JPS6118218A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS6118218A JPS6118218A JP59138314A JP13831484A JPS6118218A JP S6118218 A JPS6118218 A JP S6118218A JP 59138314 A JP59138314 A JP 59138314A JP 13831484 A JP13831484 A JP 13831484A JP S6118218 A JPS6118218 A JP S6118218A
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- JP
- Japan
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- current
- temperature
- iil
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- injector
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＩＩＬ回路を有する半導体集積回路装置にお
いて、特に温度によってＩＩＬ回路のインジェクタ電流
を変化させ消費電力を少なくしたい時に有効な半導体集
積回路装置に関する。
いて、特に温度によってＩＩＬ回路のインジェクタ電流
を変化させ消費電力を少なくしたい時に有効な半導体集
積回路装置に関する。
従来例の構成とその問題点
ＩＩＬ回路を有する半導体集積回路は種々の電子回路装
置に用いられている。たとえば、リニア回路とロジック
回路が混在するガス漏れ警報器などにおいて、クロック
信号を分周し一定時間を設定する場合に用いられる。
置に用いられている。たとえば、リニア回路とロジック
回路が混在するガス漏れ警報器などにおいて、クロック
信号を分周し一定時間を設定する場合に用いられる。
第１図は、従来例であり以下説明を行う。
ＩＩＬ回路は、抵抗１をエミッタに接続したＰＮＰ ）
ランジスタ２とＮＰＮ トランジスタ３によってインバ
ータ回路を構成し、このインバータ回路の集合で回路が
構成される。
ランジスタ２とＮＰＮ トランジスタ３によってインバ
ータ回路を構成し、このインバータ回路の集合で回路が
構成される。
インバータ回路の入力と出力はそれぞれ、４と５．６．
７である。またＩＩＬのインジェクタ電流は、電源ｖ０
゜とＰＮＰ ）ランジスタ２のベースエミッタ電圧と抵
抗１によって決定される。つまり、ＩＩＬ回路のインジ
ェクタ電流工ＩＮＪは、（ｖｏＧ：電源電圧ｖｍｚｐ＊
ｐ ： Ｐ Ｎ Ｐヘ−スｘミッタ電圧 Ｒ４：抵抗１
の抵抗値 Ｎ：ＩＩＬの総数） と表わされる。
７である。またＩＩＬのインジェクタ電流は、電源ｖ０
゜とＰＮＰ ）ランジスタ２のベースエミッタ電圧と抵
抗１によって決定される。つまり、ＩＩＬ回路のインジ
ェクタ電流工ＩＮＪは、（ｖｏＧ：電源電圧ｖｍｚｐ＊
ｐ ： Ｐ Ｎ Ｐヘ−スｘミッタ電圧 Ｒ４：抵抗１
の抵抗値 Ｎ：ＩＩＬの総数） と表わされる。
ここでこのインジェクタ電流の温度変化を求めるために
１式を温度Ｔで偏微分すると次式になる。
１式を温度Ｔで偏微分すると次式になる。
２式において、普通、Ｒ１はカーボン抵抗を使用し、そ
の温度変化量は小さい。また、ｖＢＩＩＰＮＰ（ｖｃｃ
の場合が多く、電源Ｖ。０は温度変化しない場合がほと
んどなので、２式の右辺は小さい値となり、ＩＩＬのイ
ンジェクタ電流の温度変化は小さい事になる。
の温度変化量は小さい。また、ｖＢＩＩＰＮＰ（ｖｃｃ
の場合が多く、電源Ｖ。０は温度変化しない場合がほと
んどなので、２式の右辺は小さい値となり、ＩＩＬのイ
ンジェクタ電流の温度変化は小さい事になる。
ところでＩＩＬ回路のＮＰＮ）ランジスタ３の電流増幅
率ｈＦｉｌは、温度に対して大きく（約６０００ｐｐ！
Ｉｌ／°Ｃ）変化する事はよく知られている。
率ｈＦｉｌは、温度に対して大きく（約６０００ｐｐ！
Ｉｌ／°Ｃ）変化する事はよく知られている。
そこで全温度範囲で正常にＩＩＬ回路を動作させるため
には、低温において動作するだけのインジェクタ電流を
流す必要がある。その場合、反対に高温においてむだな
インジェクタ電流を流している事になる。つまり常温時
や高温時にはむだな消費電流を生じている事となる。
には、低温において動作するだけのインジェクタ電流を
流す必要がある。その場合、反対に高温においてむだな
インジェクタ電流を流している事になる。つまり常温時
や高温時にはむだな消費電流を生じている事となる。
発明の目的
本発明は上記の不都合を排除した半導体集積回路装置を
提供するものである。
提供するものである。
発明の構成
本発明は上記のような目的を達成するために、１１Ｌの
インジェクタ端子と第１の抵抗の一端を接続し、前記第
１の抵抗の他端をコレクタが電源に接続された第１のト
ランジスタのエミッタに接続し、前記第１のトランジス
タのベースが温度によって変化する電圧源に接続された
半導体集積回路であり、前記ＩＩＬのインジェクタ電流
を温度によって変化させる事により、温度変化に対して
消費電流を変化させるようにしたものである。
インジェクタ端子と第１の抵抗の一端を接続し、前記第
１の抵抗の他端をコレクタが電源に接続された第１のト
ランジスタのエミッタに接続し、前記第１のトランジス
タのベースが温度によって変化する電圧源に接続された
半導体集積回路であり、前記ＩＩＬのインジェクタ電流
を温度によって変化させる事により、温度変化に対して
消費電流を変化させるようにしたものである。
実施例の説明
第２図は本発明にがかる一実施例の半導体集積回路装置
である。第１図に示した従来例にくらべて、抵抗１と電
源Ｖ。。との間にＮＰＮ ）ランジスタ８を介在させ、
そのペースに、定電流源９およびダイオード１０，１１
．１２とそのアノードによって構成された定電圧源が接
続されているところが相違する。第２図示の本発明の一
実施例では、ＩＩＬ回路に流れるインジェクタ電流は次
のような式で表現される。
である。第１図に示した従来例にくらべて、抵抗１と電
源Ｖ。。との間にＮＰＮ ）ランジスタ８を介在させ、
そのペースに、定電流源９およびダイオード１０，１１
．１２とそのアノードによって構成された定電圧源が接
続されているところが相違する。第２図示の本発明の一
実施例では、ＩＩＬ回路に流れるインジェクタ電流は次
のような式で表現される。
（Ｒ：抵抗’ ｌ ＶＤｊＯ”ＤＩ＋１ｖＤ１２ はそ
れぞレタイオード１０，１１．１２の順方向電圧 ｖＢ８８．ｖＢｘ２：トランシスタ８，２ノヘースエミ
ノタ電圧 Ｎ：ＩＩＬの総数） 次にダイオード順方向電圧とトランジスタのペースエミ
ッタ電圧（ｄはぼ等しいとすると、ＶＤ−ｖＤｌｏ−■
９４．−ｖＤ、２＝ｖＢＫ８−ＶＢ、２であり、３式は
下記のようになる。
れぞレタイオード１０，１１．１２の順方向電圧 ｖＢ８８．ｖＢｘ２：トランシスタ８，２ノヘースエミ
ノタ電圧 Ｎ：ＩＩＬの総数） 次にダイオード順方向電圧とトランジスタのペースエミ
ッタ電圧（ｄはぼ等しいとすると、ＶＤ−ｖＤｌｏ−■
９４．−ｖＤ、２＝ｖＢＫ８−ＶＢ、２であり、３式は
下記のようになる。
４式を温度Ｔで偏微分する事でインジェクタ電流工ＩＮ
Ｊ の温度変化を求める事が出来る。
Ｊ の温度変化を求める事が出来る。
ここで、一般に半導体集積回路に使用されるダＶＤｄＴ
： （ｐｐｍ／’Ｃ）という事になる。
： （ｐｐｍ／’Ｃ）という事になる。
一方トランジスタのトランジスタ３の電流増幅である。
以上のインジェクタ電流ＩｆＮＪと電流増幅率ｈ□の温
度変化より、トランジスタ３の電流吸込み量は、温度に
対してほぼ一定になる事が理解される。よってＩＩＬ回
路のインジェクタ電流は、低温において最大となり消費
電流も最大となるが、トランジスタ３のコレクタ吸込み
電流は、常にほぼ一定となっているので、低温において
十分ＩＩＬ回路が動作するように抵抗Ｒ１の値を決定し
てやれば、高温側においてもＩＩＬ回路は正常に動作し
、かつ室温や高温において消費電流を節約する事が可能
となる。
度変化より、トランジスタ３の電流吸込み量は、温度に
対してほぼ一定になる事が理解される。よってＩＩＬ回
路のインジェクタ電流は、低温において最大となり消費
電流も最大となるが、トランジスタ３のコレクタ吸込み
電流は、常にほぼ一定となっているので、低温において
十分ＩＩＬ回路が動作するように抵抗Ｒ１の値を決定し
てやれば、高温側においてもＩＩＬ回路は正常に動作し
、かつ室温や高温において消費電流を節約する事が可能
となる。
発明の効果
以上のように、本発明はｒＩＬ回路を含む半導体集積回
路において、ＩＩＬのインジェクタ電流を決定する回路
に応用する事で、高温におけるインジェクタ電流を下げ
る事が可能であり、かつまた消費電流を減少させる事が
出来る。特に、ボータプルタイプで消費電流を下げる必
要のあるＩ工り回路に使用すると好適である。
路において、ＩＩＬのインジェクタ電流を決定する回路
に応用する事で、高温におけるインジェクタ電流を下げ
る事が可能であり、かつまた消費電流を減少させる事が
出来る。特に、ボータプルタイプで消費電流を下げる必
要のあるＩ工り回路に使用すると好適である。
第１図は従来の実施例回路図、第２図は本発明の一実施
例回路図である。 １・・・・・・抵抗、２，３．８・・・・・・トランジ
スタ、１０．１１．１２・・・・・・ダイオード、９・
・・・・・定電流源、４・・・・・・入力、５，６．７
・・・・・・出力。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
例回路図である。 １・・・・・・抵抗、２，３．８・・・・・・トランジ
スタ、１０．１１．１２・・・・・・ダイオード、９・
・・・・・定電流源、４・・・・・・入力、５，６．７
・・・・・・出力。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- ＩＩＬのインジェクタ端子と第１の抵抗の一端を接続し
、前記第１の抵抗の他端をコレクタが電源に接続された
第１のトランジスタのエミッタに接続し、前記第１のト
ランジスタのベースが温度によって変化する電圧源に接
続された半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138314A JPS6118218A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138314A JPS6118218A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6118218A true JPS6118218A (ja) | 1986-01-27 |
Family
ID=15218993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59138314A Pending JPS6118218A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6118218A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114320A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電流注入型ロジツク回路 |
| JPH02255919A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-10-16 | Nec Corp | データ復旧装置 |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP59138314A patent/JPS6118218A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114320A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電流注入型ロジツク回路 |
| JPH02255919A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-10-16 | Nec Corp | データ復旧装置 |
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