JPS6248070A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6248070A JPS6248070A JP19069785A JP19069785A JPS6248070A JP S6248070 A JPS6248070 A JP S6248070A JP 19069785 A JP19069785 A JP 19069785A JP 19069785 A JP19069785 A JP 19069785A JP S6248070 A JPS6248070 A JP S6248070A
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔座業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に１処し、特に拡散層上
及びゲート電極上に７リサ・イド層を形成する方法に関
する。
及びゲート電極上に７リサ・イド層を形成する方法に関
する。
従来、拡散層上及びゲート電極上にシリサイド層を形成
するために以下の様な方法が竹なわれてきた。第２図（
ａ）〜（ｆ）は従来の半導体装置のシリ丈イド治の形成
方法を説明するために工＆：ｌ１ｌｌに示した断面図で
ある。
するために以下の様な方法が竹なわれてきた。第２図（
ａ）〜（ｆ）は従来の半導体装置のシリ丈イド治の形成
方法を説明するために工＆：ｌ１ｌｌに示した断面図で
ある。
最初第２図（ａ）の如く、Ｐ型シリコン基板１の表面上
に膜厚３００八程度のシリコン酸化膜２を形成する。次
に、第２図（ｂ）に示すように、膜厚５０００八程度の
多結晶シリコン膜を形成しＮ型に導電化した後、バタン
化してゲート電極３を形成する。
に膜厚３００八程度のシリコン酸化膜２を形成する。次
に、第２図（ｂ）に示すように、膜厚５０００八程度の
多結晶シリコン膜を形成しＮ型に導電化した後、バタン
化してゲート電極３を形成する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、シリコン酸化膜２を
除去後、新らたに、Ｐ型シリコン基板ｌ上及びゲート電
極３の表面上に膜厚２００八程度のシリコン酸化膜４を
形成し、イオン注入法により、Ｎ型不純物をＰ型シリコ
ン基板１の表面に導入、アニールすを事によりＮ型拡散
層５を形成する。次に、第２図（ｄ）に示すように、膜
厚２０００Ａ程度のシリコン酸化膜７を形成する。次い
で第２図（ｅ）に示すように、ゲート電極３の側面にの
みシリコン酸化膜４，７を残す様に異方性エツチングす
る。
除去後、新らたに、Ｐ型シリコン基板ｌ上及びゲート電
極３の表面上に膜厚２００八程度のシリコン酸化膜４を
形成し、イオン注入法により、Ｎ型不純物をＰ型シリコ
ン基板１の表面に導入、アニールすを事によりＮ型拡散
層５を形成する。次に、第２図（ｄ）に示すように、膜
厚２０００Ａ程度のシリコン酸化膜７を形成する。次い
で第２図（ｅ）に示すように、ゲート電極３の側面にの
みシリコン酸化膜４，７を残す様に異方性エツチングす
る。
最後に、第２図（ｆ）に示すように、膜厚１０００Ａ程
度のチタン（Ｔｉ）を被着し、シリサイド化アニール後
、未反応Ｔｉを除去する事により、Ｎ型拡散層５上及び
ゲートｕｔ極３上に、チタンシリサイド層８が形成され
る。
度のチタン（Ｔｉ）を被着し、シリサイド化アニール後
、未反応Ｔｉを除去する事により、Ｎ型拡散層５上及び
ゲートｕｔ極３上に、チタンシリサイド層８が形成され
る。
上述した従来方法は、第２図（ｄ）’（Ｉ−実現する隙
に行なう異方性エツチング（リアクティブ・イオン・エ
ツチング等）により、Ｎ型拡散層がエツチングさｉｔた
りダメージを受けたり、汚染されたりして、ジャンクシ
ョン・リークを生じやすいという欠点かある。
に行なう異方性エツチング（リアクティブ・イオン・エ
ツチング等）により、Ｎ型拡散層がエツチングさｉｔた
りダメージを受けたり、汚染されたりして、ジャンクシ
ョン・リークを生じやすいという欠点かある。
本発明は、上述した従来の欠点を除去し、シリサイド層
の形成前に拡散層表面を産出させるにあたり、′拡散層
がエツチングされたり、ダメージを受けたり、汚染され
たりしてジャンクションリークを生じ易いという危険性
を防止した半導体装置の製造方法を提供することを１釣
とする。
の形成前に拡散層表面を産出させるにあたり、′拡散層
がエツチングされたり、ダメージを受けたり、汚染され
たりしてジャンクションリークを生じ易いという危険性
を防止した半導体装置の製造方法を提供することを１釣
とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板の一主
表面上に第１絶縁膜を形成する工程と、該第１絶縁膜上
に４１１Ｌ化した多結晶シリコン膜を形成・パタン化し
ゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極下以外の前
記８ｇ１絶縁膜を除去後、前記シリコン基板表面上及び
前記ゲートを極表面上に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記シリコン基板と逆導電型の不純物を該シリコン基板
表面に導入し熱処理を処す事により拡散層を形成する工
程と、前記第２絶縁膜上に該第２絶縁膜と被エツチング
特性の異なる第３絶縁膜を形成する工程と、該第３絶縁
膜と被エツチング特性の異なる第４絶縁膜を形成し異方
性エツチングを施す事により該第４絶縁ｌｌａを前記ゲ
ート電極の側面部のみに残存せしめる工程と、該第４絶
縁膜を保護膜として、湿式１．チングにより前記第３絶
縁膜を前記ゲート電極の側面部のみに残存せしめる工程
と、該第３絶縁膜を保護膜として湿式エツチングにより
前記第２絶縁膜を除去する工程と、全面に高融点金属薄
膜を形成し熱処理を処す事により前記拡散層表面及び前
記ゲートａ極上面にシリサイド層を形成する工程と、未
反応高融点金属を除去する工程とを含んで構成される。
表面上に第１絶縁膜を形成する工程と、該第１絶縁膜上
に４１１Ｌ化した多結晶シリコン膜を形成・パタン化し
ゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極下以外の前
記８ｇ１絶縁膜を除去後、前記シリコン基板表面上及び
前記ゲートを極表面上に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記シリコン基板と逆導電型の不純物を該シリコン基板
表面に導入し熱処理を処す事により拡散層を形成する工
程と、前記第２絶縁膜上に該第２絶縁膜と被エツチング
特性の異なる第３絶縁膜を形成する工程と、該第３絶縁
膜と被エツチング特性の異なる第４絶縁膜を形成し異方
性エツチングを施す事により該第４絶縁ｌｌａを前記ゲ
ート電極の側面部のみに残存せしめる工程と、該第４絶
縁膜を保護膜として、湿式１．チングにより前記第３絶
縁膜を前記ゲート電極の側面部のみに残存せしめる工程
と、該第３絶縁膜を保護膜として湿式エツチングにより
前記第２絶縁膜を除去する工程と、全面に高融点金属薄
膜を形成し熱処理を処す事により前記拡散層表面及び前
記ゲートａ極上面にシリサイド層を形成する工程と、未
反応高融点金属を除去する工程とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めに工程１１１に示した断面図である。当初の工程は従
来方法と同じであるので図面ならびにその説明を一部省
略する。
めに工程１１１に示した断面図である。当初の工程は従
来方法と同じであるので図面ならびにその説明を一部省
略する。
ます、従来方法の第２図（ａ）〜（Ｃ）の工程により第
１図（ａ）の構造が得られる。図において、１ｉｄＰ型
シリコン基板、３は膜厚５０００Ａ程度の多結晶シリコ
ン膜よりなるゲート電極、４＆’；ｔゲート電極下のシ
リコン酸化膜を除くシリコン酸化膜を除去後針たにＰ型
シリコン基板１及びゲート電極３の表面上に形成した膜
厚２００八程度のシリコン酸化膜であり、５はＮ型拡散
層である。
１図（ａ）の構造が得られる。図において、１ｉｄＰ型
シリコン基板、３は膜厚５０００Ａ程度の多結晶シリコ
ン膜よりなるゲート電極、４＆’；ｔゲート電極下のシ
リコン酸化膜を除くシリコン酸化膜を除去後針たにＰ型
シリコン基板１及びゲート電極３の表面上に形成した膜
厚２００八程度のシリコン酸化膜であり、５はＮ型拡散
層である。
次に、第１図（ｔｌに示すように、シリコン酸化膜４上
に膜厚１０００Ａａ度のシリコン窒化膜６及び膜厚２０
ＵＯＡ程度のシリコン酸化膜７を形成する。
に膜厚１０００Ａａ度のシリコン窒化膜６及び膜厚２０
ＵＯＡ程度のシリコン酸化膜７を形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、異方性エツチングを
行ないゲート電極３の側面にのみシリコン酸化膜７を残
す。
行ないゲート電極３の側面にのみシリコン酸化膜７を残
す。
次に、第１図（ｄ）に示すように、シリコン酸化膜７を
保厭膜として、リン酸系液でシリコン窒化膜６を湿式エ
ツチングし、ゲート電極３の側面にシリコン窒化膜６を
残す。次いで、ゲート電極３の側面に残存するンリコン
窒化膜６′！ｉ−保護膜として、Ｎ型拡散層５上及びゲ
ート電極３上面のシリコン酸化膜４を弗酸系液で除去す
る。
保厭膜として、リン酸系液でシリコン窒化膜６を湿式エ
ツチングし、ゲート電極３の側面にシリコン窒化膜６を
残す。次いで、ゲート電極３の側面に残存するンリコン
窒化膜６′！ｉ−保護膜として、Ｎ型拡散層５上及びゲ
ート電極３上面のシリコン酸化膜４を弗酸系液で除去す
る。
最後に、膜厚１０００Ａ程度のチタン（Ｔ ｉ ）を被
着し、シリサイド化アニールを行う。次いで未反応Ｔｉ
を除去する事により第１図（ｅ）に示すようなＮ型拡散
層５上及びゲート電極３上にチタンシリサイド層８が形
成される。
着し、シリサイド化アニールを行う。次いで未反応Ｔｉ
を除去する事により第１図（ｅ）に示すようなＮ型拡散
層５上及びゲート電極３上にチタンシリサイド層８が形
成される。
以上説明したように本発明は異方性エツチングのバッフ
ァ層として７リコン窒化膜を用いている事、そして、拡
散層表面を露出させる際に湿式エツチングを用いている
事から拡散層がエツチングされたり、ダメージを受けた
り、汚染されたりしてジャンクションリークを生じやす
いという危険性を防止できる効果がある。
ァ層として７リコン窒化膜を用いている事、そして、拡
散層表面を露出させる際に湿式エツチングを用いている
事から拡散層がエツチングされたり、ダメージを受けた
り、汚染されたりしてジャンクションリークを生じやす
いという危険性を防止できる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は従
来の半導体装置のシリサイド層の形成方法を説明するだ
めに工程順に示した断面図である。 １゛゛゛°Ｐ型シリコン基板、２，４．７・・・・・・
シリコン酸化膜、３・・・・・・ゲート電極、５・・・
・・・Ｎ型拡散層、６・・・・・・シリコン窒化膜、８
・・・・・・チタンシリサイド層。 代理人 弁理士 内 原 晋（。 ぐ 半１１園 磐２ 図
めに工程順に示した断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は従
来の半導体装置のシリサイド層の形成方法を説明するだ
めに工程順に示した断面図である。 １゛゛゛°Ｐ型シリコン基板、２，４．７・・・・・・
シリコン酸化膜、３・・・・・・ゲート電極、５・・・
・・・Ｎ型拡散層、６・・・・・・シリコン窒化膜、８
・・・・・・チタンシリサイド層。 代理人 弁理士 内 原 晋（。 ぐ 半１１園 磐２ 図
Claims (1)
- シリコン基板の一主表面上に第１絶縁膜を形成する工程
と、該第１絶縁膜上に導電化した多結晶シリコン膜を形
成・パタン化しゲート電極を形成する工程と、該ゲート
電極下以外の前記第１絶縁膜を除去後、前記シリコン基
板表面上及び前記ゲート電極表面上に第２絶縁膜を形成
する工程と、前記シリコン基板と逆導電型の不純物を該
シリコン基板表面に導入し熱処理を施す事により拡散層
を形成する工程と、前記第２絶縁膜上に該第２絶縁膜と
被エッチング特性の異なる第３絶縁膜を形成する工程と
、該第３絶縁膜と被エッチング特性の異なる第４絶縁膜
を形成し異方性エッチングを施す事により該第４絶縁膜
を前記ゲート電極の側面部のみに残存せしめる工程と、
該第４絶縁膜を保護膜として、湿式エッチングにより前
記第３絶縁膜を前記ゲート電極の側面部のみに残存せし
める工程と、該第３絶縁膜を保護膜として湿式エッチン
グにより、前記第２絶縁膜を除去する工程と、全面に高
融点金属薄膜を形成し熱処理を処す事により前記拡散層
表面及び前記ゲート電極上面にシリサイド層を形成する
工程と、未反応高融点金属を除去する工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19069785A JPS6248070A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19069785A JPS6248070A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6248070A true JPS6248070A (ja) | 1987-03-02 |
Family
ID=16262347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19069785A Pending JPS6248070A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6248070A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04101076A (ja) * | 1990-08-17 | 1992-04-02 | Mc:Kk | 超真空装置 |
-
1985
- 1985-08-28 JP JP19069785A patent/JPS6248070A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04101076A (ja) * | 1990-08-17 | 1992-04-02 | Mc:Kk | 超真空装置 |
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