JPS61544A - 垂直磁化膜 - Google Patents
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- JPS61544A JPS61544A JP59120391A JP12039184A JPS61544A JP S61544 A JPS61544 A JP S61544A JP 59120391 A JP59120391 A JP 59120391A JP 12039184 A JP12039184 A JP 12039184A JP S61544 A JPS61544 A JP S61544A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板面に対して垂直方向に磁化容易軸を有す
る非晶質磁性薄膜からなる垂直磁化膜およびその製法に
関する。さらに詳しくは、いわゆる垂直磁気記録媒体、
光磁気記録媒体のような高密度磁気記録媒体などに適用
して好適な非晶質磁性薄膜からなる垂直磁化膜およびそ
の製法に関する。
る非晶質磁性薄膜からなる垂直磁化膜およびその製法に
関する。さらに詳しくは、いわゆる垂直磁気記録媒体、
光磁気記録媒体のような高密度磁気記録媒体などに適用
して好適な非晶質磁性薄膜からなる垂直磁化膜およびそ
の製法に関する。
［従来技術］
＾密度磁気記録に適した垂直磁気記録媒体としては、２
０原子％弱のクロムを含有するコバルト薄膜が検討され
ている。スパッタリング蒸着法（以下、スパッタ法とい
う）などで作製されたコバルト−クロム合金薄膜は高密
度記録が可能であり、耐蝕性も優れている。
０原子％弱のクロムを含有するコバルト薄膜が検討され
ている。スパッタリング蒸着法（以下、スパッタ法とい
う）などで作製されたコバルト−クロム合金薄膜は高密
度記録が可能であり、耐蝕性も優れている。
前記のごときコバルト−クロム合金の垂直一軸異方性定
数）（ｕの最大値は３ Ｘ １０’ ｅｒｇ／Ｃｌ１１
３程度であり、磁化容易軸が基板に対して垂直であるた
めには、ＫＵ −２７ｒＭＳ ２ ＞Ｏ（式中、Ｍｓは
飽和磁化である）なる条件を満足する必要がある。した
がって、コバルト−クロム合金垂直磁化膜のＭＳの最大
値は７００ガウス程度である。
数）（ｕの最大値は３ Ｘ １０’ ｅｒｇ／Ｃｌ１１
３程度であり、磁化容易軸が基板に対して垂直であるた
めには、ＫＵ −２７ｒＭＳ ２ ＞Ｏ（式中、Ｍｓは
飽和磁化である）なる条件を満足する必要がある。した
がって、コバルト−クロム合金垂直磁化膜のＭＳの最大
値は７００ガウス程度である。
記録された情報を磁気誘導により読み出すばあい、再生
信号の大きさはＭＳに比例すると考えられるから、ＭＳ
が大きいほど記録媒体としては有利である。
信号の大きさはＭＳに比例すると考えられるから、ＭＳ
が大きいほど記録媒体としては有利である。
サマリウム−コバルト合金は、たとえば組成Ｓｍ ＣＯ
ｓのばあいを例にとると、六方晶を形成し、Ｃ軸方向が
磁化容易軸となり、−軸異方性の大きさは１０８ ｅｒ
ｇ ７ｃｍ３台にも達する。非晶質サマリウム−コバル
ト合金のばあいにも大きな異方性を期待することができ
る。したがって、もしサマリウム−コバルト合金薄膜の
磁化４ 容易軸を基板に対して垂直方向へ向
けることができれば、ＭＳの大きな垂直磁化膜をうろこ
とができる。
ｓのばあいを例にとると、六方晶を形成し、Ｃ軸方向が
磁化容易軸となり、−軸異方性の大きさは１０８ ｅｒ
ｇ ７ｃｍ３台にも達する。非晶質サマリウム−コバル
ト合金のばあいにも大きな異方性を期待することができ
る。したがって、もしサマリウム−コバルト合金薄膜の
磁化４ 容易軸を基板に対して垂直方向へ向
けることができれば、ＭＳの大きな垂直磁化膜をうろこ
とができる。
また磁性薄膜の異方性が大きいと、該磁性薄膜は大きな
保磁力を与えるため、書き込まれた情報が安定になり、
情報の保存に重点が置かれるようなばあいには有利にな
る。
保磁力を与えるため、書き込まれた情報が安定になり、
情報の保存に重点が置かれるようなばあいには有利にな
る。
しかしながら、サマリウム−コバルト合金を特別な工夫
を行なうことなく、加熱蒸着法、スパッタ法などで蒸着
したばあいには、その磁４ｂ容易軸は基板に平行な方向
になり、垂直磁化膜とはなりえない。最近、スパッタ法
において基板に負のバイアス電圧を印加することにより
、垂直磁化膜がえられることがわかってきたが、この方
法では、使用される基板は多くのはあい絶縁体であり、
電圧の供給路を別に用意する必要があり、製法を複雑に
するし、なによりも抵抗加熱または電子ビーム加熱蒸着
法などでは垂直磁化膜をうろことができない。
を行なうことなく、加熱蒸着法、スパッタ法などで蒸着
したばあいには、その磁４ｂ容易軸は基板に平行な方向
になり、垂直磁化膜とはなりえない。最近、スパッタ法
において基板に負のバイアス電圧を印加することにより
、垂直磁化膜がえられることがわかってきたが、この方
法では、使用される基板は多くのはあい絶縁体であり、
電圧の供給路を別に用意する必要があり、製法を複雑に
するし、なによりも抵抗加熱または電子ビーム加熱蒸着
法などでは垂直磁化膜をうろことができない。
［発明の概要コ
本発明者らは上記のごとき実情に鑑み、バイアス電圧を
印加することなく、サマリウム−コバルト垂直磁化膜を
うるため鋭意研究を重ねた結果、第３成分としてビスマ
スを添加することにより、サマリウム−コバルト垂直磁
化膜かえられることを見出し、本発明を完成した。
印加することなく、サマリウム−コバルト垂直磁化膜を
うるため鋭意研究を重ねた結果、第３成分としてビスマ
スを添加することにより、サマリウム−コバルト垂直磁
化膜かえられることを見出し、本発明を完成した。
すなわち本発明は、サマリウム−コバルト合金からなり
、基板上に保持された基板に対して垂直な方向に磁化容
易軸を有する非晶質磁性薄膜からなることを特徴とする
垂直磁化膜、およびサマリウム−コバルト−ビスマス合
金からなり、塞板上に保持された基板に対して垂直な方
向に磁化容易軸を有する非晶質磁性薄膜からなる垂直磁
化膜を製造するに際し、サマリウム、コバルトおよびビ
スマスを基板上に蒸着することを特徴とする垂直磁化膜
の製法に関する。
、基板上に保持された基板に対して垂直な方向に磁化容
易軸を有する非晶質磁性薄膜からなることを特徴とする
垂直磁化膜、およびサマリウム−コバルト−ビスマス合
金からなり、塞板上に保持された基板に対して垂直な方
向に磁化容易軸を有する非晶質磁性薄膜からなる垂直磁
化膜を製造するに際し、サマリウム、コバルトおよびビ
スマスを基板上に蒸着することを特徴とする垂直磁化膜
の製法に関する。
［発明の実施態様］
本発明の垂直磁化膜は、サマリウム−コバルト−ビスマ
ス合金から形成されている。
ス合金から形成されている。
該合金中にしめるビスマスの割合は、０．１〜４０原子
％であることが好ましく、１〜２０原子％であることが
さらに好ましい。該υ１合が０．１原子％未渦になると
、ビスマス添加の効果が大賀的に認められなくなる傾向
が生じ、４０原子％をこえると、飽和磁化の減少が著し
くさらに基板上に析出させた磁性ＷＩ膜が剥離をおこす
ようになる。
％であることが好ましく、１〜２０原子％であることが
さらに好ましい。該υ１合が０．１原子％未渦になると
、ビスマス添加の効果が大賀的に認められなくなる傾向
が生じ、４０原子％をこえると、飽和磁化の減少が著し
くさらに基板上に析出させた磁性ＷＩ膜が剥離をおこす
ようになる。
前記合金中にしめるサマリウムの割合は、５〜５０原子
％であることが好ましく、１０〜４０原子％であること
がさらに好ましい。該割合が５原子％未渦になると、合
金の異方性定数ＫＬＩは大きくなる傾向にあるが、ＭＳ
も大きくなるためＫｕ、−２πＭＳ２＜Ｏとなり垂直磁
化膜がえられず、５０原子％をこえると、Ｋｕも１ｙｌ
ｓも低下し、磁気記録媒体としては好ましくない。
％であることが好ましく、１０〜４０原子％であること
がさらに好ましい。該割合が５原子％未渦になると、合
金の異方性定数ＫＬＩは大きくなる傾向にあるが、ＭＳ
も大きくなるためＫｕ、−２πＭＳ２＜Ｏとなり垂直磁
化膜がえられず、５０原子％をこえると、Ｋｕも１ｙｌ
ｓも低下し、磁気記録媒体としては好ましくない。
本発明の垂直磁化膜は、好ましくは前記のごとき合金組
成になるように基板上にスパッタ法、加熱蒸着法、イオ
ンブレーティング法などの蒸着法によって作製される。
成になるように基板上にスパッタ法、加熱蒸着法、イオ
ンブレーティング法などの蒸着法によって作製される。
基板としては、たとえばアルミニウム板、ガラス板など
の他にポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリカ
ーボネートなどから形成されたプラスチック板も問題な
く使用できる。
の他にポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリカ
ーボネートなどから形成されたプラスチック板も問題な
く使用できる。
スパッタ法により、サマリウム−コバルト−ビスマス垂
直磁化膜をうる方法について一実施態様にもとづき説明
する。
直磁化膜をうる方法について一実施態様にもとづき説明
する。
本発明においては、サマリウム−コバルト−ビスマスの
組成を正確に制御することは非常に重要である。
組成を正確に制御することは非常に重要である。
ターゲット（すなわちカソード）は、単一または複数に
することができる。単一ターゲットの装置を使用するば
あいには、カソード、バッキングプレート上に、−たと
えばまずビスマス板を敷き、その上に所定の、たとえば
ｉ ｏｍｓｍ楔角のコバルトチップまたは有孔コバルト
板とサマリウムチップを敷き、それぞれのチップ個数を
変えることによって、磁性膜の組成を好適に制御するこ
とができる。また、複数のターゲットを使用できる装置
においては、各ターゲットに（供給する電力を調節する
ことにより組成を制御することができる。複数のターゲ
ットを使用するばあいにはもちろんであるが、単一ター
ゲットのばあいも、基板を自・公転させることにより、
膜の組成を均一化することができる。
することができる。単一ターゲットの装置を使用するば
あいには、カソード、バッキングプレート上に、−たと
えばまずビスマス板を敷き、その上に所定の、たとえば
ｉ ｏｍｓｍ楔角のコバルトチップまたは有孔コバルト
板とサマリウムチップを敷き、それぞれのチップ個数を
変えることによって、磁性膜の組成を好適に制御するこ
とができる。また、複数のターゲットを使用できる装置
においては、各ターゲットに（供給する電力を調節する
ことにより組成を制御することができる。複数のターゲ
ットを使用するばあいにはもちろんであるが、単一ター
ゲットのばあいも、基板を自・公転させることにより、
膜の組成を均一化することができる。
スパッタ中のアルゴンガス圧は一般に１×１０−３〜１
ｘ １０Ｊ Ｔｏｒｒで行なわれるが、異方性の増大と
いう観点からは低圧の方が好ましい。
ｘ １０Ｊ Ｔｏｒｒで行なわれるが、異方性の増大と
いう観点からは低圧の方が好ましい。
他のスパッタ条件は一般的な方法と異ならないが、形成
される磁性薄膜の結晶化を抑制する必要があるので、た
とえば基板はあまり加熱せず、Ｏ〜２００℃程度で、ス
パッタ速度も極端に速くせず、１０〜ｉｏ、ｏｏｏ入／
分程度にする方が好ましい。
される磁性薄膜の結晶化を抑制する必要があるので、た
とえば基板はあまり加熱せず、Ｏ〜２００℃程度で、ス
パッタ速度も極端に速くせず、１０〜ｉｏ、ｏｏｏ入／
分程度にする方が好ましい。
好ましい膜厚は１００〜１０，０ＯＯＡである。該膜厚
が１００人未満では、もれ磁束が小さくなりすぎ、記録
材料として読み出し感度が低下する。
が１００人未満では、もれ磁束が小さくなりすぎ、記録
材料として読み出し感度が低下する。
一方、１０，０００人をこえる膜厚は、書き込みを困難
にし、不経済である。
にし、不経済である。
蒸着後にはシリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物
などの保護膜をコートしてもよい。
などの保護膜をコートしてもよい。
本発明の垂直磁化膜はコバルトを含むので、希土類−鉄
系合金磁性薄膜と比較すれば耐蝕性は優れているが、希
土類金属であるサマリウムを含むため、酸化に対する耐
蝕性が優れているとはいい難いから、保護膜を施すばあ
いがあるのである。
系合金磁性薄膜と比較すれば耐蝕性は優れているが、希
土類金属であるサマリウムを含むため、酸化に対する耐
蝕性が優れているとはいい難いから、保護膜を施すばあ
いがあるのである。
つぎに本発明の垂直磁化膜の特徴を述べる。
第１に、ビスマスを添加するため大きな垂直磁気異方性
をもった磁化膜をうろことができる。
をもった磁化膜をうろことができる。
ビスマスを添加しないばあいには、垂直−軸異方性定数
Ｋｕは−Ｉ Ｘ １０” ｅｒｏ １０ｍ３以下の値を
示し、垂直磁化膜はえられない。ところがビスマスを添
加すると、ビスマス濃度に比例してｌ（ｕは増大し、１
ｘ １０６ ｅｒｇ ／ｃａ＋３をこえるものがえら
れるようにな、る。一般にサマリウム濃度が低い方が、
前記のように大きな異方性定数ＫＬＩがえられるが、サ
マリウム濃度が低いばあいにはＭＳが増大し、Ｋｕ −
２ｙｒＭＳ ２ ＜Ｑとなり、垂直磁化膜はえられない
。ビスマス添加により垂直磁化膜がえられるサマリウム
濃度は５〜５０原子％内に限られる。ビスマスの添加に
より飽和磁化は減少し、またビスマス添加量が増大する
と基板上に析出した磁性ｗＩ膜が剥曽をおこすようにな
るので、ビスマス添加量には上限がある。この上限値は
蒸着条件により異なり、とくに、基板に負のバイアス電
圧を印加したばあいには、小さな値になる。
Ｋｕは−Ｉ Ｘ １０” ｅｒｏ １０ｍ３以下の値を
示し、垂直磁化膜はえられない。ところがビスマスを添
加すると、ビスマス濃度に比例してｌ（ｕは増大し、１
ｘ １０６ ｅｒｇ ／ｃａ＋３をこえるものがえら
れるようにな、る。一般にサマリウム濃度が低い方が、
前記のように大きな異方性定数ＫＬＩがえられるが、サ
マリウム濃度が低いばあいにはＭＳが増大し、Ｋｕ −
２ｙｒＭＳ ２ ＜Ｑとなり、垂直磁化膜はえられない
。ビスマス添加により垂直磁化膜がえられるサマリウム
濃度は５〜５０原子％内に限られる。ビスマスの添加に
より飽和磁化は減少し、またビスマス添加量が増大する
と基板上に析出した磁性ｗＩ膜が剥曽をおこすようにな
るので、ビスマス添加量には上限がある。この上限値は
蒸着条件により異なり、とくに、基板に負のバイアス電
圧を印加したばあいには、小さな値になる。
このようにしてえられる磁性薄膜は保磁力として３００
〜７０００ｅ （エルステッド）を示す。
〜７０００ｅ （エルステッド）を示す。
なおこの値は磁場を膜面に対して垂直に印加し、かつ同
方向から検出した値である。
方向から検出した値である。
以上のように、ビスマスを添加したサマリウム−コバル
ト磁性薄膜は、バイアス重圧の存在がなくても垂直磁化
膜となりつるが、バイアス電圧の印加とビスマス添加の
両方を併用したばあいには、ビスマス添加単独のばあい
と比較してさらに大きな垂直異方性定数Ｋｕを持った磁
性薄膜がえられる。たとえば、バイアス電圧を一４０Ｖ
としたばあいには、ビスマスを添加しなくてもＫＬＩ＞
Ｏとなる。バイアス電圧を一４０Ｖとし、ビスマスを約
２０原子％添加すると６×１０８ ｅｒｇ ／ｃｍ３程
度のＫ（ｌかえられる。この値は最大１０００ガウス程
度の１ｙｌｓをもつ垂直磁化膜かえられることを意味す
る。
ト磁性薄膜は、バイアス重圧の存在がなくても垂直磁化
膜となりつるが、バイアス電圧の印加とビスマス添加の
両方を併用したばあいには、ビスマス添加単独のばあい
と比較してさらに大きな垂直異方性定数Ｋｕを持った磁
性薄膜がえられる。たとえば、バイアス電圧を一４０Ｖ
としたばあいには、ビスマスを添加しなくてもＫＬＩ＞
Ｏとなる。バイアス電圧を一４０Ｖとし、ビスマスを約
２０原子％添加すると６×１０８ ｅｒｇ ／ｃｍ３程
度のＫ（ｌかえられる。この値は最大１０００ガウス程
度の１ｙｌｓをもつ垂直磁化膜かえられることを意味す
る。
つぎにビスマスを添加することにより達成される第２の
効果について述べる。
効果について述べる。
磁気的に記録された情報を読み出す方法としては、一般
に媒体からの磁束を、電磁誘導的に検出する方法が多く
採用されているが、本発明のような垂直磁化膜を用いる
ばあいには、磁気極カー効果（以下、磁気カー効果とい
う）を用いることも可能である。そのばあい読み出し感
度の観点から、カー回転角が大きいほど好ましい。ビス
マスを添加したばあいの磁性薄膜の特徴は、ビスマスの
添加により上記カー回転角が増大することにある。すな
わち、ビスマスを含まないサマリウム−コバルト磁性１
膜は０．２度のカー回転角をもっているが、ビスマスを
１０原子％程添加覆ることにより０．３３度まで増大す
４ る。しかしながら、１０原子％以上ビス
マスを添加すると、カー回転角はかえって減少するよう
になる。したがってカー回転角の観点からはビスマス添
加量は１５原子％ぐらいまでが好ましい。
に媒体からの磁束を、電磁誘導的に検出する方法が多く
採用されているが、本発明のような垂直磁化膜を用いる
ばあいには、磁気極カー効果（以下、磁気カー効果とい
う）を用いることも可能である。そのばあい読み出し感
度の観点から、カー回転角が大きいほど好ましい。ビス
マスを添加したばあいの磁性薄膜の特徴は、ビスマスの
添加により上記カー回転角が増大することにある。すな
わち、ビスマスを含まないサマリウム−コバルト磁性１
膜は０．２度のカー回転角をもっているが、ビスマスを
１０原子％程添加覆ることにより０．３３度まで増大す
４ る。しかしながら、１０原子％以上ビス
マスを添加すると、カー回転角はかえって減少するよう
になる。したがってカー回転角の観点からはビスマス添
加量は１５原子％ぐらいまでが好ましい。
本発明のサマリウム−コバルト−ビスマス合金垂直磁化
膜は、ｘｍ回折による測定から非晶質であることが確認
されており、このことは本発明の垂直磁化膜の第３の特
徴である。
膜は、ｘｍ回折による測定から非晶質であることが確認
されており、このことは本発明の垂直磁化膜の第３の特
徴である。
すなわち、多結晶質の光磁気記録媒体から読み出しを行
うばあいには、粒界ノイズが問題になるが、本発明のよ
うな非晶質膜のばあいには、粒界ノイズは極めて少なく
高Ｓ／Ｎ比での読み出しが可能になる。
うばあいには、粒界ノイズが問題になるが、本発明のよ
うな非晶質膜のばあいには、粒界ノイズは極めて少なく
高Ｓ／Ｎ比での読み出しが可能になる。
以上本発明の垂直磁化膜の３つの特徴について述べたが
、これらの記述より、本発明のサマリウム−コバルト−
ビスマス合金薄膜は、コバルト−クロム合金薄膜と比較
して垂直磁気異方性がより大きく、かつ磁気カー効果の
大きい記録媒体を提供するものであり、とくに読み出し
特性の優れた高密度磁気記録媒体を提供するものである
ことがわかる。
、これらの記述より、本発明のサマリウム−コバルト−
ビスマス合金薄膜は、コバルト−クロム合金薄膜と比較
して垂直磁気異方性がより大きく、かつ磁気カー効果の
大きい記録媒体を提供するものであり、とくに読み出し
特性の優れた高密度磁気記録媒体を提供するものである
ことがわかる。
つぎに実施例にもとづき本発明の垂直磁化膜およびその
製法について説明する。
製法について説明する。
実施例１〜８
高周波２極スパツタ法による実施例について説明する。
使用した装置は通常の高周波２極スパツタ装置であり、
下方にターゲットを、上方に基板を配したスパッタアッ
プ方式である。ターゲットは、最下部に直径８ｃｍのビ
スマス板を敷き、その上に６１径の孔を多数有するコバ
ルト板を置き、さらにその上に１ＣＩ１１角のサマリウ
ムチップを配した構成であった。孔およびチップの数を
調整することにより、えられる磁性薄膜の組成を変えた
。ビスマス含量は、コバルト板の孔数に比例することに
なる。基板としては１ｍｉ＋厚のスライドグラスを使用
した。アルゴン圧２×１０−３ Ｔｏｒｒ 、スパッタ
速度約１０００人／分、基板にはバイアス電圧を印加せ
ず、塁板を水冷するというスパッタ条件で、各種組成の
磁性薄膜を作製した。
下方にターゲットを、上方に基板を配したスパッタアッ
プ方式である。ターゲットは、最下部に直径８ｃｍのビ
スマス板を敷き、その上に６１径の孔を多数有するコバ
ルト板を置き、さらにその上に１ＣＩ１１角のサマリウ
ムチップを配した構成であった。孔およびチップの数を
調整することにより、えられる磁性薄膜の組成を変えた
。ビスマス含量は、コバルト板の孔数に比例することに
なる。基板としては１ｍｉ＋厚のスライドグラスを使用
した。アルゴン圧２×１０−３ Ｔｏｒｒ 、スパッタ
速度約１０００人／分、基板にはバイアス電圧を印加せ
ず、塁板を水冷するというスパッタ条件で、各種組成の
磁性薄膜を作製した。
えられた磁性薄膜についてトルク法で膜面に対して垂直
方向の一軸異方性定数に土を測定し、振動磁力計によっ
て飽和磁化ＭＳを求め、）（Ｕ−に土＋２πＭｓ２なる
関係から、垂直異方性定数ＫＩＪを求めた。それらの結
果を第１表に示す。
方向の一軸異方性定数に土を測定し、振動磁力計によっ
て飽和磁化ＭＳを求め、）（Ｕ−に土＋２πＭｓ２なる
関係から、垂直異方性定数ＫＩＪを求めた。それらの結
果を第１表に示す。
えられた磁性薄膜の垂直方向の保磁力ＨＯ土は２００〜
９０００ ｅであった。
９０００ ｅであった。
えられた膜についてＸ線回折分析を試みたところ、いず
れの膜についてもシャープなピークは認められなかった
ことから非晶質と判断された。
れの膜についてもシャープなピークは認められなかった
ことから非晶質と判断された。
比較例１〜３
コバルト板に孔をあけない以外は実施例１と同様の方法
で磁性Ｗｊｍを作製し、特性を評価、した。いずれのば
あいもＫｕは負の値を示した。
で磁性Ｗｊｍを作製し、特性を評価、した。いずれのば
あいもＫｕは負の値を示した。
それら結果を第１表に示す。
［以下余白］
実施例９〜１１
２元マグネトＯン型スパッタ装置を用い、かつ基板に負
のバイアス電圧を印加し、た実施例について説明する。
のバイアス電圧を印加し、た実施例について説明する。
この実践に使用したスパッタ装置は、互いに独立にパワ
ーを一制御できる２個のターゲットを有し、基板はター
ゲット上を回転するものである。一方のターゲットは底
部にサマリウム板を敷き、その上に扇形のコバルトチッ
プをＩ！ｉ！した。他方のターゲットはビスマス板単独
である。
ーを一制御できる２個のターゲットを有し、基板はター
ゲット上を回転するものである。一方のターゲットは底
部にサマリウム板を敷き、その上に扇形のコバルトチッ
プをＩ！ｉ！した。他方のターゲットはビスマス板単独
である。
アルゴン圧１ｘ １０−’ Ｔ ｏｒｒ 、析出速度約
５００八／分、基板回転数（３０ｒｐｌｆｌ 、 基板
にはバイアス電圧−４０Ｖを印加し、基板を水冷すると
いうスパッタ条件下で作製したサマリウム−コバルト−
ビスマス磁性薄膜の垂直買方性定数Ｋｕを実施例１と同
様にして測定した。それらの結果を第２表に示す。
５００八／分、基板回転数（３０ｒｐｌｆｌ 、 基板
にはバイアス電圧−４０Ｖを印加し、基板を水冷すると
いうスパッタ条件下で作製したサマリウム−コバルト−
ビスマス磁性薄膜の垂直買方性定数Ｋｕを実施例１と同
様にして測定した。それらの結果を第２表に示す。
比較例４
ビスマスターゲットを使用しない以外は実施例９と同様
の方法で磁性薄膜を作製し、特性を評価した。このばあ
い）（Ｕは正の値を示すが、実施例９〜１１に示すＫ（
ｌの値よりは小さかった。
の方法で磁性薄膜を作製し、特性を評価した。このばあ
い）（Ｕは正の値を示すが、実施例９〜１１に示すＫ（
ｌの値よりは小さかった。
それらの結果を第２表に示す。
Ｅ以下余白］
実施例１２〜１５
実施例９と同様にして作製したサマリウム−コバルト−
ビスマス磁性薄膜の極力−効果を、カー効果ヒステリシ
ス測定装置を用いて、Ｈｅ−Ｊｌｅガスレーザーを光源
として使用し、波長６３３ｎｍで薄膜表面側から測定し
た。
ビスマス磁性薄膜の極力−効果を、カー効果ヒステリシ
ス測定装置を用いて、Ｈｅ−Ｊｌｅガスレーザーを光源
として使用し、波長６３３ｎｍで薄膜表面側から測定し
た。
えられた（１１２！和）カー回転角の測定結果を第３表
に示す。
に示す。
比較例５
ビスマスを添加しない以外は実施例１２と同様の方法で
磁性薄膜を作製し、特性を測定した。
磁性薄膜を作製し、特性を測定した。
ビスマスを含まないサリウムーコバルト磁性薄膜である
本例のカー回転角は、実施例１２〜１５の値にくらべて
小さかった。
本例のカー回転角は、実施例１２〜１５の値にくらべて
小さかった。
えられたカー回転角の測定結果を第３表に示す。
［以下余白］
第 ６ 表
実施例１６
アルゴン圧１ ｘｌＯ−２Ｔｏｒｒ 、Ｗ板にはバイア
ス電圧を印加しなかつＩ：Ｇよかは実施例９と同様にし
で、サマリウム−］］バルトービスマス合金薄を作製し
た。
ス電圧を印加しなかつＩ：Ｇよかは実施例９と同様にし
で、サマリウム−］］バルトービスマス合金薄を作製し
た。
えられｔｃ ｒｇ＋の組成式はく”” １６ ｃＯ８４
）’６２ Ｂ’３８、膜厚は１８００人、飽和磁化は４
１０Ｇであった。磁気トルクメーターを使用し、外部磁
界１７ＫＯｅを印加して、垂直異方性定数を測定したと
ころ、ｏ、ｅｘｉｏｅ ｅｒ（］ ／ｃｍ３であり、Ｋ
ｌ −に１＋２πＭＳ２により補正したＫＵは１．６６
ｘ１０８ ｅｒｇ／ｃｍ３であった。膜面に対して垂
直（土）および平行（り）な方向での磁化曲線を測定し
たところ第１図のようになった。
）’６２ Ｂ’３８、膜厚は１８００人、飽和磁化は４
１０Ｇであった。磁気トルクメーターを使用し、外部磁
界１７ＫＯｅを印加して、垂直異方性定数を測定したと
ころ、ｏ、ｅｘｉｏｅ ｅｒ（］ ／ｃｍ３であり、Ｋ
ｌ −に１＋２πＭＳ２により補正したＫＵは１．６６
ｘ１０８ ｅｒｇ／ｃｍ３であった。膜面に対して垂
直（土）および平行（り）な方向での磁化曲線を測定し
たところ第１図のようになった。
第１図は組成式（ＳＩｌｌ ｃｏ ） Ｂ； で示され
るえられたサマリウム−コバルト−ビスマス合金薄摸の
磁化曲線を示すグラフである。 特許出願人 桜 井 良 文 ほか１名代理人弁理
士 朝 日 奈 宗 太□第１図 三′ｒ＝彰■ン市正書（自 発） 昭和６０り〒６１１３目 特許庁長官 志 賀 学 殿 ＩＨ：Ｆ
、、□゛ν゛ １事件の表示 昭和５９年特訂願第１２０３９１、 発明の名称 重置磁化膜 ３補正をする者 事件どの関係 特許出願人 住 所 大阪府１′（面市箕面二丁目九搦１８号氏名
桜井貞女 ばか１名 ４代理人 〒５７Ｉ ０ ５補正の対象 （１）明細書の「特許請求の範囲」の欄（２）明１１１
１古の「発明の詳細な説明」の欄６補正の内容 （１）明細書の１−特許請求の範囲」を別紙１補正され
た特許請求の範囲」のとおり補正する。 （２）明細書３頁１行の［３Ｘ１０６Ｊをｒ’２Ｘ１０
６Ｊと補正する。 （３）同５頁５〜６行の「サマリウム−＝１バルト合金
」を「リーマリウムー」パル１〜−−ビスマス合金１と
補正する。 （４）同５頁６行の１基板上に保持された基板」を「基
板上に保持され、基板」と補正する。 （５）同７頁３行の「方法について−」を１方法につい
−Ｃ」と補正する。 （６）同７頁下から２行の１することがでさる」を「す
ることができる。また、任意組成の合金ターゲットが使
用できることは当然である」と補正刃る。 （７）同８頁９行のＩ’ ＯＪをｌＯｏＪと補正する。 （８）同１４頁７行の「回折」を１回折」と補正する。 （０）同１４頁１１行の「比較例１〜３」を［比較例１
〜２］と補正する。 （１０）同１５頁の第１表仝体を次のとｄ３り補正する
。 Ｅ以下余白］ （１１）同１６頁十から３行の「比較例４」を［比較例
３−１と補正する。 （１２）同１８頁第２表の１比較例４」を［比較例３」
ど補正−り゛る、。 （１３）同１９頁０行の［比較例５−１を「比較例４」
ど補ｉ「す゛る１゜ （１４）同２０￥１第３表の１比較例５」を［−比較例
４」と補正覆る。 ７添イｑ円類の目録 （１）補正された待ｈζ［請求の範囲 １ 通棋
正Ａれた特許請求のり ［１サマリウム−コバルト−ビスマス合金からなり、基
板上に保持され、す板に対して垂ｉな方向に磁化容易軸
を右する非晶質磁性薄膜−からなることを特徴とする垂
直磁化膜。 ２ 前記合金中におけるビスマスの割合が０．１〜４０
１京子％であり、サマリウムの割合が５〜５０原子％で
ある特許請求の範囲第１項記載の垂直磁化膜。 ３ サマリウム−］バルトービスマス合金からなり、重
板上に保持され、基板に対して垂直な方向に磁化容易軸
を有する非晶質磁性薄膜からなる垂直磁化膜を製造する
に際し、サマリウム、コバルトおよびビスマスを基板上
に蒸るすることを特徴とする垂直磁化膜の製法。 ４ 前記蒸着がスパッタリング蒸看法による蒸着である
特許請求の範囲第３項記載の製法。」以 上
るえられたサマリウム−コバルト−ビスマス合金薄摸の
磁化曲線を示すグラフである。 特許出願人 桜 井 良 文 ほか１名代理人弁理
士 朝 日 奈 宗 太□第１図 三′ｒ＝彰■ン市正書（自 発） 昭和６０り〒６１１３目 特許庁長官 志 賀 学 殿 ＩＨ：Ｆ
、、□゛ν゛ １事件の表示 昭和５９年特訂願第１２０３９１、 発明の名称 重置磁化膜 ３補正をする者 事件どの関係 特許出願人 住 所 大阪府１′（面市箕面二丁目九搦１８号氏名
桜井貞女 ばか１名 ４代理人 〒５７Ｉ ０ ５補正の対象 （１）明細書の「特許請求の範囲」の欄（２）明１１１
１古の「発明の詳細な説明」の欄６補正の内容 （１）明細書の１−特許請求の範囲」を別紙１補正され
た特許請求の範囲」のとおり補正する。 （２）明細書３頁１行の［３Ｘ１０６Ｊをｒ’２Ｘ１０
６Ｊと補正する。 （３）同５頁５〜６行の「サマリウム−＝１バルト合金
」を「リーマリウムー」パル１〜−−ビスマス合金１と
補正する。 （４）同５頁６行の１基板上に保持された基板」を「基
板上に保持され、基板」と補正する。 （５）同７頁３行の「方法について−」を１方法につい
−Ｃ」と補正する。 （６）同７頁下から２行の１することがでさる」を「す
ることができる。また、任意組成の合金ターゲットが使
用できることは当然である」と補正刃る。 （７）同８頁９行のＩ’ ＯＪをｌＯｏＪと補正する。 （８）同１４頁７行の「回折」を１回折」と補正する。 （０）同１４頁１１行の「比較例１〜３」を［比較例１
〜２］と補正する。 （１０）同１５頁の第１表仝体を次のとｄ３り補正する
。 Ｅ以下余白］ （１１）同１６頁十から３行の「比較例４」を［比較例
３−１と補正する。 （１２）同１８頁第２表の１比較例４」を［比較例３」
ど補正−り゛る、。 （１３）同１９頁０行の［比較例５−１を「比較例４」
ど補ｉ「す゛る１゜ （１４）同２０￥１第３表の１比較例５」を［−比較例
４」と補正覆る。 ７添イｑ円類の目録 （１）補正された待ｈζ［請求の範囲 １ 通棋
正Ａれた特許請求のり ［１サマリウム−コバルト−ビスマス合金からなり、基
板上に保持され、す板に対して垂ｉな方向に磁化容易軸
を右する非晶質磁性薄膜−からなることを特徴とする垂
直磁化膜。 ２ 前記合金中におけるビスマスの割合が０．１〜４０
１京子％であり、サマリウムの割合が５〜５０原子％で
ある特許請求の範囲第１項記載の垂直磁化膜。 ３ サマリウム−］バルトービスマス合金からなり、重
板上に保持され、基板に対して垂直な方向に磁化容易軸
を有する非晶質磁性薄膜からなる垂直磁化膜を製造する
に際し、サマリウム、コバルトおよびビスマスを基板上
に蒸るすることを特徴とする垂直磁化膜の製法。 ４ 前記蒸着がスパッタリング蒸看法による蒸着である
特許請求の範囲第３項記載の製法。」以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ サマリウム−コバルト−ビスマス合金からなり、基
板上に保持された基板に対して垂直な方向に磁化容易軸
を有する非晶質磁性薄膜からなることを特徴とする垂直
磁化膜。 ２ 前記合金中におけるビスマスの割合が０．１〜４０
原子％であり、サマリウムの割合が５〜５０原子％であ
る特許請求の範囲第１項記載の垂直磁化膜。 ３ サマリウム−コバルト−ビスマス合金からなり、基
板上に保持された基板に対して垂直な方向に磁化容易軸
を有する非晶質磁性薄膜からなる垂直磁化膜を製造する
に際し、サマリウム、コバルトおよびビスマスを基板上
に蒸着することを特徴とする垂直磁化膜の製法。 ４ 前記蒸着がスパッタリング蒸着法による蒸着である
特許請求の範囲第３項記載の製法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59120391A JPS61544A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 垂直磁化膜 |
| US06/743,134 US4675239A (en) | 1984-06-12 | 1985-06-10 | Perpendicular magnetization film |
| EP85107164A EP0164725B1 (en) | 1984-06-12 | 1985-06-11 | Perpendicular magnetization film and its production |
| DE8585107164T DE3573352D1 (en) | 1984-06-12 | 1985-06-11 | Perpendicular magnetization film and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59120391A JPS61544A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 垂直磁化膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61544A true JPS61544A (ja) | 1986-01-06 |
| JPH0418023B2 JPH0418023B2 (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=14785043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59120391A Granted JPS61544A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 垂直磁化膜 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4675239A (ja) |
| EP (1) | EP0164725B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61544A (ja) |
| DE (1) | DE3573352D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4597573A (en) * | 1985-02-07 | 1986-07-01 | Crown Zellerbach Corporation | System for handling discrete sheets |
| US4986750A (en) * | 1988-05-31 | 1991-01-22 | Furnace Juko Kabushiki Kaisha | Furnace |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326827A (ja) * | 1986-07-21 | 1988-02-04 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP3090128B2 (ja) * | 1998-08-28 | 2000-09-18 | 日本電気株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| KR100341843B1 (ko) * | 2000-04-12 | 2002-06-24 | 황정남 | 자성체내의 자화 용이축 회전 및 다중 자화축 물질 제조방법 |
| KR100598578B1 (ko) * | 2004-11-25 | 2006-07-13 | 한국전자통신연구원 | 정보저장용 디스크의 제작 방법 |
Citations (3)
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| JPS55125533A (en) * | 1979-03-14 | 1980-09-27 | Basf Ag | Magnetic recording carrier and method of fabricating same |
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| JPS5967612A (ja) * | 1982-10-09 | 1984-04-17 | Yoshifumi Sakurai | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
| US4126494A (en) * | 1975-10-20 | 1978-11-21 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Magnetic transfer record film |
| JPS53104897A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-12 | Toshiba Corp | Magnetic head |
| JPH06104870B2 (ja) * | 1981-08-11 | 1994-12-21 | 株式会社日立製作所 | 非晶質薄膜の製造方法 |
| US4469536A (en) * | 1982-11-10 | 1984-09-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Alloys and method of making |
| JPS59208706A (ja) * | 1983-05-12 | 1984-11-27 | Daido Steel Co Ltd | 熱磁気記録材料 |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP59120391A patent/JPS61544A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-10 US US06/743,134 patent/US4675239A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-06-11 DE DE8585107164T patent/DE3573352D1/de not_active Expired
- 1985-06-11 EP EP85107164A patent/EP0164725B1/en not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125533A (en) * | 1979-03-14 | 1980-09-27 | Basf Ag | Magnetic recording carrier and method of fabricating same |
| JPS55130106A (en) * | 1979-03-27 | 1980-10-08 | Philips Nv | Magnetic optical memory element |
| JPS5967612A (ja) * | 1982-10-09 | 1984-04-17 | Yoshifumi Sakurai | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| US4597573A (en) * | 1985-02-07 | 1986-07-01 | Crown Zellerbach Corporation | System for handling discrete sheets |
| US4986750A (en) * | 1988-05-31 | 1991-01-22 | Furnace Juko Kabushiki Kaisha | Furnace |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0164725A2 (en) | 1985-12-18 |
| EP0164725B1 (en) | 1989-09-27 |
| EP0164725A3 (en) | 1986-12-30 |
| US4675239A (en) | 1987-06-23 |
| JPH0418023B2 (ja) | 1992-03-26 |
| DE3573352D1 (en) | 1989-11-02 |
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