JPS6135522B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6135522B2 JPS6135522B2 JP56026459A JP2645981A JPS6135522B2 JP S6135522 B2 JPS6135522 B2 JP S6135522B2 JP 56026459 A JP56026459 A JP 56026459A JP 2645981 A JP2645981 A JP 2645981A JP S6135522 B2 JPS6135522 B2 JP S6135522B2
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- JP
- Japan
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- layer
- sio
- antireflection film
- deposited
- refractive index
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、反射防止膜の改良に関し、更に詳細
にはプラスチツク光学部材のために反射防止膜の
改良に関するものである。
にはプラスチツク光学部材のために反射防止膜の
改良に関するものである。
一般にプラスチツク光学部材は、基板が軟らか
いことや、80℃以上に加熱すると変形してしまう
ことから、反射防止膜として、300℃前後まで加
熱することが必要なホツトコードを使用すること
ができず、従つて強い反射防止膜を形成すること
が困難である。この対策として、プラスチツク光
学部材の表面にSiOまたはガラスを2μ〜10μ蒸
着し、下地の強度を高め、その上に反射防止膜を
施す方法が知られている。しかしながら、この方
法は、SiO2またはガラスの蒸着に時間がかか
り、作業性が悪く、またSiO2は上記した程度
(2μ〜10μ)になると光の吸収が大きくなつて
しまうなどの欠点がある。
いことや、80℃以上に加熱すると変形してしまう
ことから、反射防止膜として、300℃前後まで加
熱することが必要なホツトコードを使用すること
ができず、従つて強い反射防止膜を形成すること
が困難である。この対策として、プラスチツク光
学部材の表面にSiOまたはガラスを2μ〜10μ蒸
着し、下地の強度を高め、その上に反射防止膜を
施す方法が知られている。しかしながら、この方
法は、SiO2またはガラスの蒸着に時間がかか
り、作業性が悪く、またSiO2は上記した程度
(2μ〜10μ)になると光の吸収が大きくなつて
しまうなどの欠点がある。
また、基盤上に高屈折率を有する物質を先ず蒸
着し、この高屈折率層上に更に低屈折率を有する
物質を蒸着し、反射防止膜を2層膜構成とすれば
特定波長の反射率を特に下げることができること
が知られている。しかしながら、基盤を高温にす
ることができれば種々の物質を用いて上記2層膜
を形成することができるが、前述のようにプラス
チツクはほぼ常温において反射防止膜の蒸着を行
なう必要があるため、特に高屈折率層の選択が難
しいという問題がある。また、前述のガラスや
SiO2を高屈折率層として用いることは、ガラス
の場合には屈折率が不足であり、またSiO2の場
合には光の吸収が大きくなつてしまうという問題
があるため適当でない。
着し、この高屈折率層上に更に低屈折率を有する
物質を蒸着し、反射防止膜を2層膜構成とすれば
特定波長の反射率を特に下げることができること
が知られている。しかしながら、基盤を高温にす
ることができれば種々の物質を用いて上記2層膜
を形成することができるが、前述のようにプラス
チツクはほぼ常温において反射防止膜の蒸着を行
なう必要があるため、特に高屈折率層の選択が難
しいという問題がある。また、前述のガラスや
SiO2を高屈折率層として用いることは、ガラス
の場合には屈折率が不足であり、またSiO2の場
合には光の吸収が大きくなつてしまうという問題
があるため適当でない。
そこで本発明は、プラスチツク光学部材に上記
のような表面強化処理をしないで直接施すことが
でき、しかも特定の波長の反射率を特に高めるこ
とのできる層構成を有する反射防止膜を提供する
ことを目的とするものである。
のような表面強化処理をしないで直接施すことが
でき、しかも特定の波長の反射率を特に高めるこ
とのできる層構成を有する反射防止膜を提供する
ことを目的とするものである。
本発明によるプラスチツク部材の反射防止膜
は、プラスチツク光学部材上に酸化ジルコニウム
ZrO2を1/8λ〜1/2λ蒸着してなる第1層、およ
びこの第1層上に一酸化硅素SiOを酸化させなが
ら約1/4λ蒸着してなる第2層のみからなること
を特徴とするものである。
は、プラスチツク光学部材上に酸化ジルコニウム
ZrO2を1/8λ〜1/2λ蒸着してなる第1層、およ
びこの第1層上に一酸化硅素SiOを酸化させなが
ら約1/4λ蒸着してなる第2層のみからなること
を特徴とするものである。
本発明の反射防止膜においては、第1層として
常温で蒸着された場合にも十分な強度を有し、光
の吸収も少なく第2層との合性もよい酸化ジルコ
ニウムを用いたことにより、この酸化ジルコニウ
〓〓〓
ムにより、プラスチツク部材に適した、効果的な
高屈折率層を形成することができる。また第2層
は一酸化硅素SiOを酸化させながら約1/4λ蒸着
したものであるが、この第2層は単にSiO2のみ
からなるものではなく酸化されなかつたSiO、あ
るいは不完全酸化状態であるSi2O3等が混在して
形成されたものであり、実験によればこの第2層
によつて従来の表面強化処理した場合と同等のあ
るいはそれ以上の強度を呈することがわかつた。
また、反射防止効果は、この第2層の屈折率を
SiOの酸化の程度によつて所定の範囲内で調整で
きるので、従来の反射防止膜と同等以上の効果を
得ることができる。
常温で蒸着された場合にも十分な強度を有し、光
の吸収も少なく第2層との合性もよい酸化ジルコ
ニウムを用いたことにより、この酸化ジルコニウ
〓〓〓
ムにより、プラスチツク部材に適した、効果的な
高屈折率層を形成することができる。また第2層
は一酸化硅素SiOを酸化させながら約1/4λ蒸着
したものであるが、この第2層は単にSiO2のみ
からなるものではなく酸化されなかつたSiO、あ
るいは不完全酸化状態であるSi2O3等が混在して
形成されたものであり、実験によればこの第2層
によつて従来の表面強化処理した場合と同等のあ
るいはそれ以上の強度を呈することがわかつた。
また、反射防止効果は、この第2層の屈折率を
SiOの酸化の程度によつて所定の範囲内で調整で
きるので、従来の反射防止膜と同等以上の効果を
得ることができる。
以下添付図面を参照しつつ本発明の反射防止膜
の好ましい実施例について説明する。
の好ましい実施例について説明する。
第1図は、本発明の反射防止膜1の断面図であ
る。
る。
第1図において、符号2はPMMA等のプラス
チツク光学部材であり、反射防止膜1はこの光学
部材2上に被覆される。この反射防止膜1は、光
学部材2に近い順に酸化ジルコニウムZrO2を蒸
着してなる第1層3、およびこの第1層3上に一
酸化硅素を酸化させながら蒸着してなる第2層か
らなつている。第1層3の厚さは、1/2λ〜1/8λ
から透過させるべき光の波長に応じた厚さに選択
される。この第1層3の厚さは、通常は1/4λに
選択される。第2層4の厚さは、1/4λを選択す
るのが望ましい。
チツク光学部材であり、反射防止膜1はこの光学
部材2上に被覆される。この反射防止膜1は、光
学部材2に近い順に酸化ジルコニウムZrO2を蒸
着してなる第1層3、およびこの第1層3上に一
酸化硅素を酸化させながら蒸着してなる第2層か
らなつている。第1層3の厚さは、1/2λ〜1/8λ
から透過させるべき光の波長に応じた厚さに選択
される。この第1層3の厚さは、通常は1/4λに
選択される。第2層4の厚さは、1/4λを選択す
るのが望ましい。
なお、上記第2層4を形成する際の、一酸化硅
素の酸化しながらの蒸着は次のようにして行なわ
れる。
素の酸化しながらの蒸着は次のようにして行なわ
れる。
蒸着槽を1×10-5torr程度の高真空に排気して
から、O2ガスを上記蒸着槽内部が1×10-4torr程
度の真空度となるように導入し、このO2ガス
一酸化硅素をゆつくり(3〜10分)蒸着させて蒸
着し、これによつて第2層4を形成する。
から、O2ガスを上記蒸着槽内部が1×10-4torr程
度の真空度となるように導入し、このO2ガス
一酸化硅素をゆつくり(3〜10分)蒸着させて蒸
着し、これによつて第2層4を形成する。
次に実験例によつて本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
実験例
加熱せずに、アクリル基板上に第1層3として
酸化ジルコニウムZrO2を125mμ蒸着した。次に
このように形成した第1層3上に、第2層4とし
て一酸化硅素SiOを酸化させながら125mμ蒸着
させた。このときの第2層4の組成は、SiO、
SiO2、Si2O3、その他SiOxの硅素酸化物の混合体
であると考えられる。この混合体の屈折率は、
1.50であつた。またZrO2の屈折率は、1.89であつ
た。
酸化ジルコニウムZrO2を125mμ蒸着した。次に
このように形成した第1層3上に、第2層4とし
て一酸化硅素SiOを酸化させながら125mμ蒸着
させた。このときの第2層4の組成は、SiO、
SiO2、Si2O3、その他SiOxの硅素酸化物の混合体
であると考えられる。この混合体の屈折率は、
1.50であつた。またZrO2の屈折率は、1.89であつ
た。
以上のようにして形成した反射防止膜1の分光
反射率特性を第2図のグラフに示す。
反射率特性を第2図のグラフに示す。
この第2図のグラフから分かるように、本発明
による反射防止膜1は、十分に透過できる波長の
バンドが若干狭くなつているが十分な反射防止効
果を有するものである。また第2層として硅素酸
化物の混合体を蒸着したことにより、反射防止膜
全体としての強度が向上し、溶剤に対する耐久性
も向上した。更に第2層の不完全酸化硅素すなわ
ちSiO、Si2O3等の作用により、帯電防止の効果
も認められた。
による反射防止膜1は、十分に透過できる波長の
バンドが若干狭くなつているが十分な反射防止効
果を有するものである。また第2層として硅素酸
化物の混合体を蒸着したことにより、反射防止膜
全体としての強度が向上し、溶剤に対する耐久性
も向上した。更に第2層の不完全酸化硅素すなわ
ちSiO、Si2O3等の作用により、帯電防止の効果
も認められた。
なお、第1層3としてZrO2を用いたものを説
明したが、TiO2またはTi2O3でも反射特性や膜の
強度に差は出なかつた。従つて、第1層として
は、TiO2またはTi2O3を使用することもできる。
明したが、TiO2またはTi2O3でも反射特性や膜の
強度に差は出なかつた。従つて、第1層として
は、TiO2またはTi2O3を使用することもできる。
第1図は、本発明の反射防止膜の断面図、第2
図は、第1図に示した反射防止膜の反射率特性を
示すグラフである。 1……反射防止膜、2……プラスチツク光学部
材、3……第1層、4……第2層。 〓〓〓
図は、第1図に示した反射防止膜の反射率特性を
示すグラフである。 1……反射防止膜、2……プラスチツク光学部
材、3……第1層、4……第2層。 〓〓〓
Claims (1)
- 1 プラスチツク光学部材上に酸化ジルコニウム
ZrO2を1/8λ〜1/2λ蒸着してなる第1層、およ
びこの第1層上に一酸化硅素SiOを酸化させなが
ら約1/4λ蒸着してなる第2層のみからなるプラ
スチツク部材の反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56026459A JPS57139702A (en) | 1981-02-25 | 1981-02-25 | Reflection preventing film of plastic optical member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56026459A JPS57139702A (en) | 1981-02-25 | 1981-02-25 | Reflection preventing film of plastic optical member |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57139702A JPS57139702A (en) | 1982-08-28 |
| JPS6135522B2 true JPS6135522B2 (ja) | 1986-08-13 |
Family
ID=12194085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56026459A Granted JPS57139702A (en) | 1981-02-25 | 1981-02-25 | Reflection preventing film of plastic optical member |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57139702A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2590133B2 (ja) * | 1987-09-10 | 1997-03-12 | 日本板硝子株式会社 | 導電性反射防止膜を有する透明板 |
| WO2000063924A1 (en) * | 1999-04-20 | 2000-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transparent substrate with conductive multilayer antireflection coating, touch panel using transparent substrate, and electronic device using touch panel |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6056247B2 (ja) * | 1976-06-25 | 1985-12-09 | 三菱自動車工業株式会社 | 燃料噴射式エンジン |
| JPS56102801A (en) * | 1980-01-19 | 1981-08-17 | Minolta Camera Co Ltd | Reflection preventing film |
-
1981
- 1981-02-25 JP JP56026459A patent/JPS57139702A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57139702A (en) | 1982-08-28 |
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