JPS6159449A - 半導体製造用マスク - Google Patents
半導体製造用マスクInfo
- Publication number
- JPS6159449A JPS6159449A JP59181920A JP18192084A JPS6159449A JP S6159449 A JPS6159449 A JP S6159449A JP 59181920 A JP59181920 A JP 59181920A JP 18192084 A JP18192084 A JP 18192084A JP S6159449 A JPS6159449 A JP S6159449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- mask
- pattern
- semiconductor manufacturing
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造用マスク、特にウェハ露光用のマス
クまたはマスクの原板となるレチクルに関する。
クまたはマスクの原板となるレチクルに関する。
半導体装置の製造においては一般に、ウェハにフォトレ
ジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、フォトマ
スクを通してウェハ上のレジスト膜を露光し、レジスト
膜を現像した後にウェハに各種の処理を施すことが行わ
れる。かかるウェハの露光に用いるフォトマスクには、
ガラス基板の上に光を通さないパターンが１ 、０００
〜２．０００人の膜厚の金属例えばクロムで形成されて
いる。
ジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、フォトマ
スクを通してウェハ上のレジスト膜を露光し、レジスト
膜を現像した後にウェハに各種の処理を施すことが行わ
れる。かかるウェハの露光に用いるフォトマスクには、
ガラス基板の上に光を通さないパターンが１ 、０００
〜２．０００人の膜厚の金属例えばクロムで形成されて
いる。
前記したフォトマスクのパターン幅は、集積回路の微細
化の要請に対応するため、１．５〜２．０μｍ稈度に微
細化されてきたが、最近はパターン幅をザブミクロンの
オーダーのものに形成することが要求されている。
化の要請に対応するため、１．５〜２．０μｍ稈度に微
細化されてきたが、最近はパターン幅をザブミクロンの
オーダーのものに形成することが要求されている。
前記したフォトマスクのパターンは必ず検査を受けるが
、従来その検査は光学系を用い、光を当て、レンズを介
してビデオ信号に直すなどの方法がとられている。とこ
ろで、パターン幅がサブミクロンのものになると、光を
用いる検査における解像力の限界は１．０μｍであるの
で、従来の光学系の方式ではザブミクロンのパターンの
検査ができなくなった。
、従来その検査は光学系を用い、光を当て、レンズを介
してビデオ信号に直すなどの方法がとられている。とこ
ろで、パターン幅がサブミクロンのものになると、光を
用いる検査における解像力の限界は１．０μｍであるの
で、従来の光学系の方式ではザブミクロンのパターンの
検査ができなくなった。
そこで、光に代えて電子ビーム（ＥＢ）を用いる方法が
開発された。ＥＢを用いるパターンの検査には、ＥＨの
照射によって発生する２次電子を検出する方法がとられ
ている。
開発された。ＥＢを用いるパターンの検査には、ＥＨの
照射によって発生する２次電子を検出する方法がとられ
ている。
第２図にフォトマスクが模式的に断面図で示され、同図
において、１ばガラス基板、２はクロムのパターン、３
はＥＢ、４はパターン２から放射される２次電子を示す
。図示の如＜ＥＢ３でマスクを走査し、放射される２次
電子４を２次電子検出器５によって検出する。
において、１ばガラス基板、２はクロムのパターン、３
はＥＢ、４はパターン２から放射される２次電子を示す
。図示の如＜ＥＢ３でマスクを走査し、放射される２次
電子４を２次電子検出器５によって検出する。
かかるＩＥＢを用いるパターンの検査において、ＥＢの
照射を継続すると、ガラス基板は絶縁体であるので、そ
の中に電荷が蓄積され（ｃｈａｒｇｅ ｕｐ ）帯電す
ることが判明した。そうなると、電荷が２次電子に影響
してクロムとガラス基板からそれぞれ放射される２次電
子のピークが重なったりして、正確な２次電子の検出が
行われなくなり、パターンの正確な検査ができなくなる
問題が発生した。
照射を継続すると、ガラス基板は絶縁体であるので、そ
の中に電荷が蓄積され（ｃｈａｒｇｅ ｕｐ ）帯電す
ることが判明した。そうなると、電荷が２次電子に影響
してクロムとガラス基板からそれぞれ放射される２次電
子のピークが重なったりして、正確な２次電子の検出が
行われなくなり、パターンの正確な検査ができなくなる
問題が発生した。
本発明は、上記問題点を解消した絶縁体基板の帯電が防
止されたフォトマスクを提供するもので、その手段は、
絶縁体基板上に金属材料パターンが設けられてなるマス
クにして、前記絶縁体基板上に該パターンを覆う光透過
性の電荷導伝性膜を設け、該導伝性膜を接地しうる構成
としたことを特徴とする半導体製造用マスクによってな
される。
止されたフォトマスクを提供するもので、その手段は、
絶縁体基板上に金属材料パターンが設けられてなるマス
クにして、前記絶縁体基板上に該パターンを覆う光透過
性の電荷導伝性膜を設け、該導伝性膜を接地しうる構成
としたことを特徴とする半導体製造用マスクによってな
される。
上記のマスクにおいては、ガラス基板の表面に蓄積され
る電荷は、導伝性膜を通して接地されるので、クロムの
パターンから照射される２次電子はなんら影響を受ける
ことがないので、クロムパターンとガラス基板および導
伝性膜からの２次電子はそれぞれピーク値が正確に出る
ので、２次電子の検出によるパターンの検査が正確にな
されるのである。
る電荷は、導伝性膜を通して接地されるので、クロムの
パターンから照射される２次電子はなんら影響を受ける
ことがないので、クロムパターンとガラス基板および導
伝性膜からの２次電子はそれぞれピーク値が正確に出る
ので、２次電子の検出によるパターンの検査が正確にな
されるのである。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図に本発明の実施例が部分的断面図で示され、同図
において、１１は絶縁体例えばガラスの基板、１２はク
ロムまたは酸化クロムで作った膜厚１ 、０００〜２，
０００人のパターン、１３は導伝性膜、１４は導伝性膜
を大地１５に接地する電線を示す。実際に使用するマス
クにそれぞれ電線を接続することは実際的でないので導
伝性膜には通常の技術で接地用手段を設けるとよい。
において、１１は絶縁体例えばガラスの基板、１２はク
ロムまたは酸化クロムで作った膜厚１ 、０００〜２，
０００人のパターン、１３は導伝性膜、１４は導伝性膜
を大地１５に接地する電線を示す。実際に使用するマス
クにそれぞれ電線を接続することは実際的でないので導
伝性膜には通常の技術で接地用手段を設けるとよい。
導伝性膜は、光透過性があり、電荷を導伝する性質の材
料を、パターンの２〜３倍の膜厚に例えばスピンコード
法で゛塗布する。かかる導伝性膜を設けることにより、
ガラス基板１１、導伝性膜１３の表面に発生する電荷は
接地されるので、パターン１２、ガラス基板１１、導伝
性膜１３から放射される２次電子は設計された通りのピ
ーク値をもつことになり、２次電子検出器によるこれら
２次電子の分析は、クロムパターン１２の形状を正確に
示すことになる。パターン１２の検査においては、パタ
ーンのエツジからの２次電子が重要な意味をもつもので
あり、従来は、エツジから放射される２次電子（それに
はクロムからの２次電子とガラス基板からの２次電子と
がある）の分析が正確になされなかったが、本発明実施
例によると、それぞれの２次電子のピーク値が正確に分
析できるようになった。
料を、パターンの２〜３倍の膜厚に例えばスピンコード
法で゛塗布する。かかる導伝性膜を設けることにより、
ガラス基板１１、導伝性膜１３の表面に発生する電荷は
接地されるので、パターン１２、ガラス基板１１、導伝
性膜１３から放射される２次電子は設計された通りのピ
ーク値をもつことになり、２次電子検出器によるこれら
２次電子の分析は、クロムパターン１２の形状を正確に
示すことになる。パターン１２の検査においては、パタ
ーンのエツジからの２次電子が重要な意味をもつもので
あり、従来は、エツジから放射される２次電子（それに
はクロムからの２次電子とガラス基板からの２次電子と
がある）の分析が正確になされなかったが、本発明実施
例によると、それぞれの２次電子のピーク値が正確に分
析できるようになった。
導伝性膜は、前記した如く、電荷を導伝するに加えて光
透過性をもち、かつ、ガラス基板上に塗布可能なもので
なければならない。
透過性をもち、かつ、ガラス基板上に塗布可能なもので
なければならない。
本発明の第１実施例においては、導伝性膜に、複合型分
子組成物、例えば高分子７トリソクス中にカーホンブラ
ンクを分散したものを用い、良好な分析がなされた。
子組成物、例えば高分子７トリソクス中にカーホンブラ
ンクを分散したものを用い、良好な分析がなされた。
本発明の第２実施例においては、高分子電荷移動ｉｊｆ
体、例えば高分子ポリカチオンのドナーであるポリビニ
ル力ルバヅールとテトラシアノ−Ｐ−キノジメタン（Ｔ
ＣＮ Ｑ）との組合せを用い第１実施例と同様の効果
を得た。
体、例えば高分子ポリカチオンのドナーであるポリビニ
ル力ルバヅールとテトラシアノ−Ｐ−キノジメタン（Ｔ
ＣＮ Ｑ）との組合せを用い第１実施例と同様の効果
を得た。
本発明の第３実施例においては、導伝性膜にイオン導伝
性高分子、例えばβ−アルミナセラミ７クスを用い、第
４実施例においては、導伝性の層間化合物伝導体、例え
ば黒鉛−５−ＮｕＺＳｂＣ炙５を用い、いずれも満足す
べき結果を得た。
性高分子、例えばβ−アルミナセラミ７クスを用い、第
４実施例においては、導伝性の層間化合物伝導体、例え
ば黒鉛−５−ＮｕＺＳｂＣ炙５を用い、いずれも満足す
べき結果を得た。
本発明の第５実施例においては、導伝性共役型合体を用
い、■ポリバラフェニレン、■ポリフェニレン・サルフ
ァイド、■ポリチアジル、■ポリチェニレン、■ポリ
（トランス白金アセチリド）、■ポリアリーレンビニレ
ン、■ポリ （クロロフェニルキノリン）、■ポリアミ
ノピリジン、■セレン含有芳香酸族ポリマーなどが使用
可能であることが判明した。
い、■ポリバラフェニレン、■ポリフェニレン・サルフ
ァイド、■ポリチアジル、■ポリチェニレン、■ポリ
（トランス白金アセチリド）、■ポリアリーレンビニレ
ン、■ポリ （クロロフェニルキノリン）、■ポリアミ
ノピリジン、■セレン含有芳香酸族ポリマーなどが使用
可能であることが判明した。
導伝性膜ｊ３は、また上記した如くにガラス基板」二の
電荷を逃してやる機能だけでなく、パターン１２を保護
する保護膜として（＠Ｊ ＜利点がある。
電荷を逃してやる機能だけでなく、パターン１２を保護
する保護膜として（＠Ｊ ＜利点がある。
以上説明したように本発明によれば、導伝性膜を設ける
ことにより、ＥＢを用いるフォトマスクの微細パターン
の検査において、絶縁体基板上に発生する電荷の影響が
防止されうるので、微細パターンの試験が正確になされ
るだけでなく、導伝性膜はパターンを保護する効果もも
つものである。
ことにより、ＥＢを用いるフォトマスクの微細パターン
の検査において、絶縁体基板上に発生する電荷の影響が
防止されうるので、微細パターンの試験が正確になされ
るだけでなく、導伝性膜はパターンを保護する効果もも
つものである。
第１図は本発明にかかるフォトマスクの部分的断面図、
第２図は従来のフォトマスクの部分的断面図である。 図中、１１はガラス基板、１２はパターン、１３は導伝
性膜、１４は電線、１５は大地、をそれぞれ示す。 第１図
第２図は従来のフォトマスクの部分的断面図である。 図中、１１はガラス基板、１２はパターン、１３は導伝
性膜、１４は電線、１５は大地、をそれぞれ示す。 第１図
Claims (6)
- （１）絶縁体基板上に金属材料パターンが設けられてな
るマスクにして、前記絶縁体基板上に該パターンを覆う
光透過性の電荷導伝性膜を設け、該導伝性膜を接地しう
る構成としたことを特徴とする半導体製造用マスク。 - （２）前記導伝性膜が、高分子マトリックス中にカーボ
ンブラックを分散したものの如き複合型高分子組成物で
ある特許請求の範囲第１項記載の半導体製造用マスク。 - （３）前記導伝性膜が高分子ポリカチオンのドナーであ
るポリビニルカルバゾールとテトラシアノ−ｐ−キノジ
メタンの組合せである如き高分子電荷移動錯体である特
許請求の範囲第１項記載の半導体製造用マスク。 - （４）前記導伝性膜がβ−アルミナセラミックスの如き
イオン伝導性高分子である特許請求の範囲第１項記載の
半導体製造用マスク。 - （５）前記導伝性膜が黒鉛−Ｓ＿４Ｎ＿４ＺＳｂＣｌ＿
５の如き層間化合物伝導体である特許請求の範囲第１項
記載の半導体製造用マスク。 - （６）前記導伝性膜が、ポリパラフェニレン、ポリフェ
ニレン・サルファイド、ポリチアジル、ポリチエニレン
、ポリ（トランス白金アセチリド）、ポリアリ−レンビ
ニレン、ポリ（クロロフェニルキノリン）、ポリアミノ
ピリジン、セレン含有芳香族ポリマーの如き導伝性共役
重合体である特許請求の範囲第１項記載の半導体製造用
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181920A JPS6159449A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体製造用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59181920A JPS6159449A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体製造用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159449A true JPS6159449A (ja) | 1986-03-26 |
Family
ID=16109218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59181920A Pending JPS6159449A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 半導体製造用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159449A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02248950A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-04 | Matsushita Electron Corp | フォトマスク |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113577A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-02-03 | Western Electric Co | |
| JPS5141966A (ja) * | 1974-10-07 | 1976-04-08 | Nippon Telegraph & Telephone |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59181920A patent/JPS6159449A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5113577A (ja) * | 1974-06-19 | 1976-02-03 | Western Electric Co | |
| JPS5141966A (ja) * | 1974-10-07 | 1976-04-08 | Nippon Telegraph & Telephone |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02248950A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-04 | Matsushita Electron Corp | フォトマスク |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6553274B1 (en) | Method for designing reticle, reticle, and method for manufacturing semiconductor device | |
| US5362591A (en) | Mask having a phase shifter and method of manufacturing same | |
| US6429090B1 (en) | Fiducial mark bodies for charged-particle-beam (CPB) microlithography, methods for making same, and CPB microlithography apparatus comprising same | |
| US4453086A (en) | Electron beam system with reduced charge buildup | |
| KR100633883B1 (ko) | 포토마스크 | |
| US6482558B1 (en) | Conducting electron beam resist thin film layer for patterning of mask plates | |
| JPS6159449A (ja) | 半導体製造用マスク | |
| US6309781B1 (en) | Photomask provided with an ESD-precluding envelope | |
| US7074526B2 (en) | Photomask covered with light-transmissive and electrically-conductive polymer material | |
| JPH06275856A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| US6821688B2 (en) | Photomask, method for manufacturing the same and method for detecting/repairing defects in photomask | |
| US3672987A (en) | Masked photocathode and method of making same | |
| CA1144591A (en) | Method for making a faceplate for an electrostatic printing tube | |
| JPS61128251A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPH06249805A (ja) | 表面分析方法 | |
| JP2000349000A (ja) | 荷電粒子線用標準マーク、それを有する荷電粒子線露光装置及び半導体デバイス製造方法 | |
| JPH11149152A (ja) | 接地方法およびフォトマスクブランクス | |
| JPH01173718A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| JPWO2002060054A1 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法及び検査装置 | |
| JPH01173717A (ja) | ブランク板 | |
| JPS61125019A (ja) | 集積回路製造方法及びその方法に使用する光導電性フオトレジスト複合体 | |
| JP2002169270A (ja) | マスク検査装置、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS6252850B2 (ja) | ||
| JPH04366843A (ja) | 電子ビーム露光用乾板とその製造方法 | |
| JPH02172110A (ja) | 透明電極付基板の製造方法 |