JPS617639A - 半導体薄膜の分解装置 - Google Patents

半導体薄膜の分解装置

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JPS617639A
JPS617639A JP59128754A JP12875484A JPS617639A JP S617639 A JPS617639 A JP S617639A JP 59128754 A JP59128754 A JP 59128754A JP 12875484 A JP12875484 A JP 12875484A JP S617639 A JPS617639 A JP S617639A
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JP
Japan
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thin film
semiconductor thin
wafer
container
sealed container
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JP59128754A
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English (en)
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Ayako Shimazaki
嶋崎　綾子
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
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    • H—ELECTRICITY
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体薄膜の分解装置に関する。
〔発明の技術的背景〕
半導体基板に形成された半導体薄膜中１？ＪＪａ。
Ｋ、Ｆｅ々どの金属不純物が存在すると、超微量であっ
てもこの半導体基板によって形成される素子の電気特性
を著−く劣化させることになる。従って、素子特性を向
上させるためには、金属不純物等の不純物の濃度を可能
な限り低くする必要がある。このため、半導体薄膜中の
このような微量不純物の濃度を正確に測定することが重
要になる。この念め、従来半導体薄膜の分解装置を用い
て半導体薄膜中の微量不純物の測定が行われている。す
なわち、酸化炉等の熱処理装置や半導体薄膜形成装置を
用いて、半導体基板（以下、ウェハと記す。）に酸化膜
からなる半導体薄膜を形成する０次いで、このウェハを
密閉容器内に収容し、半導体薄膜に超高純度の弗化水素
酸の蒸気を接触させて半導体薄膜を分解させる。得られ
た分解液を回収してフレームレス原子吸光装置によシ、
微量不純物の定量・定性分析を行っている。
〔背景技術の問題点〕
しかしながら、熱処理装置や半導体薄膜形成装置で半導
体薄膜を形成する際ウェハを汚染し易く、又、ウェハを
密閉容器内に出入れする際にウェハ及び密閉容器内を汚
染し易い。その結果、分析精度が低下し、ウェハ中の微
量不純物の濃度を正確に把握できない問題があった。
〔発明の目的〕
本発明は、薄膜形成と薄膜分解とを同一の密閉容器内で
同時に行えるようにして、薄膜の形成時や薄膜を形成し
たウェハの移し替え時に汚染が起きるのを阻止し、分析
精度の向上を達成した半導体薄膜の分解装置を提供する
ことをその目的とするものである□ 〔発明の概要〕 本発明け、密閉容器内でウェハにレーザ光を照射して薄
膜を形成すると共に、密閉容器内に設は次作用液の蒸気
によりこの薄膜を分解させるようにしたことによシ、薄
膜形成と薄膜分解とを同一の密閉容器内で同時に行える
ようにして、薄膜の形成時や薄膜を形成したウェハの移
し替え時に汚染が起きるのを阻止し、分析精度の向上を
達成した半導体薄膜の分解装置である。
〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図は、本発明の一実施例の概略構ａ：を示す説明図
である。図中２０は、上部を開・口した容器本体２１と
、この開口部を塞ぐように着脱自在に設けられた蓋体２
２とからなる密閉容器である。密閉容器２０内には、ウ
ェハ２３を保持するウェハ保持台２４が設置されている
０ウ工ハ保持台２４には、ウェハ２３の直下に位置する
ようにして分解液受容器２５が取付けられている。密閉
容器２０の正面及び裏面側の壁部には、例えばす７アイ
ヤのような後述する作用液２７に不溶な透明部材からな
る窓２８が形成されている。密閉容器２０の外部には、
この窓２８に対応して設置された集束レンズ２９を介し
て所定間隔でレーザ発振器３ｏが設置されている０また
、密閉容器２０内には、超高純度の弗化水素酸からなる
作用液２７を満した作用液収容容器３ノが設置されてい
る。密閉容器２゜の両側壁部には、酸素ガス供給口３２
及び酸素ガス排気口３３２５に形成されている。なお、
レーザ発振器３０は、希ガスエキシマ−（励起錯合体）
レーザ、または、希ガスハライドのへテロエキシマ−レ
ーザを発振するようになっている〇このように構成され
た半導体薄膜の分解装置４０によれば、予め酸素供給口
３２から密閉容器２０内−に高純度の酸素を導入し、酸
素ガス排気口３３からこれを放出して密閉容器２ｏ内を
高純度酸素雰囲気に設定する。ここで、酸素ガスと塩素
ガスを密閉容器？０内に導入し、これを酸素ガス排気口
３３から放出して、密閉容器２０内を酸素と塩素の混合
ガス雰囲気に設定しても良い。次いで、半導体薄膜２６
の形成されていないウェハ２３をウェハ保持台２４に保
持させ、密閉容器２ｏ内に作用液２７を満した作用液収
容容器３ノを設置し、蓋体２２を閉じる。
次いで、レーザ発振器３ｏからレーザ３４を発振させ、
集束レンズ２９で集束した稜、窓２８を透過してウェハ
２３の表裏面に照射する。このレーザ照射を受けてウェ
ハ２３の表面に酸化膜からなる半導体薄膜２６が形成さ
れる。一方、密閉容器２０内には、作用液２７の蒸気が
充満しておシ、この蒸気が半導体薄膜２６に接触してこ
れを分解させる。生じた分解液はウェハ２３の表面を伝
って落下し、分解液受容器２５に収容される。このよう
にして得た分解液をマイクロピペットで回収し、攪拌し
て計量した彼、直接フレームレス原子吸光分析装置にか
けて半導体薄膜２６中の微量不純物の量を測定する。
このようにこの半導体薄膜の分解装置４ｏによれば、密
閉容器２０内でレーザ照射によってウェハ２３の表面の
所定領域に半導体薄膜２６を形成し、かつ、同時に同じ
密閉容器２ｏ内でこの半導体薄膜２６を作用液２７で分
解し、得られた分解液により半導体薄膜２６中の微量不
純物の量を測定することができる。つまり、牛導体ｉ！
ｆ膜２６の形成時に汚染が起きるのを阻止できると共に
、密閉容器２ｏ内にウェハ２３を収容してから、半導体
薄膜２６の形成を行うので、ウェハ２３の挿入の際に半
導体薄膜２６を汚染することはあ９得ない。その結果、
極めて高い精度で微量不純物の量を測定することができ
る。
なお、本発明の他の実施例として第２図に示す如く、集
束レンズ２９と窓２８との間に反射板４１を設け、この
反射板４１の設置角度を調節してウェハ２３の表裏面の
全域に半導体薄膜２６を容易に形成できるようにしたも
のとしても良い。
更に、密閉容器２０内に供給する酸素ガスは、所定の塩
素ガスと共に混合して供給するようにしても良い。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係る＃８祷体薄膜の分解装
置によれば、薄膜形成と薄膜分解とを同一の密閉容器内
で同時に行えるようにして、薄膜の形成時や薄膜を形成
したウェハの移し替え時に汚染が起きるのを阻止し、分
析精度を向上させることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の概略構成を示す説明図、第２図は、
本発明の他の実施例の概略構成を示す説明図である。 ２０・・・鴨閉容器、２Ｉ・・・容器本体、２２・・・
蓋体、２３・・・ウェハ、２４・・・ウェハ保持台、２
５・・・分解液受容器、２６・・・半導体薄膜、２７・
・・作用液、２８・・・恣、２ｇ・・・集束レンズ、３
０・・・レーザ発振器、３１・・・作用液収容容器、３
２・・・陪ガス供給口、３３・・・酸素ガス排気口、３
４・・・レーザ、ｎｏ−＝半導体薄膜の分解装置、４ノ
・・・反射板、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハを保持するウェハ保持具を収容した密閉容器と、
    前記ウェハの直下に位置するようにして該密閉容器内に
    収容された分解液受容器と、該密閉容器内に収容された
    作用液収容容器と、前記ウェハの表裏面に対向して前記
    密閉容器の壁部に取付けられ、前記作用液収容容器内の
    作用液に対して不溶性の透明部材からなる窓と、該窓に
    対応する前記密閉容器の外部に設けられたレーザ発振器
    とを具備することを特徴とする半導体薄膜の分解装置。
JP59128754A 1984-06-22 1984-06-22 半導体薄膜の分解装置 Pending JPS617639A (ja)

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JP59128754A JPS617639A (ja) 1984-06-22 1984-06-22 半導体薄膜の分解装置
DE19853516973 DE3516973A1 (de) 1984-06-22 1985-05-10 Verfahren und vorrichtung zum aufloesen eines filmes an einem halbleitersubstrat
US06/732,618 US4634497A (en) 1984-06-22 1985-05-10 Method and apparatus for decomposing semiconductor thin film

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US4634497A (en) 1987-01-06
DE3516973A1 (de) 1986-01-02

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