JPS6143498A - 配線基板および製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、配線技術、特に、スルーホ−ル導体とパター
ン導体とを接続する微細な配線パターンを形成する技術
に関し、例えば、半導体装置の製造において、集積回路
等を形成されているペレットの電極を外部のリードに接
続するのに使用して有効な配線技術に関する０、 〔背景技術〕 半導体装置として、スルーホール導体を形成されている
グレズドセラミック５４反上にパターン導体を形成する
とともに、ペレットをボンディングし、ペレットの電極
とパターン６体とをポンディングワイヤにより接続する
ことにより、ペレットの集積回路をパターン導体および
これに接続されたスルーホール導体を経由して外部に引
き出すように措成するもの、が考えられる。

しかし、かかる半導体装置に使用される配線基板におい
ては、セラミック基板上にスクリーン印刷形成されるガ
ラス質膜がスルーホール導体において、オーバハング形
状になるため、スルーホール導体の上端がガラス質膜に
よって埋没されてしまうという問題点があることが、本
発明者により明らかにされた。

なお、セラミック基板上にガラス質膜を形成してなるグ
レーズドセラミック基板技術を述べた例として、株式会
社工業調査会１９８０年１月１５日発行「ＩＣ化実装技
術」　（日本マイクロエレクトロニクス協会用）Ｐ４６
〜５１．がある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、スルーホール４体とパターン導体との
接続を確実に確保することができる配線技術を提供する
ことにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡矩に説明すれば、次の通りである。

すなわち、スピンナ塗布等によって、ガラス質ｎりを薄
く均一に形成することにより、スルーホール導体とガラ
ス質■２材料との非親和性を利用してスルーホール導体
をガラスｎ膜上に自然に露出させるようになし、これに
より、スルーホール導体とパターン導体との接続を４１
保するようにしたものである。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である半導体装置に使用され
る配ｗＡ５仮を示す縦断面図、第２図〜第５図はその製
造方法の一実施例を示す各縦断面図である。

本実施例において、この配線基板は絶縁基板としてのセ
ラミック基板１を備えており、このセラミック基板１に
はスルーホール６体２が上下に貫通するように形成され
ている。スルーホール導体２の上端部２ａはセラミック
基板１の上面に若干突出されており、スルーホール４体
２の下端部は、図示しないリードビンを電気的かつ機械
的に接続されるようになっている。

セラミック基板ｌの上面にはガラスｆｌｌ！Ｊ３がきわ
めて薄く均一に形成されており、スルーホール４体２の
上端突出部２ａはガラス質１ｔ！３を貫通して上方に若
干露出している。すなわち、スルーホール４体２の材質
とガラスｎ膜上の材質とは互いに非親和性であるため、
きわめて薄く形成されているガラス質膜３がスルーホー
ル導体２においてはしかれることにより、スルーホール
導体２の上端突出部２ａはガラス質膜３から霧出される
ことになる。

ガラス質１１Ｓ１３の」−面にはパターン４体４がスル
ーホール４体２に確実に接続するように形成されている
。すなわら、スルーホール導体２の上端突出部２ａはガ
ラス質膜３から確実に露出しているため、パターン導体
４はスルーホール導体２に確実に接続することにｔ６゜ なお、５はパターン導体４の一部であるペレットボンデ
ィング部である。

次に、前記構成にかかる配＆？！基板の製造方法を説明
する。

スルーホール導体２を適当な方法により形成されたセラ
ミック基板１を、第２図に示されているように、スピン
ナ塗布装置（一部のみが図示されている。）のスピンナ
６に載せて保持せしめ、回転させる。

この回転中、ガラス質膜材料８をノズル７からセラミッ
ク基板】の上面における略中心に滴下させる。このガラ
ス質膜材料８はガラス質基材と適当な溶媒とを適当な流
動性を示・ずように適当な割合で混合されている。した
がって、セラミック基板１の上面に滴下されたガラス質
膜材料８は、回転による遠心力によって放射方向に拡散
されることになり、セラミック基板１の上面に均一に塗
布されて行くことになる。このとき、塗布膜が、例えば
、０．１−１０μｍ程度のきわめて薄い１Ｉ５ＩＮ。

にするように、流動性および滴下量等を調整することが
望ましい。

ガラス質膜材料７の塗布１１りが形成されるとき、ガラ
ス質膜材料７とスルーホール４体２を形成している材料
とは非親和性であるため、ガラス質膜材料７がスルーホ
ール導体２においてはしかれることにより、第３図に示
されているように、スルーホール導体２における上端突
出部２ａを塗布膜９の上面から露出させることになる。

塗布１２９はスルーホール導体２においてはしかれると
き、塗布膜９の１７さがきわめて薄いため、オーバハン
グ形状を形成することはなく、したがって、スルーホー
ル導体２の上端突出部２ａは塗布膜９から確実に露出す
ることになる。

続いて、ガラス質膜材料の塗布膜９は焼成等、適当な方
法により溶媒を飛ばされ、ガラス質ＩＩｇ３が形成され
ることになる。

その後、第４図に示されているように、所定の配線パタ
ーンを形成されているメタルマスクＩＯをガラス質膜３
の上面に密着させ、４体材料が蒸着により被着される。

この弾着により、第５図に示されているように、ガラス
質ｎり３の上面にメタルマスク１０に形成されている配
線パターンが、パターン４体４として転写されることに
なる。

このとき、スルーホール導体２ＧＪおける上端突出部２
ａがガラス？ｒ１１！２３から露出しているため、パタ
ーン導体４はスルーホール６体２に確実に接続されるこ
とになる。

〔効果〕

ｆｉ＋　　基板上にガラス質膜を形成することにより、
基板表面の漱細な凹凸を埋めて平滑化することができる
ため、パターン導体を適正に形成することができ、パタ
ーン導体の断線不良等の発生を防止することができる。

（２）　　基板にガラス質膜を薄く均一に形成すること
により、基板に形成されたスルーホールＪｌをガラス質
膜の表面から確実に露出させることができるため、スル
ーホール導体とガラス質膜上に形成されるパターン導体
とを確実に接続することができる。

（３）基板にガラス質膜材料をスピンナ塗布することに
より、ガラスＩｆｆ膜を薄り、かつ、均一に形成するこ
とができるため、凸仮に形成されたスルーホール導体を
ガラス質膜から確実に露出させることができる。

（４２ガラス′Ｊｔ膜上にパターン導体を腑着によって
形成することにより、バク−７４体を微細に、かつ、高
い精度に形成することができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、ガラス質膜はスピンナ塗布により薄く形成する
に限らず、スプレー塗布等により薄く形成してもよい。

パターン４体は弾着により形成するに限らず、スクリー
ン印刷等により形成してもよい。

絶縁基板はセラミック基板に限らず、樹脂基板等であっ
てもよい。

Ｃ利用分野） 以上の説ツ１では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である半導体装置の配線
基板に適用した場合にフいて説明したが、それに限定さ
れるものではなく、電子部品や電子機器の配線基板とし
ても通用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である半導体装置に使用され
る配線基板を示ず縦ｔｇｒ面図、第２ｇＪ、第３図、第
４図および第５図はその製造方法の一実施例を示す各縦
断面図である。 １・・・セラミックＪＪ５仮（絶１象基（反）、２・・
・スルーホール導体、３・・・ガラス質膜、４・・・パ
ターン導体、５・・・ペレ・７トボンデイング部、６・
・・スピンナ、７・・・ノズル、８・・・ガラス質膜材
料、９・・・塗布膜、１０・・・メタルマスク。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板にスルーホール導体がその一端を絶縁基板
   上に露出するように形成され、絶縁基板上にガラス質膜
   が薄く形成され、さらに、ガラス質膜上にパターン導体
   がスルーホール導体の一端と接続するように形成されて
   いる配線基板。 ２、絶縁基板が、セラミック基板により形成されている
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の配線基板
   。 ３、ガラス質膜が、きわめて薄く、かつ、均一に形成さ
   れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   配線基板。 ４、絶縁基板にスルーホール導体をその一端が絶縁基板
   上に露出するように形成する工程と、絶縁基板上にガラ
   ス質膜材料を供給してスピンナ塗布する工程と、薄く均
   一に形成されているガラス質膜上にパターン導体をスル
   ーホール導体に接続するように蒸着により形成する工程
   とを備えている配線基板の製造方法。