JPS6132603A - 電圧制御発振回路 - Google Patents
電圧制御発振回路Info
- Publication number
- JPS6132603A JPS6132603A JP15386884A JP15386884A JPS6132603A JP S6132603 A JPS6132603 A JP S6132603A JP 15386884 A JP15386884 A JP 15386884A JP 15386884 A JP15386884 A JP 15386884A JP S6132603 A JPS6132603 A JP S6132603A
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- output
- bias
- circuit
- control
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
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- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電圧入力によって周波数を制御することができ
る電圧制御発振回路（ＶＣＯ）に関し、特に制御電圧範
囲が拡大された電圧制御発振回路に関するものである。
る電圧制御発振回路（ＶＣＯ）に関し、特に制御電圧範
囲が拡大された電圧制御発振回路に関するものである。
電圧制御発振回路は電圧入力によって制御素子例えば可
変容量ダイオードの容量を変化させ、これによって発振
周波数を制御するものであって、既に広く用いられてい
る。
変容量ダイオードの容量を変化させ、これによって発振
周波数を制御するものであって、既に広く用いられてい
る。
一般に電圧制御発振回路においては、制御素子である可
変容量ダイオードに固定的なバイアス電圧を与えて発振
周波数を定めるか、またはこのバイアス電圧にさらに交
流信号を重畳して加えることによって発振周波数を変調
して出力を発生するようにしている。
変容量ダイオードに固定的なバイアス電圧を与えて発振
周波数を定めるか、またはこのバイアス電圧にさらに交
流信号を重畳して加えることによって発振周波数を変調
して出力を発生するようにしている。
従来、このような電圧制御発振回路のバイアス電源とし
ては、電源電圧の一部を分圧して用いることが多かった
。しかしながら可変容量ダイオードは、その制御電圧対
発振周波数の特性が一般にある曲線をなし、良好な直線
性を確保できる範囲が限られていて、例えば数ｖ程度の
比較的大きなバイアス電圧値を必要とする場合が多い。
ては、電源電圧の一部を分圧して用いることが多かった
。しかしながら可変容量ダイオードは、その制御電圧対
発振周波数の特性が一般にある曲線をなし、良好な直線
性を確保できる範囲が限られていて、例えば数ｖ程度の
比較的大きなバイアス電圧値を必要とする場合が多い。
従って電源電圧が低くバイアス電圧として低い値しか与
えることができない場合には、直線性の劣化を免れない
だけでなく、バイアス電圧値を超えて制御入力を加える
ことができないため、所望の制御範囲を確保することが
できないという問題があった。
えることができない場合には、直線性の劣化を免れない
だけでなく、バイアス電圧値を超えて制御入力を加える
ことができないため、所望の制御範囲を確保することが
できないという問題があった。
そこで例えば単電源を用いた携帯用の機器等において、
電源電圧として比較的低い値しか利用できないような場
合には、電圧制御発振回路のバイアス電源として別にＤ
Ｃ−ＤＣコンバータを設ける等の方法が用いられている
が、これによって当然機器の構成が複雑化し、価格的に
も不利になることを免れない。
電源電圧として比較的低い値しか利用できないような場
合には、電圧制御発振回路のバイアス電源として別にＤ
Ｃ−ＤＣコンバータを設ける等の方法が用いられている
が、これによって当然機器の構成が複雑化し、価格的に
も不利になることを免れない。
本発明はこのような従来技術の問題点を解決しようメす
るものであって、制御電圧によって値を変化する制御素
子を用いた電圧制御発振回路において、電源電圧が低い
場合でも別にＤＣ−ＤＣコンバータ等を用いることなく
、制御素子に十分なバイアス電圧を与えて、所要の制御
電圧範囲を確保することができるようにしようとするも
のである。
るものであって、制御電圧によって値を変化する制御素
子を用いた電圧制御発振回路において、電源電圧が低い
場合でも別にＤＣ−ＤＣコンバータ等を用いることなく
、制御素子に十分なバイアス電圧を与えて、所要の制御
電圧範囲を確保することができるようにしようとするも
のである。
本発明の電圧制御発振回路においては、発振出力の一部
を整流して電圧を発生してこれを制御素子にバイアス電
源として与え、またはこの電圧を電源電圧に加算して制
御素子のバイアス電圧として使用する。
を整流して電圧を発生してこれを制御素子にバイアス電
源として与え、またはこの電圧を電源電圧に加算して制
御素子のバイアス電圧として使用する。
本発明の電圧制御発振回路では、発振出力の一部を整流
して得られた電圧、またはこの電圧を電源電圧に加算し
て得られた電圧を制御素子のバイアス電圧として使用す
るので、電圧制御発振回路における制御電圧範囲が拡大
される。
して得られた電圧、またはこの電圧を電源電圧に加算し
て得られた電圧を制御素子のバイアス電圧として使用す
るので、電圧制御発振回路における制御電圧範囲が拡大
される。
第１図は本発明の電圧制御発振回路の一実施例の構成を
示している。同図において、ＴＲＩはトランジスタ、Ｄ
ｌは可変容量ダイオード、Ｄ２．Ｄ３はダイオード、Ｌ
ｌはコイル、Ｒ１−Ｒ５は抵抗、０１〜Ｃ６はコンデン
サである。
示している。同図において、ＴＲＩはトランジスタ、Ｄ
ｌは可変容量ダイオード、Ｄ２．Ｄ３はダイオード、Ｌ
ｌはコイル、Ｒ１−Ｒ５は抵抗、０１〜Ｃ６はコンデン
サである。
第１図において、トランジスタＴＲＩのコレクタは交流
的に接地されていて、そのベースと接地間の交流電圧を
コンデンサＣ３，Ｃ４によって分割してエミッタに与え
る帰還することによって、コイルＬ１のインダクタンス
と可変容量ダイオードＤ１の容量によってほぼ定まる周
波数の発振出力をエミッタに生じる。この際トランジス
タＴＲＩには、電源として＋■１が加えられている。
的に接地されていて、そのベースと接地間の交流電圧を
コンデンサＣ３，Ｃ４によって分割してエミッタに与え
る帰還することによって、コイルＬ１のインダクタンス
と可変容量ダイオードＤ１の容量によってほぼ定まる周
波数の発振出力をエミッタに生じる。この際トランジス
タＴＲＩには、電源として＋■１が加えられている。
極性の電圧−■２を発生する。可変容量ダイオードＤ１
は、その一方の電極（カソード）にバイアス抵抗Ｒ１を
経て＋７重と等しい電圧が加えられているとともに、他
方の電極（アノード）に電圧−Ｖ２が加えられている。
は、その一方の電極（カソード）にバイアス抵抗Ｒ１を
経て＋７重と等しい電圧が加えられているとともに、他
方の電極（アノード）に電圧−Ｖ２が加えられている。
第１図の回路では、可変容量ダイオードに対するバイア
ス電圧は（ｖ、＋ｖ２）となり、制御入力として＋■、
から−Ｖ２までの電圧範囲を与え、ることができ、従っ
て電源電圧＋Ｖ、が例えば単電源であって非富に低い場
合にも、可変容量ダイオードに対して十分なバイアス電
圧を与えて直線性の良好な状態で使用することができる
。
ス電圧は（ｖ、＋ｖ２）となり、制御入力として＋■、
から−Ｖ２までの電圧範囲を与え、ることができ、従っ
て電源電圧＋Ｖ、が例えば単電源であって非富に低い場
合にも、可変容量ダイオードに対して十分なバイアス電
圧を与えて直線性の良好な状態で使用することができる
。
すなわち第１図において、制御入力に接続される図示さ
れない前段の制御回路にも単電源電圧十■１が供給され
るものとすれば、その制御回路から出力し得る最大電圧
は＋■１から接地レベルの範囲である。そこで制御電圧
が＋■１に近い場合は十分なバイアス電圧が可変容量ダ
イオードＤ１に加えられており、直線性は良好に保たれ
る。また制御電圧が接地レベルに近くなってきても、−
ｖ２なるバイアス電圧が加えられているので、依然とし
て直線性の良い領域にあるようにすることができる。こ
のように第１図の回路によれば、直線性の良い電圧制御
発振回路を構成することができる。
れない前段の制御回路にも単電源電圧十■１が供給され
るものとすれば、その制御回路から出力し得る最大電圧
は＋■１から接地レベルの範囲である。そこで制御電圧
が＋■１に近い場合は十分なバイアス電圧が可変容量ダ
イオードＤ１に加えられており、直線性は良好に保たれ
る。また制御電圧が接地レベルに近くなってきても、−
ｖ２なるバイアス電圧が加えられているので、依然とし
て直線性の良い領域にあるようにすることができる。こ
のように第１図の回路によれば、直線性の良い電圧制御
発振回路を構成することができる。
第２図は本発明の電圧制御発振回路の他の実施例の構成
を示している。同図において第１図におけると同じ部分
は同じ符号で示されており、Ｒ６は抵抗である。
を示している。同図において第１図におけると同じ部分
は同じ符号で示されており、Ｒ６は抵抗である。
第２図の回路においては、コンデンサＣ１，抵抗Ｒ２，
ダイオードＤ３の一端は接地される代りに電源電圧＋■
１に接続されている。またダイオードＤ３．Ｄ４は第１
図の回路の場合とは逆向きに接続されていて、出力を整
流して＋ｖ２の電圧を負荷抵抗Ｒ２の両端に発生する。
ダイオードＤ３の一端は接地される代りに電源電圧＋■
１に接続されている。またダイオードＤ３．Ｄ４は第１
図の回路の場合とは逆向きに接続されていて、出力を整
流して＋ｖ２の電圧を負荷抵抗Ｒ２の両端に発生する。
従って可変容量ダイオードＤ１には（ｖ、＋ｖ２）のバ
イアス電圧が加えられることになる。第２図の回路にお
いては、制御入力として（Ｖ １ ＋ Ｖ ２ ）から
接地レベルまでの電圧範囲を与えることができ、この場
合も電源電圧＋Ｖ１が非常に低いときでも、可変容量ダ
イオードに対して十分なバイアス電圧を与えて直線性の
良好な状態で使用することができる。
イアス電圧が加えられることになる。第２図の回路にお
いては、制御入力として（Ｖ １ ＋ Ｖ ２ ）から
接地レベルまでの電圧範囲を与えることができ、この場
合も電源電圧＋Ｖ１が非常に低いときでも、可変容量ダ
イオードに対して十分なバイアス電圧を与えて直線性の
良好な状態で使用することができる。
以上の実施例においては、制御素子として可変容量ダイ
オードを使用する場合について説明したが、本発明はこ
の場合に限るものでなく、制御入力電圧に応じてその値
を変化する制御素子を具えた各種の電圧制御発振回路に
対して適用し得るものであることは言うまでもない。
オードを使用する場合について説明したが、本発明はこ
の場合に限るものでなく、制御入力電圧に応じてその値
を変化する制御素子を具えた各種の電圧制御発振回路に
対して適用し得るものであることは言うまでもない。
また制御素子のバイアス電圧として使用し得るのは発振
出力の整流電圧に電源電圧を加算した電圧に限らず、出
力の整流電圧のみであってもよいことは当然である。
出力の整流電圧に電源電圧を加算した電圧に限らず、出
力の整流電圧のみであってもよいことは当然である。
以上説明したように、本発明の電圧制御発振回路によれ
ば、制御素子に与えるバイアス電圧を電源電圧を超えて
大きくすることができ、従って電圧制御発振回路におけ
る制御電圧範囲を拡大し、ひいては広範囲に亙って直線
性を良好にすることができる。
ば、制御素子に与えるバイアス電圧を電源電圧を超えて
大きくすることができ、従って電圧制御発振回路におけ
る制御電圧範囲を拡大し、ひいては広範囲に亙って直線
性を良好にすることができる。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の電圧制御発振回
路の一実施例の構成を示す図である。
路の一実施例の構成を示す図である。
Claims (1)
- 制御入力電圧に応じてその値を変化する制御素子を具え
該制御素子によつて発振周波数を制御される電圧制御発
振回路において、該電圧制御発振回路の出力の一部を整
流して出力電圧を発生する手段を具え該出力電圧または
これと電源電圧とを加算した電圧を前記制御素子にバイ
アス電圧として供給することを特徴とする電圧制御発振
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15386884A JPS6132603A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 電圧制御発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15386884A JPS6132603A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 電圧制御発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132603A true JPS6132603A (ja) | 1986-02-15 |
Family
ID=15571858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15386884A Pending JPS6132603A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 電圧制御発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132603A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0755112A1 (en) * | 1995-07-20 | 1997-01-22 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Tunable voltage-controlled oscillator |
| FR2788638A1 (fr) * | 1999-01-20 | 2000-07-21 | Sagem | Circuit d'oscillation avec dynamique etendue |
| WO2001052402A1 (en) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Voltage-controlled oscillator for producing multiple frequency bands |
| EP1413050A1 (en) * | 2001-08-02 | 2004-04-28 | C-Mac Quartz Crystals Limited | A variable reactance tuning circuit |
-
1984
- 1984-07-24 JP JP15386884A patent/JPS6132603A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0755112A1 (en) * | 1995-07-20 | 1997-01-22 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Tunable voltage-controlled oscillator |
| FR2788638A1 (fr) * | 1999-01-20 | 2000-07-21 | Sagem | Circuit d'oscillation avec dynamique etendue |
| EP1022846A1 (fr) * | 1999-01-20 | 2000-07-26 | Sagem Sa | Circuit d'oscillation avec dynamique étendue |
| WO2001052402A1 (en) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Voltage-controlled oscillator for producing multiple frequency bands |
| US6759915B2 (en) | 2000-01-12 | 2004-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multi-band, voltage-controlled oscillator |
| EP1413050A1 (en) * | 2001-08-02 | 2004-04-28 | C-Mac Quartz Crystals Limited | A variable reactance tuning circuit |
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