JPS6150968A - ハロゲン置換インド−ルの製造方法 - Google Patents
ハロゲン置換インド−ルの製造方法Info
- Publication number
- JPS6150968A JPS6150968A JP17146284A JP17146284A JPS6150968A JP S6150968 A JPS6150968 A JP S6150968A JP 17146284 A JP17146284 A JP 17146284A JP 17146284 A JP17146284 A JP 17146284A JP S6150968 A JPS6150968 A JP S6150968A
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- Japan
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- halogen
- titanium trichloride
- compound
- formula
- semicarbazone
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、ハロゲン置換インドールの新規な製造法に関
し、さらに詳しく言えば、医薬品として重要な化合物で
あるトリプトファン誘導体の合成中間体であるハロゲン
置換インドールの製造法に関するものである。
し、さらに詳しく言えば、医薬品として重要な化合物で
あるトリプトファン誘導体の合成中間体であるハロゲン
置換インドールの製造法に関するものである。
「従来の技術」
従来、ハロゲン置換インドールの製造法としては、Ｕ、
Ｓ、 Ｐａｔｅｎｔ ３．９７６．６３９号公報に記
載の下記（１）の方法とへテロサイクル（Ｈｅｔｅｒｏ
ｃｙｃｌｓｓ）１６．１１１９（１９８１）に記載の下
記（２）の方法が知られている。
Ｓ、 Ｐａｔｅｎｔ ３．９７６．６３９号公報に記
載の下記（１）の方法とへテロサイクル（Ｈｅｔｅｒｏ
ｃｙｃｌｓｓ）１６．１１１９（１９８１）に記載の下
記（２）の方法が知られている。
（１）の方法では、β−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）ス
チレン誘導体（１）の単離が煩雑であること、またβ−
ジメチルアミノスチレン誘導体（■）をハロゲン置換イ
ンドール佃）へ変換させる際４〜５気圧の加圧下で接触
水素還元を行なわなければならないことなど難点が多い
。
チレン誘導体（１）の単離が煩雑であること、またβ−
ジメチルアミノスチレン誘導体（■）をハロゲン置換イ
ンドール佃）へ変換させる際４〜５気圧の加圧下で接触
水素還元を行なわなければならないことなど難点が多い
。
（２）の方法でも、セミカルバゾン誘導体（ｎ）をハロ
ゲン置換インドール（Ｉ［Ｄへ変換させる際、数気圧の
加圧下で接触水素還元を行なわなければならない。
ゲン置換インドール（Ｉ［Ｄへ変換させる際、数気圧の
加圧下で接触水素還元を行なわなければならない。
以上のことから、上記の二つの方法は簡便な方法とは言
い難い。
い難い。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明者らは、前記の方法をさらに検討し、操作が簡単
で温和な反応条件を見つけるべく鋭章研究した結果、本
発明を完成するに至った。
で温和な反応条件を見つけるべく鋭章研究した結果、本
発明を完成するに至った。
「問題を解決するための手段」
すなわち、本発明は、
（式中、Ｘはハロゲン原子を示す）で表わされるセミカ
ルバゾン誘導体を、緩衝液の存在下、三塩化チタン水溶
液で処理することを特徴とする。
ルバゾン誘導体を、緩衝液の存在下、三塩化チタン水溶
液で処理することを特徴とする。
一 （式中、Ｘはハロゲン原子を示す）で表わされるハ
ロゲン置換インドールの製造方法である。
ロゲン置換インドールの製造方法である。
以下、その詳細について説明する。
「作用」
本発明の出発物質であるセミカルバゾン誘導体（ｎ）は
、従来法により製造できる。例えば、前記（２）の方法
により０−ニトロトルエン誘導体をトリス（Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアミノ）メタンと反応させ、β−（Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアミノ）スチレン誘導体（りを得、これを単離する
ことなくセミカルバジドと反応させ、セミカルバゾン誘
導体（Ｉｔ）を得るものである。
、従来法により製造できる。例えば、前記（２）の方法
により０−ニトロトルエン誘導体をトリス（Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアミノ）メタンと反応させ、β−（Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアミノ）スチレン誘導体（りを得、これを単離する
ことなくセミカルバジドと反応させ、セミカルバゾン誘
導体（Ｉｔ）を得るものである。
本発明の方法は、上記セミカルバゾン誘導体（■）を固
体のまま用いて、そのニトロ基を三塩化チタンにより還
元・環化させるものである。ニトロ基の還元・環化剤と
して使用される三塩化チタンは、工業的に容易に入手可
能な化合物であり、２０ｗｔ’Ａの水溶液で市販されて
いるものを用いることができる。
体のまま用いて、そのニトロ基を三塩化チタンにより還
元・環化させるものである。ニトロ基の還元・環化剤と
して使用される三塩化チタンは、工業的に容易に入手可
能な化合物であり、２０ｗｔ’Ａの水溶液で市販されて
いるものを用いることができる。
三塩化チタンの使用量は、セミカルバゾン誘導体（ｎ）
に対して当量以上、望ましくは２〜１０当量の蝿囲であ
ればよい。また緩衝液としては、水溶液のｐａを中性に
保つものであればよく、例えば酢酸アンモニウムの水溶
液を用いる場合、その濃度は２〜６Ｍが好ましく、その
使用量は、例えば２０ ｗｔ９１＋三塩化チタン水溶液
に対して等容積以上、望ましくは２〜４倍容積の範囲で
あればよい。
に対して当量以上、望ましくは２〜１０当量の蝿囲であ
ればよい。また緩衝液としては、水溶液のｐａを中性に
保つものであればよく、例えば酢酸アンモニウムの水溶
液を用いる場合、その濃度は２〜６Ｍが好ましく、その
使用量は、例えば２０ ｗｔ９１＋三塩化チタン水溶液
に対して等容積以上、望ましくは２〜４倍容積の範囲で
あればよい。
反応は、上記混合水溶液に、セミカルバゾン誘導体（ｎ
）の固体粉末を懸濁状とし、振＊、攪拌しながら、常温
以上沸点以下の温度下に、数分〜数１０分で行なう。
）の固体粉末を懸濁状とし、振＊、攪拌しながら、常温
以上沸点以下の温度下に、数分〜数１０分で行なう。
反応が終れば、固体粉末は油状の乳濁物に変化するので
、固体の消失をもって反応の完結と見ることができる。
、固体の消失をもって反応の完結と見ることができる。
このようにして得られた乳濁状生成物は、アルコール、
エーテル、ベンゼン等の溶媒で抽出し、中和、乾燥後、
溶媒を留去するなどの慣用的方法によって精製し、ハロ
ゲン化インドールの製品を得ることができる。
エーテル、ベンゼン等の溶媒で抽出し、中和、乾燥後、
溶媒を留去するなどの慣用的方法によって精製し、ハロ
ゲン化インドールの製品を得ることができる。
「発明の効果」
本発明の方法は、比較的安定な単離容易なセミカルバゾ
ン誘導体を出発物質として、温和な条件でそのニトロ基
を還元・環化することができるので、高価な加圧反応設
備を必要とすることなく、極めて容易にハロゲン化イン
ドールを合成することができる。
ン誘導体を出発物質として、温和な条件でそのニトロ基
を還元・環化することができるので、高価な加圧反応設
備を必要とすることなく、極めて容易にハロゲン化イン
ドールを合成することができる。
「実施例」
以下、参考例および実施例により、本発明をさらに具体
的に説明する。
的に説明する。
参考９ＡＪＣ２−プロモー６−二トロンエニルアセトア
ルデヒドセミカルパゾンの合成） ２−プロモー６−二トロトルエン（Ａ２６り。
ルデヒドセミカルパゾンの合成） ２−プロモー６−二トロトルエン（Ａ２６り。
１５ ｍｍｏｔ）をコルベンに入れ、窒素雰囲気下、乾
燥ＤＭＦ８ｄを加え、９０℃に加熱し、次いでトリス−
（Ｎ、、Ｎ−ジメチルアミノ）メタン（３，２７９，２
２，５ｍｍｏｔ）を加え、１１５°Ｃで６時間加熱した
。反応後、室温にもどし、反応混合物にＨ，０１８ｄ中
にセミカルバジド塩酸塩（１，８４９，１１ｈ５ｍｍｏ
ｔ ）と濃塩酸（１，４ｍｔ。
燥ＤＭＦ８ｄを加え、９０℃に加熱し、次いでトリス−
（Ｎ、、Ｎ−ジメチルアミノ）メタン（３，２７９，２
２，５ｍｍｏｔ）を加え、１１５°Ｃで６時間加熱した
。反応後、室温にもどし、反応混合物にＨ，０１８ｄ中
にセミカルバジド塩酸塩（１，８４９，１１ｈ５ｍｍｏ
ｔ ）と濃塩酸（１，４ｍｔ。
１７ ｍｍ０ｔ）を溶解した溶液を加えると、結晶が析
出し、これをＨ，ｏ（４ｏｒｎｔ）、冷エタノール（１
２ゴ）、エーテル（２０ｄ）で順次洗浄し乾燥後エフ８
４９（８３，８’Ｊ）の結晶を得た。エタノールから再
結晶して４−ブロモ−６−二トロフエニルアセトアルデ
ヒドセミカルバゾンを７五６ｗｔチの収率で得た。
出し、これをＨ，ｏ（４ｏｒｎｔ）、冷エタノール（１
２ゴ）、エーテル（２０ｄ）で順次洗浄し乾燥後エフ８
４９（８３，８’Ｊ）の結晶を得た。エタノールから再
結晶して４−ブロモ−６−二トロフエニルアセトアルデ
ヒドセミカルバゾンを７五６ｗｔチの収率で得た。
以下にその分析データを示す。
融点 ２０１〜２０２℃（ｄｅｃ、 ）赤外スペクトル
（ＫＢ法）：３４５０（νＭＩり、１６９０（ν。。）
。
（ＫＢ法）：３４５０（νＭＩり、１６９０（ν。。）
。
１５９０、１５２０（ν、、、）、 １４３０ｍ−’’
Ｈ−ＮＭＲ（溶媒ＣＤ、Ｓｏ、縮顕準ＴＭＳ）Ａ８５ｐ
ｐｍ（ｄ、 ２Ｂ）、 ５．８７（’ｂ、 ２Ｈ）、
７．２０（ｔ、 ＩＨ）。
Ｈ−ＮＭＲ（溶媒ＣＤ、Ｓｏ、縮顕準ＴＭＳ）Ａ８５ｐ
ｐｍ（ｄ、 ２Ｂ）、 ５．８７（’ｂ、 ２Ｈ）、
７．２０（ｔ、 ＩＨ）。
７．４５（ｍ、 ＩＨ）、 ７．９０（ｍ、 ２Ｔり、
９．９！ｉ（ｂ、 ＬＨ）元素分析 Ｃ＠Ｈ＠ＢｒＮ
４０１ 実測値（％） Ｃ：３５．９．Ｈ：Ａ１．Ｎ：１ａ５
計算値（％ｉ） Ｃ：３５．８８．Ｈ：２．９９．Ｎ
：ＩＥ［Ｏ実施例 （４−ブロモインドールの合成）２
＋ ７’ロモー６−二トロフェニルアセトアルデとド
セミカルバゾン（２−５８７９、７，８ｍｍｏｔ）を分
液ロートに入れ、１０ａｉ！のアセト／を加え、２０多
三塩化チタン水溶液（４０，／りと４Ｍ酢酸アンモニウ
ム水溶液（８０ｄ）を加え、１ｏ〜１５分間振とりする
。これをエーテル抽出し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液で洗浄し、最後に硫酸マグネシウムで乾燥した。この
抽出液を濾過後、溶媒を留去し、得られた残渣をシリカ
ゲルを用いて、ベンゼンを流出溶媒としてカラムクロマ
トグラフィーを行ない、４−ブロモイン）”−＃ヲ１、
Ｓ Ｏ１９（収率８五７ ｗｔ係）を得た。
９．９！ｉ（ｂ、 ＬＨ）元素分析 Ｃ＠Ｈ＠ＢｒＮ
４０１ 実測値（％） Ｃ：３５．９．Ｈ：Ａ１．Ｎ：１ａ５
計算値（％ｉ） Ｃ：３５．８８．Ｈ：２．９９．Ｎ
：ＩＥ［Ｏ実施例 （４−ブロモインドールの合成）２
＋ ７’ロモー６−二トロフェニルアセトアルデとド
セミカルバゾン（２−５８７９、７，８ｍｍｏｔ）を分
液ロートに入れ、１０ａｉ！のアセト／を加え、２０多
三塩化チタン水溶液（４０，／りと４Ｍ酢酸アンモニウ
ム水溶液（８０ｄ）を加え、１ｏ〜１５分間振とりする
。これをエーテル抽出し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液で洗浄し、最後に硫酸マグネシウムで乾燥した。この
抽出液を濾過後、溶媒を留去し、得られた残渣をシリカ
ゲルを用いて、ベンゼンを流出溶媒としてカラムクロマ
トグラフィーを行ない、４−ブロモイン）”−＃ヲ１、
Ｓ Ｏ１９（収率８五７ ｗｔ係）を得た。
以下にその分析データを示す。
赤外スペクトル（ＮａＣ６） ３４２０（ν、、）
、１５６２，１４８０，１４５０゜１３３０、１１７５
．７４Ｄｃｙｎ−’”Ｈ−ＮＭＲ（溶媒ｃＤａｔ、、内
部９Ｔ Ｍ Ｓ ’）＆４４ｐｐｍ（ｄａ、 １ａ）、
Ａ７６（ｍ、 ＩＨ）。
、１５６２，１４８０，１４５０゜１３３０、１１７５
．７４Ｄｃｙｎ−’”Ｈ−ＮＭＲ（溶媒ｃＤａｔ、、内
部９Ｔ Ｍ Ｓ ’）＆４４ｐｐｍ（ｄａ、 １ａ）、
Ａ７６（ｍ、 ＩＨ）。
４８０〜７．２８（ｍ、 ３Ｈ）、 ７．／１ｏ（ｂ、
１ｐ）元素分析 Ｃ声６ＢｒＮ
１ｐ）元素分析 Ｃ声６ＢｒＮ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式：▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘはハロゲン原子を示す）で表わされるセミカ
ルバゾン誘導体を、緩衝液の存在下、三塩化チタンで処
理することを特徴とするハロゲン置換インドールの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17146284A JPS6150968A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | ハロゲン置換インド−ルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17146284A JPS6150968A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | ハロゲン置換インド−ルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150968A true JPS6150968A (ja) | 1986-03-13 |
Family
ID=15923555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17146284A Pending JPS6150968A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | ハロゲン置換インド−ルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6150968A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113181850A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-07-30 | 上海应用技术大学 | 一种吲哚类化合物的微通道制备方法 |
-
1984
- 1984-08-20 JP JP17146284A patent/JPS6150968A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113181850A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-07-30 | 上海应用技术大学 | 一种吲哚类化合物的微通道制备方法 |
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