JPS6178126A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents

半導体装置の樹脂封止方法

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JPS6178126A
JPS6178126A JP59202253A JP20225384A JPS6178126A JP S6178126 A JPS6178126 A JP S6178126A JP 59202253 A JP59202253 A JP 59202253A JP 20225384 A JP20225384 A JP 20225384A JP S6178126 A JPS6178126 A JP S6178126A
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JP
Japan
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resin
sealing
semiconductor device
sealed
chip
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JP59202253A
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JPH0247105B2 (ja
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Hirotsugu Harada
原田　昿嗣
Takahiko Iida
隆彦 飯田
Hirobumi Ikeo
池尾　寛文
Tsuneo Hashizume
橋詰　恒雄
Jiro Fukushima
二郎 福島
Masanori Tosa
土佐　雅宣
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置、特罠大規模集積回路装置（Ｌａｒ
ｇｅ　５ｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、以下「Ｌ
ｓＩＪというＯ）の樹脂による封止の方法の改善に関す
るものである０ 〔従来の技術〕 第３図（τを従来のＬＳＩを樹脂封止したものの断面図
で、（１）ｉｉ外部リード端子、（２）はダイノくラド
、（３）はＬＳＩチップ、（４）はＬＳＩチップ（３）
と外部リード端子（１）とを電気的につなぐＡｔ細線、
（５）は封止樹脂である。従来の封止方法においては封
止樹脂（５）は第３図に示すように製品の最終形態を一
度の工程で封止するのが通例である。工程の単純化とい
う点からは上述の方法が最善と考えられてきた、〔発明
が解決しようとする問題点１ 以上のような従来の方法では、ＬＳＩチップ（３）の寸
法の増加につれて封止樹脂（５）が硬化する際のストレ
スが無視しえなくなりつつあり、著しい場合においては
、ＬＳＩチップ（３）表面の周辺部分のＡｔ配線パター
ン（図示せず）またはＡｔ縄１り！（４）を変形させる
ことが本発明者等により確認されている。
また、封止樹脂（５）は第４図に示すように、エポキシ
樹脂部分（６）とＬＳＩチップ（３）との熱膨張係数を
近づけるためにフィラー（ア）と称する充填材とからな
っており、通常合成石英の粉末がフィラー（７）として
用いられているが、ＬＳＩチップ（３）の表面に接触し
ているフィラー（７ａ）が局所的に非常に大きな圧力１
ｔＬｓＩチツプ（３）に及ぼすことによりＬＳＩの誤動
作を招くことも本発明者等により確認されている。この
現象は、ＬＳＩチップ（３）のパターンが微細化し、信
号電荷が微弱になるｔｌど、且つ封止樹脂（５）のスト
レスが大きいＬＳＩチップ（３）の周辺部程著しいとい
５問題点があった。
本発明はこのような問題点を解決するためＫなされたも
ので、半導体チップ周辺部への封止樹脂のストレスの集
中を緩和できるような封止方法を得ることを目的として
いる。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明の封止方法は半導体チップの中央部と両端部と
を別工程で樹脂封止するものである。
〔作用〕
この発明では、半導体チップの中央部と両端部とを別工
程で樹脂封止することＫよって封止樹脂のストレスの集
中を緩和する。
〔実施例〕 第１図Ａ、ＢＶｉこの発明の一実施例の各工程段階での
状Ｓを示す断面図で、前述の第３図の従来例と同一符号
は同等部分を示し、その説明は重複を避ける。この実施
例ではまず第１図ＡＫ示すように、ＬＳＩチップ（３）
の中央部を封止樹脂（５ａ）で封止、硬化させる。次い
で、第１図ＢＫ示すように残余の部分を封止樹脂（５ｂ
）で封止して、樹脂封止を完結する。
第２図Ａ、Ｂはこの発明の他の実施例の各工程段階での
状態を示す断面図で、この実施例では、まず第２図Ａに
示すように、ＬＳＩチップ（３）の両端部を封止樹脂（
５ｂ）で封止、硬化させ、次いで第２図Ｂに示すように
残余の中央部を封止樹脂（５ａ）で封止して、樹脂封正
金完結する。
上記実施例ではＬＳＩチップを対象としたが、半導体チ
ップ一般に広く適用できることは勿論である０ 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明では半ｊダ体チップを樹
脂封止するに際してその中央部と両端部とを別工程で一
方を封止、便化させてから他方を封止するようにしたの
で、硬化に伴うストレスの発生を大幅に低減でき、半導
体チップへの悪影響も極めて少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ、Ｂはこの発明の一実施例の各工程段階での状
ａｔ−示す断面図、第２図Ａ、Ｂはこの発明の他の実施
例の各工程段階での状態を示す断面図、第３図は従来の
樹脂封止ＬＳＩの断面図、第４図はその封止樹脂部分の
詳細を示す拡大部分断面図である。 図において、（３）は半導体チップ（ＬＳＩチップ）、
（５ａ）は中央部封止樹脂、（５ｂ）は両端！ｌＳ封止
樹脂である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体チップの中央部とその両端部とを個々に一
    方を樹脂で封止し硬化させてから他方を樹脂で封止する
    ことを特徴とする半導体装置の樹脂封止方法。
JP59202253A 1984-09-25 1984-09-25 半導体装置の樹脂封止方法 Granted JPS6178126A (ja)

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JPS6178126A true JPS6178126A (ja) 1986-04-21
JPH0247105B2 JPH0247105B2 (ja) 1990-10-18

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JPH06254747A (ja) * 1993-03-03 1994-09-13 Daishowa Seiki Co Ltd 工具の取付位置調整方法と調整のための測定具

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JPH0247105B2 (ja) 1990-10-18

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