JPS6151802A - 厚膜抵抗による機能調整方法 - Google Patents
厚膜抵抗による機能調整方法Info
- Publication number
- JPS6151802A JPS6151802A JP59173697A JP17369784A JPS6151802A JP S6151802 A JPS6151802 A JP S6151802A JP 59173697 A JP59173697 A JP 59173697A JP 17369784 A JP17369784 A JP 17369784A JP S6151802 A JPS6151802 A JP S6151802A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- film resistor
- trimming
- resistor
- signal
- Prior art date
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本ざｆｌｒｌｌｌは回路基板上に形成した厚膜抵抗によ
る機能調整方法に関するものである。
る機能調整方法に関するものである。
従来例の（ｊ１１成とその問題点
第１図は増幅器と半固定ボリュームで構成した電子回路
の一例を示し、１は増幅器（入力は省略する）、２は半
固定ボリュームであり、増幅器１の出力を半固定ボリュ
ーム２で調整し、出力端子３から希望する出力レベルを
１！７る回路である。この回路を普通のベークライトプ
リント基板で構成したとぎは、半固定ボリューム２によ
って出力端子３からの出力レベルはＯから１の増幅器出
力レベル１どすると、Ｏから１つまり１の増幅器出力の
０％から１００％まで幅広い調整範囲が得られる。
の一例を示し、１は増幅器（入力は省略する）、２は半
固定ボリュームであり、増幅器１の出力を半固定ボリュ
ーム２で調整し、出力端子３から希望する出力レベルを
１！７る回路である。この回路を普通のベークライトプ
リント基板で構成したとぎは、半固定ボリューム２によ
って出力端子３からの出力レベルはＯから１の増幅器出
力レベル１どすると、Ｏから１つまり１の増幅器出力の
０％から１００％まで幅広い調整範囲が得られる。
このような従来の回路基板と部品実装に変って近年、回
路実装の高密度化とコストダウン等が機器の小型化、ロ
ーコスト化に伴って要望され、最近においてはこの目的
のために基板としてアルミナを材料としたアルミナ基板
が用いられている。このアルミナ基板の最も大きな特長
は、基板上に厚膜抵抗を形成でき、更にこの抵抗値のト
リミングをオンボードでできることであって、アルミナ
柾板の場合には大半は厚膜抵抗が形成されている。
路実装の高密度化とコストダウン等が機器の小型化、ロ
ーコスト化に伴って要望され、最近においてはこの目的
のために基板としてアルミナを材料としたアルミナ基板
が用いられている。このアルミナ基板の最も大きな特長
は、基板上に厚膜抵抗を形成でき、更にこの抵抗値のト
リミングをオンボードでできることであって、アルミナ
柾板の場合には大半は厚膜抵抗が形成されている。
この厚膜抵抗は１つは回路定数としてのある決った定数
のものが要求される場合と、もう１つ（ま厚膜抵抗を用
いて第１図の例のような半固定ボリュームに相当ザる機
能が要求される場合がある。回路定数として用いる場合
は必要な定数を１ｑるためのトリミング範σ■としては
形成した厚膜抵抗の毎度のばらつき範囲をカバーできる
だけのトリミング範囲をとることができれば良い。しか
し半固定ボリュームに相当する機能を持たせた場合はト
リミング範囲を広くとれることが要求される。反面トリ
ミングからみると、トリミング範囲を大きくしようとす
ると、抵抗面積を大きくとる必要があり、又トリミング
精度上からはトリミング範囲は狭い方が好ましい。第２
図は第１図に示す半固定ボリュームと同じような機能を
厚膜抵抗を用いて構成したときの図であって、４．５が
厚膜抵抗であり、出力は厚膜抵抗４．５の中点に位置す
る端子３から１！１ている。この厚膜抵抗４を具体的に
基板上に形成した例を第３図に示した。６は厚膜抵抗４
の下に形成した導体ランドである。７はレーザトリミン
グによって形成された切込みで、この切込み量を変える
ことによって抵抗値を変えることができる。この切込み
形状は第３図に示した方法以外に多くのものがあるが、
ここではその説明を省略づる。次に第２図の回路を第１
図の半固定ボリュームの代りに機能を圓ぎ換えたとする
と、出力端子３から得られる信号レベルは厚膜抵抗４又
は５をトリミングづ゛ることにＪ：って変化させること
ができる。しかもここで抵抗４又は５のレーザトリミン
グ可能な；に囲はトリミング前の抵抗に対して２倍まで
としたとぎ、出力端子３での信号レベル変化範ｆｆ１１
は１〜リミング前の抵抗値は厚膜抵抗４．５とも同じ抵
抗値とするとトリミング前の信号レベルが０．５である
のに対して、厚膜抵抗４を最大値までトリミングしたと
きは０．３３ 、又厚膜抵抗５を最大値までトリミング
したとぎは０．６６となる。このように第１図の半固定
ボリュームの場合はＯ〜１まで変化できるのに、厚膜抵
抗トリミング範囲を２倍とすると、０．３３〜０．６６
の範囲しか調整できない。この範σ１１を第７図（イ）
、（ロ）で示している。このトリミング範囲を２倍から
例えば４倍までトリミングできるようにすると、調整範
囲は広がるが、厚膜抵抗の面積を大幅に拡大する必要が
あり、厚膜抵抗の占有面積が大きくなり好ましくないば
かりでなくトリミングを拡大することによる困難な面も
多い。
のものが要求される場合と、もう１つ（ま厚膜抵抗を用
いて第１図の例のような半固定ボリュームに相当ザる機
能が要求される場合がある。回路定数として用いる場合
は必要な定数を１ｑるためのトリミング範σ■としては
形成した厚膜抵抗の毎度のばらつき範囲をカバーできる
だけのトリミング範囲をとることができれば良い。しか
し半固定ボリュームに相当する機能を持たせた場合はト
リミング範囲を広くとれることが要求される。反面トリ
ミングからみると、トリミング範囲を大きくしようとす
ると、抵抗面積を大きくとる必要があり、又トリミング
精度上からはトリミング範囲は狭い方が好ましい。第２
図は第１図に示す半固定ボリュームと同じような機能を
厚膜抵抗を用いて構成したときの図であって、４．５が
厚膜抵抗であり、出力は厚膜抵抗４．５の中点に位置す
る端子３から１！１ている。この厚膜抵抗４を具体的に
基板上に形成した例を第３図に示した。６は厚膜抵抗４
の下に形成した導体ランドである。７はレーザトリミン
グによって形成された切込みで、この切込み量を変える
ことによって抵抗値を変えることができる。この切込み
形状は第３図に示した方法以外に多くのものがあるが、
ここではその説明を省略づる。次に第２図の回路を第１
図の半固定ボリュームの代りに機能を圓ぎ換えたとする
と、出力端子３から得られる信号レベルは厚膜抵抗４又
は５をトリミングづ゛ることにＪ：って変化させること
ができる。しかもここで抵抗４又は５のレーザトリミン
グ可能な；に囲はトリミング前の抵抗に対して２倍まで
としたとぎ、出力端子３での信号レベル変化範ｆｆ１１
は１〜リミング前の抵抗値は厚膜抵抗４．５とも同じ抵
抗値とするとトリミング前の信号レベルが０．５である
のに対して、厚膜抵抗４を最大値までトリミングしたと
きは０．３３ 、又厚膜抵抗５を最大値までトリミング
したとぎは０．６６となる。このように第１図の半固定
ボリュームの場合はＯ〜１まで変化できるのに、厚膜抵
抗トリミング範囲を２倍とすると、０．３３〜０．６６
の範囲しか調整できない。この範σ１１を第７図（イ）
、（ロ）で示している。このトリミング範囲を２倍から
例えば４倍までトリミングできるようにすると、調整範
囲は広がるが、厚膜抵抗の面積を大幅に拡大する必要が
あり、厚膜抵抗の占有面積が大きくなり好ましくないば
かりでなくトリミングを拡大することによる困難な面も
多い。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、広い調整範
囲を簡Ｉｌｌに得ることができるＷ膜抵抗による機能調
整方法を提供することを目的とする。
囲を簡Ｉｌｌに得ることができるＷ膜抵抗による機能調
整方法を提供することを目的とする。
発明の構成
上記目的を達成するため、本発明の厚膜抵抗による機能
調整方法は、回路基板上に形成した第１の厚膜抵抗と第
２の厚膜抵抗とを直列に接続し、前記第１の厚膜抵抗と
第２の厚膜抵抗の接続交点から信号を取出し、前記第１
の厚膜抵抗又は第２の厚Ａり抵抗をトリミングしてなる
厚膜抵抗のＩ能調整方法において、前記第１の厚膜抵抗
と第２の厚膜抵抗間に９〕３の１ｇ膜抵抗を形成し、通
常の機能調整にｄ３いては前記第３の厚膜抵抗を前記基
板上に形成した導体で短絡しこの導体から前記信号を取
出すＪ：うになし、前記第１の厚膜抵抗又は第２の厚膜
抵抗の何れかをトリミングして得られるトリミング限界
以上の調整が必要なとき、前記導体の一部を切断し、ト
リミング限界までトリミングした厚膜抵抗以外の第１の
厚膜抵抗又は第２の厚膜抵抗と第３の厚Ｉｌｕ抵抗との
交点から前記信号を１ｑるようにし、前記トリミング限
界までトリミングした厚膜抵抗以外の第１の厚膜抵抗又
は第２の厚膜抵抗と第３の厚膜抵抗の何ねかをトリミン
グするものである。
調整方法は、回路基板上に形成した第１の厚膜抵抗と第
２の厚膜抵抗とを直列に接続し、前記第１の厚膜抵抗と
第２の厚膜抵抗の接続交点から信号を取出し、前記第１
の厚膜抵抗又は第２の厚Ａり抵抗をトリミングしてなる
厚膜抵抗のＩ能調整方法において、前記第１の厚膜抵抗
と第２の厚膜抵抗間に９〕３の１ｇ膜抵抗を形成し、通
常の機能調整にｄ３いては前記第３の厚膜抵抗を前記基
板上に形成した導体で短絡しこの導体から前記信号を取
出すＪ：うになし、前記第１の厚膜抵抗又は第２の厚膜
抵抗の何れかをトリミングして得られるトリミング限界
以上の調整が必要なとき、前記導体の一部を切断し、ト
リミング限界までトリミングした厚膜抵抗以外の第１の
厚膜抵抗又は第２の厚膜抵抗と第３の厚Ｉｌｕ抵抗との
交点から前記信号を１ｑるようにし、前記トリミング限
界までトリミングした厚膜抵抗以外の第１の厚膜抵抗又
は第２の厚膜抵抗と第３の厚膜抵抗の何ねかをトリミン
グするものである。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について、図面に基づいて説明す
る。
る。
先ず、第４図において、厚膜抵抗４．５は第３図に示す
ものと同じものとし、本実６１８例では史に厚膜抵抗４
．５間に厚膜抵抗８を形成し、導体９゜１０で短絡した
上で出力端子３に接続している。この状態で第２図の場
合と同様に第１図に示１半固定ボリュームに置き換えた
とし、第２図と同じ条件で厚膜抵抗４又は５をトリミン
グすることによって厚膜抵抗８は短絡されているから、
信号レベルは０，３３〜０．６６まで変（ヒする。、調
整範囲が必要な場合１よ、ｖＸ導体又は１０の一部をレ
ーザーで切断する。導体９を切断したときの等価回路を
第５図ａに示し、）！）休１０を切断したときの等（西
回路を第５図すで示したａＰｇＬ模抵抗８も厚膜抵抗４
．５と同じ１氏抗（ｌ゛１とし、トリミング範囲も同様
とすると、第５ ＋；Ｉ ａの１８合においては、第４
図の状態で０．３３まで調整されたものが、第７図（ロ
）の０．３３から（ハ）の０．２５まで不連続に変化す
る。
ものと同じものとし、本実６１８例では史に厚膜抵抗４
．５間に厚膜抵抗８を形成し、導体９゜１０で短絡した
上で出力端子３に接続している。この状態で第２図の場
合と同様に第１図に示１半固定ボリュームに置き換えた
とし、第２図と同じ条件で厚膜抵抗４又は５をトリミン
グすることによって厚膜抵抗８は短絡されているから、
信号レベルは０，３３〜０．６６まで変（ヒする。、調
整範囲が必要な場合１よ、ｖＸ導体又は１０の一部をレ
ーザーで切断する。導体９を切断したときの等価回路を
第５図ａに示し、）！）休１０を切断したときの等（西
回路を第５図すで示したａＰｇＬ模抵抗８も厚膜抵抗４
．５と同じ１氏抗（ｌ゛１とし、トリミング範囲も同様
とすると、第５ ＋；Ｉ ａの１８合においては、第４
図の状態で０．３３まで調整されたものが、第７図（ロ
）の０．３３から（ハ）の０．２５まで不連続に変化す
る。
しかし更に厚膜抵抗５又は８をトリミングザることによ
って連続に０．２〜０．４の範囲の調整ができる。次に
第５図すの場合は第７図（ハ）の上の図で示すように０
．６〜０８まで連続に調整できる。
って連続に０．２〜０．４の範囲の調整ができる。次に
第５図すの場合は第７図（ハ）の上の図で示すように０
．６〜０８まで連続に調整できる。
つまり本実施例では厚膜抵抗を１周追加することによっ
て、０２〜０．８の広い範囲に口って調整が可能となる
。しかも調整の正規分布の中心を０．５に近くしておけ
ば大半が０３３〜０６６の範囲で調整裏面とりることも
できる。従って調整時間も、特別片寄った調整が必要な
場合以外はトリミングスピードを非１：１に早くとるこ
とが可能で、又トリミング範囲が限られた条件の下でも
広い調整範囲を（ｑることができる。
て、０２〜０．８の広い範囲に口って調整が可能となる
。しかも調整の正規分布の中心を０．５に近くしておけ
ば大半が０３３〜０６６の範囲で調整裏面とりることも
できる。従って調整時間も、特別片寄った調整が必要な
場合以外はトリミングスピードを非１：１に早くとるこ
とが可能で、又トリミング範囲が限られた条件の下でも
広い調整範囲を（ｑることができる。
次に第６図に示す実施例は第４図に示す導体９゜１０間
に占有面積が小さく又比較的低抵抗の厚膜抵抗１１．１
２を形成したもので、レーザー出力等の条件等で導体切
断条件が取れない場合、この厚膜抵抗を切断してやれば
第４図の場合と殆んど同じ条件のらのが得られる。
に占有面積が小さく又比較的低抵抗の厚膜抵抗１１．１
２を形成したもので、レーザー出力等の条件等で導体切
断条件が取れない場合、この厚膜抵抗を切断してやれば
第４図の場合と殆んど同じ条件のらのが得られる。
発明の効果
以上のＪ、うに本発明にＪ、れば、トリミング範囲が限
られた条件下でも調整範囲の広い鏝面トリミングを簡単
に１５することができる１夏れた方法を提供することが
できる。
られた条件下でも調整範囲の広い鏝面トリミングを簡単
に１５することができる１夏れた方法を提供することが
できる。
第１図〜第３図は従来例を示し、第１図は増幅器と半固
定ボリュームで閏或した電子回路図、第２図は第１図の
半固定ボリュームを厚膜抵抗で構成した回路図、第３図
は１９膜抵抗の具体例を示す説明図、第４図〜第６図は
本発明の実施例を示ず回路図、第７図は調整箱［［１１
を示す説明図である。 ３・・・出力端子、４，５．８・・・厚膜抵抗、９．１
０１０．導体、Ｎ、 １２・・・／１７ＩＩ！、！抵抗
代理人 森 本 義 弘 第１図 を 第２図 第３図 第４図 第Ｓ図 （−）
（ｂン第Δ図
定ボリュームで閏或した電子回路図、第２図は第１図の
半固定ボリュームを厚膜抵抗で構成した回路図、第３図
は１９膜抵抗の具体例を示す説明図、第４図〜第６図は
本発明の実施例を示ず回路図、第７図は調整箱［［１１
を示す説明図である。 ３・・・出力端子、４，５．８・・・厚膜抵抗、９．１
０１０．導体、Ｎ、 １２・・・／１７ＩＩ！、！抵抗
代理人 森 本 義 弘 第１図 を 第２図 第３図 第４図 第Ｓ図 （−）
（ｂン第Δ図
Claims (2)
- １．回路基板上に形成した第１の厚膜抵抗と第２の厚膜
抵抗とを直列に接続し、前記第１の厚膜抵抗と第２の厚
膜抵抗の接続交点から信号を取出し、前記第１の厚膜抵
抗又は第２の厚膜抵抗をトリミングしてなる厚膜低抗の
機能調整方法において、前記第１の厚膜抵抗と第２の厚
膜抵抗間に第３の厚膜抵抗を形成し、通常の機能調整に
おいては前記第３の厚膜抵抗を前記基板上に形成した導
体で短絡しこの導体から前記信号を取出すようになし、
前記第１の厚膜抵抗又は第２の厚膜抵抗の何れかをトリ
ミングして得られるトリミング限界以上の調整が必要な
とぎ、前記導体の一部を切断し、トリミング限界までト
リミングした厚膜抵抗以外の第１の厚膜抵抗又は第２の
厚膜抵抗と第３の厚膜抵抗との交点から前記信号を得る
ようにし、前記トリミング限界までトリミングした厚膜
抵抗以外の第１の厚膜抵抗又は第２の厚膜抵抗と第３の
厚膜抵抗の何れかをトリミングする厚膜抵抗による機能
調整方法。 - ２．第３の厚膜抵抗を短絡した導体間に第４、第５の厚
膜抵抗を形成し、信号を前記第４、第５の厚膜抵抗間か
ら取出し、第１の厚膜抵抗又は第２の厚膜抵抗の何れか
をトリミングして得られるトリミング限界以上の調整が
必要なとき、前記第４又は第５の厚膜抵抗を切断する特
許請求の範囲第１項記載の厚膜低抗による機能調整方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59173697A JPS6151802A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 厚膜抵抗による機能調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59173697A JPS6151802A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 厚膜抵抗による機能調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151802A true JPS6151802A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15965436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59173697A Pending JPS6151802A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 厚膜抵抗による機能調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151802A (ja) |
-
1984
- 1984-08-21 JP JP59173697A patent/JPS6151802A/ja active Pending
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