JPS6177155A - 超格子積層構造薄膜の作製装置 - Google Patents
超格子積層構造薄膜の作製装置Info
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- JPS6177155A JPS6177155A JP20136085A JP20136085A JPS6177155A JP S6177155 A JPS6177155 A JP S6177155A JP 20136085 A JP20136085 A JP 20136085A JP 20136085 A JP20136085 A JP 20136085A JP S6177155 A JPS6177155 A JP S6177155A
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- Japan
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- sputtering
- sputtered
- thin film
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- mask
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば書き換え可能な光磁気ディスクに適用
する光磁気記録媒体の作製に用いられる積層構造の￥！
Ｉ膜の作製装置に係わる。
する光磁気記録媒体の作製に用いられる積層構造の￥！
Ｉ膜の作製装置に係わる。
本発明は複数のスパッタ源を同一円周上に配置してこれ
に対して被スパッタリング基体を回転させつつそのスパ
ッタリングを行って、各スパッタ源からのスパッタ材に
よる極薄の各薄膜層の積層構造による薄膜を得ることが
できるようにするものである。
に対して被スパッタリング基体を回転させつつそのスパ
ッタリングを行って、各スパッタ源からのスパッタ材に
よる極薄の各薄膜層の積層構造による薄膜を得ることが
できるようにするものである。
レーザー光、例えば半導体レーザー光により書き込み、
読み出しを行うことができ書き換え可能な光磁気ディス
クとして、希土類金属と遷移金属とのアモルファス（非
晶質）合金によるものが提案されている。このような光
磁気ディスク、すなわち光磁気記録媒体を得る方法とし
ては、スパッタリング法がある。この場合のスパッタリ
ングは、１つのスパッタ源からなされる。すなわち、そ
のスパッタ源、すなわちターゲットは、遷移金属ターゲ
ット上に希土類金属のベレット（細片）を載せた構成と
し、これら金属を同時に基体上にスバツタリングすると
いう方法がとられる。このようにして得た光磁気記録媒
体の磁化曲線（磁化の強さＭ−磁場の強さＨ曲線）は、
第３図に示すようにそのヒステリシス特性の角型が悪い
。したがって、この場合、何らかの理由で、記録済みの
媒体に外部磁界が与えられた場合などにおいて媒体上の
記録が劣化しＳ／Ｎを低めてしまうなどの問題点がある
。また、このような方法による場合、記録媒体の全域に
亘って一様のスパッタリング、したがって一様の磁気特
性を有するものが得難いという問題点がある。
読み出しを行うことができ書き換え可能な光磁気ディス
クとして、希土類金属と遷移金属とのアモルファス（非
晶質）合金によるものが提案されている。このような光
磁気ディスク、すなわち光磁気記録媒体を得る方法とし
ては、スパッタリング法がある。この場合のスパッタリ
ングは、１つのスパッタ源からなされる。すなわち、そ
のスパッタ源、すなわちターゲットは、遷移金属ターゲ
ット上に希土類金属のベレット（細片）を載せた構成と
し、これら金属を同時に基体上にスバツタリングすると
いう方法がとられる。このようにして得た光磁気記録媒
体の磁化曲線（磁化の強さＭ−磁場の強さＨ曲線）は、
第３図に示すようにそのヒステリシス特性の角型が悪い
。したがって、この場合、何らかの理由で、記録済みの
媒体に外部磁界が与えられた場合などにおいて媒体上の
記録が劣化しＳ／Ｎを低めてしまうなどの問題点がある
。また、このような方法による場合、記録媒体の全域に
亘って一様のスパッタリング、したがって一様の磁気特
性を有するものが得難いという問題点がある。
本発明は上述した諸欠点を解消し、各部一様にすぐれた
特性を有する光磁気記録媒体を得ることのできる積層構
造の薄膜の作製装置を提供するものである。
特性を有する光磁気記録媒体を得ることのできる積層構
造の薄膜の作製装置を提供するものである。
本発明は、複数のスパッタ源を同一円周上に配置し、こ
れらスパッタ源の配置された円周の中心軸０−０′を中
心として被スパッタリング基体を回転させ、スパッタ源
と上記被スパッタリング基体との間には夫々被スパッタ
リング基体に対して各スパッタ源よりの飛翔スバ・ツタ
材の透過開口を有し夫々のスパッタ領域を規制するマス
クを設はマスクの各開口はその開口幅が中心軸０−０′
側から外周方向に向って広がる形状に選定する。
れらスパッタ源の配置された円周の中心軸０−０′を中
心として被スパッタリング基体を回転させ、スパッタ源
と上記被スパッタリング基体との間には夫々被スパッタ
リング基体に対して各スパッタ源よりの飛翔スバ・ツタ
材の透過開口を有し夫々のスパッタ領域を規制するマス
クを設はマスクの各開口はその開口幅が中心軸０−０′
側から外周方向に向って広がる形状に選定する。
（作用〕
本発明装置によれば、複数のスバ・ツタ源を設けて基体
（１）の回転によってスパッタを行う基体（１）上に各
スパッタ源からのスパッタ材が交互に積層される。そし
て、そのスパッタ条件の選定、例えば基体（１）の回転
速度、マスク開口幅、印加電圧等の選定によって極薄の
各材料例えば各構成元素層を周期的に積層して成る超格
子構造のアモルファス薄膜を作製できる。
（１）の回転によってスパッタを行う基体（１）上に各
スパッタ源からのスパッタ材が交互に積層される。そし
て、そのスパッタ条件の選定、例えば基体（１）の回転
速度、マスク開口幅、印加電圧等の選定によって極薄の
各材料例えば各構成元素層を周期的に積層して成る超格
子構造のアモルファス薄膜を作製できる。
第１図は本発明装置の一例の路線的構成を示すもので、
マグネトロン型のスパッタリング装置の構成をとるもの
である。この場合、ベルジャ（図示せず）内に、中心軸
０−０′を中心として回転する基台（６）を設け、これ
の例えば下面に目的とする薄膜を被着形成する被スパッ
タリング体、例えば光磁気記録媒体を構成するガラス板
、樹脂板等より成る基体ＣＩ）が配置される。そして、
この基体（１）に対向して軸心０−０′を中心に等間隔
、すなわち１８０°の角間隔を保持して２個のスパッタ
源（７）及び（８）を配置する。これらスパッタｍ （
７）及び（８）と基台（６）、すなわち基体（１）との
間には、スパッタ源（７）及び（８）より夫々スパッタ
される金属のスパッタ位置を規制するマスク（９）を配
置する。スパッタ源（７）は希土類金属Ｔｂの板状体よ
り成るターゲットα〔を有し、スパッタ源（８）は、遷
移金属ｒｅの板状体より成るターゲット（１１）を有し
て成る。（１２）及び（１３）は、夫々マグネットを示
す。
マグネトロン型のスパッタリング装置の構成をとるもの
である。この場合、ベルジャ（図示せず）内に、中心軸
０−０′を中心として回転する基台（６）を設け、これ
の例えば下面に目的とする薄膜を被着形成する被スパッ
タリング体、例えば光磁気記録媒体を構成するガラス板
、樹脂板等より成る基体ＣＩ）が配置される。そして、
この基体（１）に対向して軸心０−０′を中心に等間隔
、すなわち１８０°の角間隔を保持して２個のスパッタ
源（７）及び（８）を配置する。これらスパッタｍ （
７）及び（８）と基台（６）、すなわち基体（１）との
間には、スパッタ源（７）及び（８）より夫々スパッタ
される金属のスパッタ位置を規制するマスク（９）を配
置する。スパッタ源（７）は希土類金属Ｔｂの板状体よ
り成るターゲットα〔を有し、スパッタ源（８）は、遷
移金属ｒｅの板状体より成るターゲット（１１）を有し
て成る。（１２）及び（１３）は、夫々マグネットを示
す。
マスク（９）は、例えば第２図に示すように、ターゲフ
）Ｑ（Ｏ及び（１１）に対向する部分にこれらターゲッ
トＱａｌ及び（１１）の中心を通る直線Ｘ方向に外側に
向って広がるいちょう形の開口（１４）及び（１５）が
穿設されて成り、基台（６）が停止した状態では基体（
１）の互いに異なる部分例えば主として一半部に一方の
ターゲットαφからの希土類金属がスパッタリングされ
、主として他半部に他方のターゲット（１１）からの遷
移金属がスパッタリングされるようにする。
）Ｑ（Ｏ及び（１１）に対向する部分にこれらターゲッ
トＱａｌ及び（１１）の中心を通る直線Ｘ方向に外側に
向って広がるいちょう形の開口（１４）及び（１５）が
穿設されて成り、基台（６）が停止した状態では基体（
１）の互いに異なる部分例えば主として一半部に一方の
ターゲットαφからの希土類金属がスパッタリングされ
、主として他半部に他方のターゲット（１１）からの遷
移金属がスパッタリングされるようにする。
そして基台（６）を回転させながらターゲットＱＯ）及
び（１１）を負極側として直流スパッタリングを行う、
（１６）はシャッタで、このシャッタ（１６）はス
パッタリングの開始時の放電が不安定な状態では図示の
ようにスパッタ源と被スパッタリング基体との間に配置
されるが、放電が安定した状態で排除される。
び（１１）を負極側として直流スパッタリングを行う、
（１６）はシャッタで、このシャッタ（１６）はス
パッタリングの開始時の放電が不安定な状態では図示の
ようにスパッタ源と被スパッタリング基体との間に配置
されるが、放電が安定した状態で排除される。
今この装置によってこの基台（６）の回転を１回転３秒
間の回転速度をもって回転させて６分間、すなわち、１
２０回の回転によってスパッタリングを行った。この場
合、基体（１）上には、全体として１０００人の薄膜（
５）が堆積被着された。そして、このようにして形成さ
れた薄膜（５）は、第４図に示すようにＴｂ層（２）と
Ｆｅｊｉｉ（３）とが交互に繰り返し積層された構成と
なる。
間の回転速度をもって回転させて６分間、すなわち、１
２０回の回転によってスパッタリングを行った。この場
合、基体（１）上には、全体として１０００人の薄膜（
５）が堆積被着された。そして、このようにして形成さ
れた薄膜（５）は、第４図に示すようにＴｂ層（２）と
Ｆｅｊｉｉ（３）とが交互に繰り返し積層された構成と
なる。
尚、基体ｆｌ）に対するスパッタリングによる各層（２
） 、 （３１の成長速度は、例えば２〜２０人／秒就
中５〜１０人／秒となるように基体（１）とスパッタ源
との相対的回転速度、各スパッタ源、すなわち各ターゲ
ットへの印加電圧、電流条件等を選定することによって
選定する。すなわち基体への成長速度が２人／秒未満と
なると、遷移金属と希土類金属とが夫々層状に形成され
難くなり、また２０人／秒を超えると磁気的特性が低下
して（ることが認められる。
） 、 （３１の成長速度は、例えば２〜２０人／秒就
中５〜１０人／秒となるように基体（１）とスパッタ源
との相対的回転速度、各スパッタ源、すなわち各ターゲ
ットへの印加電圧、電流条件等を選定することによって
選定する。すなわち基体への成長速度が２人／秒未満と
なると、遷移金属と希土類金属とが夫々層状に形成され
難くなり、また２０人／秒を超えると磁気的特性が低下
して（ることが認められる。
上述の本発明装置によって得た光磁気記録媒体の磁化曲
線を第５図に示す、この場合、第３図のものに比し角型
比の向上がみられる。
線を第５図に示す、この場合、第３図のものに比し角型
比の向上がみられる。
尚、上述した例においては、各希土類金属と遷移金属と
を夫々単一金属によって構成した場合であるが、これら
の一方若しくは双方を２元以上の組成とすることもでき
る。例えば希土類金属としてＴｂＧｄ合金、遷移金属と
してＦｅＣｏ合金を用い得る。
を夫々単一金属によって構成した場合であるが、これら
の一方若しくは双方を２元以上の組成とすることもでき
る。例えば希土類金属としてＴｂＧｄ合金、遷移金属と
してＦｅＣｏ合金を用い得る。
このように希土類金属、或いは（及び）遷移金属として
２元以上の金属より構成する場合は、ターゲット（１０
１或いは（及び＞ （１１）として夫々これらの合金
によって構成するか、或いはターゲットαω或いは（及
び）（１１）を部分的に、特にマスク（９）の開口（１
４）或いは（及び） （１５）に臨む部分において部
分的に夫々の金属部分の面積の比率が、最終的に得るよ
うとする各合金の組成比の割合となるように選定すると
か、ターゲット００或いは（及び） （１１）として
１種の金属の板体上に他の金属ペレットを載せてそのス
パッタを行うなどの方法を採り得る。
２元以上の金属より構成する場合は、ターゲット（１０
１或いは（及び＞ （１１）として夫々これらの合金
によって構成するか、或いはターゲットαω或いは（及
び）（１１）を部分的に、特にマスク（９）の開口（１
４）或いは（及び） （１５）に臨む部分において部
分的に夫々の金属部分の面積の比率が、最終的に得るよ
うとする各合金の組成比の割合となるように選定すると
か、ターゲット００或いは（及び） （１１）として
１種の金属の板体上に他の金属ペレットを載せてそのス
パッタを行うなどの方法を採り得る。
また、スパッタ源は、希土類金属と遷移金属とに関し、
夫々異るスパッタ源を用いるものであるが、これらは夫
々複数個設けることもできる。
夫々異るスパッタ源を用いるものであるが、これらは夫
々複数個設けることもできる。
本発明装置によれば、全体として所要の組成となるも、
その各構成材料を、例えば各元素毎に或いは合金毎に夫
々極薄の薄膜層として順次繰り返し、周期的に積層させ
た構造の薄膜を作製でき、上述したように例えば光磁気
記録媒体の作製に通用すれば、特性の良い媒体を作製で
きるので実用上の利益は極めて大きい。
その各構成材料を、例えば各元素毎に或いは合金毎に夫
々極薄の薄膜層として順次繰り返し、周期的に積層させ
た構造の薄膜を作製でき、上述したように例えば光磁気
記録媒体の作製に通用すれば、特性の良い媒体を作製で
きるので実用上の利益は極めて大きい。
第１図は本発明装置の一例の路線的構成図、第２図はそ
の要部の平面図、第３図は従来装置によって得た光磁気
記録媒体の磁化曲線図、第４図は本発明装置によって得
た光磁気記録媒体の路線的拡大断面図、第５図はその磁
化曲線図である。 （１）は基体、（６）は基台、（７）及び（８）はスパ
ッタ源である。 同 松隈秀盛４Ｘｉ、、”’、’、。 ２ト・シー３日目馨屯寛 の 才１１．ダ＼、 じ０第
１図 マスクの半面図 第２図 ゐ江化曲舟東 第３図 ６はイし 曲線
の要部の平面図、第３図は従来装置によって得た光磁気
記録媒体の磁化曲線図、第４図は本発明装置によって得
た光磁気記録媒体の路線的拡大断面図、第５図はその磁
化曲線図である。 （１）は基体、（６）は基台、（７）及び（８）はスパ
ッタ源である。 同 松隈秀盛４Ｘｉ、、”’、’、。 ２ト・シー３日目馨屯寛 の 才１１．ダ＼、 じ０第
１図 マスクの半面図 第２図 ゐ江化曲舟東 第３図 ６はイし 曲線
Claims (1)
- 複数のスパッタ源が同一円周上に配置され、これらスパ
ッタ源の配置された上記円周の中心軸を中心として被ス
パッタリング基体が回転するようになされ、上記スパッ
タ源と上記被スパッタリング基体との間には夫々上記被
スパッタリング基体に対して上記各スパッタ源よりの飛
翔スパッタ材の透過開口を有し夫々のスパッタ領域を規
制するマスクが設けられ、上記マスクの上記各開口はそ
の開口幅が上記中心軸側から外周方向に向って広がる形
状に選定されたことを特徴とする積層構造薄膜の作製装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20136085A JPS6177155A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 超格子積層構造薄膜の作製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20136085A JPS6177155A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 超格子積層構造薄膜の作製装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58092067A Division JPH0670858B2 (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 光磁気記録媒体とその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177155A true JPS6177155A (ja) | 1986-04-19 |
| JPH0532817B2 JPH0532817B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=16439757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20136085A Granted JPS6177155A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 超格子積層構造薄膜の作製装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177155A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296551A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-27 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732370A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sputtering and vapor-depositing method and formation of magnetic gap by said method |
-
1985
- 1985-09-11 JP JP20136085A patent/JPS6177155A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732370A (en) * | 1980-07-31 | 1982-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sputtering and vapor-depositing method and formation of magnetic gap by said method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296551A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-27 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0532817B2 (ja) | 1993-05-18 |
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