JPS6142985A - 半導体レ−ザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザおよびその製造方法Info
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- JPS6142985A JPS6142985A JP16533284A JP16533284A JPS6142985A JP S6142985 A JPS6142985 A JP S6142985A JP 16533284 A JP16533284 A JP 16533284A JP 16533284 A JP16533284 A JP 16533284A JP S6142985 A JPS6142985 A JP S6142985A
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- semiconductor laser
- gaas
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体レーザのＷ漬方法に係り、特に、Ｍ
ＢＥ装置でもって製造されるＡ１．ＧａＡｓ系半導体レ
ーザの製造方法に関する。
ＢＥ装置でもって製造されるＡ１．ＧａＡｓ系半導体レ
ーザの製造方法に関する。
（ロ）従来技術
近年において横モードおよび縦モードの制御性や量産性
を考慮した構造の半導体レーザをＭＢＥ装置で製造する
方法が提案されている。
を考慮した構造の半導体レーザをＭＢＥ装置で製造する
方法が提案されている。
通常、ＭＢＥ装置でもって半導体レーザを製造するには
、−回目のＭＢＥ成長工程と、ストライプ溝を形成する
ホトエツチング工程と、二回目のＭＢＥ成長工程とが行
われている。
、−回目のＭＢＥ成長工程と、ストライプ溝を形成する
ホトエツチング工程と、二回目のＭＢＥ成長工程とが行
われている。
そして例えば、ホトエツチング工程において、半導体基
板の表面に酸化物等の不純物が付着してしまうという不
具合を生じる。そのため、二回目のＭＢＥＩＩｊ、長工
程の前に、前記不純物を除去する必要があった。しかし
て、通常行われている不純物の除去方法では、二回目の
ＭＢＥ成長工程で成長層の積層状態が非常に悪くなる。
板の表面に酸化物等の不純物が付着してしまうという不
具合を生じる。そのため、二回目のＭＢＥＩＩｊ、長工
程の前に、前記不純物を除去する必要があった。しかし
て、通常行われている不純物の除去方法では、二回目の
ＭＢＥ成長工程で成長層の積層状態が非常に悪くなる。
そこで、いわゆるサーマルクリーニング工程（半導体基
板に砒素分子線を当てながら高温にする）が考えられた
。
板に砒素分子線を当てながら高温にする）が考えられた
。
このサーマルクリーニング工程を行うと、二回目のＭＢ
Ｅ成長工程による成長層の積層状態を良好とすることが
できる。そのため、このサーマルクリーニング工程を行
うことが非常に重要となる。
Ｅ成長工程による成長層の積層状態を良好とすることが
できる。そのため、このサーマルクリーニング工程を行
うことが非常に重要となる。
しかして、この種の半導体レーザでは、通常、−回目の
ＭＢＥ成長工程でＧａＡｓからなる光吸収層が最後に成
長されている。ところが、前記光吸収層は温度を上昇さ
せるにつれてその蒸発速度が速くなる特性を持っている
（第３図参照）関係上、高温で行われるサーマルクリー
ニング工程中に前記光吸収層が蒸発される。部ち、サー
マルクリーニング工程を行うことは実質的に不可能であ
り、横モードおよび縦モードの制御性のよい半導体レー
ザを製造するのは困難であった。
ＭＢＥ成長工程でＧａＡｓからなる光吸収層が最後に成
長されている。ところが、前記光吸収層は温度を上昇さ
せるにつれてその蒸発速度が速くなる特性を持っている
（第３図参照）関係上、高温で行われるサーマルクリー
ニング工程中に前記光吸収層が蒸発される。部ち、サー
マルクリーニング工程を行うことは実質的に不可能であ
り、横モードおよび縦モードの制御性のよい半導体レー
ザを製造するのは困難であった。
（ハ）目的
第１の発明は、横モードおよび縦モードの制御性が良好
である半導体レーザを提供することを目的としている。
である半導体レーザを提供することを目的としている。
第２の発明は、サーマルクリーニング工程中における光
吸収層の蒸発を防止すると共に、二回目のＭＢＥ成長工
程による成長層の積層状態を良好とする半導体レーザの
製造方法を提供することを目的としている。
吸収層の蒸発を防止すると共に、二回目のＭＢＥ成長工
程による成長層の積層状態を良好とする半導体レーザの
製造方法を提供することを目的としている。
（ニ）構成
第１の発明に係る半導体レーザは、Ａ１組成を１＞、１
＞０．１にした八１ Ｘ ４ Ｇａ１−ｙ４八Ｓから
なる蒸発防止層を光吸収層の表面に形成したことを特徴
とする。
＞０．１にした八１ Ｘ ４ Ｇａ１−ｙ４八Ｓから
なる蒸発防止層を光吸収層の表面に形成したことを特徴
とする。
第２の発明に係る半導体レーザの製造方法は、半導体基
板の表面に蒸発防止層まで連続して積層する第一の成長
工程と、前記積層された半導体基板にストライプ溝を形
成するホトエツチング工程と、前記ストライプｌ＋５か
形成された半導体栽板の表面に付着した不純物を蒸発さ
せるサーマルクリーニング工程と、前記不純物が蒸発さ
れた半導体基板に第二の上部クラッド層およびキャップ
層を積層する第二の成長工程とを具備したことを特徴と
している。
板の表面に蒸発防止層まで連続して積層する第一の成長
工程と、前記積層された半導体基板にストライプ溝を形
成するホトエツチング工程と、前記ストライプｌ＋５か
形成された半導体栽板の表面に付着した不純物を蒸発さ
せるサーマルクリーニング工程と、前記不純物が蒸発さ
れた半導体基板に第二の上部クラッド層およびキャップ
層を積層する第二の成長工程とを具備したことを特徴と
している。
（ホ）実施例
皿土豊血皿
第１図は第１の発明に係る半導体レーザの一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
同図において、１は半導体レーザ、１０はＮ型ＧａＡｓ
からなる半導体基板、２０はＮ型へｌ Ｘ ＋ Ｇａ１
−Ｘ＋八へからなる下部クラッド層、２１は八１ Ｘ
２ Ｇａ１−ｘ２Ａｓからなる活性層、２２はＰ型ＡＩ
Ｘ ３ ｃａｌ−Ｘ３＾Ｓからなる第一の上部クラッ
ド層、２３はＮ型ＧａＡｓからなる光吸収層、２４はＮ
型Ａｌ ｘ ａ ｃａｌ−Ｘ４ Ａｓからなる蒸発防止
層である。２５はＰ型ＡｌＹＧａ１イＡｓからなる第二
の上部クラッド層であり、前記第一の上部クラッド層２
２、光吸収Ｎ２３、蒸発防止Ｆｉ２４を積層した膜厚と
略同じ膜厚になされている。前記光吸収層２３と蒸発防
止層２４とが選択エツチングされてストライプ溝３０を
形成している。２６はＰ十型ＧａＡｓからなるキャップ
層である。４０はＴｉ、ΔＵからなるＰ型電極、４１は
ＡｕＧｅからなるＮ型電極である。
からなる半導体基板、２０はＮ型へｌ Ｘ ＋ Ｇａ１
−Ｘ＋八へからなる下部クラッド層、２１は八１ Ｘ
２ Ｇａ１−ｘ２Ａｓからなる活性層、２２はＰ型ＡＩ
Ｘ ３ ｃａｌ−Ｘ３＾Ｓからなる第一の上部クラッ
ド層、２３はＮ型ＧａＡｓからなる光吸収層、２４はＮ
型Ａｌ ｘ ａ ｃａｌ−Ｘ４ Ａｓからなる蒸発防止
層である。２５はＰ型ＡｌＹＧａ１イＡｓからなる第二
の上部クラッド層であり、前記第一の上部クラッド層２
２、光吸収Ｎ２３、蒸発防止Ｆｉ２４を積層した膜厚と
略同じ膜厚になされている。前記光吸収層２３と蒸発防
止層２４とが選択エツチングされてストライプ溝３０を
形成している。２６はＰ十型ＧａＡｓからなるキャップ
層である。４０はＴｉ、ΔＵからなるＰ型電極、４１は
ＡｕＧｅからなるＮ型電極である。
簸ｌ互介皿
第２図は第２の発明に係る製造方法の一実施１例を示す
説明図である。
説明図である。
（ａ） 図示しないＭＢＥ装置内に装着したＮ型のＧ
ａＡｓからなる半導体基板１０を所定の方法で加熱する
。
ａＡｓからなる半導体基板１０を所定の方法で加熱する
。
蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質や不純物を分子線
の形で蒸発させる。この原料等を図示しない質量分析計
でモニターし、図示しないコンピータで蒸発源の温度や
シャッタを制御することにより、Ｎ型＾ｌｘ ＋ Ｇａ
１−Ｘ＋ Ａｓからなる下部クラッド層２０と、ＡＩ
Ｘ ２ Ｇａ１−）ｌ Ａｓからなる活性層２１と、Ｐ
型ＡＩ Ｘ ３ Ｇａ１−ｘ３ Ａｓからなる第一の上
部クラフト層２２と、Ｎ型ＧａＡｓからなる光吸収層２
３と、Ｎ型Ａ１．Ｘ４Ｇａｌ−Ｘ４ Ａｓからなる蒸発
防止層２４とを前記半導体基板１０に積層させる（第一
の成長工程）。尚、この場合の各層のＡ１組成として例
えば、Ｘ、は０．５０、×２は０．１２、×３および×
４は０．３５にそれぞれ設定している。
の形で蒸発させる。この原料等を図示しない質量分析計
でモニターし、図示しないコンピータで蒸発源の温度や
シャッタを制御することにより、Ｎ型＾ｌｘ ＋ Ｇａ
１−Ｘ＋ Ａｓからなる下部クラッド層２０と、ＡＩ
Ｘ ２ Ｇａ１−）ｌ Ａｓからなる活性層２１と、Ｐ
型ＡＩ Ｘ ３ Ｇａ１−ｘ３ Ａｓからなる第一の上
部クラフト層２２と、Ｎ型ＧａＡｓからなる光吸収層２
３と、Ｎ型Ａ１．Ｘ４Ｇａｌ−Ｘ４ Ａｓからなる蒸発
防止層２４とを前記半導体基板１０に積層させる（第一
の成長工程）。尚、この場合の各層のＡ１組成として例
えば、Ｘ、は０．５０、×２は０．１２、×３および×
４は０．３５にそれぞれ設定している。
（ｂ） 前記積層された半導体基板１０をＭＢＥ装置
から外部に取り出した後、半導体基Ｆｉ１０の裏面をラ
ッピングする。次に、ストライプ溝が形成されるべき部
分以外の蒸発防止層２４の表面をホトレジスト５０で覆
う。このホＩ・レジスト５０をマスクとして第一の上部
クラッド層２２に達するまで蒸発防止層２４と光吸収層
２３とをそれぞれ選択エツチングすることにより、スト
ライプ溝３０を形成する。
から外部に取り出した後、半導体基Ｆｉ１０の裏面をラ
ッピングする。次に、ストライプ溝が形成されるべき部
分以外の蒸発防止層２４の表面をホトレジスト５０で覆
う。このホＩ・レジスト５０をマスクとして第一の上部
クラッド層２２に達するまで蒸発防止層２４と光吸収層
２３とをそれぞれ選択エツチングすることにより、スト
ライプ溝３０を形成する。
（Ｃ１前記ホトレジス１−５０を除去した半導体基板１
０を有機洗浄する。その後前記半導体基板１０を再度Ｍ
ＢＥ装置内に装着する。ここで、半導体基板１０に砒素
分子線をあてながら約７４０℃で加熱する。
０を有機洗浄する。その後前記半導体基板１０を再度Ｍ
ＢＥ装置内に装着する。ここで、半導体基板１０に砒素
分子線をあてながら約７４０℃で加熱する。
このまま約１５分位行うことにより、半導体基板１０の
表面に付着している酸化物等の不純物を蒸発させる（サ
ーマルクリーニング工程）。面、ストライプ溝３０部分
は第一の上部クラッドｒｒＪ２２が露出しているが、第
一の上部クラッド層２２の蒸発速度は非常に遅く殆ど蒸
発しない。一方、光吸収層２３は、その表面に蒸発防止
層２４を被着させているため蒸発が防止される。
表面に付着している酸化物等の不純物を蒸発させる（サ
ーマルクリーニング工程）。面、ストライプ溝３０部分
は第一の上部クラッドｒｒＪ２２が露出しているが、第
一の上部クラッド層２２の蒸発速度は非常に遅く殆ど蒸
発しない。一方、光吸収層２３は、その表面に蒸発防止
層２４を被着させているため蒸発が防止される。
（ｄ） （Ｃ）の工程の状態で半導体基板ＩＯの温度
を約６００℃にし、（ａ）と同様の方法でＰ型Δ１ｙＧ
ａｌ−ＹＡｓからなる第二の上部クラッド層２５と、Ｐ
十型ＧａＡｓからなるキャップ層２６とを前記ストライ
プ溝３０が形成された蒸発防止層２４の表面に積層する
（第二の成長工程）。尚、ごの場合のへ１組成でも０．
３５にしている。以下、通常の半導体レーザの製造方法
と同様に電極４０．４１が形成される。
を約６００℃にし、（ａ）と同様の方法でＰ型Δ１ｙＧ
ａｌ−ＹＡｓからなる第二の上部クラッド層２５と、Ｐ
十型ＧａＡｓからなるキャップ層２６とを前記ストライ
プ溝３０が形成された蒸発防止層２４の表面に積層する
（第二の成長工程）。尚、ごの場合のへ１組成でも０．
３５にしている。以下、通常の半導体レーザの製造方法
と同様に電極４０．４１が形成される。
しかして、上述した光吸収層２３と蒸発防止層２４（Ａ
１組成は０．１以上）における温度と蒸発速度との関係
を第３図に示している。同図に示すように、蒸発防止層
２４はほとんど蒸発しないことがわかる。そして、光吸
収ＪＷ２３ （ＧａＡｓ）は温度を上昇するにつれて蒸
発速度が速くなることが判る。
１組成は０．１以上）における温度と蒸発速度との関係
を第３図に示している。同図に示すように、蒸発防止層
２４はほとんど蒸発しないことがわかる。そして、光吸
収ＪＷ２３ （ＧａＡｓ）は温度を上昇するにつれて蒸
発速度が速くなることが判る。
尚、上述した第１および第２の発明の実施例において、
ストライプ溝３０の幅と第一の上部クラッド層２２の膜
厚とで半導体レーザの横モードおよび縦モードを制御し
ている。
ストライプ溝３０の幅と第一の上部クラッド層２２の膜
厚とで半導体レーザの横モードおよび縦モードを制御し
ている。
（へ）効果
第１の発明は、光吸収層の表面にＡ１組成をＸ 。
４＞０．１ とした八ｌ Ｘ ４ Ｇａ１−Ｘ４ΔＳか
らなる蒸発防止層を形成したから、光吸収層の光吸収効
果をを効にさせることができる。そのため、横モードお
よび縦モードの制御性が良好な半導体レーザを提供する
ことができる。
らなる蒸発防止層を形成したから、光吸収層の光吸収効
果をを効にさせることができる。そのため、横モードお
よび縦モードの制御性が良好な半導体レーザを提供する
ことができる。
第２の発明によれば、サーマルクリーニング工程におけ
る光吸収層の蒸発を蒸発防止層にて殆ど防止することが
できる。そのため、サーマルクリーニング工程が良好に
行えることに基づいて、二回目のＭＢＥ成長工程による
各層の積層状態を良好にすることができる。その結果、
上述したような半導体レーザを容易に製造することがで
きる。
る光吸収層の蒸発を蒸発防止層にて殆ど防止することが
できる。そのため、サーマルクリーニング工程が良好に
行えることに基づいて、二回目のＭＢＥ成長工程による
各層の積層状態を良好にすることができる。その結果、
上述したような半導体レーザを容易に製造することがで
きる。
さらに、前記蒸発防止層は、ＡｌＧａＡｓからなるため
、ＭＢＥ装置にて他の各層と連続して成長させることが
できる。従って、製造における特別な方法を必要とせず
、しかも製造工程を増やす必要もないという効果を奏す
る。
、ＭＢＥ装置にて他の各層と連続して成長させることが
できる。従って、製造における特別な方法を必要とせず
、しかも製造工程を増やす必要もないという効果を奏す
る。
第１図は第１の発明に係る半導体レーザの一実施例を示
す斜視図、第２図は第２の発明に係る製造方法の一実施
例を示す説明図、第３図は半導体基板の温度とＨ全速度
の関係を示す特性図である。 ■・・・半導体レーザ、１０・・、・半導体基板、２０
・・・下部クラッド層、２１・・・活性層、２２・・・
第一の上部クラットｌｆｊ、２３・・・光吸収層、２１
１・・・蒸発防止層、２５・・・第二の上部クラットＩ
”１７．２６・・・キャップ屓。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第１図 第２１′４ 第３図 半馳村如；１（’Ｃ）
す斜視図、第２図は第２の発明に係る製造方法の一実施
例を示す説明図、第３図は半導体基板の温度とＨ全速度
の関係を示す特性図である。 ■・・・半導体レーザ、１０・・、・半導体基板、２０
・・・下部クラッド層、２１・・・活性層、２２・・・
第一の上部クラットｌｆｊ、２３・・・光吸収層、２１
１・・・蒸発防止層、２５・・・第二の上部クラットＩ
”１７．２６・・・キャップ屓。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第１図 第２１′４ 第３図 半馳村如；１（’Ｃ）
Claims (2)
- （１）ＭＢＥ装置でもって製造されるＡｌＧａＡｓ系半
導体レーザにおいて、 Ａｌ＿Ｘ＿１Ｇａ＿１＿−Ｘ＿１Ａｓからなる下部クラ
ッド層と、Ａｌ＿Ｘ＿２Ｇａ＿１＿−＿Ｘ＿２Ａｓから
なる活性層と、Ａｌ＿Ｘ＿３Ｇａ＿１＿−＿Ｘ＿３Ａｓ
からなる第一の上部クラッド層と、ＧａＡｓからなる光
吸収層と、組成比を＿Ｘ＿４＞０．１にしたＡｌ＿Ｘ＿
４Ｇａ＿１＿−＿Ｘ＿４Ａｓからなる蒸発防止層とを半
導体基板表面に順次積層して形成された第一の成長層と
、 前記第一の上部クラッド層に達する深さおよび所望の幅
でホトエッチングして形成されたストライプ溝と、 前記ストライプ溝の形成された第一の成長層の表面にＡ
ｌ＿ＹＧａ＿１＿−＿ＹＡｓからなる第二の上部クラッ
ド層と高不純物濃度ＧａＡｓからなるキャップ層とを順
次積層して形成された第二の成長層とを具備したことを
特徴とする半導体レーザ。 - （２）ＭＢＥ装置でもって製造されるＡｌＧａＡｓ系半
導体レーザの製造方法において、 Ａｌ＿Ｘ＿１Ｇａ＿１＿−＿Ｘ＿１Ａｓからなる下部ク
ラッド層と、Ａｌ＿Ｘ＿２Ｇａ＿１＿−＿Ｘ＿２Ａｓか
らなる活性層と、Ａｌ＿Ｘ＿３Ｇａ＿１＿−＿Ｘ＿３Ａ
ｓからなる第一の上部クラッド層と、ＧａＡｓからなる
光吸収層と、組成比を＿Ｘ＿４＞０．１にしたＡｌ＿Ｘ
＿４Ｇａ＿１＿−＿Ｘ＿４Ａｓからなる蒸発防止層とを
半導体基板の表面に積層する第一の成長工程と、 前記積層された半導体基板の幅方向中央部に前記第一の
上部クラッド層まで達する深さおよび所望の幅のストラ
イプ溝を形成するホトエッチング工程と、 前記ストライプ溝が形成された半導体基板の表面に付着
した不純物を蒸発させるサーマルクリーニング工程と、 前記不純物が蒸発された半導体基板にＡｌ＿ＹＧａ＿１
＿−＿ＹＡｓからなる第二の上部クラッド層および高不
純物濃度ＧａＡｓからなるキャップ層を積層する第二の
成長工程とを具備したことを特徴とする半導体レーザの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16533284A JPS6142985A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16533284A JPS6142985A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18325789A Division JPH0327584A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6142985A true JPS6142985A (ja) | 1986-03-01 |
Family
ID=15810320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16533284A Pending JPS6142985A (ja) | 1984-08-06 | 1984-08-06 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6142985A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194586A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH02194683A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH02194681A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH02194584A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861695A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
-
1984
- 1984-08-06 JP JP16533284A patent/JPS6142985A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861695A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194586A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH02194584A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH02194683A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH02194681A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
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