JPS6178131A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents
ワイヤボンデイング装置Info
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- JPS6178131A JPS6178131A JP59200107A JP20010784A JPS6178131A JP S6178131 A JPS6178131 A JP S6178131A JP 59200107 A JP59200107 A JP 59200107A JP 20010784 A JP20010784 A JP 20010784A JP S6178131 A JPS6178131 A JP S6178131A
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- bonding
- capillary
- bonding wire
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
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- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
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- H10W72/50—Bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ワイヤボンディング装置に関する。
従来、半導体装置のワイヤデンディングを行うためにワ
イヤボンディング装置が使用されている。而して、ボン
ディング線のほとんどはＡｕ線で形成されていた。この
ため、ボンディング線の端部にメールを形成する際や被
ボンディング体に接合する際にも、加熱ブスや接合時の
輻射熱によってもメール及びボンディング線はほとんど
酸化されず、優れたボンディング性の下に長時間（亘る
が７デイング処理が可能であった。
イヤボンディング装置が使用されている。而して、ボン
ディング線のほとんどはＡｕ線で形成されていた。この
ため、ボンディング線の端部にメールを形成する際や被
ボンディング体に接合する際にも、加熱ブスや接合時の
輻射熱によってもメール及びボンディング線はほとんど
酸化されず、優れたボンディング性の下に長時間（亘る
が７デイング処理が可能であった。
しかしながら、半導体装置の製造コストを低減させるた
めにＡｕ線の代わシにＣｕ線を使用すると、従来のワイ
ヤぎンディング装置では、メール形成時や接合時に＆−
ル及びボンディング線の表面に酸化膜が形成される。そ
の結果、良好なワイヤボンディングを行うことができな
い問題があった〇 〔発明の目的〕 本発明は、ボンディング線及びビン７’４ング線に形成
されるが一ルの酸化を防止して良好なワイヤデンディン
グを行うことができるワイヤボンディング装置を提出す
ることをその目的とするものである。
めにＡｕ線の代わシにＣｕ線を使用すると、従来のワイ
ヤぎンディング装置では、メール形成時や接合時に＆−
ル及びボンディング線の表面に酸化膜が形成される。そ
の結果、良好なワイヤボンディングを行うことができな
い問題があった〇 〔発明の目的〕 本発明は、ボンディング線及びビン７’４ング線に形成
されるが一ルの酸化を防止して良好なワイヤデンディン
グを行うことができるワイヤボンディング装置を提出す
ることをその目的とするものである。
本発明は、ボンディング線を供給するキャピラリーに不
活性ガスを噴出する遮蔽体を設けたことにより、ぎンｒ
イング１糎及びボンディング線に形成するボールの酸化
を防止して良好なワイヤボンディングを行うことができ
るワイヤボンディング装置である。
活性ガスを噴出する遮蔽体を設けたことにより、ぎンｒ
イング１糎及びボンディング線に形成するボールの酸化
を防止して良好なワイヤボンディングを行うことができ
るワイヤボンディング装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例の概略溝底を示す説明図
である。図中１は、被ぎンディング体２である半導体（
レットをａ置したヒーターステーノである。ヒータース
テーノ１の上方には、被ボンディング体２を固定する押
え部材３が投けられている。押え部材３の上方には、被
ボンディング体２の表面に対向して昇降自在にキャピラ
リー４が設けられている。キャピラリー４は、略円筒状
の遮蔽体５内に収容されている。遮蔽体５には、第２図
に示す如（、不活性がス６の導入孔７とボンディング線
８の挿通孔９が形成されている。遮蔽体５は、金属より
も軽く耐熱性に浸れたプラスチック等で形成されている
。キャピラリー４を収容する遮蔽体５の内径は約１０顎
φに設定されている。挿通孔９の径は、デンディング線
８が自在に挿通する程で１■φ以下に設定されている。
。第１図は、本発明の一実施例の概略溝底を示す説明図
である。図中１は、被ぎンディング体２である半導体（
レットをａ置したヒーターステーノである。ヒータース
テーノ１の上方には、被ボンディング体２を固定する押
え部材３が投けられている。押え部材３の上方には、被
ボンディング体２の表面に対向して昇降自在にキャピラ
リー４が設けられている。キャピラリー４は、略円筒状
の遮蔽体５内に収容されている。遮蔽体５には、第２図
に示す如（、不活性がス６の導入孔７とボンディング線
８の挿通孔９が形成されている。遮蔽体５は、金属より
も軽く耐熱性に浸れたプラスチック等で形成されている
。キャピラリー４を収容する遮蔽体５の内径は約１０顎
φに設定されている。挿通孔９の径は、デンディング線
８が自在に挿通する程で１■φ以下に設定されている。
４Ｍ体５の上方には、ざンディング線８の供給ｔを制御
するクランプ１０が設けられている。クランプ１０、遮
蔽体５、キャピラリ−４全挿通したデンディング線８の
後端部は、スプール１〕に巻装されている。クランプ１
０、遮蔽体５及びキャピラリー４は、ボンディング処理
に対応して連動するようになっている。なお、同図１２
は、ボンディング線８の端部にメール１３を形成するた
めに押え部材３の上方に設けられたトーチである。
するクランプ１０が設けられている。クランプ１０、遮
蔽体５、キャピラリ−４全挿通したデンディング線８の
後端部は、スプール１〕に巻装されている。クランプ１
０、遮蔽体５及びキャピラリー４は、ボンディング処理
に対応して連動するようになっている。なお、同図１２
は、ボンディング線８の端部にメール１３を形成するた
めに押え部材３の上方に設けられたトーチである。
このように構成されたワイヤボンディング装置ｊｉ１５
によれば、予めヒーターステーツノにより被ボンディン
グ体２を所定温度に加熱しておき、キャピラリー４から
導出したボンディング線８の端部にトーチ１２によりゴ
ール１３を形成する。このとき、遮蔽体５内には不活性
がス６が供給されているので、形成されたゾール１３０
表面が酸化されるのを防止することができる。しかも、
このＪＡ遮蔽体５内不活性がス６によりぎンディング線
８自体が酸化されるのを防止できる。この後、メール１
３の形成されたボン７４ング線８を、遮蔽体５に収容さ
れた状標でギヤピラリ−４を破ボンディング体２の所定
位置に導き、ボンディング処理を施す。つます、ボンデ
ィング線８及びゾール１３の酸化を防止しながら彼ざン
ディング体２にデンディングａ８に架設することができ
る。その結果、Ｃｕ線等の酸化し易い材質からなるボン
ディング線８の場合に、良好な接合性の下にボンディン
グ処理を行うことができる。
によれば、予めヒーターステーツノにより被ボンディン
グ体２を所定温度に加熱しておき、キャピラリー４から
導出したボンディング線８の端部にトーチ１２によりゴ
ール１３を形成する。このとき、遮蔽体５内には不活性
がス６が供給されているので、形成されたゾール１３０
表面が酸化されるのを防止することができる。しかも、
このＪＡ遮蔽体５内不活性がス６によりぎンディング線
８自体が酸化されるのを防止できる。この後、メール１
３の形成されたボン７４ング線８を、遮蔽体５に収容さ
れた状標でギヤピラリ−４を破ボンディング体２の所定
位置に導き、ボンディング処理を施す。つます、ボンデ
ィング線８及びゾール１３の酸化を防止しながら彼ざン
ディング体２にデンディングａ８に架設することができ
る。その結果、Ｃｕ線等の酸化し易い材質からなるボン
ディング線８の場合に、良好な接合性の下にボンディン
グ処理を行うことができる。
また、第３図に示す如く、不活性がス６の吹き付は圧力
により、はンデイング線８を湾曲させることにより逆テ
ンションをかけて、架設するボンディング線８のループ
長を制御することができる。
により、はンデイング線８を湾曲させることにより逆テ
ンションをかけて、架設するボンディング線８のループ
長を制御することができる。
以上説明した如く、本発明に係るワイヤはンディング装
置によれば、ボンディング線及びデンディング線に形成
するゾールの酸化を防止して良好なワイヤボンディング
を行うことができるものである。
置によれば、ボンディング線及びデンディング線に形成
するゾールの酸化を防止して良好なワイヤボンディング
を行うことができるものである。
第１図は、本発明の一実施例の峨略溝成を示す説明図、
第２図は、同実＃ｉ例のワイヤボンディング装置の要部
を示す説明図、第３図は、不活性ガスによりボンディン
グ線に逆テンションを加えている状態を示す説明図であ
る。 １・・・ヒーターステーノ、２・・・被ボンディング体
、３・・・押え部材、４・・・キャピラリー、５・・・
遮蔽体、６・・・不活性ガス、７・・導入孔、８・・・
ボンディングｊ４．９・・・挿通孔、１０・・・クラン
プ、１ノ・・・スｆ−ル、１２・・・トーチ、１３・・
・ゴール、１５ ・−・ワイヤ？ンｒイング装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 工 武 彦第１図 第２図 第３図
第２図は、同実＃ｉ例のワイヤボンディング装置の要部
を示す説明図、第３図は、不活性ガスによりボンディン
グ線に逆テンションを加えている状態を示す説明図であ
る。 １・・・ヒーターステーノ、２・・・被ボンディング体
、３・・・押え部材、４・・・キャピラリー、５・・・
遮蔽体、６・・・不活性ガス、７・・導入孔、８・・・
ボンディングｊ４．９・・・挿通孔、１０・・・クラン
プ、１ノ・・・スｆ−ル、１２・・・トーチ、１３・・
・ゴール、１５ ・−・ワイヤ？ンｒイング装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 工 武 彦第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 被ボンディング体が載置されるヒーターステージと、
該ヒーターステージの上方に前記被ボンディング体に対
向して昇降動自在に設けられたキャピラリーと、該キャ
ピラリーを内部に収容すると共に該内部に連通した不活
性ガスの導入孔とボンディング線の挿通孔を有する遮蔽
体と、該挿通孔及び前記キャピラリーを貫挿して先端部
を外部に導出したボンディング線と、前記ヒーターステ
ージの近傍に設けられたトーチとを具備することを特徴
とするワイヤボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200107A JPS6178131A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200107A JPS6178131A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | ワイヤボンデイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6178131A true JPS6178131A (ja) | 1986-04-21 |
Family
ID=16418944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59200107A Pending JPS6178131A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6178131A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283140A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ワイヤボンディング装置 |
| JPH02244646A (ja) * | 1987-04-29 | 1990-09-28 | Lsi Logic Corp | リードワイヤボンディング装置及び方法 |
| JPH0354837A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Nippon Steel Corp | ワイヤーボンディング方法 |
| US5031821A (en) * | 1988-08-19 | 1991-07-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device, method for producing or assembling same, and producing or assembling apparatus for use in the method |
| US8313015B2 (en) | 2008-06-10 | 2012-11-20 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Gas delivery system for reducing oxidation in wire bonding operations |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP59200107A patent/JPS6178131A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02244646A (ja) * | 1987-04-29 | 1990-09-28 | Lsi Logic Corp | リードワイヤボンディング装置及び方法 |
| JPS63283140A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ワイヤボンディング装置 |
| US5031821A (en) * | 1988-08-19 | 1991-07-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device, method for producing or assembling same, and producing or assembling apparatus for use in the method |
| JPH0354837A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Nippon Steel Corp | ワイヤーボンディング方法 |
| US8313015B2 (en) | 2008-06-10 | 2012-11-20 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Gas delivery system for reducing oxidation in wire bonding operations |
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