JPS616281A

JPS616281A - 無電解磁性メツキ液

Info

Publication number: JPS616281A
Application number: JP12613684A
Authority: JP
Inventors: Eikichi Imai; 今井　栄吉; Hideaki Nagasaka; 英昭長坂; Yukio Kondo; 幸夫近藤
Original assignee: Denki Kagaku Kogyo KK
Current assignee: Denka Co Ltd
Priority date: 1984-06-19
Filing date: 1984-06-19
Publication date: 1986-01-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分解）本発明は、磁気ディスク、磁気ドラム、磁気テープ等の
磁気記録媒体を製造する際に用いられる無電解磁性メッ
キ液に関するものである。

（従来の技術）従来から磁気記録媒体を製造する場合、γ−Ｆｅ　２０
３　。

Ｆ　＠　３０４’Ｃ・０・あるいは合金製の磁性材料を
有機物バインダー中に分散させこれを基体上に塗布する
方法が広く利用されてきた。しかし、高密度記録化に伴
い塗布型に代わり電気メッキ、無電解メッキ、真空蒸着
、スパッタリング等の手段により磁気記録媒体を製造す
る方法が注目されている。この場合無電解メッキは、媒
体の高抗磁力化、薄膜化、均一化に適した方法である。

無電解メッキ法による磁性膜の研究はフィッシャーらに
よって報告（ジャーナル・エレクトロケミカル・ンサイ
エテイ第１０９巻、第４８５頁、１９６２年）されて以
来、いろいろ提案されている。（金属表面技術、第２０
巻、第６４８頁１９６９年）しかし、これらの提案には
浴の安定性に関する報告はほとんど見当たらず、被膜の
磁気特性に大きな影響を及ぼす錯化剤については僅か提
案されているにすぎない。

錯化剤とはコバルトイオンあるいはニッケルイオンと配
位可能なものであり、分子中にカルボキシル基、アミノ
基、水酸基をもった化合物が知られている。

その具体例としてはα−アラニンやセリン等のアミノ酸
系のものや乳酸、マロン酸、コハク酸、グリコール酸、
リンゴ酸、クエン酸、酒石酸等があげられる。しかし、
これらを使用した場合には種々の問題がある。本発明者
らの実験によれば、アミノ酸系錯化剤を用いた場合には
、メッキ液の経時変化が激しく被膜の磁気特性が変化し
てしまうことがわかった。さらに説明すると乳酸、マロ
ン酸、コハク酸、グリコール酸を用いた場合には、金属
イオンとの配位力が十分ないために、−の上昇により沈
殿する。また、リンゴ酸を用いた場合には、反応性が下
地により影響を受けやすい欠点がある。クエン酸を用い
た場合のメッキ浴は、カセイアルカリを…調整剤として
用いた（以下Ｃ−Ｃ浴という）ものと、アンモニアな一
調整剤に用いた（以下Ａ−Ｃ浴という）ものとがある。

Ｃ−Ｃ浴の場合は、ｐＨ−８，０前後を境にしてそれ以
下では抗磁力が６００エルステツド（Ｏｅ）以下の膜し
か得られず、それ以上では軟磁性となる。Ａ−Ｃ浴では
液の使用による−の低下が激しい。又、酒石酸を用いた
メッキ浴も同様にカセイアルカリな一調整剤に用いた場
合（以下Ｃ−Ｔ浴という）とアンモニアの場合（以下Ａ
−Ｔ浴とい５）がある。カセイアルカリを用いた場合に
は、−を上昇させることによりかなり高抗磁力の膜が得
られるものの液の安定性が乏しく、アンモニア浴では液
の使用による−の低下が問題となる。

この様に、錯化剤は磁気特性、液の安定性に非常に大き
な役割を果たすものであるが、未だ優れた錯化剤は見当
っていない。

（発明が解決しようとする問題点）本発明は、従来の無電解メッキ液の欠点である磁気特性
及び液の安定性を解決するためになされたもので、無電
解メッキ液の磁気特性及び安定性にすぐれたメッキ液を
提供しようとするものである。

（問題点を解決するための手段）本発明はコバルトイオン、又はコバルトイオン及びニッ
ケルイオン、錯化剤、緩衝剤、還元剤、−一整剤から成
る無電解メッキ液において、錯化剤としてグルコン酸及
びムチン酸を含有させてなることを特徴とする無電解磁
性メッキ液である。

以下、本発明をさらに詳しく説明する。

本発明は、グルコン酸とムチン酸とを含有させたものか
らなるメッキ液であって、従来のメッキ液では得られな
かったメッキ液の特性を具備したものである。

グルコン酸のみを用いた場合には抗磁力が上昇せず均一
な膜も得られに（い。ムチン酸のみを用いた場合はニッ
ケルイオンに対する配位力が弱い。

本発明のように、グルコン酸とムチン酸とを含有させる
と、両者の間で何らかの相互作用が発生し種々の点で改
良される。本発明のメッキ液を用いるとメッキ被膜の光
沢が良くなり、同一面内の磁気特性の均一性が上昇する
。また、容易に高抗磁力媒体が得られるという利点があ
る。さらには、メッキ液の安定性が良いために、浴寿命
が長くなる。さらにメッキ液の安定性について説明する
と液の安定性は−、金属と錯化剤との配位力、ｃ。

及びＮｉ１１度、還元剤濃度により太き（影響される。

一般の無電解メッキ液は、−が高い程、金属との錯化力
が弱い程、金属塩及び還元剤濃度が高い程、液が不安定
になり易い傾向にある。例えば、Ｃ−Ｃ溶すなわち酒石
酸を錯化剤に用いた場合では、−が高（なければ抗磁力
が高（ならないために液が不安定となる。またＮ１に対
する配位力も弱いためＫＮｌを混合することにより、液
の分解が起こり易くなる。本発明のグルコン酸とムチン
酸との混合錯化剤系は−、金属塩濃度、還元剤濃度がそ
れぞれ比較的低い所でも十分な抗磁力を持つ膜が得られ
、且つＣＯ及びＮ１に対する配位力も十分であるため液
の安定性が優れている。

グルコン酸、ムチン酸の濃度は、それぞれ０．０１〜５
．０モル／ｌ好ましくは０．０６〜２．０モル／ｌの範
囲、さらに好ましくは０．１〜０．６モル／ｌの範囲で
ある。これ以下の濃度では、金属との配位が不充分とな
り金属イオンが沈殿する。また、これ以上では磁気特性
に悪影響を及ぼす。

コバルトイオン、ニッケルイオンを供給スる化合物とし
ては通常、硫酸塩、硝酸侵、ハロゲン化物、酢酸塩等が
あげられる。コバルトイオン濃度は通常０．００１〜０
．５モル／ｌの範囲で用いられるが、より好ましくは０
．０１〜０．０６モル／ｌである。

ニッケルイオンは通常０．０００２〜０．３モル／ｌの
範囲で用いられるが、より好ましくは０．００１〜０．
１モル／ｌである。これより低濃度では析出速度が遅（
なりメツキネ能となる。高濃度では溶液が不安定となる
。緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、ホウ酸塩、
リン酸塩、有機酸塩等が用いられ、その量は０．０５〜
２．０モル／ｌの範囲である。

還元剤の具体例としてはジメチルアミノボラン、水素化
ホウ素化合物、ヒドラゾン塩類、次亜リン酸ナトリウム
等があげられるが、液の安定性を考慮すると、次亜リン
酸ナトリウムが好ましくその添加量は０．１〜２．０モ
ル／ｌの範囲である。

−調整剤の具体例としては、アンモニア、カセイソーダ
、カセイカリ等があげられる。メッキ液の−は７．５〜
１０．５の範囲が望ましい。

７．５未満では光沢の乏しい膜しか得られず、１０．５
をこえると還元剤の自己分解が激しくなる。

浴温としては通常５５〜９０℃の範囲が好ましい。

以上の様な組成をもつ無電解メッキ液を用いて得られた
被膜の抗磁力は膜厚０．０８μｍ糧度で４００〜１３０
００ｓの範囲であり、角形比は０’、７５以上である。

同、本発明において抗磁力の測定は、振動試料型磁力計
を用いて外部磁場１０ｋＯ８をかけて測定した。その試
料の大きさは７＋＋＋１Ｘ１４ｉｎに切り出したものを
用いた。

実施例１直径９０ｍｍ、内径３２ｍｍの旋盤加工した厚さＬ９＋
ｗのＡ／円盤に６０μｍの厚みで無電解Ｎ１メッキを施
した。その後鏡面研摩し、表面粗さ０．０３μｍまで仕
上げた。これを温度６０℃の２モル／ｌのカセイソーダ
溶液に、５分間浸種した後洗浄した。次いで触媒液（日
本カニゼン社製、商品名「レッドシューマー」）に浸種
して表面に付着させた。次いで表１の配合物にカセイソ
ーダを添加してｐＨ８，４に調整した温度７０°Ｃの無
電解メッキ液（１０Ａ’）を用いて膜厚０．０８　μｍ
のＣｏ−Ｎ１−Ｐ磁性薄膜を作製した。これを繰り返し
て１００枚作成しメッキ液の経時変化を抗磁力の測定を
行なうことＫよって求め浴の寿命を調べた。その結果を
表２に示すように抗磁力はほぼ一定であった。

なおメッキ膜厚が０．０８μｍとなった時に引上げて抗
磁力の測定用試料とした。

表　　１　　　　　　　　　　　　　単位　モル／ｌさ
らに同じメッキ液を１日放置後前記と同一のＡＡ’基板
を用いて磁性薄膜を作製した。引き続き、２日、６日、
４日、５日と同様の試験を行ない磁気特性の変化を調べ
た。結果を表６に示す。

表　３　放置時間の影響比較例１メッキ液の配合を表４のようにし、カセインーｆｔ、ｐ
Ｈ８，５とした温度７０℃の磁性メッキ液を用いた以外
は実施例１と同様に行った。その結果を表５に示す。

メッキ枚数を増やしてゆ（と、抗磁力は減少し、溶液の
いたる所から泡の発生がみもれ、最後に分解した。

表　　４　　　　　　　　　　　　　単位　モル／１表
　５　浴寿命試験比較例２メッキ液の配合を表６のようにしアンモニア水でｐＨ９
，０とした温度７０’Ｏの磁性メッキ液を用いた以外は
実施例１と同様に行った。その結果を表７に示す。

メッキ枚数を増やしてゆ（と抗磁力、析出速度、−のい
ずれも減少した。また得られた被膜は、光沢に乏しかっ
た。

表　　６　　　　　　　　　　　　単位　モル／１表　
７　浴寿命試験実施例２メッキ液の配合を表８のようにしカセイソーダでｐＨ８
，４に調整した温度７０’０の磁性メッキ液を用いた以
外は、実施例１と同様にＣｏ　−Ｎｉ−Ｐ薄膜を作製し
た。次に得られた基板の９カ所を磁気測定し、抗磁力の
ばらつきを調べた。結果を表９に示す。

均一な特性をもつ磁性薄膜であることがわかった。

比較例３メッキ液の配合を表１０のようにし、カセイソーダでｐ
Ｈ８，４に調整した温度７０℃の磁性メッキ液を用いた
以外は実施例１と同様に行った。得られた基板の９カ所
の抗磁力を測定したが、表１１に示すようにばらつきの
あることがわかった。

表１０　　　　　　　　　　　単位　モル／ｌ比較例４メッキ液の配合を表１２のようにし、カセイソーダでｐ
Ｈ８，４とした温度７０℃の磁性メッキ液を用いた以外
は実施例１と同様に行った。磁気特性の経時変化を調べ
た結果、表１３に示すように抗磁力の減少が認められた
。

表１２　　　　　　　　　　　単位　モル／１表１３　
放置時間の影響実施例３圧延された厚さ１００μｍの銅基板にアルカリ脱脂、触
媒（日本カニゼン社製、商品名「レッドシューマー」）
付着させた後、表１４に示す配合の液にカセイソーダを
添加しＦＪ（８，８とした塩度７ＣｆＯの無電解メッキ
液に浸漬し、膜厚０．１μｍのＣｏ−Ｐ磁性薄膜を作製
した。

得られた薄膜は抗磁力８５００８％角形比０．８０の光
沢の良いものであった。

実施例４３８μ厚のポリエチレンテンフタレートフィルムを２０
重量％カカセイソーダ溶液に７０℃、１０分間浸浸種、
触媒（日立化成工業社製、商品名ｒＨＢ−１０１ＢＪ　
）付着後、密着促進剤（日立化成工業社製、商品名「Ａ
ＤＰ−２０１」）で処理し、表１５の配合とし、カセイ
ソーダで−１８，４に調整した温度７０℃の無電解磁性
メッキを用いて行なった。

得られた被膜は膜厚０．１μｍ１抗磁カフ０００ｅ。

角形比０．８０であった。また、光沢、密着性とも良好
であった。

表１５　　　　　　　　　　　単位　モル／ｌ（発明の
効果）発明の効果を列記すると次のようＫなる。

１）本発明のメッキ液を用いると従来用いられていたも
のよりもメッキ液の安定性が良いために浴寿命が長（な
る。

２）磁気記録媒体の同一面内の磁気特性が均一となる。

３）高抗磁力の磁気記録媒体が得られる。

４）生成した被膜の光沢が一段向上する。

特許出願人　電気化学工業株式会社手続補正書特許庁長官　　志　賀　　　学　殿１事件の表示昭和５９年特許願第１２６１３６号２発明の名称無電解磁性メッキ液３補正をする者事件との関係　特許出願人住　所　　東京都千代田区有楽町１丁目４番１号明細書
の発明の詳細な説明の欄５補正の内容明細書第７頁第１８行「浴温」を「浴温」と訂正する。

Claims

【特許請求の範囲】

コバルトイオン又はコバルトイオン及びニッケルイオン
、錯化剤、緩衝剤、還元剤、ｐＨ調整剤から成る無電解
メッキ液において、錯化剤としてグルコン酸及びムチン
酸を含有させてなることを特徴とする無電解磁性メッキ
液。