JPS6163078A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS6163078A JPS6163078A JP18493584A JP18493584A JPS6163078A JP S6163078 A JPS6163078 A JP S6163078A JP 18493584 A JP18493584 A JP 18493584A JP 18493584 A JP18493584 A JP 18493584A JP S6163078 A JPS6163078 A JP S6163078A
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Landscapes
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体レーザの製造方法に係り、特に、レ
ーザ構造を構成する各層の成長工程以前に半導体基板装
着台およびヒータの脱ガスを行う半導体レーザの製造方
法に関する。
ーザ構造を構成する各層の成長工程以前に半導体基板装
着台およびヒータの脱ガスを行う半導体レーザの製造方
法に関する。
（ロ）従来技術
一般に分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）でもっ
てＧａＡｓよりなる半導体基板にＡｌＧａＡｓ系のレー
ザ構造を形成する場合において、例えばＡｌＧａＡｓで
あれば、７００〜７２０℃の範囲で、一方ＧａＡｓであ
れば、６２０〜６８０℃の範囲でそれぞれ成長させると
、光学的特性の良好な旧を半導体基板にｖｊ、ｉさせる
ことができる。
てＧａＡｓよりなる半導体基板にＡｌＧａＡｓ系のレー
ザ構造を形成する場合において、例えばＡｌＧａＡｓで
あれば、７００〜７２０℃の範囲で、一方ＧａＡｓであ
れば、６２０〜６８０℃の範囲でそれぞれ成長させると
、光学的特性の良好な旧を半導体基板にｖｊ、ｉさせる
ことができる。
しかして、前述した範囲の温度で層をそれぞれ成長させ
ると、ＭＢＥ装置の半導体基板装着台（モリブデンブロ
ック）やヒータからガスが発散されるため、成長途中の
層の結晶がｌη染されるという欠点があった。そこで、
半導体基板に層を成長させる前工程として、層の成長温
度よりも高い温度で前記半導体基板装着台やヒータの脱
ガスを行う方法が考えられた。しかしながら、層の成長
温度よりも高い温度で脱ガスを行うことに伴い、半導体
基板のＧａＡｓが蒸発され（第１表参照）、半導体基板
の表面が凹凸状に荒れるという欠点を生じる。そのため
、後工程においてレーザ構造を構成する各層の積層状態
が劣化し、ひいては、層を成長させることが困難になる
という問題を生じる。
ると、ＭＢＥ装置の半導体基板装着台（モリブデンブロ
ック）やヒータからガスが発散されるため、成長途中の
層の結晶がｌη染されるという欠点があった。そこで、
半導体基板に層を成長させる前工程として、層の成長温
度よりも高い温度で前記半導体基板装着台やヒータの脱
ガスを行う方法が考えられた。しかしながら、層の成長
温度よりも高い温度で脱ガスを行うことに伴い、半導体
基板のＧａＡｓが蒸発され（第１表参照）、半導体基板
の表面が凹凸状に荒れるという欠点を生じる。そのため
、後工程においてレーザ構造を構成する各層の積層状態
が劣化し、ひいては、層を成長させることが困難になる
という問題を生じる。
（ハ）目的
この発明は、半導体基板装着台やヒータの脱ガスを行う
ことに伴う、半導体基板の面の荒れを防１トすると共に
、レーザ構造を構成する各層の積層状態を良好にしうる
半導体レーザの製造方法を提供することを目的としてい
る。
ことに伴う、半導体基板の面の荒れを防１トすると共に
、レーザ構造を構成する各層の積層状態を良好にしうる
半導体レーザの製造方法を提供することを目的としてい
る。
（ニ）構成
この発明に係る半導体レーザの製造方法の特徴とする処
は、まず、半導体基板に砒素を当てながら、光学的特性
の良好な層を成長しうる成長温度よりも低い温度に半導
体基板を加熱することにより、半導体基板装着台および
ヒータの脱ガスを行い、次に、レーザ構造が形成される
面側の半導体基板に＾ｌＧａＡｓ層を形成し、その後、
半導体基板に砒素を当てながら、光学的特性の良好な層
を成長しうる成長温度よりも高い温度に半導体基板を加
熱することにより、半導体基板装着台およびヒータを再
度脱ガスさせることにある。
は、まず、半導体基板に砒素を当てながら、光学的特性
の良好な層を成長しうる成長温度よりも低い温度に半導
体基板を加熱することにより、半導体基板装着台および
ヒータの脱ガスを行い、次に、レーザ構造が形成される
面側の半導体基板に＾ｌＧａＡｓ層を形成し、その後、
半導体基板に砒素を当てながら、光学的特性の良好な層
を成長しうる成長温度よりも高い温度に半導体基板を加
熱することにより、半導体基板装着台およびヒータを再
度脱ガスさせることにある。
（ホ）実施例
第１図は、この発明に係る半導体レーザの製造方法の一
実施例を示す説明図である。同図に従って以下説明する
。
実施例を示す説明図である。同図に従って以下説明する
。
（ａ） 図示しないＭＢＥ装置のモリブデンブロック
（装着台）に装着されたＧａＡｓよりなる半導体基板１
０に、Ａｓを収納した材料供給源よりＡｓを分子線の形
で当てながら、半導体基板１０の温度を約５８０〜６８
０°Ｃの範囲まで図示しないヒータにて加熱することに
より、図示しないモリブデンブロックやヒータの脱ガス
を行う（第１の脱ガス工程）。
（装着台）に装着されたＧａＡｓよりなる半導体基板１
０に、Ａｓを収納した材料供給源よりＡｓを分子線の形
で当てながら、半導体基板１０の温度を約５８０〜６８
０°Ｃの範囲まで図示しないヒータにて加熱することに
より、図示しないモリブデンブロックやヒータの脱ガス
を行う（第１の脱ガス工程）。
この温度は半導体基板１０のＧａＡｓが蒸発しない温度
である。なお、発散されたガスは図示しないイオンポン
プでもってＭＢＥ装置外に排出される。
である。なお、発散されたガスは図示しないイオンポン
プでもってＭＢＥ装置外に排出される。
（ｂｌ ヒータを１ｉ１Ｊ御して半導体基板１０の温
度を約５５０〜６２０℃の範囲とし、Ａ Ｉ ｓ Ｇ
ａ 、Ａ ｓを収納した各材料供給源より、半導体基板
１０にＡＩ、Ｃ。
度を約５５０〜６２０℃の範囲とし、Ａ Ｉ ｓ Ｇ
ａ 、Ａ ｓを収納した各材料供給源より、半導体基板
１０にＡＩ、Ｃ。
ａ、Ａｓを分子線の形で当てることにより、ＡｌＧａＡ
ｓ層２０を所定膜厚成長させる。但し、このＡｌＧａＡ
ｓ層２０の光学的特性はあまり良好でないが、半導体基
板１０の表面に平坦に成長される。
ｓ層２０を所定膜厚成長させる。但し、このＡｌＧａＡ
ｓ層２０の光学的特性はあまり良好でないが、半導体基
板１０の表面に平坦に成長される。
（ｃｌＡｓの材料供給源より、Ａｓを分子線の形で半導
体基板１０に当てながら、半導体基板１０の温度が灼７
００〜７８０℃の範囲になるまでヒータにて加熱するこ
とにより、再度モリブデンブロックやヒータの脱ガスを
行う（第２の脱ガス工程）。このとき、ＭＢＥ装置のチ
ャンバ内の雰囲気が良好になるまで行うのが好ましい。
体基板１０に当てながら、半導体基板１０の温度が灼７
００〜７８０℃の範囲になるまでヒータにて加熱するこ
とにより、再度モリブデンブロックやヒータの脱ガスを
行う（第２の脱ガス工程）。このとき、ＭＢＥ装置のチ
ャンバ内の雰囲気が良好になるまで行うのが好ましい。
なお、レーザ構造を構成する各層が積層される面側の半
導体基板ＩＯにＡｌＧａＡｓ１’Ｆ２０を形成している
ので、半導体基板１０のＧａＡｓは蒸発されない。
導体基板ＩＯにＡｌＧａＡｓ１’Ｆ２０を形成している
ので、半導体基板１０のＧａＡｓは蒸発されない。
（ｄｌ 以下、下部クラッド層２１、活性Ｆｉ２２、
第一の上部クラッド層２３、光吸収層２４、蒸発防上層
２５、第二の上部クラフト層２６、キャップ層３０、表
電極４０、裏電極４１よりなるレーザ構造を通常の製造
方法にて形成する。
第一の上部クラッド層２３、光吸収層２４、蒸発防上層
２５、第二の上部クラフト層２６、キャップ層３０、表
電極４０、裏電極４１よりなるレーザ構造を通常の製造
方法にて形成する。
しかして、半導体基板１０の温度を上昇させることに伴
う旧ＧａＡｓとＧａＡｓとのＰ全速度を第１表に示す。
う旧ＧａＡｓとＧａＡｓとのＰ全速度を第１表に示す。
なお、上述の実施例において、ＡｌＧａＡｓ層２０の光
学的特性をあまり良好にしていないが、このＡｌＧａＡ
ｓ層２０は直接レーザ構造に関係がないのでここでは問
題とならない。
学的特性をあまり良好にしていないが、このＡｌＧａＡ
ｓ層２０は直接レーザ構造に関係がないのでここでは問
題とならない。
さらに、半導体基板１０に形成するレーザ構造は実施例
で説明したものに限定されないことは勿論である。
で説明したものに限定されないことは勿論である。
（へ） ５０ｙ果
この発明は、上記詳述したように、装着台やヒータの脱
ガスを二回に別けると共に、−回目の脱ガス工程終了後
に半導体基板にＡｌＧａＡｓ５を形成しているから、半
導体基板装着台やヒータの脱ガスを行うことに伴う半導
体基板のＧａＡｓの蒸発を防止し、半導体基板の面の荒
れを防止することができる。その結果、レーザ構造を構
成する各層の積層状態を良好とすることができる。
ガスを二回に別けると共に、−回目の脱ガス工程終了後
に半導体基板にＡｌＧａＡｓ５を形成しているから、半
導体基板装着台やヒータの脱ガスを行うことに伴う半導
体基板のＧａＡｓの蒸発を防止し、半導体基板の面の荒
れを防止することができる。その結果、レーザ構造を構
成する各層の積層状態を良好とすることができる。
第１図は、この発明に係る半導体レーザの製造方法の一
実施例を示す説明図である。 １０・・・半導体基板、２０・・・＾ＩＧａＡｓＦｔ。
実施例を示す説明図である。 １０・・・半導体基板、２０・・・＾ＩＧａＡｓＦｔ。
Claims (1)
- （１）半導体基板の表面に分子線の形で材料を入射して
エピタキシャル成長させる分子線エピタキシャル成長法
により半導体レーザを製造する方法において、 半導体基板に砒素を当てながら、光学的特性の良好な層
が得られる成長温度よりも低い温度になるまで該半導体
基板を加熱することにより、半導体基板が装着される装
着台および半導体基板を加熱するヒータの脱ガスを行う
第１の脱ガス工程と、前記第１の脱ガス工程における半
導体基板の温度よりも該半導体基板を低い温度に設定し
、レーザ構造が形成される面側の該半導体基板にＡｌＧ
ａＡｓ層を成長させる工程と、 半導体基板に砒素を当てながら、光学的特性の良好な層
が得られる成長温度よりも高い温度になるまで該半導体
基板を加熱することにより、再度前記装着台およびヒー
タの脱ガスを行う第２の脱ガス工程とを具備したことを
特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18493584A JPS6163078A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18493584A JPS6163078A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163078A true JPS6163078A (ja) | 1986-04-01 |
| JPS6367352B2 JPS6367352B2 (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=16161920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18493584A Granted JPS6163078A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163078A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0275237U (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP18493584A patent/JPS6163078A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6367352B2 (ja) | 1988-12-26 |
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