JPS6133404B2 - - Google Patents

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JPS6133404B2
JPS6133404B2 JP54110702A JP11070279A JPS6133404B2 JP S6133404 B2 JPS6133404 B2 JP S6133404B2 JP 54110702 A JP54110702 A JP 54110702A JP 11070279 A JP11070279 A JP 11070279A JP S6133404 B2 JPS6133404 B2 JP S6133404B2
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JP
Japan
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transistor
differential amplifier
constant current
current source
control electrode
Prior art date
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Expired
Application number
JP54110702A
Other languages
English (en)
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JPS5634207A (en
Inventor
Mitsuru Nagata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Priority to US06/171,755 priority patent/US4379268A/en
Priority to GB8027826A priority patent/GB2061046B/en
Priority to DE3032567A priority patent/DE3032567C2/de
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Publication of JPS6133404B2 publication Critical patent/JPS6133404B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/4521Complementary long tailed pairs having parallel inputs and being supplied in parallel
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45366Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising multiple transistors parallel coupled at their gates only, e.g. in a cascode dif amp, only those forming the composite common source transistor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は少ない素子数で定gm化を可能にする
差動増幅器に関する。
従来、定gm差動増幅器としては第1図に示す
ものがある。すなわち、トランジスタQ1,Q2
りなる差動増幅器でgm特性を平坦にするため直
線部分を広げるにはダイオードスタツクD1,D2
の数を増す必要があり、それによつて電源電圧が
制限されると共に素子数が多くなる欠点があつ
た。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので従
来回路に比べて少ない素子数で定gm化を可能に
し得る差動増幅器を提供することを目的とする。
以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説
明する。
第2図は本発明の一実施例を示し、入力端子a
は第1のトランジスタQa,第2のトランジスタ
Qbのそれぞれベースに接続され、第1のトラン
ジスタQaのコレクタは定電流源11を介してバ
イアス電圧Vcc印加端子12に接続されると共に
出力端子bに接続される。前記第1のトランジス
タQaのエミツタはN―1個のダイオードDa1
DaN1が縦続接続されたダイオードスタツク、
定電流源Iを直列に介してバイアス電圧VEE印加
端子13に接続される。前記第2のトランジスタ
Qbのコレクタは定電流源14を介してバイアス
電圧Vcc印加端子12に接続され、この第2トラ
ンジスタQbのエミツタはM―1個のダイオード
Db1〜DbM1が縦続接続されたダイオードスタツ
ク、定電流源aIを直列に介してバイアス電圧VEE
印加端子13に接続される。前記第1のトランジ
スタQaのコレクタは第3のトランジスタQcのコ
レクタに接続され、この第3のトランジスタQc
のエミツタはM―1個のダイオードDc1〜DcM1
が縦続接続されたダイオードスタツクを介して定
電流源aIに接続される。前記第3のトランジスタ
Qcのベースは第4のトランジスタQdのベースに
接続されると共に端子Cに接続され、この第4の
トランジスタQdのコレクタは第2のトランジス
タQdのコレクタに接続されると共に定電流源1
4に接続される。第4のトランジスタQdのエミ
ツタはN―1個のダイオードDb1〜DdN1が縦続
接続されたダイオードスタツクを介して定電流源
Iに接続される。而して、前記第1のトランジス
タQaと第4のトランジスタQdで差動増幅器を構
成し、第2のトランジスタQbと第3のトランジ
スタQcで差動増幅器を構成する。前記定電流源
11と14はカレントミラー回路を構成する。
第3図は基本的な差動増幅器を示す。すなわ
ち、一対のトランジスタQ31,Q32のそれぞれエ
ミツタは共通にして定電流源Iに接続され、前記
トランジスタQ31,Q32のそれぞれコレクタはカ
レントミラー回路を構成する定電流源31,32
に接続される。前記一方のトランジスタQ31のベ
ースには入力端子33が接続され、他方のトラン
ジスタQ32のベースには端子34が接続され、こ
の端子34と入力端子33との間の電圧をvとす
る。
この基本的な差動増幅器のgm(=∂i/∂v)は以 式で示される。
gm=2I/V・exp(v/V)/{1+ex
p(v/V)}…(1) VT=kT/q26mV 而して、第4図は第3図の差動増幅器を構成す
る各トランジスタのエミツタに、差動入力部分の
トランジスタと同特許のダイオードD1〜DN1
N―1個ダイオード結合した差動増幅器で、この
差動増幅器のgmは次式で表わされる。
gm=2I/V・exp(v/NV)/{1+e
xp(v/NV)}…(2) したがつて、第2図の差動増幅器のgmは第1
のトランジスタQaと第4のトランジスタQdより
なる差動増幅器のgmから、第2のトランジスタ
Qbと第3のトランジスタQcよりなる差動増幅器
のgmを差し引いたものであるから、(2)式を使つ
て、 gm=2I/V〔exp(v/NV)/{1+ex
p(v/NV −αexp(v/MV)/{1+exp(v/M
)}〕…(3) この(3)式のα,M,Nを1>α>Oで、N>M
>Oの範囲に選ぶと、入力電圧に対するgmを平
担化することができる。
すなわち、第1のトランジスタQaと第4のト
ランジスタQdよりなる差動増幅器のgm特性は
第5図に示すようになり、第2のトランジスタ
Qbと第3のトランジスタQcよりなる差動増幅器
のgm特性は第6図に示すようになる。したがつ
て、全体のgm特性は第7図に示すように、第5
図のgm特性から第6図のgm特性を差し引いた
特性になり、gm特性を平担化することができ
る。
第8図は(3)式において、各々α,M,Nを適当
な値にしてgmを平担化したグラフを示す。曲線
Aはα=1/4,M=1,N=2、曲線Bはα=1/2
,M =2,N=3、曲線Cはα=3/5,M=3,N=4 である。
なお、第2図の回路において、端子aと端子b
を接続すれば可変インピーダンス回路となり、そ
のインピーダンスは(3)式のgmの逆数となる。
以上述べたように、1>α>O>,N>1かつ
N>M>Oの範囲で、2つの差動増幅器を入力を
共通にして出力は互いに反対側にものと接続する
ことにより、従来回路に比べて素子数を少なくで
きしかも広い入力電圧範囲で定gm化が可能とな
る。したがつて、特に音響機器のパワーアンプの
初段に用いれば裸特性の改善になり、また可変イ
ンピーダンス回路として電子ポリユーム,ALC
回路に用いて好適する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の差動増幅器を示す回路図、第2
図は本発明の一実施例を示す回路図、第3図およ
び第4図は本発明を説明するための基本的な差動
増幅器の例を示す回路図、第5図,第6図,第7
図および第8図は本発明に係るgm特性の平坦化
を説明するためのgm特性曲線図である。 Qa,Qb,Qc,Qd…トランジスタ、Da1
DaN1,Db1〜DbN1,Dc1〜DcM1,Dd1
DdN1…ダイオード、I,αI…定電流源、a
…入力端子、b…出力端子、11,14…カレン
トミラー回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 第1の非制御電極をN―1個のダイオードを
    直列に介して第1の定電流源に接続した第1のト
    ランジスタと、この第1のトランジスタの制御電
    極が制御電極に接続され第1の非制御電極をM―
    1個のダイオードを直列に介して前記第1の定電
    流源のα倍の電流を出力する第2の定電流源に接
    続した第2のトランジスタと、前記第1のトラン
    ジスタの第2の非制御電極が第2の非制御電極に
    接続され第1の非制御電極をM―1個のダイオー
    ドを直列に介して前記第2の定電流源に接続した
    第3のトランジスタと、この第3のトランジスタ
    の制御電極が制御電極に接続され第2の非制御電
    極を前記第2のトランジスタの第2の非制御電極
    に接続しかつ第1の非制御電極をN―1個のダイ
    オードを直列に介して前記第1の定電流源に接続
    した第4のトランジスタとを具備し、前記第1の
    トランジスタおよび第4のトランジスタ,第2の
    トランジスタおよび第3のトランジスタでそれぞ
    れ差動増幅器を構成し、前記α,N,Mを1>α
    >O,N>1かつN>M>Oの範囲にしたことを
    特徴とする差動増幅器。
JP11070279A 1979-08-30 1979-08-30 Differential amplifier Granted JPS5634207A (en)

Priority Applications (4)

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GB8027826A GB2061046B (en) 1979-08-30 1980-08-28 Differential amplifier
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