JPS6164185A - 厚膜多層基板 - Google Patents
厚膜多層基板Info
- Publication number
- JPS6164185A JPS6164185A JP18681384A JP18681384A JPS6164185A JP S6164185 A JPS6164185 A JP S6164185A JP 18681384 A JP18681384 A JP 18681384A JP 18681384 A JP18681384 A JP 18681384A JP S6164185 A JPS6164185 A JP S6164185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- multilayer substrate
- pattern
- film multilayer
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、多数のプローブピンコンタクト用の窓を有す
る厚膜多層基板に関する。
る厚膜多層基板に関する。
第１図（ａ）は従来例に係る厚膜多層基板のパターンを
示す概略斜視図であり、第１図（ｂ）は！ｉ！１図（ａ
）のＡ −Ａ’部の断面図である。１はセラミック基板
。
示す概略斜視図であり、第１図（ｂ）は！ｉ！１図（ａ
）のＡ −Ａ’部の断面図である。１はセラミック基板
。
２は下Ｊ−導体パターンである。５はプローブ用ランド
パターンであり、下層導体パターンと同時Ｃ二形成され
る。６は絶縁層である。６は絶縁層窓でグローブ用ラン
ドパターン５を露出させるためプローブ用ランドパター
ン５より十分広め（二とってあり、印刷時のパターン目
金せ精度を考慮しても完全Ｃニランドパターン全体が露
出するようになっている。
パターンであり、下層導体パターンと同時Ｃ二形成され
る。６は絶縁層である。６は絶縁層窓でグローブ用ラン
ドパターン５を露出させるためプローブ用ランドパター
ン５より十分広め（二とってあり、印刷時のパターン目
金せ精度を考慮しても完全Ｃニランドパターン全体が露
出するようになっている。
ところでプローブビン数が多い場合、基板のソリや厚さ
の不均一性等の影響でコンタクドロばらつきがある。こ
のため全体としてかなりの圧力を加えな１すればならな
いが、無理（ニカを加えるとあるビンにおいてはビン先
がビン張り出し方向前方Ｃニズレを起こし、グローブ用
ランドパターン５からはずれ、オープンとなる。最悪の
場合、隣接ランド（；接触してショートする。また一般
にビン先シニ無理な力が加わるため、プローブの繰り返
しの使用（；よってビン間の相対的位置精度は一層悪化
する。
の不均一性等の影響でコンタクドロばらつきがある。こ
のため全体としてかなりの圧力を加えな１すればならな
いが、無理（ニカを加えるとあるビンにおいてはビン先
がビン張り出し方向前方Ｃニズレを起こし、グローブ用
ランドパターン５からはずれ、オープンとなる。最悪の
場合、隣接ランド（；接触してショートする。また一般
にビン先シニ無理な力が加わるため、プローブの繰り返
しの使用（；よってビン間の相対的位置精度は一層悪化
する。
本発明は上記の点（二鑑み提案されたものであり、多数
のグローブピンとのコンタクトが精度良く、かつ確実４
：行うことな可能とする厚膜多層基板の提供を目的とす
る。
のグローブピンとのコンタクトが精度良く、かつ確実４
：行うことな可能とする厚膜多層基板の提供を目的とす
る。
本発明の厚膜多層基板は、グローブピ”ンコンタクト用
導体パターンが、該パターンの上層で、かつ該パターン
と同じかもしくは小さい窓を有する絶縁層によって覆わ
れていることを特徴とする。
導体パターンが、該パターンの上層で、かつ該パターン
と同じかもしくは小さい窓を有する絶縁層によって覆わ
れていることを特徴とする。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図（ａ）は本発明の実施例（二係る厚膜多層基板の
概略斜視図であり、％２図（ｂ）は第２図（ａ）のＢ
−Ｂ’部の断面図である。図Ｃ二おいて第１図と同じ番
号は同じものを示している。図示するよう（：実施例で
は絶縁層窓６をグローブ用ランドパターン５よりわずか
（二小さくし、絶縁層窓６の段差部７の内 側はすべて
ランドパターン５によって占められるよう（：パターン
レイアクトが成されている。このよう（＝形成すること
Ｃ二よりビン先のズレは段差部７（＝よって阻止され、
最悪段差部Ｃニビ／が接触する場合でもランドパターン
５とのコンタクトは維持される。これζ二よりグローブ
全体Ｃ二も十分な力を加えることが可能となり、ピンが
届かないことによるオープン等は皆無となる。さらζ＝
ニブローブ繰り返しの使用（＝際しても、ピンのズレは
絶縁層窓６の範囲を越えず、次第に悪化するようなこと
も無くなる。万一いくつかのピンがランドパターン５に
当らず絶縁層６上に乗り上げるような事態が生じた場合
（：も、ピンを基板に当てた状態でステージを動かし再
目金せを行なうこと（二より、すで１二ランドパターン
５゛に当っているピンがはずれる心配はほとんど無い。
概略斜視図であり、％２図（ｂ）は第２図（ａ）のＢ
−Ｂ’部の断面図である。図Ｃ二おいて第１図と同じ番
号は同じものを示している。図示するよう（：実施例で
は絶縁層窓６をグローブ用ランドパターン５よりわずか
（二小さくし、絶縁層窓６の段差部７の内 側はすべて
ランドパターン５によって占められるよう（：パターン
レイアクトが成されている。このよう（＝形成すること
Ｃ二よりビン先のズレは段差部７（＝よって阻止され、
最悪段差部Ｃニビ／が接触する場合でもランドパターン
５とのコンタクトは維持される。これζ二よりグローブ
全体Ｃ二も十分な力を加えることが可能となり、ピンが
届かないことによるオープン等は皆無となる。さらζ＝
ニブローブ繰り返しの使用（＝際しても、ピンのズレは
絶縁層窓６の範囲を越えず、次第に悪化するようなこと
も無くなる。万一いくつかのピンがランドパターン５に
当らず絶縁層６上に乗り上げるような事態が生じた場合
（：も、ピンを基板に当てた状態でステージを動かし再
目金せを行なうこと（二より、すで１二ランドパターン
５゛に当っているピンがはずれる心配はほとんど無い。
さらにかかる目合せを行なうことによってピン間の相対
的位置ズレは矯正されることになり、グローブのくり返
しの便用ζ二線して精度の同上が期待出来る。
的位置ズレは矯正されることになり、グローブのくり返
しの便用ζ二線して精度の同上が期待出来る。
以上説明したよう１：、本発明Ｃ：よればグローブピン
のコンタクトが精度良く確実（二行われるととも（二、
ピン間の相対的位置ズレな使用のたび（二矯正できると
いう効果がある。
のコンタクトが精度良く確実（二行われるととも（二、
ピン間の相対的位置ズレな使用のたび（二矯正できると
いう効果がある。
第１図（ａ）は従来例（二係る厚膜多層基板の概略斜視
図１．第１図（ｂ）は′１ｆ１１図（ａ）のＡ −Ａ’
部の断面図。 第２図（ａ）は本発明の実施例（二係る厚膜多層基板の
概略斜視図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＢ −Ｂ’
部の断面図である。 １・・・セラミック基板 ２・・・下層導体 ６・・・絶縁層 ４・・・上層導体 ５・・・プローブ用ランドパターン ６・・・絶縁層窓 ７・・・段差部 ８・・・プローブピン
図１．第１図（ｂ）は′１ｆ１１図（ａ）のＡ −Ａ’
部の断面図。 第２図（ａ）は本発明の実施例（二係る厚膜多層基板の
概略斜視図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＢ −Ｂ’
部の断面図である。 １・・・セラミック基板 ２・・・下層導体 ６・・・絶縁層 ４・・・上層導体 ５・・・プローブ用ランドパターン ６・・・絶縁層窓 ７・・・段差部 ８・・・プローブピン
Claims (1)
- プローブピンコンタクト用導体パターンが、該パター
ンの上層で，かつ該パターンと同じかもしくは小さい窓
を有する絶縁層によつて覆われていることを特徴とする
厚膜多層基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18681384A JPS6164185A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 厚膜多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18681384A JPS6164185A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 厚膜多層基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6164185A true JPS6164185A (ja) | 1986-04-02 |
Family
ID=16195037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18681384A Pending JPS6164185A (ja) | 1984-09-06 | 1984-09-06 | 厚膜多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6164185A (ja) |
-
1984
- 1984-09-06 JP JP18681384A patent/JPS6164185A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920004038B1 (ko) | 후막형성방법 | |
| JPS63211739A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6298795A (ja) | プリント配線板とその製造方法 | |
| US5219607A (en) | Method of manufacturing printed circuit board | |
| JPH0767001B2 (ja) | 電子部品用基板 | |
| JP2717001B2 (ja) | プリント配線板 | |
| JPH03209711A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58135692A (ja) | 印刷の位置決め方法 | |
| JPH0259397A (ja) | 厚膜印刷用マスク | |
| JP2550781B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JPH04326589A (ja) | 印刷配線基板とその製造方法 | |
| JP2002344137A (ja) | 厚膜多層基板およびその製造方法 | |
| KR900004079Y1 (ko) | 프린트 배선 기판 | |
| JPH04352488A (ja) | 有機混成集積回路 | |
| JPS6142990A (ja) | 厚膜印刷基板 | |
| JPH0143708Y2 (ja) | ||
| JPS61123192A (ja) | 描画装置 | |
| JPS5854534A (ja) | 放電表示装置の電極形成方法 | |
| JPH11211432A (ja) | 半導体装置及びガラスマスク | |
| JPS6115388A (ja) | プリント基板のソルダレジスト膜形成方法 | |
| JPH02276289A (ja) | 厚膜回路の製造方法 | |
| JPS6388898A (ja) | 厚膜回路基板 | |
| JPS6081899A (ja) | セラミツク基板の形成方法 | |
| JPH0758427A (ja) | 印刷配線基板 | |
| JPS60240183A (ja) | 厚膜パタ−ンの形成方法 |