JPS6148492A - 高温用型材のコ−テイング方法 - Google Patents
高温用型材のコ−テイング方法Info
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- JPS6148492A JPS6148492A JP17133584A JP17133584A JPS6148492A JP S6148492 A JPS6148492 A JP S6148492A JP 17133584 A JP17133584 A JP 17133584A JP 17133584 A JP17133584 A JP 17133584A JP S6148492 A JPS6148492 A JP S6148492A
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Landscapes
- Mold Materials And Core Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば太陽電池製造用の多結晶シリコンウェハ
t−製造するため、溶融シリコンの゛供給を受けること
となる高温用型材に関し、当該型材にり糺これを保護し
たり、同型材の素材であるカーボンやモリブデンなどが
製品である多結晶シリコンウェハなどに不純物として析
出されることを防止したり、また離型剤としての役割を
果させるため施される5L3N4によるコーティング膜
の形成方法に係るものである。
t−製造するため、溶融シリコンの゛供給を受けること
となる高温用型材に関し、当該型材にり糺これを保護し
たり、同型材の素材であるカーボンやモリブデンなどが
製品である多結晶シリコンウェハなどに不純物として析
出されることを防止したり、また離型剤としての役割を
果させるため施される5L3N4によるコーティング膜
の形成方法に係るものである。
従来カーボン、セラミック等の高融点素材または、それ
らの複合材により形成さnた高温用型材について、その
型表面にSiCや5L3N4によるコーティングgt−
形成しようとするときは、当該S i C,Si3 N
、自体tcVD法、スパッタリング法等により蒸着する
か、同上粉末を有機溶剤にといてスプレ一手段により塗
布したシしている。
らの複合材により形成さnた高温用型材について、その
型表面にSiCや5L3N4によるコーティングgt−
形成しようとするときは、当該S i C,Si3 N
、自体tcVD法、スパッタリング法等により蒸着する
か、同上粉末を有機溶剤にといてスプレ一手段により塗
布したシしている。
ところがSi3N4等の蒸着によりコーティング[を形
成するKは、非常に長時間を要し、数日がかシで100
μm程度の膜厚しか形成できず、しかもそれ以上のwX
厚とすること自体が、実際上困難となる。
成するKは、非常に長時間を要し、数日がかシで100
μm程度の膜厚しか形成できず、しかもそれ以上のwX
厚とすること自体が、実際上困難となる。
一万前記した粉末のスプレー塗布では、コーティング膜
が容易に剥れ落ちてしまう欠陥がちシ、そこでこれを剥
離しにくくするため焼結工程を付加するようにしでいる
が、SiC。
が容易に剥れ落ちてしまう欠陥がちシ、そこでこれを剥
離しにくくするため焼結工程を付加するようにしでいる
が、SiC。
Si3N4の粉末を焼結するのには1600℃以上の高
温条件が必要となるだけでなく、圧力をも加えながらの
焼結処理が要求されることとなるので、このコーティン
グ方法は非現実的といえるほど困St−伴うものである
。
温条件が必要となるだけでなく、圧力をも加えながらの
焼結処理が要求されることとなるので、このコーティン
グ方法は非現実的といえるほど困St−伴うものである
。
本発明は上記従来法の欠陥に鑑み、5L3N4粉末を用
いようとする従来の観念を捨て、高温用製材の型浅面K
IT!布してpいたSL粉末を、′ 里素雰
囲気中での加熱処理によって窒化させることで、St、
N、のコーティング膜を形成することにより、1200
1:程証の低い温度で、しかも短時間に従来例でろるS
i3N4粉末の焼結によるコーティング膜と同程度のも
のを形成できるようにしようというのが、その目的でめ
る。
いようとする従来の観念を捨て、高温用製材の型浅面K
IT!布してpいたSL粉末を、′ 里素雰
囲気中での加熱処理によって窒化させることで、St、
N、のコーティング膜を形成することにより、1200
1:程証の低い温度で、しかも短時間に従来例でろるS
i3N4粉末の焼結によるコーティング膜と同程度のも
のを形成できるようにしようというのが、その目的でめ
る。
本発明は上記の目的を達成するための高温用を材コーテ
ィング方法に係p1その特徴とするところは、カーボン
、セラミック寺の為融点素材または、それらの複合材に
より形成された画温用屋材につき、その製表面に、シリ
コン粉末の塗布層を形成した後、これを菫素娯囲気中に
て、所要温度、新漬経時だけ焼成することにより、上記
の型表面に上記塗布層のシリコンを、当該雰曲気中の童
素により電化することで、5ilN4の;−ティング膜
を形成するようにしたことにある。
ィング方法に係p1その特徴とするところは、カーボン
、セラミック寺の為融点素材または、それらの複合材に
より形成された画温用屋材につき、その製表面に、シリ
コン粉末の塗布層を形成した後、これを菫素娯囲気中に
て、所要温度、新漬経時だけ焼成することにより、上記
の型表面に上記塗布層のシリコンを、当該雰曲気中の童
素により電化することで、5ilN4の;−ティング膜
を形成するようにしたことにある。
窒素雰囲気中での加熱処理に際し、高温用型材の製表面
に塗布されているSiは、その融点が窒化シリコンより
も低く、焼結@度も1200℃前後と低い温度ですむか
ら、当該Siはこのような温度で焼結しながら窒化され
ていくこと“となり、また窒素はシリコン原子の橋渡し
tしながら結合していくので、焼成、窒化により形成さ
れた木兄F!AKよるSi、N4のコーティング膜は、
結果的にSi3N4 粉末’1−1600℃といった高
温で焼結した従来法によるコーティング層と、同等のも
のが得ることになる。
に塗布されているSiは、その融点が窒化シリコンより
も低く、焼結@度も1200℃前後と低い温度ですむか
ら、当該Siはこのような温度で焼結しながら窒化され
ていくこと“となり、また窒素はシリコン原子の橋渡し
tしながら結合していくので、焼成、窒化により形成さ
れた木兄F!AKよるSi、N4のコーティング膜は、
結果的にSi3N4 粉末’1−1600℃といった高
温で焼結した従来法によるコーティング層と、同等のも
のが得ることになる。
先ず第2図に示す通シ、カーボン、アルミナ、モリブデ
ン等の高融点材料により形成された高温用製材10塁表
面1′に、シリコン粉末2をアルコール等の有機溶剤に
といてスプレーしてやることでシリコン粉末2による塗
布層3t−形成するが、ここでシリコン粉末は粒子の大
きさが2〜3μm程度のものを用いる。
ン等の高融点材料により形成された高温用製材10塁表
面1′に、シリコン粉末2をアルコール等の有機溶剤に
といてスプレーしてやることでシリコン粉末2による塗
布層3t−形成するが、ここでシリコン粉末は粒子の大
きさが2〜3μm程度のものを用いる。
上記実施例、では塗布層3をスプレ一手段により形成す
るようにしたが、lOOメツシュ程度の印刷用スクリー
ンを用いてシリコンペーストを印刷することで同層a′
!i:得るようにしてもよい。
るようにしたが、lOOメツシュ程度の印刷用スクリー
ンを用いてシリコンペーストを印刷することで同層a′
!i:得るようにしてもよい。
ここでシリコンペーストとしては、粒子の大きさが2〜
3μmのシリコン粉末とソルベントおよびバインダーと
からなるが、ツルベルトはカルビートールアセテートと
テレピネオール、バインダーにはセルロース系のものを
用いることができ、消該印刷後にあって、ソルベントと
バインダーを飛散させるために空気中にて400℃、3
0分間当該凰製材t−加熱する0次に上記の諸法によシ
塗布N3の形成された高温用型材1を、電気炉の使用に
より窒素雰囲気中にて1200℃で3時間程度焼成し、
これにより第1図の如(Si3N4によるコーティング
膜4を形成するのでおる。
3μmのシリコン粉末とソルベントおよびバインダーと
からなるが、ツルベルトはカルビートールアセテートと
テレピネオール、バインダーにはセルロース系のものを
用いることができ、消該印刷後にあって、ソルベントと
バインダーを飛散させるために空気中にて400℃、3
0分間当該凰製材t−加熱する0次に上記の諸法によシ
塗布N3の形成された高温用型材1を、電気炉の使用に
より窒素雰囲気中にて1200℃で3時間程度焼成し、
これにより第1図の如(Si3N4によるコーティング
膜4を形成するのでおる。
ここで前記の如くスプレ一手段により塗布層3″lc形
成したときには、出来上ったコーティング膜4が、指で
触れても窒化シリコンが指先に付着しない、成る程度し
つか9したコーティング状態となるから、粉末としての
性質が残っており、従って離型剤としての効用を満足さ
せることができ、しかも適度に型表面1′に、しつか9
と付着しているので離型剤としても、不本意な剥離がな
く再使用が可能となる。
成したときには、出来上ったコーティング膜4が、指で
触れても窒化シリコンが指先に付着しない、成る程度し
つか9したコーティング状態となるから、粉末としての
性質が残っており、従って離型剤としての効用を満足さ
せることができ、しかも適度に型表面1′に、しつか9
と付着しているので離型剤としても、不本意な剥離がな
く再使用が可能となる。
そして、このようなコーティング膜4を形成した当該型
材1により、多結晶シリコンペースト等を製造した場合
、同型材1のC等が製品に侵入してしまうことがないだ
けでなく、S L3 N4粉末が原料である溶融シリコ
/中に巻き込まれるといったことも生ぜず、またスプレ
一手段によるときは当該皿表面1′に凹凸がろっても、
簡単に塗布層3が形成される。
材1により、多結晶シリコンペースト等を製造した場合
、同型材1のC等が製品に侵入してしまうことがないだ
けでなく、S L3 N4粉末が原料である溶融シリコ
/中に巻き込まれるといったことも生ぜず、またスプレ
一手段によるときは当該皿表面1′に凹凸がろっても、
簡単に塗布層3が形成される。
これに対して、前掲後者である印刷用スクリーンによる
塗布層3の形成手段を採用した場合には、スクリーンで
印刷するため表面が非常に滑らかで、密度も高いコーテ
ィング膜4を得ることができ、またバイ7ダーを用いて
いるから可成り硬い丈夫な膜となる。
塗布層3の形成手段を採用した場合には、スクリーンで
印刷するため表面が非常に滑らかで、密度も高いコーテ
ィング膜4を得ることができ、またバイ7ダーを用いて
いるから可成り硬い丈夫な膜となる。
しかし、この際上記バインダーの量を適宜減らすことに
より、成る程度状かいコーティング膜4を作ることもで
き、このようにすることで、lI+I型剤としての効用
を発揮させることもでき、もちろん再使用も可能であり
、しかも前記の如き多結晶シリコンウェハを、当該製材
の回転によって、これに供給されたシリコン融液を拡径
して製造(スピン法)しようとするときなどには、滑ら
かな面をもった製品が得られることになる。
より、成る程度状かいコーティング膜4を作ることもで
き、このようにすることで、lI+I型剤としての効用
を発揮させることもでき、もちろん再使用も可能であり
、しかも前記の如き多結晶シリコンウェハを、当該製材
の回転によって、これに供給されたシリコン融液を拡径
して製造(スピン法)しようとするときなどには、滑ら
かな面をもった製品が得られることになる。
ここで、さらに前記のシリコンペーストを、アルコール
にて希釈してからスプレーするようにして塗布層3を形
成してもよく、このようにすれば製表面1′に凹凸があ
る場合でも、丈夫なコーティング膜4を形成することが
でき、またカーボンやモリブデンなどの導電性をもった
高融点製材に対し、不発第1第1によるコーティング層
を施すようにすれば、同層は絶縁膜としての役割を果す
こととなるので、電気炉内での絶縁用に供することもで
きる。
にて希釈してからスプレーするようにして塗布層3を形
成してもよく、このようにすれば製表面1′に凹凸があ
る場合でも、丈夫なコーティング膜4を形成することが
でき、またカーボンやモリブデンなどの導電性をもった
高融点製材に対し、不発第1第1によるコーティング層
を施すようにすれば、同層は絶縁膜としての役割を果す
こととなるので、電気炉内での絶縁用に供することもで
きる。
本発明は前記の如き手段であり、上記のようにして具現
することができるから、従来法よシも低い温度にて目的
を達することができ、Siの焼結温度も5L3N4のそ
れより低いので、SLの焼結とその窒化が円滑に進み、
NがSi原子の橋渡しをしながら結合して行くことで、
Si、N4粉末の焼結晶と同質の焼結体を形成すること
ができ、塗布層の形成手段を適宜調整することで、離凰
剤としての効果も容易に発揮させることができる。
することができるから、従来法よシも低い温度にて目的
を達することができ、Siの焼結温度も5L3N4のそ
れより低いので、SLの焼結とその窒化が円滑に進み、
NがSi原子の橋渡しをしながら結合して行くことで、
Si、N4粉末の焼結晶と同質の焼結体を形成すること
ができ、塗布層の形成手段を適宜調整することで、離凰
剤としての効果も容易に発揮させることができる。
尚、窒素雰囲気にあって前記の如く加熱処理した際、完
全に窒化が完゛了したことを確認するためには、その全
重量の変化を検知すればよく、従ってこの際シリコン6
6%重量増になったが否かを知ればよいこととなる。
全に窒化が完゛了したことを確認するためには、その全
重量の変化を検知すればよく、従ってこの際シリコン6
6%重量増になったが否かを知ればよいこととなる。
第1図は本発明に係るコーティング法により得られた高
温用製材の縦断正面説明図、第2図は同法の初期工程時
における同型材の縦断正面説明図である。 1・・・・・高温用製材 1′・・−・製表面 2・・・・・シリコン粉末 3 e拳・・・ 塗布層 41・・・コーティング膜 第1m 第2図
温用製材の縦断正面説明図、第2図は同法の初期工程時
における同型材の縦断正面説明図である。 1・・・・・高温用製材 1′・・−・製表面 2・・・・・シリコン粉末 3 e拳・・・ 塗布層 41・・・コーティング膜 第1m 第2図
Claims (2)
- (1)カーボン、セラミツク等の高融点素材または、そ
れらの複合材により形成された高温用型材につき、その
型表面に、シリコン粉末の塗布層を形成した後、これを
窒素雰囲気中にて、所要温度、所要経時だけ焼成するこ
とにより、上記の型表面に上記塗布層のシリコンを、当
該雰曲気中の窒素により窒化することで、Si_3N_
4のコーティング膜を形成するようにしたことを特徴と
する高温用型材のコーティング方法。 - (2)焼成のための所要温度が1200〜1400℃で
あり、所要経時が数時間である特許請求の範囲第1項記
載の高温用型材のコーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17133584A JPS6148492A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 高温用型材のコ−テイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17133584A JPS6148492A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 高温用型材のコ−テイング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148492A true JPS6148492A (ja) | 1986-03-10 |
| JPH0127029B2 JPH0127029B2 (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=15921316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17133584A Granted JPS6148492A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 高温用型材のコ−テイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148492A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60118685A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | 日本坩堝株式会社 | 窒化珪素被覆黒鉛質耐火物の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP17133584A patent/JPS6148492A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60118685A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | 日本坩堝株式会社 | 窒化珪素被覆黒鉛質耐火物の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0127029B2 (ja) | 1989-05-26 |
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