JPS6144829U - ３−５族化合物半導体の熱分解による気相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
３−５族化合物半導体の熱分解による気相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS6144829U JPS6144829U JP12824684U JP12824684U JPS6144829U JP S6144829 U JPS6144829 U JP S6144829U JP 12824684 U JP12824684 U JP 12824684U JP 12824684 U JP12824684 U JP 12824684U JP S6144829 U JPS6144829 U JP S6144829U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- epitaxial growth
- substrate
- tube
- vapor phase
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 title claims 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 2
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案に係る気相エビタキシャル成長装置の一
実施例を示しａはエビタキシャル成長層形成時、ｂは反
応管のガス排出時における夫々の縦断正面説明図、第２
図は基板上に積層されたエビタキシャル成長層を示す正
面説明図、第３図は同成長装置の他実施例を示した縦断
正面図、第４図は同装置の異種例による反応管上部の縦
断正面図、第５図は従来の同装！を示した縦断正面説明
１層−９，、２−ユえ。 、３−ｖ−ｂｌ９支持体、４・・・・・・サセプタ、５
・・・・・・基板、６・・・・・・加熱部、９・・・・
・・導入口、１０・・・・・・導入口。
実施例を示しａはエビタキシャル成長層形成時、ｂは反
応管のガス排出時における夫々の縦断正面説明図、第２
図は基板上に積層されたエビタキシャル成長層を示す正
面説明図、第３図は同成長装置の他実施例を示した縦断
正面図、第４図は同装置の異種例による反応管上部の縦
断正面図、第５図は従来の同装！を示した縦断正面説明
１層−９，、２−ユえ。 、３−ｖ−ｂｌ９支持体、４・・・・・・サセプタ、５
・・・・・・基板、６・・・・・・加熱部、９・・・・
・・導入口、１０・・・・・・導入口。
Claims (3)
- （１）反応管の上部に開口した導入口から、原料ガスと
キャリアガスとを管内に導入し、上記反応管の中段部外
側に配した加熱部によって、同管内に装出したサセプタ
支持体上のサセプタに載置せる基板を加熱自在となし、
当該反応管の下部に開口した排気口から排気可能として
、上記基板上に所要のエビタキシャル成長層を得るよう
にしたものにおいて、前記導木口は、所望の原料ガスと
キャリアガスとを管内に導入する二つの導入口からなり
、一方の導入口と前記サセプタに載置の基板とを、相対
向位置から離間位置まで相対変位まで相対変位自在とし
てなる■一Ｖ族化合物半導体の熱分解による気相エビタ
キシャル成長装置。 - （２）二つの導入口が反応管の上部に固設状態にて開口
され、サセプタ支持体は反応管に回転自在なるよう．縦
装貫設され、当該回転により基板が一方の導入口直下位
置から離間位置に変位自在である■一■族化合物半導体
の熱分解による気相エピタキシャル成長装置。 - （３） 二つの導入口が反応管の上部に回転自在なる
よう開口され、サセプタ支持体は反応管に固設にて縦装
され、上記導入口の回転変移によって、一方の導入口を
基板の直上位置から離間位置に変位自在とした■−■族
化合物半導体の熱分解による気相エビタキシャル成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12824684U JPS6144829U (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | ３−５族化合物半導体の熱分解による気相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12824684U JPS6144829U (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | ３−５族化合物半導体の熱分解による気相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144829U true JPS6144829U (ja) | 1986-03-25 |
Family
ID=30686877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12824684U Pending JPS6144829U (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | ３−５族化合物半導体の熱分解による気相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144829U (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0218050A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Ibiden Co Ltd | 金属調メラミン樹脂化粧板 |
| JPH0480032A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 意匠性複合シート |
| JPH05169607A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 化粧複合シートの製造方法 |
| JPH05177787A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-20 | Bando Chem Ind Ltd | 積層シートとその製造方法 |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP12824684U patent/JPS6144829U/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0218050A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Ibiden Co Ltd | 金属調メラミン樹脂化粧板 |
| JPH0480032A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 意匠性複合シート |
| JPH05169607A (ja) * | 1991-12-25 | 1993-07-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 化粧複合シートの製造方法 |
| JPH05177787A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-20 | Bando Chem Ind Ltd | 積層シートとその製造方法 |
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