JPS616285A - 逆スパツタリングによつて型を浄化する方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は一般に成形型を浄化する方法及び装置に関し
、特に集積回路及びリードフレーム組体のリード部分を
プラスチック材でカプセル封入するのに用いる上下型部
分を逆ス・ぐツタリング作用に基くイオン〆ンバードメ
ントで浄化する方法及び装置に関する。

（従来技術） 従来、集積回路を製造するのに１又集檀回路を担持する
リードフレームを製造するのに多くの異った方法及び各
種の装置が使われている。このような方式では、集積回
路がリードフレームのはｙ中央に位置式れてリードフレ
ー４組体を形成し、集積回路θ人／出力リードがリード
フレーム組体のリードへ電気的に接続される。次いで、
填檀回路部分及び集積回路への人出リードを含むリード
フレーム組体の中央部をプラスチック、ｔうξツク等で
カプセル封入し、リードビン又は端子だけがカプセル封
人材から突出又は延出するようにする。

カプセル封入作業を行うには、各種の方法及び装置を使
用できる。代表的な連続ライン方式では、先く形成した
集積回路をリードフレームの中央部内に位置決めして、
必要な′電気接続を施す。次いで、’Ｊ　−Ｐ　ｙシー
４組体が下型部分内に位置決めされ、上型部分がその上
に位置される。プラスチック材が型空洞内に供給され、
熱と圧力を加えてプラスチック材を溶融状態とし、中央
の集積回路及びリードフレーム組体のリード部分を装置
する。

次いでカプセル封入リードフレーム組体を硬化し、その
リードフレーム組体を取出す前に上型部分を下型部分か
ら分離する。その伊上型と下型画部分は、次のカプセル
封入作業で使う前に、何らかの物理的／機械的及び／又
は化学的浄化作業に付される。

下型部分から取出したリードフレーム組体は、更にその
後の処理等へ進められる。

機械的及び／又は化学的な型浄化用の従来法は、特に連
続的なライン作業を維持すべき場合、多くの重要な問題
を生ずる。

ｔｊｆセル封入作業で使われる型は、ステンレス鋼が一
般に好ましいが、各種のメタルで作製し得る。メタル型
部分の浄化は一般に、各型表面上に存在する不要な力！
セル封人材、ビン、埃、グリース、油等の除去を含む。

この浄化は、目に見えるゴミ全てを表面から除去するだ
けでなく、油、グリース、埃等の表面へ物理的に固着又
は粘着した汚染物及び不純物あるいは酸化物、硫化物等
の化学的反応に基く汚染物や不純物も全て除去しなけれ
ばならない。半導体回路を扱うときは、カプセル封入前
の汚染が劣悪品つまシ正常に機能しない製品をもたらす
ことが多いため、浄化度は極めて高くなければならない
。

鎌化物及びその他同様の表面層は、研摩材吹付け、ワイ
ヤプツツシング、酸洗い及びエツチング等の機械的及び
／又は化学的方法で除去できる。

油とグリースの浄化はそれらの特性、及びそれらが動物
又は植物性のソープ形成池、グリースであるか、ソーｆ
を形成しない鉱物油であるかどうかに依存する。ソーブ
形成池及びグリースは、それらを加水分解で脂肪酸に変
換し、この脂肪酸をアルカリ鍔板と反応させて水可溶性
のソーｆを得ることによって取除ける。鉱物油はそれら
を有機溶媒中に溶解することによって除去でき、特別の
場合ＶｃＦｉ、洗ｌ＠を含むアルカリ性溶液で洗浄でき
る。

汚染物の性質は通常未知なため、７つの信頼できる浄化
作業は、有機溶媒による脱グリースとアルカリ性ｉ！！
液による脱グリースという少くともλつの連続工程を含
まねばならない。

浄化作業の順序は一般に機械的浄化から始まし、その後
通常酸洗い、洗剤洗浄及び脱グリースと続く。スケール
、錆、プラスチック残留物等を除去する目的で従来よく
使われている機械的な浄化方法には、型表面への研摩材
吹付は又はワイヤグ２ツシングがある。しかしこの方法
は、型自体に損傷を生ずると共に、型に表面欠陥を形成
してカプセル封入回路に損傷を生じたし、型の寿命を減
少させる。

酸洗い作業Ｆｉ酸化物、硫化物、　ＣＨ４、その他の表
面層の化学的除去であり、浄化部分を全面的に輝いたメ
タリックな外観とする。使用する特定の酸洗い溶液は、
型部分に使われる特定のメタル及び除去すべき主要物質
に依存する。酸洗い後、浄化部分は必ず充分に水洗し、
アルカリ浴内で中和した後、油を含まない温風で乾燥し
なければならない。これは大きな時間ロスを生み、経費
を増加させ、連続ライン式の型成形作業を不６ｆ能にす
るか又はその意味を減じてしまう。

アルカリ性洗剤浄化は、浸漬又は電気浄化法によって行
われている。浸漬浄化法では通常、高温浴液が使われる
。鉄メタルの場合、溶液は一般に水酸化ナトリウム、ソ
ープ及び湿潤剤を含み、電気浄化では、浄化すべきメタ
ルを陰極又は陽極の一方、タンクを他方の電極としてア
ルカリ性ｍ液が使われる。陽極浄化の場合には、浄化メ
タルの表面に酸素が解離し、プロセスで必要な′１圧は
比較的低い。陰極浄化の場合には、浄化表面に水素が解
離し、プロセスで必要な電圧は同じく比較的低い。ステ
ンレス鋼等圧対してＶｉ陽極浄化が推奨されるが、これ
は非常にコスト高で、遅く、連続ライン式の型成形ゾロ
セスを維持するのに障害となる。

溶媒浄化は、液体又は蒸気の状態の溶媒を使って灯われ
ている。液体浄化は、ペンノン、キシレ／、又ハ西塩化
脚素、トリクＪ１２Ｉ：Ｉエチレ／、ベルクロロエチレ
／、ジクロロエチレ７等Ｃ）不燃性ｆｌｌ媒を用いで行
うことができる。

蒸気による脱グリースは液体溶媒浄化よりはるかに効率
的だが、コスト高で、時間のロスヲ生じ、ＷａＳな装置
を必要とする。溶媒は沸点Ｋまで加熱されねばならぬ一
方、浄化すべき部分はチャンバ内に吊下げられて高温蒸
気内に懸架されなければｅｂず、この高１１Ａ蒸気がメ
タル表面上に凝縮し、表面汚染物を溶解した後、溶媒容
器内へ流入又は落下して戻る。高圧の液体溶媒等を用い
る方式も提案されているが、この方式は作業の全体時間
を増す上、経費も高くなる。

従って、従来の各種機械的及び／又は化学的浄化方法は
、半導体回路を扱う場合に必要な浄化度を与えられず；
！Ｉ！続ライン式の型成形作業に適さず；高過ぎ：機械
的及び／又はイ気的にｌｌｌ超過；過剰の保守を必要と
し；更に比較的高価な上下型部分に累積損傷を生ずる。

ＤＣスノーツタリリングは噛他スパッタリングの現象と
は、ｄＬ場で加速された気体イオンの衝撃エネルギーに
よって物質の表面から原子又は分子が転位あるいは除去
されることを意味する。陰極ス・譬ツタリングは、陽極
と陰極間にグロー放電又はグラズマが生じることによっ
て形成され、両電極間の磁流は陰極へ向かう磁子の流れ
と陰極へ向かう陽イオンの流れから成る。イオンは、陽
極と陰極間のグロー放電領域内に存在する気体分子のイ
オン化によって生じる。イオン化は、気体粒子が陰極か
ら陽極へ向かう電子の流れと衝突することによって発生
する。ス・母ツタリングは、半導体物質、メタル等のｆ
４膜を各種の表面上へ被層するのに広く使われている。

陰極ス・ぐツタリングによる表面汚染物の除去は、少く
とも理論的に又は実験的規模で当該分野において周知で
あし、ある素材の表面上に物質が被噛される陰極ス・平
ツタリングそのもののプロセスと反対であることから、
′逆ス・９ツタリング１と呼ばれている。例えば、電気
子−り不活性気体の溶接分野で見られるように逆ス・中
ツタリングは表面から物質を除去し、この場合には実際
の溶接前に１溶接すべき物質の表面から汚染物が除去さ
れる。

又逆ス・やツタリングは従来、光電セル等半導体装置の
製造における予備工程として、半導体物質の比較的大き
い表面種を浄化するのに使われている。更に逆ス・中ツ
タリングは、陽極ス・ｆツタリング作業で使われる実際
の装置を浄化する池、加速器、記憶リング及びプラズマ
マク／の浄化等様々な分野で使われている。

又従来技術は、ａｏ＊ｌ吠をシールド又はマスクシテ、
シールド又はマスク表面へのイオンボンバードメントを
防ぎながら、物質の小さい選定領域を選択的に浄化する
比較的精巧な穴開きマスク技術も教示している。

半導体回路等を浄化するだめのスタッタ浄化つまり逆ス
・ぐツタリング用の方法及び装置は極めて精巧なため、
更にマスク技術が不正確なため、これまでの試みはたい
ていエツチング液、ｆｄｔｌＩＩ用マイクロ布等周知の
物理的な研摩浄化法及び／又は化学的浄化法へと戻って
いった。しかし、こうし友方法を使ったのでは表面領域
の一様な浄化が得られず、又かかる方法は非常に効率が
悪く、満足できるものでなく、特に型の凹所が比較的小
さく、複雑で、輪郭のはつきりし九１従来法で浄化する
のが極めて峻しい制限されたサイズ及び囲いの領域を与
える型装置では困鑓が伴う。更にこのような浄化法は、
加工品に損傷を与え、従って型組体中で製造される製品
に損傷を４えることがしばしばある。

本発明の方法及び装置は、上記し九問題のほとんど全て
を解消し、連続ライン式の型成形又はカプセル封入系で
使用可能な、比較的低コストで、極めて簡単で、保守が
容易で、効率が高いシステムを提供するものである。

（発明の目的） 本発明の目的は、リードフレーム組体＋２）　ＩＪ−ド
部分及び暎梼回路をカプセル封入するのに使われる上下
型部分から、それら型部分の再使用前にプラスチック残
留物を除去するための方法及び装置を提供することにあ
る。

本発明の別の目的は、リードフレーム組体カプセル封入
用のライン作業中で成形型を浄化するのに、逆ス／９ツ
タリング作用を用いることにある。

本発明の更に別の目的は、リードフレーム組体の一部周
囲にプラスチック材を型成形しそれをカプセル封入する
連続的なライン工程で、カプセル封入したリードフレー
ム組体を型から取出し、その型を再使用する前に型表面
′ｆｒ：浄化するのに使用可能な方法及び装置を提供す
ることにある。

本発明の更に別の目的は、逆ス・ンツタリング作用で生
じるイオンボンバードメントによっテ型表面を浄化する
改良された方法及び装置を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、７″ツステツクカグセル封入
糸において再使用前に逆ス・！ツタリンダで成形型を浄
化する極めて効率的な方法及び装置を代りに用いること
によって、コスト高で、時間を要し、保守が煩雑で、型
を損傷させる機械的及び／又は化学的な浄化方法及び装
置を回避することにある。

本発明の更に別の目的は、！ラスチックカプセル封入作
業で使われる型の選定表面から表面汚染物を一様に且つ
制御しながら除去するための改良された逆ス・ぐツタリ
ング方法及び装置’ｔ−１供することにある。

本発明の更に別の目的は、従来の機械的／化学的浄化法
で浄化するのが困麺な型表面の小さい、制限された凹所
から、残留プラスチック材、醗化物等を含む表面汚染物
を除去する丸めの逆ス・ｆツタリングを与えることにあ
る。

本発明の更に別の目的は、逆ス・ｆツタリング作用で型
組体を浄化することによって、型組体の寿命を長びかせ
、表面の浄化度を増し、型組体で形成される欠陥品の数
を大巾に減少できる方法及び装置を提供することにある
。

（発明の構成） 本発明は、逆ス・母ツタリング法によって型組体の少く
とも選定表面積を浄化するための方法及び装置を教示す
るものである。

本発明のシステムは、成形型特にリードフレーム組体を
プラスチック材中にカプセル封入するのに使われる上下
型部分を浄化する方法で、真空チャンバを設ける工程；
浄化すべき型部分を真空チャ／パ内に輸送する工程：真
空チャ／・１内を排気する工程；イオン化可能な気体１
ｉ−真空チャン・ｑ内に入れる工程；及び浄化すべき型
表面をイオンでゲンバードし、逆ス・譬ツタ替ングによ
って表面汚染物等を除去する工程；を含む方法を教示す
るものである。

本方法は、陽極を設け、陰極を設は及び／又は浄化すべ
き型を陰極として又は陰極の近傍に接続する工程；陽極
と陰極の間に電位を形成する工程；真空チャンバ内にス
・ｆツタ放電を開始し維持する工程；及び電位で加速さ
れたイオンによるイオン〆ンバードメントによって、型
の所望表面領域を浄化する工程；を追加として含むこと
ができる。

更に本方法は、型表面の一部を望ましくないス・ヤツタ
リングからシールドする工程を含み得る。

又、浄化した型を真空チャンバから搬出する工程も追加
でき、これに真空を減じて、チャンバを開け、浄化した
型を取出す工程を含めることもできる。

本発明は更に、リードフレーム組体を形成するようリー
ドフレーム内に作業可能に配置された集積回路の回路部
分をプラスチック材でカプセル封入するための方法にお
ける改良で、リードフレーム組体を下型部分内へ正確に
位置決めし、上型部分をその上に置き、型空洞内にプラ
スチック材を供給する工程；プラスチック材に熱と圧力
を加え、カプセル封入すべき領域上に溶融プラスチック
の流れを生ずる工程；カプセル封入部分を硬化する工程
：上下型部分を分離する工程；再使用前に型部分を浄化
する工程；及び取出したカプセル封入リードフレーム組
体を後続処理する工程；を含む方法を意図している。意
図した改良は浄化工程内にあり、分離した型部分を輸送
すること、及び型部分を逆ス・譬ツタリングして、再使
用前に型部分の少くとも選定表面を浄化することを含む
。

又改良プロセスは真空チャンバを設けることをｔ図し、
逆ス・ｆツタリング作業はチャンバ内ヲ排気すること、
イオン化可能気体をチャ／パ内に導入すること、一対の
電極間に電場を形成すること、及び浄化すべき型表面を
ボンバードし、過剰のプラスチック、鍼化物及び同様の
狭面汚染物を含む不純物を除去することを意図している
。

更に改良方法に、陽極を設けること、型を陰極として設
けること、及び陽極と陰極の間に電場を形成することを
含み得る。又、陽極と陰極を設けること、及び最適な浄
化のため陽極と陰極間の選定位置ＩＪを位置決めするこ
とも含み得る。

更に改良方法は、陰極と陽極の間にグ２ズマ又はグロー
紋電場を形成すること、又は真空を減じ、チャンバを開
き、その後の再使用のため浄化した型を除去する各工程
も含み得る。又本方法は、損傷を防ぐためイオンボンバ
ードメントラ受取るべきでない型表面の所定部分を選択
的にマスク又はシールドする工程も含み得る。

更に本発明は、リードフレーム組体のリード部分と集積
回路１に連続的にカプセル封入するための改良すしたシ
ステムで、リードフレーム組体を下型部分内に位置決め
する手段；下型部分上に上型部分を位置させ、完全な型
組体を形成する手段：プラスチックカプセル封人材を型
空洞内に供給する手段；型を加熱し、圧力を加えて、カ
ブ竜ル封入すべき全ての部分に溶融プラスチック材を供
給する手段；カプセル封人材を硬化する手段：下型部分
を下型部分から分離する手段；カプセル封入リードフレ
ーム組体を下型部分から取出す手段；過１１４ｆラスチ
ック材の少くとも一部を、上下型部分の表面から少くと
も物理的及び化学的いずれか一方の方法で除去する手段
：及びその後の再使用のため浄化した型部分を位置変え
する手段：ｔ−含むシステムを意図している。このシス
テムにおける改良は、過剰のプラスチック材及び残留物
を少くとも物理的及び化学的いずれかの方法で除去する
手段にあ〕、過剰のプラスチック材、プラスチック残留
物、その池酸化生成物、ＣＦｌ、埃、グリース、油等の
表面汚染物を全て浄化する改良された浄化手段を含み、
エンクロージャ手段及び浄化すべき型部分をエンクロー
ジヤ手段内に位置決めする手段を含む。エンクロージャ
内に真空を生じる手段と、イオン化可能気体をチャンバ
内に導入する手段が設けられる。表面汚染物を除去する
逆ス・ナツタリングを引起すべく、浄化すべき型部分の
選定表面をメンパートするためのグラズマ場を発生する
手段も設けられる。

更Ｋｆラズマ場発生手段は、陽極手段、型部分を含んで
も含まなくてもよい陰極手段、汚染物除去のため逆電圧
作用を開始して維持する手段等を含み得る。加えて、型
組体を真空チャンバに輸送する手段、カプセル封入工程
の作業を連続的なツイン工程として維持する手段、又は
カプセル封入工程の作業を、型組体が浄化後再使用され
且つヒータケースであるような段階的ライン工程として
維持する手段を設けることもできる。

本発明のその池の利点及び価値ある特徴は、好ましい実
施例、特許請求の範囲及び図面に関する以下の説明から
充分に理解されるであろう。

（実施例） 第１図は、半導体・母ツケーゾを製造するノロセスのカ
ッセル封入部を示している。システムの人口側１１は、
集積回路及びリードフレーム構造体を製造するための従
来法における先行工程からの投入を表わしている。ブロ
ック１２は、リードフレームの中央部に集積回路を位置
決めし、集積回路の入出力をリードフレームの対応リー
ドへ電気的に接続する工程を表わす。ブロック１３はす
＋Ｐフレーム組体を下型部分内に置く工程を表わす一方
、ステツブ１４は下型部分上に下型部分を位置決め町ｆ
ｌＫ固定し、リードフレーム装置を中心に完全な型構造
体を形成することを表わす。ｆ１３ツク１５はプラスチ
ック材を型の中心空洞内に給送、供給又は注入する工程
′ｌｋ表わし、ステツブ１６は注入されるプラスチック
材の供給源を表わす。！ロック１７は型空洞内のプラス
チック材を加熱圧縮し、リードフレーム組体のリード部
分及び集積回路を＠＃７″ラスチック材を被覆する工程
を表わす。ブロック１８は７”ｏセスの熱源を表わす一
方、ブロック１９は圧力源を表わす。

ブロック２０はカプセル封入リードフレーム組体を硬化
する工程を表わし、ブロック２１は上型部分を下型部分
から分層する工程を表わす。！ロック２２は、下ｍｓ分
から除去又は分離され、浄化作業へ搬送されつ＼ある上
型部分を表わす。ブロック２３はカプセル封入した集積
回路とリード部分を含むリードフレーム組体を下型部分
から取出す工程を表わし、ブロック２４は浄化作業へ搬
送されつ＼ある下型部分を表わす。ブロック２５は、当
該分野で周知のように、リードピ／又は端子を所望角度
に曲げたり、浸漬はんだ付け、貯蔵等、カプセル封入リ
ードフレーム組体の更なる処理を表わす。

点線ブロック２６で表わした浄化作業は、システムの必
要に応じプロセスに含めても又は除いてもよく、従来法
の物理的及び／又は化学的浄化作業の少くとも表わして
いる。つま９本システムは、機械的及び／又は化学的浄
化作業を必要に応じて実施するか、あるいはブロック２
２の上型部分とブロック２４の下型部分をブロック２７
で表わした逆ス・ぐツタリング作業へ直接供給して、点
線ブロック２６を完全にパイ・ヤスすることを意図して
いる。ブロック２７は型の少くとも選定表面部分を逆ス
／４ツタリングし、過剰のプラスチック材、プラスチッ
ク残留物、そＱ池ゴミ、油、グリース、埃等の表面汚染
物、更に醗化物、硫化物等の酸化生成物やＣＦ４等の汚
染物や不純物を除去する工程を表わしている。ブロック
２７のス・量ツタリング作業の出口側は、浄化し九上下
両型部分を、ブロック２９の下型部分位置又は工程及び
ブロック２８で表わした上型部分位置又は工程へ供給し
、再使用の準備を整える。

動作時、第７図のノロセスは連続的な、つまシ交互に段
階的なツイン工程を表わしてｊｉ５Ｊｌ、カプセル封入
リードフレーム組体は連続的に製造され、上下両型部分
は使用後浄化され、その後の再使用のため循環されてプ
ロセスの連続性を維持する。

１７ｇ２図は、第７図のブロック２７で表わした逆ス・
母ツタリング作業のプロセスをより詳細罠示している。

第２図中、ブロック２７の逆ス・ゼンタリング作業は、
ブロック３１で表わした真空チャンバを設ける工程と、
ブロック３２で表わした真空チャンバ内に陽極を設ける
工程を含むものとして示しである。円囲い文字１Ａ１で
表わし、参照番号３０を付し丸編１のプロセス路は、ブ
ロック３３に示し九ような型部分を陰極電極として接続
する工程、更にブロック３４に基く真空チャンバ内を排
気する工程へ進む。次いでシステムは、！ロック３５で
示すようにイオン化可能気体のＪｘ空チャンバ内へ導入
し、更にブロック３６で示すように陽極と陰極の間に電
場を形成して、両極間にグロー放電又はグラズマを発生
する。

イオンゲンバードメントで浄化すベキ型部分へ向かって
陽イオンを加速する工程は／ロック３７で表わしてあり
、浄化する型部分を利用ステーり胃ンへ搬送する工程は
ブロック３８で表わＬ−’（ある。出口側矢印３９は、
第１図のライン工程における型の再循環又は再使用等の
浄化型部分を含む後続の作業を示している。

ブロック４４は少くとも一つの型部分を真空チャンバ内
に挿入する工程を表わす一方、点線の矢印４５　ｄ　、
ブロック４４の工程が２０ツク３２の陽極を真空チャン
バ内に設ける工程の前に含めても含めなくてもよい選択
的実施例であることを表わしている。同じく、浄化すべ
きで力い表面へのイオンデンバードメントを防ぐために
型部分の選定領域をタールドする工程は７”ａツク４６
で表わしてあし、点線の矢印４７は、この工程がブロッ
ク３２の陽極を設ける工程前のプロセスへ追加可能な選
択的実施例であることを示している。

ブロック３２の陽極を設ける工程からの別のっまりＩＲ
，２のプロセス路は、論照書号４１を付した円囲い文字
Ｉ　Ｂ　Ｉで表わしてあり、これはブロック４２に示し
たような陰極を設ける工程へ進む。陰極を設ける工程の
後に、ブロック４３に示すように陽極と陰極両電極間の
所望位置に型部分を接続する工程が続き、次いでノロセ
スは！ロック３４に示したチャ／パ内を排気する工程へ
と戻る。

最後に、Ｉｔ空チャンバ内を乎常圧に戻す選択的工程は
ブロック４８で；チャンバを開ける選択的工程はブロッ
ク４９で；更に浄化した型部分を真空チャンバから取外
す選択的工程はブロック５０でそれぞれ表わしである。

これらの各工程は、ブロック３８の搬送工種の前に点線
の矢印５１を介して導入可能な選択ゾロセスとして示し
である。

観約すると、第、２図の逆ス・臂ツタリング作業及びそ
こに表わされた各部の選択的実施例が、型部分の選定表
面領域を逆ス・母ツタリングで浄化する高効率、低コス
トのシステムを与え、型部分は連続的なライン式型成形
つまりカプセル封入工程で再使用ｉ）能となる。

第３図は、本発明の概念とプロセスが実施される環境を
示す真空系の概略図である。第３図は本発明の逆ス・臂
ツタリング装置５２を示し、この装置は支持グレート５
４と環状の真空耐密シール５５をする真空チャンバ、真
空エンクロージャ又はペルジャー５３ｔ−備えている。

支持ル−ト５４は、導管５７を介し真空ポ／デ５８へ動
作ｌ１ｌｆ能に接続された真空ポート５６ｔｌ−有する
。４管５７はその中間に、当該分計で周知な＾空圧弁及
び計器５９を有する。ペルジャー５３内の制御された竜
の大気は真空イード５６と４ｆ５７を介し真空ポ／グ５
８によって除去可能で、その内部に任意の真空ｔＩＪＬ
１に生ずる。

支持ペース５４は更に、導管６２を介し不活性気体ポ−
ト６３へ接続された不活性気体ポート６１を有する。導
管６２の中間には、真空チャンバ５３内へ入る不活性気
体のｔを、ｔｉｌＪ　ｌｌするのに使われる不活性気体
弁及び計器６４が設けである。

不活性気体弁及び計器６４は、例えばＷｈｌｔｎｅｙ社
製マイクロメータニードル弁等、周知な任意の型のマイ
クロメータニードル弁で構成できるが、使用する弁の種
類に関わりなく、比較的低い圧力全測定できなければな
らない。

第３図の逆ス・ぐツタリング装置５２は又、高圧フィー
ドスル一端子６６、シールｆｆ１ｓ６７及び中空陰徳す
／−）又はホルダ一部６８を有する中空の陰極ホルダー
組体６５を備えている。サポート６８は、参照番号６９
で表わした浄化すべき特定の上又は下型部分等の陰極を
保持するのに適している。浄化すべき型表面７１は、参
照番号７２で表わし九ような型四部、凹凸、同様の小さ
く達しにくい型空洞等を含む。同じく表面７１は、汚染
物７３やｉ！４剰プラスチック惰留物７４等の不要物も
含んでいる。

装置１５２は更に、高圧フィードスルー４極７６、ター
ル７７及び中空陽極サポート又はホルダー７８を有する
陽極ホルダー組体７５を備えている。

陽極す／−）７８は、真空チャンバ５３の中空部内で陰
極つまり型部分６９から喘れ九位置に、陽極７９を内蔵
、位置決め又は動作可能に配置する。

陽極成極７９と陰極電極つまシ型６９の中間部分に斜＠
８２が施してあし、これが陽極７９と陰極６９の間に形
成される電場内のグロー放電又はグクズマ領域を示して
いる。気体リザーバ６３から供給されるイオン化可能気
体７０をイオン化する陽極７９と陰極６９間の電場によ
って陽イオン８１が生じ、これらの陽イオンが陽極７９
と陰極６９間に形成され九電場によシ陰極６９の表面７
１へ向かって加速され、その表面にボンバードして表面
７１と四部７２の両方を浄化する。参照番号８３は放電
領域８２両側の周知な一ダークスペース１を表わしてお
り、所望に応じ型を陰極から分離し離して位置決めする
際に重要となる。

ＤＣ電源８４は、その正端子がフィードスルー電極７６
を介して陽極７９へ接続される一方、負端子がフィール
ドスルー電極６６を介して陰極６９へ接続されるように
それぞれ動作接続されている。

ス・ヤツタリング装置５２では各種の不活性気体を使え
るが、で懲れば完全に不活性な気体をｒｔｔうのが好ま
しい。本発明の好ましい気体はアルコ／である。−例と
して、約ｊ　Ｘ　／　（：）−’ｍｍＨＨの所望圧が形
成される。但し、特定の分野、浄化すべき表面積のサイ
ズ等に応じて、それよシ高い又は低い圧力も使える。ペ
ルジャー又は真空チャンバ５３内にイオン化可能なガス
体７０を形成するＯに任意の不活性気体を使えるが、ア
ルコ／は１重い１気体で、逆ス・母ツタリ／グで使用可
能な池の不活性気体と比較して大量のイオンを与えるの
で好ましい。イオン教が多いほど、逆ス・ｆツタリング
つまシ浄化作用が強いため、本実施例ではアルコ９ノを
選んだ。

１源８４が１０００−．２００θＶ間のＤＣ電圧を生じ
るのが好ましいが、完全な浄化のためグロー放電又はグ
ラズマが維持されねばならない時間及び必要な電流に応
じ、印加電圧は増減し得る。

次に、第３図に示した逆ス・９ツタリング装置５２の動
作を簡単に説明する。氏空ジャーが電極７９ｔ−備え、
型６９が陰極ホルダー６８上に位置され、第３図に示す
陰極６９を形成する。代夛に、別の陰極をホルダー６８
上に位置させ、型６９を陽極７９とホルダー６８上の別
の陰極間の所望箇所に位置して、型表面の最大限の浄化
が可能となるようにしてもよい。

いずれの場合にも、チャンバ５３が閉じられ、真空ポツ
プ５８がそこから空気を引き、次いで不活性気体がリザ
ーバ６３から導入されて真空チャンバ５３内のイオン化
可能気体７ｏを形成する。

ＤＣ電圧源８４が陽極７９と陰極６９の間に電位又は電
場を形成し、この電場が不活性気体のイオン化を維持し
て、陽極７９と陰極６９間の領域の一部内にグロー放電
、アーク放電又はｆ２ズマを発生する。気体がイオン化
すると、陽イオンがグラズマを通じ電場によって加速さ
れ、型の選定表面領域７１と四部７２を？ンバードし、
不純物、表面汚染物等を浄化払拭して、逆ス・母ツタリ
ング浄化作業を完了する。浄化の終了後、真空４ング５
８がチャンバ５３内を再び大気圧に戻し、真空チャンバ
が開けられ、第７１．２図のグロセス工程で示したよう
なその後における＊＊用のため型６９が取出される。

簡単化のため、逆ス・皆ツタリング装置５２は第３図で
ベルツヤ−として示したが、連続ツイン式の逆ス・９ツ
タリング作業は形状、外観において全く異った装置を必
要とすることもあし、又実施に際し上下型部分毎に別々
のシステムを用いることもできる。尚第３図は図示だけ
を目的としており、本発明で意図する逆ス・ンツタリン
グ装置の構造を限定するものとして理解されるべきでな
い。

ＭＩＩＬ図は本発明のリードフレーム組体８６を示し、
リードフレーム８７を備え、その中心近くに作業可能に
固定、袋層又は配設された集積回路８８を含むものとし
て示しである。実際には、集積回路部分８８がリードピ
ン又はコネクタ９１に終端する＊＃の人／出力リード８
９へ電気的に連結又は接続される。片側の隣接リードピ
／は参照番号９２で表わしてあし、隣り合う集積回路部
分（図示せず）と対応する一方、池−〇隣接リードビン
は別の隣り合う集積回路部分（不図示）と対応している
。第参図から理解されるように、リードフレーム組体８
６は実際には多数のリードフレームサブ組体を含み、そ
の各々が各自の集積回路又は回路部分とリードピン、端
子又はコネクタに終端する複数のリードを有する。

第５図はカプセル封入工程後におけるｆ１４≠図のリー
ドフレーム組体８６の一部を示しており、カプセル封入
リードフレーム装置９５として表わしである。装置９５
は第≠図に示したり一ドフレーム組体８６の集積回路部
分８８とリード部分８９上に配設されたノラスチックヵ
グセル封入部９６を含みｓ’）−トビ／又は端子９７だ
けがカプセル封入プラスチック材９６から突出している
。装置９５は、リードフレーム部８７とリードピ／９７
を含むものとして示しである。又、多数の同じ回路が同
時に製造されカプセル封入されるので、隣り合うリード
ピン９９がカプセル封入回路部分９８の一部と共に示し
である。

第５図は更に、＠シ合うリードフレーム間で型成形装置
によって生じた残留又は流出プラスチック材の一部を示
してＱする。つまり、リードフレーム１０２はプラスチ
ック残留コネクタ１０１を介しＪ−ドフレー４８７へ接
続されるものとして示しである。コネクタｌ！ｏ１は、
環状リンｌ＃６１０３゜＊歇の接続脚１０４及び中央孔
１０５を存する。

これらのプラスチック材は全て、使用前に破断され、リ
ードフレームから分離されねばならない。

同シくリードフレームも、各組のリードピンがそれぞれ
のカプセル封入回路部分に付属し、デュアルイ／ライ／
半導体等の個々の回路／４’ツケーゾとなるように分層
される。

第６図は、下型部分１０７と上型部分１１４を示してい
る。ｆ型部分１０７は型本体型１０６゜型本体表面１０
８及びリードフレーム表面１０９を含むものとして示し
である。プラスナック残留物の凹部は参照ｌＩ吟１１１
で表わしてあり、前記のごとｌｌ第５図の残留コネクタ
１０３を形成する。

各リードフレーム四部１１２が隣り合うリードフレーム
部分を収納する一方、中間型表面１１３が隣シ合うリー
ド７ンーム間に配置される。

上型部分１１４は、型表面１２１を有する上型本体部１
１９を備えている。更に上型本体部１１９は、作業可能
に配設されたｆＭ数のリードフレーム四部１１７を有す
るリードフレーム表面１２２を収納する。凹部１１５は
下型部分１０７の凹部１１１に対応し、同様の機能を果
す。型表面１２１０ｔｌｌｌｌ方四部１１６が、隣り合
うリードフレーム凹部１１７間の中間表面部１１８とし
て設けられている。

リードフレー４を第７図に示すごとく作業可能に位置又
は配置し、固定し死後、上型部分１１４が下型部分１０
７上へ作業可能に配置される。

第７図は、上記したり−ド７レーム組体をカプセル封入
するのに使われる閉じ丸型組体を示し、型本体１０６を
何する下型部分又は組体１０７と型本体１１９を有する
下型部分又は組体１１４を含むものとして示しである。

下型部分１０７のリードフレーム凹部１１２が、上型部
分又は組体１１４０対応する凹部１１７の直下に配置さ
れる。

中央接続す／グ生成空？１ｉｌｌｌは、加圧部材１２４
を収納するための内側筒状チャネル又は円浦状部１２３
を有する力２一部分１２５として示しである。萬７図の
型組体では、例えばチャネル１２３を介してプラスチッ
ク材を供給でき、加圧部材１２４で圧力を加えながら加
熱されてプラスチック材を溶融し、型の各凹部内へ流入
させて所望のカプセル封入を行う。

型の各表面部分に固層したし、化学的に結合した過剰の
カプセル封入材及びプラスチック残留物が存在し、これ
らは本発明の連続ライン弐カグセル封入作業で型部分が
再使用される前に、本発明の逆ス・ぐツタリング作業で
除去されねばならない。

（発明の効果） 本発明のシステムに逆ス・ヤツタリング装置を含めたこ
と及び／又は各種型表面を逆ス・やツタリング法で浄化
する方法を含め九ことによし、カプセル封入リードフレ
ーム又は半導体部品用の連続ライン工程において、必要
な浄化度、連続作業に必要な速度及び有効な競合力とし
て必要な経済性を確保しながら、成形型の使用が可能と
なる。

以上本発明の好ましい実施例を図示する目的で特定の装
置及び方法を説明したが、特許請求の範囲によってのみ
限定される本発明の主旨と範囲を逸脱せずに、各種の変
更及び変形が開示した装置及び方法について可能なこと
は当業者にとって容易に理解されよう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の改良を用いた連続ライン式のデラスチ
ツクカグセル封入工程をブロックの形で示し九流れ図； 第２図は第７図のブロック図における逆スイッタリング
の改良作業をブロックの形で示した流れ図； 第３図は本発明の改良を実際する装置を単純化し九概略
図で、グロセスが実施可能な環境を示す図； 第≠図は第１図のシステムでカプセルＭ人すべきリード
フレーム組体の部分斜視図； 第５図は第７図（Ｑｆロセスで製造されたカブ噸ル封入
リードフレーム組体の一部Ｏ部分破断斜視図； 萬６図は第１図のグロセス（Ｄｈｆセル封入り一ド７レ
ーム組体を製造するのに使われる上下型部分の斜視図；
及び 第７図は第６図の上下散組体の断面図で、カプセル封入
工程時に見られるようＫ１１組体が閉位置にあって相互
に固定されている状態の図である。 ５２−・・逆ス４ツタリング装置。 ５３・・・−空チャンパ（真空エンクローツヤ手段）。 ５６〜５９・・拳真空生戎手段。 ６１〜６４・・・不活性気体導入手段。 ６８・・・型部分す／−）、６９・・・型。 ７０・・・不活性気体、７１，１０９，１２２・・・型
表面。 ７３・・・表面汚染物、７４・・・プラスチック残留物
。 ８１・・・イオン、８２・・・グラズマ場。 ８４・・・１１　　源、８６・・・リードフレーム組体
。 ８８・・・集積回路部分、８９・・・人出力リード部分
。 ９５・・・力ｌセル封入リードフレーム組体。 １０７・・９下型部分、１１４・・・上型部分。 １２４・・６加圧部材。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、真空チャンバを設ける工程； 浄化すべき型を真空チャンバ内へ搬送する工程； 真空チャンバ内を排気する工程； を含む型を浄化する方法において： イオン化可能な気体を真空チャンバ内に導入する工程；
   及び 浄化すべき型表面をイオンでボンバードし、逆スパッタ
   リングによつて表面汚染物を除去する工程； を含むことを特徴とする方法。 ２、リードフレーム組体の集積回路部分及び入／出力リ
   ード部分を連続的にカプセル封入するための装置で、リ
   ードフレーム組体を下型部分内に位置決めする手段、下
   型部分上に上型部分を位置決め固定し、型組体を形成す
   る手段、プラスチツクカプセル封入材を型組体の型空洞
   内に供給する手段、プラスチツク材を加熱、加圧し、カ
   プセル封入すべきリードフレーム組体の各部上に溶融プ
   ラスチックを流動させる手段、カプセル封入リードフレ
   ーム組体を硬化する手段、上型部分を下型部分から分離
   する手段、カプセル封入リードフレーム組体を下型部分
   から取出す手段、及び型部分をその後の再使用前に浄化
   する手段を含む装置における、過剰プラスチツク材、プ
   ラスチック残留物及びゴミ、油、グリース、埃、酸化生
   成物、ＣＦ＿４等の表面汚染物を、型部分の少くとも選
   定表面からその後の再使用前に除去する改良浄化手段で
   ： 真空エンクロージヤ手段； 浄化すべき型部分を真空エンクロージヤ内に位置決めす
   る手段； 真空エンクロージヤ手段内に真空を生成する手段； を備えた浄化手段において： 不活性なイオン化可能気体を真空エンクロージヤ手段内
   へ導入する手段； 上記気体をイオン化し、真空エンクロージヤ手段内にプ
   ラズマ場を発生する手段；及び 浄化すべき型部分の選定表面領域をイオンでボンバード
   し、該領域から表面汚染物を除去する手段； を備えたことを特徴とする装置。