JPS616717A - 基準出力回路 - Google Patents

基準出力回路

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Publication number
JPS616717A
JPS616717A JP59127944A JP12794484A JPS616717A JP S616717 A JPS616717 A JP S616717A JP 59127944 A JP59127944 A JP 59127944A JP 12794484 A JP12794484 A JP 12794484A JP S616717 A JPS616717 A JP S616717A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
circuit
resistor
emitter
diode
Prior art date
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Pending
Application number
JP59127944A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiko Sotooka
和彦 外岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP59127944A priority Critical patent/JPS616717A/ja
Publication of JPS616717A publication Critical patent/JPS616717A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26Current mirrors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体集積回路で広く用いられているバンド
ギャップ・レファレンス型の基準出力回路に関するもの
である。
従来例の構成とその問題点 いワユる、バンドギャップ・レファレンス型回路は、回
路の特性上、安定に動作させるために、起動電流の供給
回路が必要である。バンドギャップ・レファレンス型回
路を基準電圧源として用いる場合には、第1図のような
従来例回路を構成する場合が多い。即ちベースを共通に
した1NPN)ランジスタQ1.Q2の各エミッタを、
一方は抵抗R1を介して接地し他方は、そのま\接地す
る。また、トランジスタQ1  のコレクタを、ベース
共通接続のPNP )ランジスタ03.Q4の一方のト
ランジスタQ3のコレクタに接続し、トランジスタQ2
と同Q4 との各コレクタを、抵抗R2を介して接続し
、さらに、トランジスタQ2.Q3I−j、それぞれ、
ベースとコレクタとを共通接続した回路構成である。
この回路では出力電圧■。の温度係数を最小にするため
に、通常v0が約1.3vとなるように回路定数を定め
る。
一方、起動電流供給回路は、電源vcc端子と接地端子
間に直列接続された抵抗R3′ダイオードつ。。
D2および抵抗R3とダイオードD2との接続点と、ト
ランジスタQ4のコレクタと間にダイオードD3を接続
した構成を有する。そして、この回路では、ダイオード
D3 を通して、起動電流がトランジスタQ1.Q2V
c注入されることにより、バンドギャップ・レファレン
ス型回路が起動される。
サラニ、バンドギャップ・レファレンス型回路は第2図
の他の従来例回路構成図に示すように、比較的安定な定
電流源として用いられることも多い。この回路において
、トランジスタQ1  と同Q2との両エミッタ面積の
比をn、電流ミラー結合のトランジスタQ3−Q5の各
特性が等しいとすれば、通常の動作状態での、出力電流
I5は で与えられる。
第2図の電流出力型の回路では、抵抗R2は回路を安定
に起動させるために必要であるが、この抵抗のだめに、
回路の最低動作電源電圧は約1.5Vとなっていた。
上述のように、従来のバンドギヤツプ・レファレンス型
基準出力回路では、最小出力レベルが 11.3司、5
Vと比較的高く、これより低レベルでの安定な動作と確
実な起動を両立させることが困難であった。
発明の目的 本発明は、バンドギャップ・レファレンス型回路の低出
力レベル化に伴う上記の問題点を解決するもので、かつ
、低電圧動作においても動作が確実な回路構成を提供す
るものである。
発明の構成 本発明は、要約するに、ベース共通接続の第1゜第2の
トランジスタに、電流ミラー回路結合の第3、第4のト
ランジスタを能動負荷接続すると共に、前記第1のトラ
ンジスタのエミッタは第1の抵抗を介し、前記第2のト
ランジスタのエミ・フタは直接に、それぞれ、電源の他
端に接続し、前記第2のトランジスタの負荷接続部に対
し、第2の抵抗と単一の第1のダイオードとの直列回路
で駆動される第2のダイオードもしくは第5のトランジ
スタにより起動電流を供給する構成の基準出力回路であ
り、これにより、安定な起動および低出力レベル化が実
現できる。
実施例の説明 本発明の実施例を第3図、第4図に示す。トランジスタ
Q1〜Q4及び抵抗R1から成るバンドギャップ・レフ
ァレンス型回路部は、第1図の従来例と対比すれば、そ
の抵抗R2を零(Ω)とした場合と同じ構成であり、こ
れにトランジスタQ51%及び抵抗R3から成る起動回
路を付加している。即ち、第3図においてエミッタを接
地し、ベースとコレクタとを共通接続したダイオード接
続のNPNトランジスタ05  のアノード側を抵抗R
3を介して電源接続し、トランジスタ先 のコレクタに
、NPNトランジスタQ6のベースとコレクタとを共通
接続し、そのエミッタをトランジスタQ2のコレクタに
接続する。
他の実施例として、第4図においては、トランジスタ%
 のコレクタは、電源端子vccに接続さ・ねたもので
ある。
第3図、第4図の各実施例とも、起動開始状態では、ト
ランジスタ06、抵抗R3から成るノくイアス回路から
トランジスタQ6全通して起動電流カニトランジスタQ
、 、Q2に注入される。トランジスタ01〜04抵抗
Rつ  から成るノくンドギャ・ノブ・レファレンス型
回路はこの起動電流により、なる安定点に向かって遷移
する。
電流工1?I2が零から増加するに伴いトランジスタQ
6のバイアス電圧が変化し、起動電流は減少する。バン
ドギヤ・ノブ・レファレンス回路75:安定動作状態に
達すると、トランジスタQ6 はしゃ断状態に入り、起
動電流はほぼ零になる。また、これらの回路は1V程度
までの電源電圧に対して安定に動作する。
以上のように、トランジスタQF5. Q6 及び抵抗
R2を用いた起動回路によってノくンドギャンブ型回路
を確実に起動させ、かつ安定に動作させられ7ることか
確認できた。
発明の効果 本発明によれば、バンドギャップ・レファレンス型回路
を安定に動作させることができる。特に、バンドギャッ
プ・レファレンス型回路を電流源として利用する場合に
は、約IV−jでの低電力動作が可能であり、非常に効
果的である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の電圧出力型バンドギャフプ・レファレ
ンス型回路図、第2図は従来例の電流出力型バンドギャ
ップ・レファレンス型回路図、第3図、第4図は本発明
実施例のバンドギャップ・レファレンス型回路図である
。 Q1〜Q6・ ・・トランジスタ、D1〜D3・・・・
・・ダイオード、R1−R3・・・抵抗、vcc・・・
・・電源電圧、■。・・・・出力電圧、■。・・・・・
出力電流、n・・・・Ω1と02のエミツタ面積比、1
1・ ・・Qlのエミッタ電流、■、・・・・02  
のエミッタ電流。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ベース共通接続の第1、第2のトランジスタに、
    電流ミラー回路結合の第3、第4のトランジスタを能動
    負荷接続すると共に、前記第1のトランジスタのエミッ
    タは第1の抵抗を介し、前記第2のトランジスタのエミ
    ッタは直接に、それぞれ、電源の他端に接続し、前記第
    2のトランジスタの負荷接続部に対し、第2の抵抗と単
    一の第1のダイオードとの直列回路で駆動される第2の
    ダイオードもしくは第5のトランジスタにより起動電流
    を供給する構成の基準出力回路。
JP59127944A 1984-06-21 1984-06-21 基準出力回路 Pending JPS616717A (ja)

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JP59127944A JPS616717A (ja) 1984-06-21 1984-06-21 基準出力回路

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JP59127944A JPS616717A (ja) 1984-06-21 1984-06-21 基準出力回路

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JPS616717A true JPS616717A (ja) 1986-01-13

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4943737A (en) * 1989-10-13 1990-07-24 Advanced Micro Devices, Inc. BICMOS regulator which controls MOS transistor current
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JPH07121255A (ja) * 1993-10-27 1995-05-12 Nec Corp 定電流源回路

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