JPS6169155A - レジンモールド型パワー電子装置 - Google Patents
レジンモールド型パワー電子装置Info
- Publication number
- JPS6169155A JPS6169155A JP60206422A JP20642285A JPS6169155A JP S6169155 A JPS6169155 A JP S6169155A JP 60206422 A JP60206422 A JP 60206422A JP 20642285 A JP20642285 A JP 20642285A JP S6169155 A JPS6169155 A JP S6169155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- header
- semiconductor device
- power semiconductor
- electronic device
- mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は電子装置、特に取付孔をレノンモールド部の一
側のヘッダ部に2つ設けfこ構造のレノンモールド型パ
ワー電子装置に関する。
側のヘッダ部に2つ設けfこ構造のレノンモールド型パ
ワー電子装置に関する。
[背景技術]
レジンモールド型パヮ二半導体装置の1つとして第3図
で示すような構造が知られている。この構造のパワー半
導体装置は同図で示すように、矩形のヘッダl上に半導
体素子2を固定するとともに、ヘッダ1上に平行に配設
する複数のり一部3の内端と半導体素子2の電極とをワ
イヤ4て接続し、さらにヘッダ1上にレジンでモールド
部(レジンモールド部)5を形作り、このモールド部5
で半導体素子2.ワイヤ、リード3の内端部等を被う構
造となっている。また、モールド部5はへラグ1の一部
に設けられ、モールド部5がら露出したヘッダ部分には
互いに離れて2つの取付孔6が設けられている。
で示すような構造が知られている。この構造のパワー半
導体装置は同図で示すように、矩形のヘッダl上に半導
体素子2を固定するとともに、ヘッダ1上に平行に配設
する複数のり一部3の内端と半導体素子2の電極とをワ
イヤ4て接続し、さらにヘッダ1上にレジンでモールド
部(レジンモールド部)5を形作り、このモールド部5
で半導体素子2.ワイヤ、リード3の内端部等を被う構
造となっている。また、モールド部5はへラグ1の一部
に設けられ、モールド部5がら露出したヘッダ部分には
互いに離れて2つの取付孔6が設けられている。
このような取付孔6をモールド部5の一側のヘッダ部分
に設けたパワー半導体装置は、第4図に示すように、取
付基板7に座金8.ねヒ9等を介して締付固定した場合
、取付基板7が反っていると、ヘッダ1は取付基板7の
反りに一致するように変形する。しかし、ヘッダ1に付
着するように形作られたモールド部5はへラダ1との接
合強度が小さいことからモールド部5とヘッダ1との界
面から剥離が生じ、パワー半導体装置の耐湿性が低下し
、特性の劣化あるいは信頼性の低下が生じる。
に設けたパワー半導体装置は、第4図に示すように、取
付基板7に座金8.ねヒ9等を介して締付固定した場合
、取付基板7が反っていると、ヘッダ1は取付基板7の
反りに一致するように変形する。しかし、ヘッダ1に付
着するように形作られたモールド部5はへラダ1との接
合強度が小さいことからモールド部5とヘッダ1との界
面から剥離が生じ、パワー半導体装置の耐湿性が低下し
、特性の劣化あるいは信頼性の低下が生じる。
前記界面からの剥離はヘッダ1の両端が最も変形量が大
きいことか呟界面の剥離(クラック)10はヘッダ(モ
ールド部)の端部から入る。
きいことか呟界面の剥離(クラック)10はヘッダ(モ
ールド部)の端部から入る。
[発明の目的1
本発明の目的は取付基板に取り付けても耐湿性が低下し
ない構造のレジンモールド型パワー電子装置を提供する
ことにある。
ない構造のレジンモールド型パワー電子装置を提供する
ことにある。
[発明の概要1
本発明は、ヘッダに部分的に形成されるモールド部の形
状を平面から見て山形形状となし、山の頂上に対応する
中央部上縁はヘッダに設けた1対の取付孔の中心線を結
ぶ線上より延在させないようにしである構造のレジンモ
ールド型パワー電子装置にある。
状を平面から見て山形形状となし、山の頂上に対応する
中央部上縁はヘッダに設けた1対の取付孔の中心線を結
ぶ線上より延在させないようにしである構造のレジンモ
ールド型パワー電子装置にある。
[実施例1
第1図は本発明のレジンモールド型パワー半導体装置の
一実施例を示す平面図である。同図には長方形の平坦な
ヘッダ11が示されている。このヘッダ11は熱伝導率
の良好な金属で形成されている。また、このヘッダ11
の長手方向に沿う−t 側縁近傍には
2つの取付孔12が設けられている。
一実施例を示す平面図である。同図には長方形の平坦な
ヘッダ11が示されている。このヘッダ11は熱伝導率
の良好な金属で形成されている。また、このヘッダ11
の長手方向に沿う−t 側縁近傍には
2つの取付孔12が設けられている。
これら取付孔12は両端(図中上方の両隅部)に設けら
れている。また、ヘッダ11の下部両隅部にはそれぞれ
ヘッダ11とレジンモールド部との接合性を良好とする
ために補強孔13が設けられている。また、1対の取付
孔12の中央部にも補強孔14力(Plijたれている
。
れている。また、ヘッダ11の下部両隅部にはそれぞれ
ヘッダ11とレジンモールド部との接合性を良好とする
ために補強孔13が設けられている。また、1対の取付
孔12の中央部にも補強孔14力(Plijたれている
。
また、ヘッダ11の中央よりもわずか下方には半導体素
子15が取り付けられるとともに、これら半導体素子1
5の各電極はそれぞれワイヤ16の一端が接続されてい
る。これらワイヤ16の他端はへラダ11のレジンモー
ルド領域内に突入する複数のり一部17の内端に接続さ
れている。前記リード17はヘッダ11より上方に平行
に配設されるとともに、池端部は互いに平行となってヘ
ッダ11の下部側方から突出し、外部リード18を形作
っている。また、ヘッダ11上のレジンモールド領域に
はレジンモールド部(モールド部)19が形成されてい
る。このモールド部19は一定の厚みを有し、半導体素
子15.ワイヤ16.リード17の内端部を被うように
なっている。またモールド部19の平面から見た形状は
、富士山のようなフニーデ型の山形形状となっていて、
頂上に対応する部分は1対の取付孔12開に延在し、裾
野部分は取付孔12の近傍に沿って延びている。
子15が取り付けられるとともに、これら半導体素子1
5の各電極はそれぞれワイヤ16の一端が接続されてい
る。これらワイヤ16の他端はへラダ11のレジンモー
ルド領域内に突入する複数のり一部17の内端に接続さ
れている。前記リード17はヘッダ11より上方に平行
に配設されるとともに、池端部は互いに平行となってヘ
ッダ11の下部側方から突出し、外部リード18を形作
っている。また、ヘッダ11上のレジンモールド領域に
はレジンモールド部(モールド部)19が形成されてい
る。このモールド部19は一定の厚みを有し、半導体素
子15.ワイヤ16.リード17の内端部を被うように
なっている。またモールド部19の平面から見た形状は
、富士山のようなフニーデ型の山形形状となっていて、
頂上に対応する部分は1対の取付孔12開に延在し、裾
野部分は取付孔12の近傍に沿って延びている。
そして、裾野部分の外れに相当するモールド部両端隅緑
(図中A)は取付孔12から最も遠くなっている。すな
わち、第1図の鎖線Bが従来のモールド部の取付孔に対
面する縁を示す線である。
(図中A)は取付孔12から最も遠くなっている。すな
わち、第1図の鎖線Bが従来のモールド部の取付孔に対
面する縁を示す線である。
なお、上述のように頂上に対応する中央部上縁19Aは
1対の取付孔12開内に延在しているものの、第1図か
ら明らかなように1対の取付孔12の中心線を結ぶ線X
上よりも上に延在させないようにしである。このような
構成は、後述する効果より明らかなように極めて重要な
点である。
1対の取付孔12開内に延在しているものの、第1図か
ら明らかなように1対の取付孔12の中心線を結ぶ線X
上よりも上に延在させないようにしである。このような
構成は、後述する効果より明らかなように極めて重要な
点である。
以上の構造をなすレジンモールド型パワー半導体装置P
は、第2図に示すように取付基板7に座金8.ねヒ9等
を介して締付は固定される。
は、第2図に示すように取付基板7に座金8.ねヒ9等
を介して締付は固定される。
[効果1
本発明のレジンモールド型パワー半導体装置によれば、
取付孔12を利用して取付基板等にパワー半導体装置を
締付固定した場合、仮りに取付基板等が第4図で示すよ
うに反り返っていても、モールド部19とヘッダ11と
の界面での剥離は生じない。すなわち、ヘッダ11が最
も変形する両端におけるモールド部分は、取付基板に直
接締イ」固定される取付孔12から最も遠い位置にある
。
取付孔12を利用して取付基板等にパワー半導体装置を
締付固定した場合、仮りに取付基板等が第4図で示すよ
うに反り返っていても、モールド部19とヘッダ11と
の界面での剥離は生じない。すなわち、ヘッダ11が最
も変形する両端におけるモールド部分は、取付基板に直
接締イ」固定される取付孔12から最も遠い位置にある
。
また、取付孔12から遠くなるにつれてヘッダ部分の変
形も少なくなる。このため、モールド部19の両端にお
ける取付孔12に対面する隅縁の位置を取付孔12から
遠去けた結果、この隅#&(A)の下方のヘッダ部分の
変形はほとんどなくなる。
形も少なくなる。このため、モールド部19の両端にお
ける取付孔12に対面する隅縁の位置を取付孔12から
遠去けた結果、この隅#&(A)の下方のヘッダ部分の
変形はほとんどなくなる。
したがって、ヘッダ部分とモールド部1つとの境界の接
合部には大きな剥離力は発生せず、剥離は生じない。な
お、隅緑(A)と取付孔12の幅員方向の間隔L2を従
来の構造のパワー半導体装置で得る場合には、従来およ
びこの実施例におけるヘッダ11の幅員HはL2とLl
の差の長さだけ長くなり、パワー半導体装置が大型化す
る。前記L1は従来のパワー半導体装置のモールド部縁
と取付孔との間隔である。したがって、この実施例では
パワー半導体装置の寸法を従来と同じに保ちつつ取付基
板への取付時のモールド部とヘッダとの剥離を防止でき
る。
合部には大きな剥離力は発生せず、剥離は生じない。な
お、隅緑(A)と取付孔12の幅員方向の間隔L2を従
来の構造のパワー半導体装置で得る場合には、従来およ
びこの実施例におけるヘッダ11の幅員HはL2とLl
の差の長さだけ長くなり、パワー半導体装置が大型化す
る。前記L1は従来のパワー半導体装置のモールド部縁
と取付孔との間隔である。したがって、この実施例では
パワー半導体装置の寸法を従来と同じに保ちつつ取付基
板への取付時のモールド部とヘッダとの剥離を防止でき
る。
また、この実施例ではモールド部19を従来のパワー半
導体装置のモールド部よりも取付孔間に深く延在させて
いるため、半導体素子15の周縁と最も近いモールド部
周縁との距離12は従来構造の距離1.よりも長くなっ
ている。このため、ヘッダ11とモールド部19との境
界を伝わって半導体素子15に達する水分の侵入路が長
くなり、耐湿性の向上が図れる。
導体装置のモールド部よりも取付孔間に深く延在させて
いるため、半導体素子15の周縁と最も近いモールド部
周縁との距離12は従来構造の距離1.よりも長くなっ
ている。このため、ヘッダ11とモールド部19との境
界を伝わって半導体素子15に達する水分の侵入路が長
くなり、耐湿性の向上が図れる。
また、この実施例では、ヘッダ11に補強孔13.14
を設けであるのでこれらの補強孔13゜14内にレシン
が入り込み、モールド部19とへラグ11との密着性(
接着性)を高めることができ、両者の界面からの水分の
侵入を防止することができる。
を設けであるのでこれらの補強孔13゜14内にレシン
が入り込み、モールド部19とへラグ11との密着性(
接着性)を高めることができ、両者の界面からの水分の
侵入を防止することができる。
ところで、1対の取付孔がヘッダに存在し、そ、・シて
そのヘッダ主面において取付孔を露出するように山形形
状をなすモールド部をもった半導体装置が実開昭49−
141054号公報によって開示されている。しかしな
がら、かかる公報に開示の半導体装置における山の頂上
はへ・ノブの上部端にまで延在している。すなわち、1
対の取付孔の中心線を結ぶ線上よりも上に延在している
。このため、取付基板が反っていたりするとねじ締め付
は時に山の頂上のほぼ中央部に大きなストレスが加わり
(中心線を結ぶ線上に最も大きなストレスが加わる。)
、そこからリード方向に向ってクラックが生じるという
問題がある。
そのヘッダ主面において取付孔を露出するように山形形
状をなすモールド部をもった半導体装置が実開昭49−
141054号公報によって開示されている。しかしな
がら、かかる公報に開示の半導体装置における山の頂上
はへ・ノブの上部端にまで延在している。すなわち、1
対の取付孔の中心線を結ぶ線上よりも上に延在している
。このため、取付基板が反っていたりするとねじ締め付
は時に山の頂上のほぼ中央部に大きなストレスが加わり
(中心線を結ぶ線上に最も大きなストレスが加わる。)
、そこからリード方向に向ってクラックが生じるという
問題がある。
しかしながら、本発明によれば、第1図に示すように頂
上に対応する中央部上縁19aは1対の取付孔12の中
心線を結末線X上よりも上に延在させないようにしてい
るため、ねじ締め付は時にその中央部上!19aには天
外なストレスが加わることがない。したがって、中央部
上縁19aでのクラックらさけられる。
上に対応する中央部上縁19aは1対の取付孔12の中
心線を結末線X上よりも上に延在させないようにしてい
るため、ねじ締め付は時にその中央部上!19aには天
外なストレスが加わることがない。したがって、中央部
上縁19aでのクラックらさけられる。
このように本発明によれば、上記公報に開示さKた半導
体装置に比べて優れた効果を奏するものである。
体装置に比べて優れた効果を奏するものである。
以上のように、本発明のレジンモールド型パワー半導体
装置によれば、取付基板かある程度反っていでも、取付
時にヘッダとモールド部との剥離は生じないことから、
耐湿性や信頼性を低下させることはない。
装置によれば、取付基板かある程度反っていでも、取付
時にヘッダとモールド部との剥離は生じないことから、
耐湿性や信頼性を低下させることはない。
また、本発明によれば、ヘッダ上のモールド部の形状を
山形形状としたことか呟パワー半導体装置の小型化を図
ることができる等の効果を奏する。
山形形状としたことか呟パワー半導体装置の小型化を図
ることができる等の効果を奏する。
第1図は本発明のパワー半導体装置の一実施例による平
面図、第2図は本発明のパワー半導体装置の実装状態を
示す斜視図、第3図は従来のパワー半導体装置の斜視図
、第4図は取付基板に取り付ける際の従来のパワー半導
体装置における欠点を説明する説明図である。 1・・・ヘッダ、2・・・半導体素子、3・・・リード
、4・・・ワイヤ、5・・・モールド部、6・・・取付
孔、7・・・取付基板、8・・・座金、9・・・ねじ、
10・・・クラック、11・゛・・ヘッダ、12・・・
取付孔、13.14・・・補強孔、15・・・半導体素
子、16・・・ワイヤ、17・・・リード、18・・・
外部リード、19・・・モールド部。
面図、第2図は本発明のパワー半導体装置の実装状態を
示す斜視図、第3図は従来のパワー半導体装置の斜視図
、第4図は取付基板に取り付ける際の従来のパワー半導
体装置における欠点を説明する説明図である。 1・・・ヘッダ、2・・・半導体素子、3・・・リード
、4・・・ワイヤ、5・・・モールド部、6・・・取付
孔、7・・・取付基板、8・・・座金、9・・・ねじ、
10・・・クラック、11・゛・・ヘッダ、12・・・
取付孔、13.14・・・補強孔、15・・・半導体素
子、16・・・ワイヤ、17・・・リード、18・・・
外部リード、19・・・モールド部。
Claims (1)
- ヘッダーに部分的に形成されるレジンモールド部の形状
を平面から見て山形形状となし、山の頂上近傍のヘッダ
ーの一部に一対の取付孔が設けられ、山の頂上とは反対
側方向より複数のリードが導出されているレジンモール
ド型パワー電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206422A JPS6169155A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | レジンモールド型パワー電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60206422A JPS6169155A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | レジンモールド型パワー電子装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15292677A Division JPS5486278A (en) | 1977-12-21 | 1977-12-21 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6169155A true JPS6169155A (ja) | 1986-04-09 |
Family
ID=16523111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60206422A Pending JPS6169155A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | レジンモールド型パワー電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6169155A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320232U (ja) * | 1976-07-28 | 1978-02-21 |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP60206422A patent/JPS6169155A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320232U (ja) * | 1976-07-28 | 1978-02-21 |
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