JPS6169964A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS6169964A JPS6169964A JP59192805A JP19280584A JPS6169964A JP S6169964 A JPS6169964 A JP S6169964A JP 59192805 A JP59192805 A JP 59192805A JP 19280584 A JP19280584 A JP 19280584A JP S6169964 A JPS6169964 A JP S6169964A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnetic field
- sputtering
- magnet
- sputtering device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、各種ターゲットのスパッタ、特に強磁性体の
ターゲットのスパッタに有効に用いることができるマグ
ネトロンスパッタ装置に関するものである。
ターゲットのスパッタに有効に用いることができるマグ
ネトロンスパッタ装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、スパッタ法は、半導体分野にとどまらず、薄膜作
成の方法として様々な分野に用いられている。マグネト
ロンスパッタは、スパッタ速度が大きいため量産性に優
れており、薄膜の製造の主流をなしている。
成の方法として様々な分野に用いられている。マグネト
ロンスパッタは、スパッタ速度が大きいため量産性に優
れており、薄膜の製造の主流をなしている。
第1図は、従来のマグネトロ/スパッタ装置の一構成模
式図である。スパッタを行なう真空室1は、油回転ポン
プ礼油拡散ポンプ3を中心とした真空系で真空に引かれ
る。その方法は、荒引きパルプeを開いて油回転ポンプ
2による荒引きと、メインパルプ8を開いて油拡散ポン
プ3による本引きにより、1O−6Torr以下まで排
気する。荒引きの時以外は、油拡散ポンプ3の中は、補
助バルブ7を通して油回転ポンプ2により排気されてい
る。真空室1の入口近くに液体窒素トラップ4をつけ、
残留主成分の水に対する排気速度を大きくし、到達圧力
を下げるようにしている。また圧力は、真空計5により
検知する。こうして排気された真空室1の中に、バリア
プルリークパルプ9を通して、Ar ガスを導入する。
式図である。スパッタを行なう真空室1は、油回転ポン
プ礼油拡散ポンプ3を中心とした真空系で真空に引かれ
る。その方法は、荒引きパルプeを開いて油回転ポンプ
2による荒引きと、メインパルプ8を開いて油拡散ポン
プ3による本引きにより、1O−6Torr以下まで排
気する。荒引きの時以外は、油拡散ポンプ3の中は、補
助バルブ7を通して油回転ポンプ2により排気されてい
る。真空室1の入口近くに液体窒素トラップ4をつけ、
残留主成分の水に対する排気速度を大きくし、到達圧力
を下げるようにしている。また圧力は、真空計5により
検知する。こうして排気された真空室1の中に、バリア
プルリークパルプ9を通して、Ar ガスを導入する。
所定のスパッタ圧に調整後、高周波電源1Qを用いてプ
ラズマ16を発生させる。高周波電極11には冷却水管
12により水冷されたターゲット13が取り付けられて
いる。さらに、磁石14がターゲット13の裏側に位置
され、発生する磁界16によりプラズマ16の密度が高
められる。プラズマ16中のアルゴンイオン17により
ターゲット13はスパツクされ、ターゲット粒子18は
、基板ホルダー19に取り付けられ冷却水管2oにより
水冷された基板21に付着する。上記の方法がマグネト
ロンスパッタの一例であり、その利点はターゲット近傍
に高密度のプラズマを作ることによってスパッタ速度が
大きくなるということである。
ラズマ16を発生させる。高周波電極11には冷却水管
12により水冷されたターゲット13が取り付けられて
いる。さらに、磁石14がターゲット13の裏側に位置
され、発生する磁界16によりプラズマ16の密度が高
められる。プラズマ16中のアルゴンイオン17により
ターゲット13はスパツクされ、ターゲット粒子18は
、基板ホルダー19に取り付けられ冷却水管2oにより
水冷された基板21に付着する。上記の方法がマグネト
ロンスパッタの一例であり、その利点はターゲット近傍
に高密度のプラズマを作ることによってスパッタ速度が
大きくなるということである。
しかしながら、上記のような構成において、磁界の強い
部分にターゲットに偏った減りが見られる。第2図はタ
ーゲットが5102のような非磁性体の場合の減り方を
示している。非磁性のターゲット13の場合、その透磁
率は空気と変わらず、磁石24の作る磁界23は、空気
中に発生する磁界とほとんど同じである。ターゲット1
3は、磁界影響が大きな場所から減ってゆき、第2図の
ごとくドーナツ状に偏って減る。第3図はターゲットが
Coのような強磁性体の場合の減り方を示している。強
磁性のターゲット13の場合、磁石14の作る磁界26
は、透磁率の大きいターゲット13の中を通る方が多く
ターゲット13の表面にもれる磁界26は一部分となる
。したがって、強磁性体のターゲットの場合には、図3
のごとく偏った減りが激しい。このように、従来のマグ
ネトロンスパッタでは、偏った減りをするためにターゲ
ットの寿命が非常に短くなるという問題点がある。
部分にターゲットに偏った減りが見られる。第2図はタ
ーゲットが5102のような非磁性体の場合の減り方を
示している。非磁性のターゲット13の場合、その透磁
率は空気と変わらず、磁石24の作る磁界23は、空気
中に発生する磁界とほとんど同じである。ターゲット1
3は、磁界影響が大きな場所から減ってゆき、第2図の
ごとくドーナツ状に偏って減る。第3図はターゲットが
Coのような強磁性体の場合の減り方を示している。強
磁性のターゲット13の場合、磁石14の作る磁界26
は、透磁率の大きいターゲット13の中を通る方が多く
ターゲット13の表面にもれる磁界26は一部分となる
。したがって、強磁性体のターゲットの場合には、図3
のごとく偏った減りが激しい。このように、従来のマグ
ネトロンスパッタでは、偏った減りをするためにターゲ
ットの寿命が非常に短くなるという問題点がある。
発明の目的
本発明の目的は、ターゲットの寿命を延ばすことを可能
とするマグネトロンスパッタ装置を提供することである
。
とするマグネトロンスパッタ装置を提供することである
。
発明の構成
本発明のマグネトロンスパッタ装置は、ターゲットの磁
界を移動させるように構成したものであり、これよりタ
ーゲットの偏った減りをなくし、ターゲットの寿命をの
ばすこととなる。
界を移動させるように構成したものであり、これよりタ
ーゲットの偏った減りをなくし、ターゲットの寿命をの
ばすこととなる。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について説明する。
第1図に示したスパッタ装置と異なる点は、ターゲット
13の裏側に位置した磁石14を改造しねじ孔を切り、
このねじ孔に横送りねじ軸28を通し、その一端にギア
29を取り付け、さらにステップモータ30と前記ギア
29を連結させた点にある。上記のごとく構成されたタ
ーゲット13の裏側部分では、次の動作をすることとな
る。ステップモータ3oがある一定の回転角を往復運動
することによってギア29によってステップモータ3o
と連結された横送りねじ軸28も一定の回転角を往復す
る。横送りねじ軸28を通した磁石14も同様に一定の
距離だけスライドされ往復運動する。磁石14の移動に
より、磁界15も移動することとなり、ターゲット13
近傍のプラズマ16の密度の濃い場所も移動する。よっ
て、スパッタされる割合は一様化され、ターゲット13
の偏った減りもなくなり寿命も増大することとなる。
13の裏側に位置した磁石14を改造しねじ孔を切り、
このねじ孔に横送りねじ軸28を通し、その一端にギア
29を取り付け、さらにステップモータ30と前記ギア
29を連結させた点にある。上記のごとく構成されたタ
ーゲット13の裏側部分では、次の動作をすることとな
る。ステップモータ3oがある一定の回転角を往復運動
することによってギア29によってステップモータ3o
と連結された横送りねじ軸28も一定の回転角を往復す
る。横送りねじ軸28を通した磁石14も同様に一定の
距離だけスライドされ往復運動する。磁石14の移動に
より、磁界15も移動することとなり、ターゲット13
近傍のプラズマ16の密度の濃い場所も移動する。よっ
て、スパッタされる割合は一様化され、ターゲット13
の偏った減りもなくなり寿命も増大することとなる。
上の実施例では、磁石を横送りすることによって磁界の
移動を実現したが、磁石の移動という機能が満足されれ
ばなんでもよい。例えば、磁石を回転させてもよいし、
磁石のかわりに、コイルにより電気的に磁界を発生させ
、幾種類かのコイルをスイッチによる切り換えによって
磁界の移動を実現させるという方法でもよいわけである
。
移動を実現したが、磁石の移動という機能が満足されれ
ばなんでもよい。例えば、磁石を回転させてもよいし、
磁石のかわりに、コイルにより電気的に磁界を発生させ
、幾種類かのコイルをスイッチによる切り換えによって
磁界の移動を実現させるという方法でもよいわけである
。
発明の効果
以上のような説明から明らかなように、本考案は、ター
ゲット近傍にかかる磁界を移動させるように構成してい
るため、ターゲットの偏った減りがなくなるという効果
が得られる。その効果により、ターゲットの寿命が延び
ることになる。
ゲット近傍にかかる磁界を移動させるように構成してい
るため、ターゲットの偏った減りがなくなるという効果
が得られる。その効果により、ターゲットの寿命が延び
ることになる。
断面図、第3図イ1口は強磁性体ターゲットの平面図お
よび側断面図、第4図は本発明のスパッタ装置の一実施
例の概略構成図である。 1・・・・・・真空室、2・・・・・・油回転ポンプ、
3・・・・・・油拡散ポンプ、10・・・・・・電源、
11・・・・・・高周波電極、13・・・・・・ターゲ
ット、14・・・・・・磁石、19・・・・・・基板ホ
ルダー、21・・・・・・基板、28・・・・・・ねじ
軸、29・・・・・・ギア、3Q・・・・・・ステップ
モータ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図 2
よび側断面図、第4図は本発明のスパッタ装置の一実施
例の概略構成図である。 1・・・・・・真空室、2・・・・・・油回転ポンプ、
3・・・・・・油拡散ポンプ、10・・・・・・電源、
11・・・・・・高周波電極、13・・・・・・ターゲ
ット、14・・・・・・磁石、19・・・・・・基板ホ
ルダー、21・・・・・・基板、28・・・・・・ねじ
軸、29・・・・・・ギア、3Q・・・・・・ステップ
モータ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図 2
Claims (3)
- (1)ターゲット部分に印加する磁界移動を可能とする
ことを特徴としたスパッタ装置。 - (2)前記磁界の移動は、ターゲット近傍に取り付けら
れた磁石を移動することにより生じることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のスパッタ装置。 - (3)前記磁界の移動は、ターゲット近傍に取り付けら
れた複数のコイルを電気的に切りかえることにより生じ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のスパッ
タ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192805A JPS6169964A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192805A JPS6169964A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6169964A true JPS6169964A (ja) | 1986-04-10 |
Family
ID=16297280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59192805A Pending JPS6169964A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6169964A (ja) |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP59192805A patent/JPS6169964A/ja active Pending
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