標品と一致する１７（
Ｒ） 、 ２０−ジメチル−アーチアブロスタグランジ
ンＥ□−４＋４＋５＋５ Ｌ４メチルエステルを得た
。
ジメチルシリル）−４，４，５，５−デヒドロ−１７（
Ｒ） 、 ２０−ジメチル−７−チアブロスタグランジ
ンＥ、メチルエステルを出発−“料として１０係パラジ
ウｌ、−活性炭を水添触媒に用いてトリチウムで接触襟
元した。同Ｊｆ１６に脱係物して標品と一致する１７（
Ｒ） 、 ２０−ジメチル−アーチアブロスタグランジ
ンＥ□−４＋４＋５＋５ Ｌ４メチルエステルを得た
。
特許出願ゞ 帝大株式会ネ±、、’：、Ｊ代理人 弁理
士 前 １） 純 ＃ ’ −、ｉ。
士 前 １） 純 ＃ ’ −、ｉ。
゛１ζ４１．．−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 〔式中、Ｒ＾１は水素原子、Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿０アルキ
ル基、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは
非置換のＣ＿３〜Ｃ＿１＿０シクロアルキル基、置換も
しくは非置換のフェニル（Ｃ＿１〜Ｃ＿２）アルキル基
、または一当量のカチオンを表わし、Ｒ＾２、Ｒ＾３は
同一もしくは異なり、水素原子、トリ（Ｃ＿１〜Ｃ＿７
）炭化水素シリル基、または水酸基の酸素原子とともに
アセタール結合を形成する基を表わし、Ｒ＾４は水素原
子、メチル基、またはビニル基を表わし、Ｒ＾５は酸素
原子を含んでいてもよい直鎖もしくは分枝鎖Ｃ＿３〜Ｃ
＿８アルキル基；置換されていてもよいフェニル基、フ
ェノキシ基、もしくはＣ＿３〜Ｃ＿１＿０シクロアルキ
ル基；または Ｃ＿１〜Ｃ＿６アルコキシ基、置換されていてもよいフ
ェニル基、フェノキシ基、もしくはＣ＿３〜Ｃ＿１＿０
シクロアルキル基で置換されている直鎖もしくは分枝鎖
Ｃ＿１〜Ｃ＿５アルキル基を表わし、Ｘはエチニレン基
、シス−ビニレン基、またはトランス−ビニレン基を表
わし、ｎは０または１を表わす。〕 で表わされる化合物およびその１５（ｎ＝１のとき）エ
ピマーならびにそれらの鏡像体あるいはそれらの任意の
割合の混合物である７−チアブロスタグランジンＥ＿１
類。 ２、ｎが０である特許請求の範囲第１項記載の７−チア
ブロスタグランジンＥ＿１類。 ３、ｎが１である特許請求の範囲第１項記載の７−チア
ブロスタグランジンＥ＿１類。 ４、Ｘがエチニレン基である特許請求の範囲第１項〜第
３項のいずれか１項記載の７−チアブロスタグランジン
Ｅ＿１類。 ５、Ｘがシス−ビニレン基である特許請求の範囲第１項
〜第３項のいずれか１項記載の７−チアブロスタグラン
ジンＥ＿１類。 ６、Ｒ＾１が水素原子、Ｃ＿１〜Ｃ＿１＿０のアルキル
基または一当量のカチオンである特許請求の範囲第１項
〜第５項のいずれか１項記載の７−チアブロスタグラン
ジンＥ＿１類。 ７、Ｒ＾２とＲ＾３は同一もしくは異なり水素原子、ト
リ（Ｃ＿１〜Ｃ＿４）アルキルシリル基、ジフェニル（
Ｃ＿１〜Ｃ＿４）アルキルシリル基、２−テトラヒドロ
ピラニル基、２−テトラヒドロフラニル基、１−エトキ
シエチル基、２−エトキシ−２−プロピル基、（２−メ
トキシエトキシ）メチル基、または６，６−ジメチル−
３−オキサ−２−オキソビシクロ〔３．１．０〕ヘキス
−４−イル基である特許請求の範囲第１項〜第６項のい
ずれか１項記載の７−チアブロスタグランジンＥ＿１類
。 ８、Ｒ＾４が水素原子である特許請求の範囲第１項〜第
７項のいずれか１項記載の７−チアブロスタグランジン
Ｅ＿１類。 ９、Ｒ＾４がメチル基である特許請求の範囲第１項〜第
７項のいずれか１項記載の７−チアブロスタグランジン
Ｅ＿１類。 １０、Ｒ＾４がビニル基である特許請求の範囲第１項〜
第７項のいずれか１項記載の７−チアブロスタグランジ
ンＥ＿１類。 １１、Ｒ＾５がブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、１
−メチル−１−ブチル基、２−メチル−１−ブチル基、
２−ヘキシル基、２−メチルヘキシル基、２−エトキシ
エチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シク
ロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、または
フェニル基である特許請求の範囲第１項〜第１０項のい
ずれか１項記載の７−チアブロスタグランジンＥ＿１類
。 １２、下記式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔II〕 〔式中、Ｒ＾１＾１はＣ＿１〜Ｃ＿１＿０アルキル基、
置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換
のＣ＿３〜Ｃ＿１＿０シクロアルキル基、置換もしくは
非置換のフェニル（Ｃ＿１〜Ｃ＿２）アルキル基を表わ
し、Ｒ＾２＾１はトリ（Ｃ＿１〜Ｃ＿７）炭化水素シリ
ル基、または水酸基の酸素原子とともにアセタール結合
を形成する基を表わし、Ｘは前記定義に同じである。〕
で表わされる２−オルガノチオ−２−シクロペンテノン
類またはその鏡像体あるいはそれらの任意の割合の混合
物を下記式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔III〕 〔式中、Ｒ＾３＾１はトリ（Ｃ＿１〜Ｃ＿７）炭酸水素
シリル基または水酸基の酸素原子とともにアセタール結
合を形成する基を表わし、 Ｒ＾４、Ｒ＾５、およびｎは前記定義に同じである。〕 で表わされる有機リチウム化合物と下記式〔IV〕 ＣｕＱ・・・〔IV〕 〔式中、Ｑはハロゲン原子、シアノ基、フェニルチオ基
、または１−ペンチニル基を表わす。〕 で表わされる銅化合物とから得られる有機銅化合物と共
役付加反応せしめ、必要に応じて脱保護および／または
加水分解および／または塩生成反応に付すことを特徴と
する下記式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 弐中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｘお
よびｎは前記定義に同じである。 で表わされる化合物およびその１５（ｎ＝０のとき）ま
たは１６（ｎ＝１のとき）エピマーならびにそれらの鏡
像体あるいはそれらの任意の割合の混合物である７−チ
アブロスタグランジンＥ＿１類の製造法。 １３、三価の有機リン化合物の存在下で共役付加反応を
実施する特許請求の範囲第１２項記載の７−チアブロス
タグランジンＥ＿１類の製造法。 １４、下記式〔 I −ａ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I −ａ〕 〔式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、お
よびｎは前記定義に同じである。〕 で表わされる４，４，５，５−デヒドロ−７−チアブロ
スタグランジンＥ＾１類を水素添加触媒の存在下に接触
還元することを特徴とする下記式〔 I −ｂ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I −ｂ〕 〔式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、お
よびｎは前記定義に同じである。〕 で表わされる４，５−デヒドロ−７−チアブロスタグラ
ンジンＥ＿１類の製造法。 １５、水素添加触媒がパラジウム系触媒白金触媒、また
はロジウム触媒である特許請求の範囲第１４項記載の７
−チアブロスタグランジンＥ＿１類の製造法。 １６、パラジウム系触媒がリンドラー触媒、またはキノ
リンで被毒されたパラジウム−硫酸バリウム触媒である
特許請求の範囲第１５項記載の７−チアブロスタグラン
ジンＥ＿１類の製造法。 １７、白金触媒が酸化白金、白金黒である特許請求の範
囲第１５項記載の７−チアブロスタグランジンＥ＿１類
の製造法。 １８、ロジウム触媒がクロロトリス（トリフェニルホス
フィン）ロジウム（ I ）である特許請求の範囲第１５
項記載の７−チアブロスタグランジンＥ＿１類の製造法
。 １９、下記式〔 I −ｂ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I −ｂ〕 式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、およ
びｎは前記定義に同じである。 で表わされる４，５−ジデヒドロ−７−チアブロスタグ
ランジンＥ＿１類を水素添加触媒の存在下に接触還元す
ることを特徴とする下記式〔Ｖ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔Ｖ〕 〔式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、お
よびｎは前記定義に同じである。〕 で表わされる７−チアブロスタグランジンＥ＿１類の製
造法。 ２０、水素添加触媒がパラジウム系触媒、白金触媒、ロ
ジウム触媒である特許請求の範囲第１９項記載の７−チ
アブロスタグランジンＥ＿１類の製造法。 ２１、パラジウム系触媒がパラジウム−活性炭、パラジ
ウム−炭酸カルシウム、パラジウム−硫酸バリウムであ
る特許請求の範囲第２０項記載の７−チアブロスタグラ
ンジンＥ＿１類の製造法。 ２２、パラジウム系触媒がリンドラー触媒またはキノリ
ンで被毒されたパラジウム−硫酸バリウム触媒である特
許請求の範囲第２０項記載７−チアブロスタグランジン
Ｅ＿１類の製造法。 ２３、白金触媒が酸化白金、白金黒である特許請求の範
囲第２０項記載の７−チアブロスタグランジンＥ＿１類
の製造法。 ２４、ロジウム触媒がクロロトリス（トリフェニルホス
フィン）ロジウム（ I ）である特許請求の範囲第２０
項記載の７−チアブロスタグランジンＥ＿１類の製造法
。 ２５、下記式〔 I −ａ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I −ａ〕 〔式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、お
よびｎは前記定義に同じである。〕 で表わされる４，５−テトラデヒドロ−７−チアブロス
タグランジンＥ＿１類を水素添加触媒の存在下に接触還
元することを特徴とする下記式＜Ｖ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔Ｖ〕 式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、およ
びｎは前記定義に同じである。 で表わされる７−チアブロスタグランジンＥ＿１類の製
造法。 ２６、水素添加触媒がパラジウム系触媒、白金触媒、ロ
ジウム触媒である特許請求の範囲第２５項記載の７−チ
アブロスタグランジンＥ＿１類の製造法。 ２７、パラジウム系触媒がパラジウム−活性炭、パラジ
ウム−炭酸カルシウム、パラジウム−硫酸バリウムであ
る特許請求の範囲第２６項記載の７−チアブロスタグラ
ンジンＥ＿１類の製造法。 ２８、白金触媒が酸化白金、白金黒である特許請求の範
囲第２６項記載の７−チアブロスタグランジンＥ＿１類
の製造法。 ２９、ロジウム触媒がクロロトリス（トリフェニルホス
フィン）ロジウム（ I ）である特許請求の範囲第２６
項記載の７−チアブロスタグランジンＥ＿１類の製造法
。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15203584A JPS6130570A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | ７―チアプロスタグランジンｅ↓１類 |
| PCT/JP1985/000110 WO1985003936A1 (fr) | 1984-03-05 | 1985-03-05 | 7-thiaprostaglandines e1 et leur procede de preparation |
| AU39987/85A AU568928B2 (en) | 1984-03-05 | 1985-03-05 | 7-thiaprostaglandins e1 and process for producing same |
| KR1019850700288A KR920004190B1 (ko) | 1984-03-05 | 1985-03-05 | 7-티아프로스타글란딘 e₁의 제조방법 |
| DE8585901090T DE3569728D1 (en) | 1984-03-05 | 1985-03-05 | 7-thiaprostaglandin e 1?'s and process for their preparation |
| EP85901090A EP0173754B1 (en) | 1984-03-05 | 1985-03-05 | 7-thiaprostaglandin e 1?'s and process for their preparation |
| US07/526,682 US5159102A (en) | 1984-03-05 | 1990-05-22 | 7-thiaprostaglandins E, and process for producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15203584A JPS6130570A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | ７―チアプロスタグランジンｅ↓１類 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130570A true JPS6130570A (ja) | 1986-02-12 |
| JPH0430952B2 JPH0430952B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=15531628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15203584A Granted JPS6130570A (ja) | 1984-03-05 | 1984-07-24 | ７―チアプロスタグランジンｅ↓１類 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130570A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148231A (en) * | 1990-06-26 | 1992-09-15 | Tomey Corp. | Apparatus for measuring a refracting power of an optical system |
-
1984
- 1984-07-24 JP JP15203584A patent/JPS6130570A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148231A (en) * | 1990-06-26 | 1992-09-15 | Tomey Corp. | Apparatus for measuring a refracting power of an optical system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430952B2 (ja) | 1992-05-25 |
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