JPS6148795B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6148795B2 JPS6148795B2 JP55077203A JP7720380A JPS6148795B2 JP S6148795 B2 JPS6148795 B2 JP S6148795B2 JP 55077203 A JP55077203 A JP 55077203A JP 7720380 A JP7720380 A JP 7720380A JP S6148795 B2 JPS6148795 B2 JP S6148795B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- diffusion
- insulating film
- solar cell
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池の製造方法に係り、特に拡散
源として半導体結晶基板表面に塗布法により形成
したドープドオキサイド膜を用いる熱拡散接合型
太陽電池の製造方法に関するものである。
源として半導体結晶基板表面に塗布法により形成
したドープドオキサイド膜を用いる熱拡散接合型
太陽電池の製造方法に関するものである。
従来、ｐ−ｎ接合型太陽電池の製造には半導体
結晶基板とは異なる導電型層を熱拡散法によつて
該基板表面近傍に形成することが最も多く用いら
れている。拡散源として、通常、ガスソースもし
くは固体ソースを用いて形成されたドープドオキ
サイド膜が用いられているが、ガス供給装置の運
転もしくは固体ソースの防湿管理などの繁雑さ及
び被拡散基板の表裏両面に拡散される欠点があつ
た。前記欠点を解決する一方法として、拡散剤を
被拡散基板の表面に塗布し、その結果得られたド
ープドオキサイド膜を用いて、塗布面のみに拡散
層を形成する方法が用いられつつある。しかし、
前記塗布拡散法の場合にも次のような欠点があつ
た。すなわち拡散剤を均一に塗布するためにスピ
ンナーが用いられているがこのため、基板の縁に
塗布液が偏在し塗布面の裏面まで回り込みが生じ
ていた。又、化学エツチングなどによつて基板の
平坦度が悪化した場合にはこのような塗布液の回
り込みは特に著しかつた。前記の方法によつて形
成されたドープドオキサイド膜を用いて熱拡散を
行う結果、拡散層も回り込み、塗布拡散法の特徴
が失われていた。実際には基板の縁をメサエツチ
ングして回り込だ拡散層を除去し、表裏電極の短
絡を防ぐ必要があるという重大な欠点があつた。
結晶基板とは異なる導電型層を熱拡散法によつて
該基板表面近傍に形成することが最も多く用いら
れている。拡散源として、通常、ガスソースもし
くは固体ソースを用いて形成されたドープドオキ
サイド膜が用いられているが、ガス供給装置の運
転もしくは固体ソースの防湿管理などの繁雑さ及
び被拡散基板の表裏両面に拡散される欠点があつ
た。前記欠点を解決する一方法として、拡散剤を
被拡散基板の表面に塗布し、その結果得られたド
ープドオキサイド膜を用いて、塗布面のみに拡散
層を形成する方法が用いられつつある。しかし、
前記塗布拡散法の場合にも次のような欠点があつ
た。すなわち拡散剤を均一に塗布するためにスピ
ンナーが用いられているがこのため、基板の縁に
塗布液が偏在し塗布面の裏面まで回り込みが生じ
ていた。又、化学エツチングなどによつて基板の
平坦度が悪化した場合にはこのような塗布液の回
り込みは特に著しかつた。前記の方法によつて形
成されたドープドオキサイド膜を用いて熱拡散を
行う結果、拡散層も回り込み、塗布拡散法の特徴
が失われていた。実際には基板の縁をメサエツチ
ングして回り込だ拡散層を除去し、表裏電極の短
絡を防ぐ必要があるという重大な欠点があつた。
本発明の目的は上記従来の欠点を解決せしめか
つ、工程の簡略化を可能とする太陽電池の製造方
法を提供することにある。
つ、工程の簡略化を可能とする太陽電池の製造方
法を提供することにある。
本発明によれば、半導体結晶基板に該基板とは
異なる導電型を有する層を熱拡散法により該基板
中に形成する接合型太陽電池であつて、拡散剤を
塗布することにより該基板の片側表面にドープド
オキサイド膜拡散源を形成する工程を備えた太陽
電池の製造方法において、前記拡散源の塗布工程
に先だつて、前記基板の裏面に絶縁膜を該基板の
縁で回り込みが生じる膜厚以上に形成することを
特徴とする太陽電池の製造方法が得られる。
異なる導電型を有する層を熱拡散法により該基板
中に形成する接合型太陽電池であつて、拡散剤を
塗布することにより該基板の片側表面にドープド
オキサイド膜拡散源を形成する工程を備えた太陽
電池の製造方法において、前記拡散源の塗布工程
に先だつて、前記基板の裏面に絶縁膜を該基板の
縁で回り込みが生じる膜厚以上に形成することを
特徴とする太陽電池の製造方法が得られる。
前記本発明によれば基板の縁で回り込んだ絶縁
膜が、該基板の側端及び拡散表面側の端の周囲を
覆うため、該部分にはドープドオキサイド膜が絶
縁膜上に回り込んで形成されても拡散層が形成さ
れない。ゆえに、拡散源を塗布する工程に先だつ
て絶縁膜を形成する工程を挿入することによつ
て、マスクを用いてメサエツチする繁雑な工程を
省くことができ、かつ表裏電極の短絡が起こらな
い。
膜が、該基板の側端及び拡散表面側の端の周囲を
覆うため、該部分にはドープドオキサイド膜が絶
縁膜上に回り込んで形成されても拡散層が形成さ
れない。ゆえに、拡散源を塗布する工程に先だつ
て絶縁膜を形成する工程を挿入することによつ
て、マスクを用いてメサエツチする繁雑な工程を
省くことができ、かつ表裏電極の短絡が起こらな
い。
次に図を用いて詳細に説明する。
第１図ａ〜ｇは従来の太陽電池の塗布拡散法に
よるｐ−ｎ接合形成の工程を説明するための図で
各工程における基板の縁の部分の拡大図である。
第１図ａにおいて半導体結晶基板１１はスライス
及び研磨などによる破砕層除去のために化学エツ
チングされている。このため、基板の縁の部分の
平坦度が損われている。次にｂにおいて、拡散源
が有機溶媒中に混合された塗布液を基板１１上に
スピンナーで塗布する。塗布被膜１４は塗布面の
みならず、基板の側端及び裏面の端の周囲１２ま
で回り込んで付着している。塗布皮膜は乾燥させ
た後ｃにおいて、拡散のためのドープドオキサイ
ド膜として用いられる。ｃにおいて、1150℃程度
に保持された拡散炉を用いて拡散層１５を形成し
た。回り込んで付着したドープドオキサイド膜１
４によつて裏面の端の周囲１２まで拡散層１５が
形成されていた。したがつてドープドオキサイド
膜１４を除去したｄにおいて、このまま表裏の電
極を形成すると拡散層１５が裏面電極と接触する
ので、短絡を起こしてしまう。この短絡を起こす
基板の周囲をメサエツチし拡散層を除去する目的
で、ｅにおいて、基板の周囲を除いた部分に、樹
脂レジスト１６を用いてマスクを形成した。ｆに
おいて、弗硝酸系エツチング液を用いて、メサエ
ツチングを行つた。メサエツチングされた部分１
７は拡散層が残らず除去されていた。ｇにおい
て、樹脂レジストを除去した結果、基板の片面の
みのｐ−ｎ接合となり、表裏に電極が形成され
て、太陽電池素子が完成する。以上の説明から、
従来法には、メサエツチングが必要であり、メサ
マスク形成は繁雑であることがわかる。又、該メ
サマスクは十分な耐酸性を有することが必要であ
つた。
よるｐ−ｎ接合形成の工程を説明するための図で
各工程における基板の縁の部分の拡大図である。
第１図ａにおいて半導体結晶基板１１はスライス
及び研磨などによる破砕層除去のために化学エツ
チングされている。このため、基板の縁の部分の
平坦度が損われている。次にｂにおいて、拡散源
が有機溶媒中に混合された塗布液を基板１１上に
スピンナーで塗布する。塗布被膜１４は塗布面の
みならず、基板の側端及び裏面の端の周囲１２ま
で回り込んで付着している。塗布皮膜は乾燥させ
た後ｃにおいて、拡散のためのドープドオキサイ
ド膜として用いられる。ｃにおいて、1150℃程度
に保持された拡散炉を用いて拡散層１５を形成し
た。回り込んで付着したドープドオキサイド膜１
４によつて裏面の端の周囲１２まで拡散層１５が
形成されていた。したがつてドープドオキサイド
膜１４を除去したｄにおいて、このまま表裏の電
極を形成すると拡散層１５が裏面電極と接触する
ので、短絡を起こしてしまう。この短絡を起こす
基板の周囲をメサエツチし拡散層を除去する目的
で、ｅにおいて、基板の周囲を除いた部分に、樹
脂レジスト１６を用いてマスクを形成した。ｆに
おいて、弗硝酸系エツチング液を用いて、メサエ
ツチングを行つた。メサエツチングされた部分１
７は拡散層が残らず除去されていた。ｇにおい
て、樹脂レジストを除去した結果、基板の片面の
みのｐ−ｎ接合となり、表裏に電極が形成され
て、太陽電池素子が完成する。以上の説明から、
従来法には、メサエツチングが必要であり、メサ
マスク形成は繁雑であることがわかる。又、該メ
サマスクは十分な耐酸性を有することが必要であ
つた。
次に本発明の一実施例について説明する。第２
図ａ〜ｅは本発明を説明するための図で各工程に
おける基板の縁の部分拡大図である。
図ａ〜ｅは本発明を説明するための図で各工程に
おける基板の縁の部分拡大図である。
ａにおいて、化学エツチングのため基板の縁の
部分の平坦度が損われていることは従来と同じで
ある。従来法と異なつて本発明による場合、ｂに
おいて、接合が形成される反対の裏面に絶縁膜を
形成する。スパツタ装置を用いてSiO2などの絶
縁膜２３を0.5〜１μｍの厚さに裏面に成長させ
た結果、基板の端の部分において裏面２２、側面
のみならず表面にも回り込んで成長していた。ｃ
において、従来法と同様に拡散源を塗布し、ドー
プドオキサイド膜２４を形成した。基板の端の部
分は同様に回り込みが生じており、ドープドオキ
サイド膜はSiO2膜上に形成される。したがつ
て、従来法と同様にｄにおいて拡散を行つたが表
面片側のみ拡散層２５が形成され基板の端の部分
及び、側面及び裏面２２には基板中に拡散層が生
じなかつた。よつてｅにおいて拡散に用いたドー
プドオキサイド膜及び絶縁層を除去するだけで、
表裏の電極を形成しても短絡が生じず、太陽電池
素子が完成する。以上の説明から、本発明による
方法は、拡散源を塗布する以前に、裏面に絶縁膜
を形成する際、表面端部への回り込みが十分な厚
さとなる程度絶縁膜を成長させることによつて、
前記第１図を用いて説明したｅ，ｆ，ｇで示す繁
雑なメサエツチング工程が不要となり、大幅に工
程が簡単化される。なお、絶縁膜形成は多数枚の
基板を同時に行えること、及びドープドオキサイ
ド膜除去に用いる弗酸系エツチング液によつて同
時に除去できることなど量産効果も有している。
部分の平坦度が損われていることは従来と同じで
ある。従来法と異なつて本発明による場合、ｂに
おいて、接合が形成される反対の裏面に絶縁膜を
形成する。スパツタ装置を用いてSiO2などの絶
縁膜２３を0.5〜１μｍの厚さに裏面に成長させ
た結果、基板の端の部分において裏面２２、側面
のみならず表面にも回り込んで成長していた。ｃ
において、従来法と同様に拡散源を塗布し、ドー
プドオキサイド膜２４を形成した。基板の端の部
分は同様に回り込みが生じており、ドープドオキ
サイド膜はSiO2膜上に形成される。したがつ
て、従来法と同様にｄにおいて拡散を行つたが表
面片側のみ拡散層２５が形成され基板の端の部分
及び、側面及び裏面２２には基板中に拡散層が生
じなかつた。よつてｅにおいて拡散に用いたドー
プドオキサイド膜及び絶縁層を除去するだけで、
表裏の電極を形成しても短絡が生じず、太陽電池
素子が完成する。以上の説明から、本発明による
方法は、拡散源を塗布する以前に、裏面に絶縁膜
を形成する際、表面端部への回り込みが十分な厚
さとなる程度絶縁膜を成長させることによつて、
前記第１図を用いて説明したｅ，ｆ，ｇで示す繁
雑なメサエツチング工程が不要となり、大幅に工
程が簡単化される。なお、絶縁膜形成は多数枚の
基板を同時に行えること、及びドープドオキサイ
ド膜除去に用いる弗酸系エツチング液によつて同
時に除去できることなど量産効果も有している。
第１図ａ〜ｇは従来の塗布拡散法によるｐ−ｎ
接合形成の工程を説明するための図で各工程にお
ける基板の縁の部分の拡大図であり、第２図ａ〜
ｅは本発明の一実施例について説明するための図
で各工程における基板の縁の部分の拡大図であ
る。図において１１，１２は基板、２３は絶縁
膜、１４，２４はドープドオキサイド膜拡散源、
１５，２５は拡散層、１６は樹脂レジスト、１７
はメサエツチングされた部分を示す。
接合形成の工程を説明するための図で各工程にお
ける基板の縁の部分の拡大図であり、第２図ａ〜
ｅは本発明の一実施例について説明するための図
で各工程における基板の縁の部分の拡大図であ
る。図において１１，１２は基板、２３は絶縁
膜、１４，２４はドープドオキサイド膜拡散源、
１５，２５は拡散層、１６は樹脂レジスト、１７
はメサエツチングされた部分を示す。
Claims (1)
- １ 半導体結晶基板に該基板とは異なる導電形を
有する層を熱拡散法により該基板中に形成する接
合形太陽電池の製造方法であつて、拡散源を塗布
法により該基板の片側表面（受光表面）側に形成
する工程に先だつて、基板を化学エツチングする
工程と、次に拡散マスクとする絶縁膜を前記基板
の裏面に形成するとともに、該基板表面に基板の
縁から表面にも回り込ませて前記絶縁膜を形成す
る工程とを備えたことを特徴とする太陽電池の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7720380A JPS574177A (en) | 1980-06-10 | 1980-06-10 | Manufacture of solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7720380A JPS574177A (en) | 1980-06-10 | 1980-06-10 | Manufacture of solar cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS574177A JPS574177A (en) | 1982-01-09 |
| JPS6148795B2 true JPS6148795B2 (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=13627262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7720380A Granted JPS574177A (en) | 1980-06-10 | 1980-06-10 | Manufacture of solar cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS574177A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001327129A (ja) | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Mitsui High Tec Inc | 積層鉄心の製造方法 |
-
1980
- 1980-06-10 JP JP7720380A patent/JPS574177A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS574177A (en) | 1982-01-09 |
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