JPS6144200Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6144200Y2 JPS6144200Y2 JP1979049119U JP4911979U JPS6144200Y2 JP S6144200 Y2 JPS6144200 Y2 JP S6144200Y2 JP 1979049119 U JP1979049119 U JP 1979049119U JP 4911979 U JP4911979 U JP 4911979U JP S6144200 Y2 JPS6144200 Y2 JP S6144200Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- battery
- power supply
- light
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Camera Data Copying Or Recording (AREA)
- Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はランプ等の発光素子の発光量を一定に
保つようにした点灯制御回路、さらに詳しくいえ
ばカメラのデータ写し込み装置用の回路などにお
いて、点灯用の電源電池電圧が下降した場合など
においても一回あたりの点灯光量をほゞ一定に保
つ必要がある場合に好適に利用できる点灯制御回
路に関する。
保つようにした点灯制御回路、さらに詳しくいえ
ばカメラのデータ写し込み装置用の回路などにお
いて、点灯用の電源電池電圧が下降した場合など
においても一回あたりの点灯光量をほゞ一定に保
つ必要がある場合に好適に利用できる点灯制御回
路に関する。
カメラのデータ写し込み装置において、写し込
み用のランプの発光量は電源電圧の低下にかかわ
らず一定に保たれることが好ましい。
み用のランプの発光量は電源電圧の低下にかかわ
らず一定に保たれることが好ましい。
一般的にいつて電源電池電圧は次第に低下す
る。ランプの輝度が電源電圧に影響されないよう
にするため、電池の定格電圧よりも相当に低い定
電圧を作り、その電圧でランプを点灯することが
考えられる。しかし定電圧化するための損失を考
えるとあまり好ましい方法とはいいがたい。電源
電圧の降下に従つてランプの輝度が低下しても、
その低下を点灯時間を長くすることにより補うこ
とが考えられる。
る。ランプの輝度が電源電圧に影響されないよう
にするため、電池の定格電圧よりも相当に低い定
電圧を作り、その電圧でランプを点灯することが
考えられる。しかし定電圧化するための損失を考
えるとあまり好ましい方法とはいいがたい。電源
電圧の降下に従つてランプの輝度が低下しても、
その低下を点灯時間を長くすることにより補うこ
とが考えられる。
本件出願人は、そのような観点から電源電池電
圧の下降に対応して点灯時間を長くすることがで
き、データ写し込みカメラの光源制御回路（実願
昭58−8692）を提案している。第１図にその回路
を示してある。
圧の下降に対応して点灯時間を長くすることがで
き、データ写し込みカメラの光源制御回路（実願
昭58−8692）を提案している。第１図にその回路
を示してある。
この回路においても適当な電源電池Ｅと定電圧
ダイオードを用いることにより発光量をある範囲
で略一定に保つことができる。
ダイオードを用いることにより発光量をある範囲
で略一定に保つことができる。
しかし、電源電池電圧よりも相当低い電圧で作
動する定電圧ダイオードを使用する必要があるこ
とから、電源電池電圧をある程度大きくする必要
があり、低い電圧の電源を使用しにくいという問
題が残されている。
動する定電圧ダイオードを使用する必要があるこ
とから、電源電池電圧をある程度大きくする必要
があり、低い電圧の電源を使用しにくいという問
題が残されている。
本考案の目的は前記時間を延長することにより
光量を一定化する形式の回路の特性をさらに改善
した点灯制御回路を提供することにある。
光量を一定化する形式の回路の特性をさらに改善
した点灯制御回路を提供することにある。
前記目的を達成するために本発明による点灯制
御回路は、電源電池、発光素子、前記電源電池か
ら動作電力の供給を受け準安定期間中前記発光素
子を前記電源電池に接続する単安定マルチバイブ
レータからなる発光素子の点灯制御回路におい
て、前記単安定マルチバイブレータの前記準安定
時間を決めるコンデンサの安定時における充電電
圧を定電圧回路により前記電池電圧より低い一定
値に保ち、前記準安定時間の前記コンデンサへの
充電電流を前記電源電池の電圧に依存させること
により電源電池電圧が低下すると前記発光素子の
点灯時間を長くするように構成されている。
御回路は、電源電池、発光素子、前記電源電池か
ら動作電力の供給を受け準安定期間中前記発光素
子を前記電源電池に接続する単安定マルチバイブ
レータからなる発光素子の点灯制御回路におい
て、前記単安定マルチバイブレータの前記準安定
時間を決めるコンデンサの安定時における充電電
圧を定電圧回路により前記電池電圧より低い一定
値に保ち、前記準安定時間の前記コンデンサへの
充電電流を前記電源電池の電圧に依存させること
により電源電池電圧が低下すると前記発光素子の
点灯時間を長くするように構成されている。
以下図面等を参照して本考案によるランプ点灯
回路をさらに詳しく説明する。
回路をさらに詳しく説明する。
第２図は本考案によるランプ点灯回路をカメラ
のデータ写し込みに応用した場合の実施例を示す
回路図である。この回路において、主スイツチ
SW2を１側に接続するとデータ写し込み回路部分
が電源電池Ｅに接続されてデータ写し込み状態が
形成される。SW2を２側に接続すると回路全体が
電池Ｅから切り離される。スイツチSW3を３に接
続すると電源電池Ｅの電圧チエツク回路が形成さ
れる。
のデータ写し込みに応用した場合の実施例を示す
回路図である。この回路において、主スイツチ
SW2を１側に接続するとデータ写し込み回路部分
が電源電池Ｅに接続されてデータ写し込み状態が
形成される。SW2を２側に接続すると回路全体が
電池Ｅから切り離される。スイツチSW3を３に接
続すると電源電池Ｅの電圧チエツク回路が形成さ
れる。
データ写し込み時にフオトトランジスタPHTr
に光によるトリガ入力が入るとトランジスタQ1
がオンとなり、その微分波形が次段の単安定マル
チバイブレータにトリガパルスとして入力され
る。トランジスタQ2，Q3および抵抗R4，R5，
R6，R7、コンデンサC2、ダイオードD2により単
安定マルチバイブレータが形成されている。単安
定マルチバイブレータがトリガされトランジスタ
Q3オフになると、次段に接続されているトラン
ジスタQ4，Q5，Q6がオンとなり、トランジスタ
QQ6の負荷であるランプ（LAMP）が点灯しデー
タ写し込みが行なわれる。なおランプにはＲ12，
Ｒ13，Ｒ14，Ｒ15の抵抗が感度切換えスイツチ
SW1により選択的に接続されている。この選択は
フイルム感度に従つて行なわれる。なおランプの
点灯している前記単安定マルチバイブレータの準
安定期間にはLED，Ｒ16，D3の回路も形成され
LEDによりデータ写し込みを確認することがで
きる。
に光によるトリガ入力が入るとトランジスタQ1
がオンとなり、その微分波形が次段の単安定マル
チバイブレータにトリガパルスとして入力され
る。トランジスタQ2，Q3および抵抗R4，R5，
R6，R7、コンデンサC2、ダイオードD2により単
安定マルチバイブレータが形成されている。単安
定マルチバイブレータがトリガされトランジスタ
Q3オフになると、次段に接続されているトラン
ジスタQ4，Q5，Q6がオンとなり、トランジスタ
QQ6の負荷であるランプ（LAMP）が点灯しデー
タ写し込みが行なわれる。なおランプにはＲ12，
Ｒ13，Ｒ14，Ｒ15の抵抗が感度切換えスイツチ
SW1により選択的に接続されている。この選択は
フイルム感度に従つて行なわれる。なおランプの
点灯している前記単安定マルチバイブレータの準
安定期間にはLED，Ｒ16，D3の回路も形成され
LEDによりデータ写し込みを確認することがで
きる。
トランジスタQ7、抵抗Ｒ17，Ｒ18，Ｒ19および
前記LEDは電源電池Ｅの電圧チエツク回路を形
成しており、スイツチSW2が３に接続されている
ときに電池Ｅの電圧が所定の電圧以上であれば
LEDが点灯するように構成されている。
前記LEDは電源電池Ｅの電圧チエツク回路を形
成しており、スイツチSW2が３に接続されている
ときに電池Ｅの電圧が所定の電圧以上であれば
LEDが点灯するように構成されている。
次に第３図以後を参照して本考案による回路中
の単安定マルチバイブレータの構成と動作をさら
に説明する。
の単安定マルチバイブレータの構成と動作をさら
に説明する。
単安定マルチバイブレータを形成する一方のト
ランジスタQ3のコレクタは抵抗R7を介して電源
Ｅに、一方のトランジスタQ2は抵抗R4を介して
電圧源ＶO（ＶO＜Ｅ）に接続されている。この電
圧ＶOは第６図に示す回路により形成される。第
６図においてD4，D5，D6はダイオード、C5はコ
ンデンサ、Ｒ21は抵抗である。第３図に示す単安
定マルチバイブレータ回路では、この回路が安定
状態にあるときの各部電圧を記入してある。この
回路のコンデンサC2は安定状態において図示の
ようにＶO−ＶBEに充電されており、入力パルス
が印加されるとダイオードD2、抵抗R5を介して
充電される。第４図にトリガパルス入力があつた
ときの動作波形を示してある。
ランジスタQ3のコレクタは抵抗R7を介して電源
Ｅに、一方のトランジスタQ2は抵抗R4を介して
電圧源ＶO（ＶO＜Ｅ）に接続されている。この電
圧ＶOは第６図に示す回路により形成される。第
６図においてD4，D5，D6はダイオード、C5はコ
ンデンサ、Ｒ21は抵抗である。第３図に示す単安
定マルチバイブレータ回路では、この回路が安定
状態にあるときの各部電圧を記入してある。この
回路のコンデンサC2は安定状態において図示の
ようにＶO−ＶBEに充電されており、入力パルス
が印加されるとダイオードD2、抵抗R5を介して
充電される。第４図にトリガパルス入力があつた
ときの動作波形を示してある。
トランジスタQ3のベース（Ａ点）の電圧波形
（第４図Ａ参照）は次式で与えられる。
（第４図Ａ参照）は次式で与えられる。
ただしＲはR5の抵抗値、ＣはC2の容量値であ
る。そして出力パルスの幅（第４図Ｃ参照）はＶ
A＝ＶBEとなるまでの時間であつて次式で与え
られる。
る。そして出力パルスの幅（第４図Ｃ参照）はＶ
A＝ＶBEとなるまでの時間であつて次式で与え
られる。
ｔ＝−CRlnＥ−ＶＦ−ＶＢＥ／Ｅ−ＶＦ＋ＶＯ−ＶＢＥ
＝CRln｛１＋ＶＯ／Ｅ−ＶＦ−ＶＢＥ｝……
すなわち式はＥが減少すればｔが増大するこ
とを示している。
とを示している。
第５図に電源電圧がＥの場合(a)と△Ｅだけ電圧
が降下した場合の動作波形図を比較して示してあ
る。
が降下した場合の動作波形図を比較して示してあ
る。
第７図は前記構成による回路の特性を説明する
ためのグラフである。電源電池として３ボルトの
定格のものを予想し、電源が2.0ボルトまで降下
したときの発光量を示したものである。図中破線
で示すグラフは、点灯時間を補正しなかつた場合
の光量の低下を示している。△印の示す折線はＶ
O（第３図および第６図参照）をＶOを0.6Vに
し、ＶFを1.2Vにした場合の特性、〇印の示す折
線はＶO＝1.2V、ＶFを1.2Vにした場合の特性を
示している。△印の折線の方がすぐれた特性を示
している。〇印の折線の方も2.0Vになつたとき
の光量減少は約15％で実用上無視できる光量減少
にとどまつている。
ためのグラフである。電源電池として３ボルトの
定格のものを予想し、電源が2.0ボルトまで降下
したときの発光量を示したものである。図中破線
で示すグラフは、点灯時間を補正しなかつた場合
の光量の低下を示している。△印の示す折線はＶ
O（第３図および第６図参照）をＶOを0.6Vに
し、ＶFを1.2Vにした場合の特性、〇印の示す折
線はＶO＝1.2V、ＶFを1.2Vにした場合の特性を
示している。△印の折線の方がすぐれた特性を示
している。〇印の折線の方も2.0Vになつたとき
の光量減少は約15％で実用上無視できる光量減少
にとどまつている。
次に本考案による点灯制御回路と本件出願人
が、先に出願した第１図に示す回路との特性を比
較する。第１図に示した回路の点灯時間は次式
で与えられる。
が、先に出願した第１図に示す回路との特性を比
較する。第１図に示した回路の点灯時間は次式
で与えられる。
ｔ＝−ＣｈＦＥ１ＲａＲ２／ｈＦＥ１・Ｒ２＋Ｒａln（
１ −ＶＺＤ−０．６／Ｅ） …… ここにおいてＣは第１図に示すコンデンサの容
量ｈFE1は初段のトランジスタの電流増幅率、
Ra，R2はそれぞれ抵抗値、Ｅは電源の電圧、ＶZ
Ｄは定電圧ダイオードの電圧である。前記式は
前述した式に対応する式である。
１ −ＶＺＤ−０．６／Ｅ） …… ここにおいてＣは第１図に示すコンデンサの容
量ｈFE1は初段のトランジスタの電流増幅率、
Ra，R2はそれぞれ抵抗値、Ｅは電源の電圧、ＶZ
Ｄは定電圧ダイオードの電圧である。前記式は
前述した式に対応する式である。
式においてＶZ＝1.2Vとし電源Ｅが3Vから
2.5V、2.0Vに低下した場合を計算すると2.5Vの
場合は3Vの場合よりも点灯時間ｔは1.229倍、
2.0Vの場合は1.599倍になる。
2.5V、2.0Vに低下した場合を計算すると2.5Vの
場合は3Vの場合よりも点灯時間ｔは1.229倍、
2.0Vの場合は1.599倍になる。
これに対して本考案の回路でＶO＝1.2V、ＶF
＝0.6V、ＶBE＝0.6VとするとＥが2.5Vになると
ｔは1.280倍、Ｅが2Vになるとｔは1.793倍とな
る。
＝0.6V、ＶBE＝0.6VとするとＥが2.5Vになると
ｔは1.280倍、Ｅが2Vになるとｔは1.793倍とな
る。
すなわち本考案による方が効果的に補正できる
ことを示している。
ことを示している。
第１図に示す回路では構成上ＶZD＜Ｅとなるた
めＶZDが大きいほど出力パルスの幅の電源電圧減
少に対する点灯時間ｔの変化が大きくなる。これ
に対して本考案による回路ではＶOが小さい程、
電池電圧Ｅの減少に対してｔの変化は大きくな
る。このことから本考案による回路は電源電圧の
低い場合に適しているといえる。
めＶZDが大きいほど出力パルスの幅の電源電圧減
少に対する点灯時間ｔの変化が大きくなる。これ
に対して本考案による回路ではＶOが小さい程、
電池電圧Ｅの減少に対してｔの変化は大きくな
る。このことから本考案による回路は電源電圧の
低い場合に適しているといえる。
以上の説明から明らかなように本考案によれば
電源電池の電圧をあまり大きく取れない領域にお
いて、発光素子の光量を効果的に調節できる。
電源電池の電圧をあまり大きく取れない領域にお
いて、発光素子の光量を効果的に調節できる。
第１図は点灯制御回路の先行技術を説明するた
めの回路図、第２図は本考案による点灯制御回路
の実施例を示す回路図、第３図は単安定マルチバ
イブレータのみを取り出して示した図、第４図お
よび第５図は前記単安定マルチバイブレータの動
作を説明するための波形図、第６図は基準電圧を
発生する回路の例を示す図、第７図は動作特性を
説明するためのグラフである。 Q2，Q3……単安定マルチバイブレータを構成
するトランジスタ、D2……ダイオード、LAMP
……発光素子（ランプ）、LED……発光ダイオー
ド、Ｅ……電源電池。
めの回路図、第２図は本考案による点灯制御回路
の実施例を示す回路図、第３図は単安定マルチバ
イブレータのみを取り出して示した図、第４図お
よび第５図は前記単安定マルチバイブレータの動
作を説明するための波形図、第６図は基準電圧を
発生する回路の例を示す図、第７図は動作特性を
説明するためのグラフである。 Q2，Q3……単安定マルチバイブレータを構成
するトランジスタ、D2……ダイオード、LAMP
……発光素子（ランプ）、LED……発光ダイオー
ド、Ｅ……電源電池。
Claims (1)
- 電源電池、発光素子、前記電源電池から動作電
力の供給を受け準安定期間中前記発光素子を前記
電源電池に接続する単安定マルチバイブレータか
らなる発光素子の点灯制御回路において、前記単
安定マルチバイブレータの前記準安定時間を決め
るコンデンサの安定時における充電電圧を定電圧
回路により前記電池電圧より低い一定値に保ち、
前記準安定時間の前記コンデンサへの充電電流を
前記電源電池の電圧に依存させることにより電源
電池電圧が低下すると前記発光素子の点灯時間を
長くするように構成した点灯制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979049119U JPS6144200Y2 (ja) | 1979-04-13 | 1979-04-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979049119U JPS6144200Y2 (ja) | 1979-04-13 | 1979-04-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55149728U JPS55149728U (ja) | 1980-10-28 |
| JPS6144200Y2 true JPS6144200Y2 (ja) | 1986-12-12 |
Family
ID=28934116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979049119U Expired JPS6144200Y2 (ja) | 1979-04-13 | 1979-04-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144200Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830922A (ja) * | 1971-08-26 | 1973-04-23 |
-
1979
- 1979-04-13 JP JP1979049119U patent/JPS6144200Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55149728U (ja) | 1980-10-28 |
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