JPS61119042A - 半導体基板中の不純物を分析する為の試料を作成する装置 - Google Patents
半導体基板中の不純物を分析する為の試料を作成する装置Info
- Publication number
- JPS61119042A JPS61119042A JP59241314A JP24131484A JPS61119042A JP S61119042 A JPS61119042 A JP S61119042A JP 59241314 A JP59241314 A JP 59241314A JP 24131484 A JP24131484 A JP 24131484A JP S61119042 A JPS61119042 A JP S61119042A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- container
- hydrofluoric acid
- decomposed
- oxide film
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体薄膜の分解装置：：関する。
半導体基板上に形成した半導体薄膜中に。
Ｎａ、に、Ｆｅ等の金属不純物が存在すると、その量が
超微量であっても素子の電気的特性に悪影響を及ぼす。
超微量であっても素子の電気的特性に悪影響を及ぼす。
従りて、特性の優れた素子を得るためにはこれらの不純
物の量をできるだけ少なくする必要があり、半導体基板
中の不純物の轍を正確に測定することが重要である。従
来は、熱処理装置や半導体薄膜形成装置によって半導体
基板上に酸化膜を形成し、この酸化膜を密閉容器内の超
高純度の弗化水素酸の蒸気に１１ａして分解し、得られ
た分解液をフレームレス原子吸光装置にかけて不純物の
量を測定していた。
物の量をできるだけ少なくする必要があり、半導体基板
中の不純物の轍を正確に測定することが重要である。従
来は、熱処理装置や半導体薄膜形成装置によって半導体
基板上に酸化膜を形成し、この酸化膜を密閉容器内の超
高純度の弗化水素酸の蒸気に１１ａして分解し、得られ
た分解液をフレームレス原子吸光装置にかけて不純物の
量を測定していた。
このような手段によるものでは、半導体基板上に酸化膜
を形成する際に酸化炉等の熱処理装置や半導体薄膜形成
装置内の雰囲気ガス等からの汚染を受は易い。また、半
導体基板の移し替え作業等の際にも汚染を受は易い。こ
のため。
を形成する際に酸化炉等の熱処理装置や半導体薄膜形成
装置内の雰囲気ガス等からの汚染を受は易い。また、半
導体基板の移し替え作業等の際にも汚染を受は易い。こ
のため。
分析精度が低く、半導体基板中の不純物のｔを正確に測
定できない問題があった。
定できない問題があった。
本発明は、半導体基板中の不純物の量を極めて正確に測
定することができる半導体薄膜の分解装置を提供するこ
とをその目的とするものである。
定することができる半導体薄膜の分解装置を提供するこ
とをその目的とするものである。
本発明は、密閉容器内でレーザ光の照射により半導体基
板上に酸化膜を形成し、同容器内に設けた超高純度の弗
化水素酸の蒸気により酸化膜を分解して不純物の量を測
定するようｉ二したことにより、半導体基板中の不純物
の量を極めて正確に測定することができる半導体薄膜の
分解装置である。
板上に酸化膜を形成し、同容器内に設けた超高純度の弗
化水素酸の蒸気により酸化膜を分解して不純物の量を測
定するようｉ二したことにより、半導体基板中の不純物
の量を極めて正確に測定することができる半導体薄膜の
分解装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は１本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中１は、密閉容器である。密閉容器１の一壁
部には、弗化水素に対して不溶性の透光性部材である例
えばナフアイヤからなる窓２が設けられている。窓２に
対向する内壁面には、半導体基板３の固定部４が形成さ
れている。固定部４は、第２図（二示す如く１円柱状の
加熱ヒータ５の内部にこれと同志円状に形成した真空チ
ャック部６とで構成されている。固定部４の外周面Ｃ二
は、テフロン層７が形成されている。密閉容器１の床部
には、弗化水素酸８の収容容器９が設けられている。
。第１図は１本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中１は、密閉容器である。密閉容器１の一壁
部には、弗化水素に対して不溶性の透光性部材である例
えばナフアイヤからなる窓２が設けられている。窓２に
対向する内壁面には、半導体基板３の固定部４が形成さ
れている。固定部４は、第２図（二示す如く１円柱状の
加熱ヒータ５の内部にこれと同志円状に形成した真空チ
ャック部６とで構成されている。固定部４の外周面Ｃ二
は、テフロン層７が形成されている。密閉容器１の床部
には、弗化水素酸８の収容容器９が設けられている。
また、床部には、固定部４に固着された半導体基板３の
直下に位置するよう（ニジて分解液受皿１０が設けられ
ている。密閉容器１の下部には雰囲気ガスの供給０１１
が形成され、上部１：は雰囲気ガスの排出口１２が形成
されている。また、密閉容器１の上部は、半導体基板３
の出入れのためＣ：開口しており、開口部は蓋体１３に
より塞ぐようになっている。密閉容器１の外部には、レ
ーデ発振器１４から発振されたレーザ光を窓２を介して
半導体基板３に照射するように反射板１５と集束レンズ
１６が設けられている。レーザ発振器１４は、例えばキ
セノン−塩素レーザで構成されている。
直下に位置するよう（ニジて分解液受皿１０が設けられ
ている。密閉容器１の下部には雰囲気ガスの供給０１１
が形成され、上部１：は雰囲気ガスの排出口１２が形成
されている。また、密閉容器１の上部は、半導体基板３
の出入れのためＣ：開口しており、開口部は蓋体１３に
より塞ぐようになっている。密閉容器１の外部には、レ
ーデ発振器１４から発振されたレーザ光を窓２を介して
半導体基板３に照射するように反射板１５と集束レンズ
１６が設けられている。レーザ発振器１４は、例えばキ
セノン−塩素レーザで構成されている。
而して、このように構成された半導体薄膜の分解装置２
０によれば、先ず、供給口１〕から高純間の酸素ガスと
塩素ガスとを密閉容器１内に供給し、排出口１２からこ
れを排気しながら所定の雰囲気に設定する。次いで、蓋
体１３を開けて半導体基板３を固定部４に吸着固定する
。
０によれば、先ず、供給口１〕から高純間の酸素ガスと
塩素ガスとを密閉容器１内に供給し、排出口１２からこ
れを排気しながら所定の雰囲気に設定する。次いで、蓋
体１３を開けて半導体基板３を固定部４に吸着固定する
。
次いで、４−導体基板３を加熱ヒータ５で約２５０℃に
加熱すると共に、半導体基板３の直下に分解液受皿１０
を設置し、収容容器９内に超高純度の弗化水素酸８を満
して開口部を蓋体Ｊ３で塞ぐ。次に、レーザ発振器１４
から発振したレーザ光を集束レンズ１６で集束して反射
板Ｊ５に供給し、反射板１５で反射したレーザ光を窓２
を透過して半導体基板３上に照射する。次いで、反射板
ノ５の傾き状態を調節してレーザ光を走食し、半導体基
板３の所定領域（二酸化膜を形成する。酸化膜は、弗化
水素酸８の蒸気によって分解され、分解液は半導体基板
３の表面をったつて降下し、分解液受皿１０に回収され
る。
加熱すると共に、半導体基板３の直下に分解液受皿１０
を設置し、収容容器９内に超高純度の弗化水素酸８を満
して開口部を蓋体Ｊ３で塞ぐ。次に、レーザ発振器１４
から発振したレーザ光を集束レンズ１６で集束して反射
板Ｊ５に供給し、反射板１５で反射したレーザ光を窓２
を透過して半導体基板３上に照射する。次いで、反射板
ノ５の傾き状態を調節してレーザ光を走食し、半導体基
板３の所定領域（二酸化膜を形成する。酸化膜は、弗化
水素酸８の蒸気によって分解され、分解液は半導体基板
３の表面をったつて降下し、分解液受皿１０に回収され
る。
このようにして得られた分解液をマイクロピペットで採
取し、攪拌、計量した後直接フレームレス原子吸光分析
装置にかけて不純物の量を分析する。
取し、攪拌、計量した後直接フレームレス原子吸光分析
装置にかけて不純物の量を分析する。
このよう：ユこの半導体薄膜の分解装置２０によれば、
同じ密閉された容器内で酸化膜の形成と分解を行うこと
ができる。このため従来のように酸化膜の形成時や移し
替え時に汚染が起きるようなことはない。その結果、半
導体基板３中の不純物はその指で酸化膜中にも現われる
ので、分析精度を著しく向上させることができる。
同じ密閉された容器内で酸化膜の形成と分解を行うこと
ができる。このため従来のように酸化膜の形成時や移し
替え時に汚染が起きるようなことはない。その結果、半
導体基板３中の不純物はその指で酸化膜中にも現われる
ので、分析精度を著しく向上させることができる。
以上説明した如く本発明に係る半導体薄膜の分解装置に
よれば、半導体基板中の不純物の量を極めて正確に測定
できるものである、
よれば、半導体基板中の不純物の量を極めて正確に測定
できるものである、
【図面の簡単な説明】
第１°図は１本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
、第２図は同実施例ζ二で使用したヒータの縦断面図で
ある。 １・・・密閉容器、２・・・窓、３・・・半導体基・反
、４・・・固定部、５・・・加熱ヒータ、６・・・真空
チャック。 ７・・・テフロンｆ、ｇ・・・弗化水素酸、９・・・収
容容器、１０・・・分解液受皿、１ノ・・・雰囲気ガス
の供給口、１２・・・排出口、１３・・・蓋体、１４川
レ一ザ発振器、１５・・・反射板、１６・・・集束レン
ズ。 ２０・・・半導体薄膜の分解装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Ｏ 第２図
、第２図は同実施例ζ二で使用したヒータの縦断面図で
ある。 １・・・密閉容器、２・・・窓、３・・・半導体基・反
、４・・・固定部、５・・・加熱ヒータ、６・・・真空
チャック。 ７・・・テフロンｆ、ｇ・・・弗化水素酸、９・・・収
容容器、１０・・・分解液受皿、１ノ・・・雰囲気ガス
の供給口、１２・・・排出口、１３・・・蓋体、１４川
レ一ザ発振器、１５・・・反射板、１６・・・集束レン
ズ。 ２０・・・半導体薄膜の分解装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Ｏ 第２図
Claims (1)
- 弗化水素酸に対して不溶性の透光性部材からなる窓と雰
囲気ガスの供給口及び排出口を有する密閉容器と、該密
閉容器に設けられた半導体基板の出入口と、前記窓に対
向して半導体基板を固定するように前記密閉容器内に設
けられた固定部と、該固定部に固定された前記半導体基
板の直下に設けられた分解液受皿と、前記密閉容器内に
設置された弗化水素酸の収容容器と、前記密閉容器の外
部に設けられ、集束レンズ、反射板、前記窓を順次介し
て前記半導体基板にレーザ光を照射するレーザ発振器と
を具備することを特徴とする半導体薄膜の分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59241314A JPS61119042A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体基板中の不純物を分析する為の試料を作成する装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59241314A JPS61119042A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体基板中の不純物を分析する為の試料を作成する装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119042A true JPS61119042A (ja) | 1986-06-06 |
| JPH0544830B2 JPH0544830B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=17072446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59241314A Granted JPS61119042A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体基板中の不純物を分析する為の試料を作成する装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61119042A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49111585A (ja) * | 1973-02-23 | 1974-10-24 | ||
| JPS5979529A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-08 | Fujitsu Ltd | 半導体のエツチング方法 |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP59241314A patent/JPS61119042A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49111585A (ja) * | 1973-02-23 | 1974-10-24 | ||
| JPS5979529A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-08 | Fujitsu Ltd | 半導体のエツチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544830B2 (ja) | 1993-07-07 |
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