JPS6211129A - 半導体薄膜の形成・分解装置 - Google Patents
半導体薄膜の形成・分解装置Info
- Publication number
- JPS6211129A JPS6211129A JP14976285A JP14976285A JPS6211129A JP S6211129 A JPS6211129 A JP S6211129A JP 14976285 A JP14976285 A JP 14976285A JP 14976285 A JP14976285 A JP 14976285A JP S6211129 A JPS6211129 A JP S6211129A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- gas
- semiconductor thin
- decomposition
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体基板表面に半導体薄膜を形成し、形成さ
れた半導体薄膜を分解して所定の分析を行うために用い
る半導体薄膜の形成・分解装置に関する。
れた半導体薄膜を分解して所定の分析を行うために用い
る半導体薄膜の形成・分解装置に関する。
半導体基板表面に形成された半導体薄膜中にＮａ５Ｋ、
Ｆｅなとの金属不純物が存在すると、たとえそれが超微
量であっても、半導体基板やこの半導体薄膜中に形成さ
れる素子の電気的特性に大きな影響をおよぼす。このた
め、素子の特性を高めるため、これらの不純物の含有量
をできるだけ低く押える必要がある。そこで、半導体単
結晶基板中の不純物量を正確に測定することが用東とな
る。
Ｆｅなとの金属不純物が存在すると、たとえそれが超微
量であっても、半導体基板やこの半導体薄膜中に形成さ
れる素子の電気的特性に大きな影響をおよぼす。このた
め、素子の特性を高めるため、これらの不純物の含有量
をできるだけ低く押える必要がある。そこで、半導体単
結晶基板中の不純物量を正確に測定することが用東とな
る。
従来の測定は次のようにしてなされていた。まず半導体
基板上に酸化炉等の熱処理装置や半導体薄膜形成装置を
用いて酸化膜を形成したのち、この半導体基板を密閉容
器内で超高純度の弗化水素酸の蒸気に当てて酸化膜を形
成する。そして酸化膜を分解し、その分解液をフレーム
レス原子吸光装置にかけて不純物量を測定するものであ
った。
基板上に酸化炉等の熱処理装置や半導体薄膜形成装置を
用いて酸化膜を形成したのち、この半導体基板を密閉容
器内で超高純度の弗化水素酸の蒸気に当てて酸化膜を形
成する。そして酸化膜を分解し、その分解液をフレーム
レス原子吸光装置にかけて不純物量を測定するものであ
った。
（背景技術の問題点〕
しかしこのような従来の方法では、半導体基板上に酸化
膜を形成する際、酸化炉等の前処ｌ！ｌ＋装置または半
導体薄膜形成装冑内での雰囲気等からの汚染を受は易い
。ざらに、基板の移しかえ作業時にも汚染される恐れが
ある。従って、全体として分析精度が低下し、半導体単
結晶基板中の不純物量を正確に測定することが困難であ
った。
膜を形成する際、酸化炉等の前処ｌ！ｌ＋装置または半
導体薄膜形成装冑内での雰囲気等からの汚染を受は易い
。ざらに、基板の移しかえ作業時にも汚染される恐れが
ある。従って、全体として分析精度が低下し、半導体単
結晶基板中の不純物量を正確に測定することが困難であ
った。
本発明は上記の欠点を除去するためになされたちので、
半導体薄膜形成時に外部からの汚染を無くし、分析精度
の向上を計ることのできる半導体薄膜の形成・分解装置
を提供することを目的とする。
半導体薄膜形成時に外部からの汚染を無くし、分析精度
の向上を計ることのできる半導体薄膜の形成・分解装置
を提供することを目的とする。
（発明の概要）
上記の目的を達成するため本発明ｔよ、成用ね透過材料
からなる第１および第２の窓を有する密閉容器と、この
密閉容器内に配置される半導体基板の表面に形成された
半導体薄膜を分解した際に生じる分解液を回収する回収
手段と、密ｒＪ１容器の外側から第１の窓を介して半導
体基板の一方の面に赤外線等の第１の放射線を照射して
加熱づ゛る第１のｔＩｉ射線源と、半導体薄膜を形成す
るための雰囲気ガスを密閉容器内に供給する雰囲気ガス
供給手段と、窓閉容器の外側から第２の窓を介して半導
体基板の他方の面に紫外線の如くエネルギーの高い第２
の放射線を照射しこの面に半導体薄膜゛を形成づる第２
の放射線源と、半導体薄膜を分解Ｊるための分解ガス（
例えば弗化水素酸）を密閉容器内に供給する分解ガス供
給手段とを備える半導体薄膜の形成・分Ｖｉｌ装置を提
供するものである。
からなる第１および第２の窓を有する密閉容器と、この
密閉容器内に配置される半導体基板の表面に形成された
半導体薄膜を分解した際に生じる分解液を回収する回収
手段と、密ｒＪ１容器の外側から第１の窓を介して半導
体基板の一方の面に赤外線等の第１の放射線を照射して
加熱づ゛る第１のｔＩｉ射線源と、半導体薄膜を形成す
るための雰囲気ガスを密閉容器内に供給する雰囲気ガス
供給手段と、窓閉容器の外側から第２の窓を介して半導
体基板の他方の面に紫外線の如くエネルギーの高い第２
の放射線を照射しこの面に半導体薄膜゛を形成づる第２
の放射線源と、半導体薄膜を分解Ｊるための分解ガス（
例えば弗化水素酸）を密閉容器内に供給する分解ガス供
給手段とを備える半導体薄膜の形成・分Ｖｉｌ装置を提
供するものである。
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図は一実施例を示した概略構成図である。サフアイヤ等
の耐酸性の材質で、しかも紫外線や赤外線等の放射線を
透過することのできる材料でできた窓１ａ、１ｂと、高
純度酸素ガスＪ３よび高純度塩素ガスを供給および排気
するための供給口２ａ。
の耐酸性の材質で、しかも紫外線や赤外線等の放射線を
透過することのできる材料でできた窓１ａ、１ｂと、高
純度酸素ガスＪ３よび高純度塩素ガスを供給および排気
するための供給口２ａ。
２ｂおよび排気［１３を設けた密閉容器４を用意する。
この密閉容器４のに内壁面は耐酸性の材質で被覆されて
いる。通常、このような材質としてテフロンコート１２
が用いられる。
いる。通常、このような材質としてテフロンコート１２
が用いられる。
密閉容器４内には、半導体薄膜を形成されるべき半導体
単結晶基板５が用意され、この半導体中結晶基板５を支
持するど共に、この半導体基板表面に形成された薄膜を
分解した際に生ずる分解液を収容するための受皿６と、
弗化水素酸１６の蒸発用ビーカー７とが密閉容器４内に
設置される。
単結晶基板５が用意され、この半導体中結晶基板５を支
持するど共に、この半導体基板表面に形成された薄膜を
分解した際に生ずる分解液を収容するための受皿６と、
弗化水素酸１６の蒸発用ビーカー７とが密閉容器４内に
設置される。
密閉容器４の外部には、半導体基板５に赤外線Ｊ３よび
紫外線を供給するだめの光源が設けられている。すなわ
ち、基板５に赤外線１３を供給するために赤外線ランプ
８が、紫外線としてシー１ア光１４を供給するためにシ
ー１１発振器９がそれぞれ光源として用意される。レー
ザ発振器９からのレーザ光１４は集束レンズ１０および
反射板１１を経て集光され、半導体基板５の表面に照射
される。
紫外線を供給するだめの光源が設けられている。すなわ
ち、基板５に赤外線１３を供給するために赤外線ランプ
８が、紫外線としてシー１ア光１４を供給するためにシ
ー１１発振器９がそれぞれ光源として用意される。レー
ザ発振器９からのレーザ光１４は集束レンズ１０および
反射板１１を経て集光され、半導体基板５の表面に照射
される。
次に、このような装置を用いて半導体Ｍ椴５の表面に半
導体薄膜を形成する方法について説明する。
導体薄膜を形成する方法について説明する。
まず、密閉容器４内に半導体単結晶基板５を受皿６に立
てかけておく。この受皿６は半導体基板５を支持し、分
解液を受は入れるように形成されている。次いで供給口
２ａ、２ｂから、高純度酸素ガスと高純度塩素ガスとを
密閉容器４内に注入する。そして排気口３から排気し、
密閉容器４内を高純度酸素ガスと高純度塩素ガス（５％
）の雰囲気に置換する。
てかけておく。この受皿６は半導体基板５を支持し、分
解液を受は入れるように形成されている。次いで供給口
２ａ、２ｂから、高純度酸素ガスと高純度塩素ガスとを
密閉容器４内に注入する。そして排気口３から排気し、
密閉容器４内を高純度酸素ガスと高純度塩素ガス（５％
）の雰囲気に置換する。
次に、半導体基板５の裏面を赤外線ランプ８からの赤外
線１３で照）１して加熱する。また半導体基板５のミラ
ー面側（表面側）を、窓１ｂを介してレーザ光発振器９
からのレー（ア光１４により照射する。なお、反則板１
１の角度を変化させることにより、半導体基板５の任危
の部分にレーザ光１４を照射することができる。レーザ
ー光の波長は１８５ｆツメ−ターあるいは２５４ナノメ
ーターのものが適している。このようなレーザ光１４を
発生させるためには、例えばキヒノンー塩素レーザを使
用することができる。
線１３で照）１して加熱する。また半導体基板５のミラ
ー面側（表面側）を、窓１ｂを介してレーザ光発振器９
からのレー（ア光１４により照射する。なお、反則板１
１の角度を変化させることにより、半導体基板５の任危
の部分にレーザ光１４を照射することができる。レーザ
ー光の波長は１８５ｆツメ−ターあるいは２５４ナノメ
ーターのものが適している。このようなレーザ光１４を
発生させるためには、例えばキヒノンー塩素レーザを使
用することができる。
このようにして照射された赤外線１３により半導体基板
５は約２５０℃に加熱され、またレーず光１４により半
導体基板５の表面で密閉容３４内の酸素と反応し、酸化
膜１５が半導体薄膜として形成される。
５は約２５０℃に加熱され、またレーず光１４により半
導体基板５の表面で密閉容３４内の酸素と反応し、酸化
膜１５が半導体薄膜として形成される。
このようにして半導体基板５の表面に半導体薄膜が形成
された後に、高純度の弗化水素酸１６を密閉容器４内の
弗化水素酸蒸発用ビーカー７に入れて密閉し、常温で２
〜３時間放置する。このようにすると、容器４内に充満
した弗化水素ガスにより半導体基板５の表面に形成され
た酸化膜１５は分解され、その分解液が受皿６にたまる
。その分解液をマイフロピベラ１−で回収し、撹拌計量
したのち直接μフレームレス原子吸光分析装置で不純物
量を測定する。
された後に、高純度の弗化水素酸１６を密閉容器４内の
弗化水素酸蒸発用ビーカー７に入れて密閉し、常温で２
〜３時間放置する。このようにすると、容器４内に充満
した弗化水素ガスにより半導体基板５の表面に形成され
た酸化膜１５は分解され、その分解液が受皿６にたまる
。その分解液をマイフロピベラ１−で回収し、撹拌計量
したのち直接μフレームレス原子吸光分析装置で不純物
量を測定する。
本発明は上記実施例に限定されるものでなく、種々の変
形が可能である。例えば、上述した実施例では紫外線光
源としてレーザ発振器９を用いたが、低圧水銀灯を使用
して紫外線光源とりることも可能である。この場合にも
上記の実施例と同様に、半導体基板５０表面に酸化膜１
５を形成り−ることができる。また、半導体基板５を酸
化して半導体薄膜を形成するものに限定されず、密閉容
器４内に原料ガスを導入して半導体薄膜を成長させるも
のにも適用できる。
形が可能である。例えば、上述した実施例では紫外線光
源としてレーザ発振器９を用いたが、低圧水銀灯を使用
して紫外線光源とりることも可能である。この場合にも
上記の実施例と同様に、半導体基板５０表面に酸化膜１
５を形成り−ることができる。また、半導体基板５を酸
化して半導体薄膜を形成するものに限定されず、密閉容
器４内に原料ガスを導入して半導体薄膜を成長させるも
のにも適用できる。
ざらに弗化水素ガスは、外部から導入管を介して密閉容
器４内に導入するようにしてもよい。放射線は赤外線あ
るいは紫外線に限られない。
器４内に導入するようにしてもよい。放射線は赤外線あ
るいは紫外線に限られない。
以上の通り本発明によれば、半導体薄膜の形成と分解と
を同一密閉容器内でＪ３こなうことが可能となるため、
従来のように半導体薄膜形成時や移し換え時に外部から
汚染さ゛れることが完全に防止できるので、分析精度を
向上させることが可能な半導体ｉｔＱ膜の形成・分解装
置が得られる。
を同一密閉容器内でＪ３こなうことが可能となるため、
従来のように半導体薄膜形成時や移し換え時に外部から
汚染さ゛れることが完全に防止できるので、分析精度を
向上させることが可能な半導体ｉｔＱ膜の形成・分解装
置が得られる。
従って、半導体基板中の不純物量の正確な測定が可能に
なるという利点がある。
なるという利点がある。
図は本発明の一実施例を示寸慨略構成図である。
４・・・密閉容器、５・・・半導体基板、６・・・受皿
、７・・・ビーカー、８・・・赤外線ランプ、９・・・
レーザ発振器、１３・・・赤外線、１４・・・レージ”
光、１５・・・酸化膜。
、７・・・ビーカー、８・・・赤外線ランプ、９・・・
レーザ発振器、１３・・・赤外線、１４・・・レージ”
光、１５・・・酸化膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、放射線透過材料からなる第１および第２の窓を有す
る密閉容器と、この密閉容器内に配置される半導体基板
の表面に形成された半導体薄膜を、分解した際に生じる
分解液を回収する回収手段と、前記密閉容器の外側から
前記第１の窓を介して前記半導体基板の一方の面に第１
の放射線を照射して加熱する第１の放射線源と、前記半
導体薄膜を形成するための雰囲気ガスを前記密閉容器内
に供給する雰囲気ガス供給手段と、前記窓閉容器の外側
から前記第２の窓を介して前記半導体基板の他方の面に
エネルギーの高い第２の放射線を照射し、この面に前記
半導体薄膜を形成する第２の放射線源と、前記半導体薄
膜を分解するための分解ガスを前記密閉容器内に供給す
る分解ガス供給手段とを備える半導体薄膜の形成・分解
装置。 ２、前記密閉容器の内壁面は、前記雰囲気ガスおよび分
解ガスに対して不溶性の材料で被覆されている特許請求
の範囲第１項記載の半導体薄膜の形成・分解装置。 ３、前記放射線透過材料は、前記雰囲気ガスおよび分解
ガスに対して不溶性を有している特許請求の範囲１項も
しくは第２項記載の半導体薄膜の形成・分解装置。 ４、前記第１の放射線は赤外線である特許請求の範囲第
１項乃至第３項のいずれかに記載の半導体薄膜の形成・
分解装置。 ５、前記第２の放射線は紫外線であり、前記雰囲気ガス
は酸素ガスおよび塩素ガスであり、前記分解ガスはフッ
化水素酸である特許請求の範囲第１項乃至第４項のいず
れかに記載の半導体薄膜の形成・分解装置。 ６、前記回収手段は、前記半導体基板を支持すると共に
前記分解液を収容する受皿である特許請求の範囲第１項
乃至第５項のいずれかに記載の半導体薄膜の形成・分解
装置。 ７、前記雰囲気ガス供給手段は、前記雰囲気ガスを導入
するための導入口と、これを排出するための排出口とを
有する特許請求の範囲第１項乃至第６項のいずれかに記
載の半導体薄膜の形成・分解装置。 ８、前記分解ガス供給手段は、前記分解ガスのガス源を
収容する収容容器を有する特許請求の範囲１項乃至第７
項のいずれかに記載の半導体薄膜の形成・分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14976285A JPS6211129A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 半導体薄膜の形成・分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14976285A JPS6211129A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 半導体薄膜の形成・分解装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211129A true JPS6211129A (ja) | 1987-01-20 |
| JPH0531940B2 JPH0531940B2 (ja) | 1993-05-13 |
Family
ID=15482184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14976285A Granted JPS6211129A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 半導体薄膜の形成・分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5762755A (en) * | 1991-05-21 | 1998-06-09 | Genus, Inc. | Organic preclean for improving vapor phase wafer etch uniformity |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232413A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| JPS6069531A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-20 | Toshiba Corp | 半導体薄膜の分解装置 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP14976285A patent/JPS6211129A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232413A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
| JPS6069531A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-20 | Toshiba Corp | 半導体薄膜の分解装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5762755A (en) * | 1991-05-21 | 1998-06-09 | Genus, Inc. | Organic preclean for improving vapor phase wafer etch uniformity |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0531940B2 (ja) | 1993-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |